JPS62205635A - ハイブリツド集積回路の製造方法 - Google Patents
ハイブリツド集積回路の製造方法Info
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- JPS62205635A JPS62205635A JP61049118A JP4911886A JPS62205635A JP S62205635 A JPS62205635 A JP S62205635A JP 61049118 A JP61049118 A JP 61049118A JP 4911886 A JP4911886 A JP 4911886A JP S62205635 A JPS62205635 A JP S62205635A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ワイヤーボンディングを必要とするハイブリ
ッド集積回路（以下、ハイブリッドＩＣと称する）の製
造方法に関するものである。
ッド集積回路（以下、ハイブリッドＩＣと称する）の製
造方法に関するものである。
従来のハイブリッドＩＣの製造方法は、先ず、セラミッ
ク等の基板上にチップ集積回路（以下、チップＩｃと称
する）を設け、このチップＩＣと基板上の導体層とをワ
イヤーボンディングした後に、半■１印刷、チップマウ
ント及びリフロー工程を行い、ＩＣ（集積回路）及びワ
イヤーを保護するため、これらの部材をエポキシ或いは
シリコン等の樹脂にて封止を行うものであった。
ク等の基板上にチップ集積回路（以下、チップＩｃと称
する）を設け、このチップＩＣと基板上の導体層とをワ
イヤーボンディングした後に、半■１印刷、チップマウ
ント及びリフロー工程を行い、ＩＣ（集積回路）及びワ
イヤーを保護するため、これらの部材をエポキシ或いは
シリコン等の樹脂にて封止を行うものであった。
ところが、上記従来の方法では、セラミック基板と樹脂
との膨張係数の差異によりワイヤーの断線が生じがちと
なる。また、封止にシリコン樹脂を用いた場合には、ア
ッセンブリ後における有機溶剤の洗浄時に、シリコンレ
ジンの膨潤により上記ワイヤーの断線を生じることがあ
る。その上、シリコンは機械的強度が弱く、半田印刷、
チップマウント及びリフロー工程時にワイヤーが外力に
よる悪影音を受は易いため、これらの工程をワイヤーボ
ンディング工程以前に行う必要がある。その結果、ワイ
ヤーポンディングの重要な条件である基板温度を１７０
℃付近までしか上げることができず、ポンディグの信頼
性が低いという欠点を有していた。
との膨張係数の差異によりワイヤーの断線が生じがちと
なる。また、封止にシリコン樹脂を用いた場合には、ア
ッセンブリ後における有機溶剤の洗浄時に、シリコンレ
ジンの膨潤により上記ワイヤーの断線を生じることがあ
る。その上、シリコンは機械的強度が弱く、半田印刷、
チップマウント及びリフロー工程時にワイヤーが外力に
よる悪影音を受は易いため、これらの工程をワイヤーボ
ンディング工程以前に行う必要がある。その結果、ワイ
ヤーポンディングの重要な条件である基板温度を１７０
℃付近までしか上げることができず、ポンディグの信頼
性が低いという欠点を有していた。
本発明は、上記従来の問題点を考慮して成されたもので
あって、ワイヤーボンディング時に基板温度を適切な温
度まで上昇させ得る構成とし、ワイヤーボンディングの
信頼性を向上させることができるハイブリッド集積回路
の製造方法の提供を目的とするものである。
あって、ワイヤーボンディング時に基板温度を適切な温
度まで上昇させ得る構成とし、ワイヤーボンディングの
信頼性を向上させることができるハイブリッド集積回路
の製造方法の提供を目的とするものである。
本発明に係るハイブリッド集積回路の製造方法は、上記
の目的を達成するために、セラミックから成る基板上に
設けたチップＩＣを基板上の導体層とワイヤーボンディ
ングした後、上記チップＩＣ及びワイヤー上に、これら
の部材を封止するガラス層を形成し、その後、半田印刷
、他のチップ部品のマウント及びリフロー工程を行うこ
とにより、ワイヤーボンディングの信頼性を向上するこ
とができるように構成したことを特徴とするものである
。
の目的を達成するために、セラミックから成る基板上に
設けたチップＩＣを基板上の導体層とワイヤーボンディ
ングした後、上記チップＩＣ及びワイヤー上に、これら
の部材を封止するガラス層を形成し、その後、半田印刷
、他のチップ部品のマウント及びリフロー工程を行うこ
とにより、ワイヤーボンディングの信頼性を向上するこ
とができるように構成したことを特徴とするものである
。
〔実施例１〕
本発明の第１実施例を第１図、第３図及び第４図にノ５
づいて以下に説明する。
づいて以下に説明する。
ハイブリッドＩＣは、第３図及び第４図に示すように、
導体層５・・・にて配線パターンが形成されたセラミッ
クから成る絶縁性の基板１上に、チ・７プ状のＩＣ２が
設けられ、このＩＣ２と基板１とがワイヤー３・・・に
てボンディングされている。そして、上記ＩＣ２及びワ
イヤー３・・・を保護するためにこれらの部材がガラス
層４にて封止されている。
導体層５・・・にて配線パターンが形成されたセラミッ
クから成る絶縁性の基板１上に、チ・７プ状のＩＣ２が
設けられ、このＩＣ２と基板１とがワイヤー３・・・に
てボンディングされている。そして、上記ＩＣ２及びワ
イヤー３・・・を保護するためにこれらの部材がガラス
層４にて封止されている。
上記の構造において、本ハイブリッドＩＣを製造する際
には、基板１上に設けたＩＣ２をワイヤーポンディング
した後、第１図に示すように１．主に粉末状の低融点ガ
ラスを、加熱装置を装着した塗布装置により、ＩＣ２の
性能が損なわれない３５０〜４５０℃まで加熱して溶融
し、ＩＣ２及びワイヤー３・・・上に適度に塗布して被
覆する。そして、これを徐々に冷却、硬化させてガラス
層４を形成する。以下、半田印刷、他のチップ部品のマ
ウント及びリフロー工程等を経てハイブリッドＩＣが完
成される。
には、基板１上に設けたＩＣ２をワイヤーポンディング
した後、第１図に示すように１．主に粉末状の低融点ガ
ラスを、加熱装置を装着した塗布装置により、ＩＣ２の
性能が損なわれない３５０〜４５０℃まで加熱して溶融
し、ＩＣ２及びワイヤー３・・・上に適度に塗布して被
覆する。そして、これを徐々に冷却、硬化させてガラス
層４を形成する。以下、半田印刷、他のチップ部品のマ
ウント及びリフロー工程等を経てハイブリッドＩＣが完
成される。
〔実施例２〕
本発明の第２実施例を第２図乃至第４図に基づいて以下
に説明する。
に説明する。
基板１上に設けたＩＣ２をワイヤーポンディングした後
、第２図に示すように、ペースト状粉末ガラスをＩＣ２
及びワイヤー３・・・上に、これらの部材を被覆するよ
うに塗布する。そして、基板１自体を高温槽或いはりフ
ロー炉にて３５０〜４５０℃付近まで加熱し、上記ペー
スト状粉末ガラスを溶融する。さらに、これを徐々に冷
却し硬化させてガラス層４を形成する。その後、前記第
１実施例に示した同様の工程を経てハイブリッドＩＣが
完成される。
、第２図に示すように、ペースト状粉末ガラスをＩＣ２
及びワイヤー３・・・上に、これらの部材を被覆するよ
うに塗布する。そして、基板１自体を高温槽或いはりフ
ロー炉にて３５０〜４５０℃付近まで加熱し、上記ペー
スト状粉末ガラスを溶融する。さらに、これを徐々に冷
却し硬化させてガラス層４を形成する。その後、前記第
１実施例に示した同様の工程を経てハイブリッドＩＣが
完成される。
本発明に係るハイブリッド集積回路の製造方法は、以上
のように、セラミックから成る基板上に設けたチップＩ
ＣをＭａｌ上の導体層とワイヤーボンディングした後、
上記チップＩＣ及びワイヤー上に、これらの部材を封止
するガラス層を形成し、その後、半田印刷、他のチップ
部品のマウント及びリフロー工程を行う構成であるから
、セラミックから成る基板と同等の膨張係数を有するガ
ラス層にてＩＣ及びワイヤーが封止され、ワイヤーの断
線、を防止するごとができる。さらに、上記ガラス層に
より機械的強度が向上され、ワイヤーボンディング工程
後に半田印刷、チップマウント工程及びリフロー工程等
を行うことが可能となり、ボンディング条件が改善され
、ボンディングにおけろ信頼性を向上することができる
等の効果を奏する。
のように、セラミックから成る基板上に設けたチップＩ
ＣをＭａｌ上の導体層とワイヤーボンディングした後、
上記チップＩＣ及びワイヤー上に、これらの部材を封止
するガラス層を形成し、その後、半田印刷、他のチップ
部品のマウント及びリフロー工程を行う構成であるから
、セラミックから成る基板と同等の膨張係数を有するガ
ラス層にてＩＣ及びワイヤーが封止され、ワイヤーの断
線、を防止するごとができる。さらに、上記ガラス層に
より機械的強度が向上され、ワイヤーボンディング工程
後に半田印刷、チップマウント工程及びリフロー工程等
を行うことが可能となり、ボンディング条件が改善され
、ボンディングにおけろ信頼性を向上することができる
等の効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示すフロー図、第２図は他
の実施例を示すフロー図、第３図はハイブリッドＩＣの
縦断面図、第４図はハイブリッドＩＣの平面図である。 １は基板、２はＩＣｌ３はワイヤー、４はガラス層、５
は導体層である。 第２図 ↓ ハンダ“白已醗］、 今、７ブマ・ヤンヒ、リフ０−工
柔呈路。
の実施例を示すフロー図、第３図はハイブリッドＩＣの
縦断面図、第４図はハイブリッドＩＣの平面図である。 １は基板、２はＩＣｌ３はワイヤー、４はガラス層、５
は導体層である。 第２図 ↓ ハンダ“白已醗］、 今、７ブマ・ヤンヒ、リフ０−工
柔呈路。
Claims (1)
- １． セラミックから成る基板上に設けたチップ集積回
路を基板上の導体層とワイヤーボンディングした後、上
記チップ集積回路及びワイヤー上に、これらの部材を封
止するガラス層を形成し、その後、半田印刷、他のチッ
プ部品のマウント及びリフロー工程を行うことを特徴と
するハイブリッド集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049118A JPS62205635A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | ハイブリツド集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049118A JPS62205635A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | ハイブリツド集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205635A true JPS62205635A (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=12822146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049118A Pending JPS62205635A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | ハイブリツド集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62205635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997002596A1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composant electronique et son procede de fabrication |
| US7012332B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having sealing structure for wide gap type semiconductor chip |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP61049118A patent/JPS62205635A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997002596A1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composant electronique et son procede de fabrication |
| US6262513B1 (en) | 1995-06-30 | 2001-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component and method of production thereof |
| US6628043B2 (en) | 1995-06-30 | 2003-09-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component and method of production thereof |
| US6754950B2 (en) | 1995-06-30 | 2004-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component and method of production thereof |
| US7012332B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having sealing structure for wide gap type semiconductor chip |
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