JPS61125051A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61125051A JPS61125051A JP24592784A JP24592784A JPS61125051A JP S61125051 A JPS61125051 A JP S61125051A JP 24592784 A JP24592784 A JP 24592784A JP 24592784 A JP24592784 A JP 24592784A JP S61125051 A JPS61125051 A JP S61125051A
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- sealing
- cap
- glass
- semiconductor device
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、パッケージの気密封止に関し、ガラス封止型
半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
アルミナ（八１ｚｏｚ）等のセラミックで形成されてい
るペレット取付基板であるパッケージ基板とキャップと
を、低融点ガラスを用いて封着して製造する、いわゆる
ガラス封止型半導体装置がある。
るペレット取付基板であるパッケージ基板とキャップと
を、低融点ガラスを用いて封着して製造する、いわゆる
ガラス封止型半導体装置がある。
前記ガラス封止型半導体装置のパフケージの封止は、通
常バフケージ基板またはキャップの少な（とも一方の封
止部表面（以下、封着面ともいう。
常バフケージ基板またはキャップの少な（とも一方の封
止部表面（以下、封着面ともいう。
）に低融点ガラスをグレイズしたものを用意し、パンケ
ージ基板の封着面にキャンプの封着面が一敗するように
重ねた後、常温よりガラスの熔融温度以上、たとえば４
５０℃に加熱して行われる。
ージ基板の封着面にキャンプの封着面が一敗するように
重ねた後、常温よりガラスの熔融温度以上、たとえば４
５０℃に加熱して行われる。
前記のように、低い温度のものを４５０℃の炉内におく
と、外側である封止部とその内側であるキャビティ部と
では、加熱される程度が異なるため、封止部の昇温速度
に比ベキャビティ部の昇温速度が遅れることになる。
と、外側である封止部とその内側であるキャビティ部と
では、加熱される程度が異なるため、封止部の昇温速度
に比ベキャビティ部の昇温速度が遅れることになる。
したがって、封止部がガラスの熔融温度に達してパッケ
ージ基板およびキャップの両者の封正面が低融点ガラス
に十分にぬれ、キャピテイが封着された後においても、
該キャビティの昇温がある程度続くことになる。そのた
め、封着後もキャビティ内の空気が体積膨張をおこし、
その余分な空気が前記熔融状態の封止ガラスの間をぬっ
てキャビテイ外へ出ていくことになり、その空気が通っ
た跡が封止部の低融点ガラスにキャビティから外部へ貫
通するボイドとして残り、パッケージ封止の欠陥となる
ものである。
ージ基板およびキャップの両者の封正面が低融点ガラス
に十分にぬれ、キャピテイが封着された後においても、
該キャビティの昇温がある程度続くことになる。そのた
め、封着後もキャビティ内の空気が体積膨張をおこし、
その余分な空気が前記熔融状態の封止ガラスの間をぬっ
てキャビテイ外へ出ていくことになり、その空気が通っ
た跡が封止部の低融点ガラスにキャビティから外部へ貫
通するボイドとして残り、パッケージ封止の欠陥となる
ものである。
以上の問題があることが本発明者により見い出された。
なお、ガラス封止型半導体装置については、１９８０年
１月ｌＯ日、株式会社工業調査会発行、日本マイクロエ
レクトロニクス協会編、「ＩＣ化実装技術ＪＰ！３６〜
Ｐ１５０に記載されている。
１月ｌＯ日、株式会社工業調査会発行、日本マイクロエ
レクトロニクス協会編、「ＩＣ化実装技術ＪＰ！３６〜
Ｐ１５０に記載されている。
本発明の目的は、パッケージの気密封止に関し、ガラス
封止型半導体装置の信頷性向上に適用して存効な技術を
提供することにある。
封止型半導体装置の信頷性向上に適用して存効な技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ペレット取付、電気的接続等の組立が完了し
たペレット取付基板または該パッケージの封止に用いる
キャップの少なくとも一方の封止部表面に低融点ガラス
のグレイズを行い、核ペレット取付基板およびキャンプ
の両者を予め所定温度に加熱した後、封止部の位置合わ
せを行って重ね合わせて封着することにより、ガラス封
着後のキャビティ内の昇温を小さくまたは無（すること
ができるので、該キャビティ内の昇温による空気の体積
膨張に起因する封止部の低融点ガラスにおけるボイドの
発生を防止でき、前記目的が達成されるものである。
たペレット取付基板または該パッケージの封止に用いる
キャップの少なくとも一方の封止部表面に低融点ガラス
のグレイズを行い、核ペレット取付基板およびキャンプ
の両者を予め所定温度に加熱した後、封止部の位置合わ
せを行って重ね合わせて封着することにより、ガラス封
着後のキャビティ内の昇温を小さくまたは無（すること
ができるので、該キャビティ内の昇温による空気の体積
膨張に起因する封止部の低融点ガラスにおけるボイドの
発生を防止でき、前記目的が達成されるものである。
第１図は、本発明による一実施例である半導体装置の製
造方法の概略を、その工程図で示すものである。
造方法の概略を、その工程図で示すものである。
すなわち、ペレット取付基板の封止部に低融点ガラスを
被着するグレイズ工程１とその後の所定温度への加熱工
程２を、キャップについても同様にグレイズ工程１ａ、
加熱工程２ａを並行して行い、その後この両者の封止部
を重ね合わせ接合する封着工程３を行い、冷却工程４を
経てパッケージの封止が達成されるものである。
被着するグレイズ工程１とその後の所定温度への加熱工
程２を、キャップについても同様にグレイズ工程１ａ、
加熱工程２ａを並行して行い、その後この両者の封止部
を重ね合わせ接合する封着工程３を行い、冷却工程４を
経てパッケージの封止が達成されるものである。
本実施例の如く、ベリ１ト取付基板およびキャップを予
め所定温度に加熱した後に封着を行うことにより、キャ
ビティ内の空気の膨張による影響を避けることができる
ので、封止部の低融点ガラスにボイドが発生することを
防止できるものである。
め所定温度に加熱した後に封着を行うことにより、キャ
ビティ内の空気の膨張による影響を避けることができる
ので、封止部の低融点ガラスにボイドが発生することを
防止できるものである。
前記方法を行う場合、ペレット取付基板の加熱温度は搭
載されているペレット等により制限されるが、キャップ
にはそのような制限がないためペレット取付基板よりも
高温に加熱することができ、これにより封着時間の短縮
が達成される。
載されているペレット等により制限されるが、キャップ
にはそのような制限がないためペレット取付基板よりも
高温に加熱することができ、これにより封着時間の短縮
が達成される。
なお、本実施例の方法は、一定の間隔でペレット取付基
板の保持部が形成されている平型ヒーターと前記間隔に
対応してキャップ保持部が形成されている平型ヒーター
を備えてなる装置を用いることにより、所定温度に加熱
後、単に前記両ヒーターの保持部形成面を重ね合わせる
ことにより、複数のペレットについても、容易に行うこ
とができる。
板の保持部が形成されている平型ヒーターと前記間隔に
対応してキャップ保持部が形成されている平型ヒーター
を備えてなる装置を用いることにより、所定温度に加熱
後、単に前記両ヒーターの保持部形成面を重ね合わせる
ことにより、複数のペレットについても、容易に行うこ
とができる。
（１）０組立完了後のペレット取付基板またはキャップ
の少なくとも一方の封止部表面に低融点ガラスのグレイ
ズを行い、咳ペレット取付基板およびキャップの両者を
予め所定温度に加熱した後、封止部の位置合わせを行っ
て重ね合わせて封着することにより、ガラス封着後のキ
ャビティ内の昇温を小さくまたは無くすることができる
ので、該キャビティ内の昇温による空気の体積膨張に起
因する封止部の低融点ガラスにおけるボイドの発生を防
止できる。
の少なくとも一方の封止部表面に低融点ガラスのグレイ
ズを行い、咳ペレット取付基板およびキャップの両者を
予め所定温度に加熱した後、封止部の位置合わせを行っ
て重ね合わせて封着することにより、ガラス封着後のキ
ャビティ内の昇温を小さくまたは無くすることができる
ので、該キャビティ内の昇温による空気の体積膨張に起
因する封止部の低融点ガラスにおけるボイドの発生を防
止できる。
（２）、前記（１１により、確実な気密封止と同時に封
止強度を向上させることができるので、半導体装置の借
問性向上を達成できる。
止強度を向上させることができるので、半導体装置の借
問性向上を達成できる。
（３）８前記ｆｉ＋において、キャップをペレット取付
基板より高温に加熱することにより、ペレットの熱破壊
、ペレット剥がれ等の熱による欠陥を発生させることな
く６１実な封止を達成できる。
基板より高温に加熱することにより、ペレットの熱破壊
、ペレット剥がれ等の熱による欠陥を発生させることな
く６１実な封止を達成できる。
（４）、前記（３）において、キャップを低融点ガラス
の融点より高温に加熱することにより、確実な封止を速
やかに達成できる。
の融点より高温に加熱することにより、確実な封止を速
やかに達成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、前記実施例ではペレット取付基板とキャップ
の両者に低融点ガラスのグレイズを行ったものについて
示したが、これに限るものでなく、両者のうちどちらか
一方にのみグレイズを行うものであってもよいことはい
うまでもない。
の両者に低融点ガラスのグレイズを行ったものについて
示したが、これに限るものでなく、両者のうちどちらか
一方にのみグレイズを行うものであってもよいことはい
うまでもない。
また、グレイズ工程と加熱工程とを別工程のものを示し
たが、この２工程を同時に行うものであってもよいこと
はいうまでもない。
たが、この２工程を同時に行うものであってもよいこと
はいうまでもない。
第１図は、本発明による一実施例である半導体装置の製
造方法を示す概略工程図である。 １、ｌａ・・・グレイズ工程、２．２ａ・・・加熱工程
、３・・・封着工程、４・・・冷却工程。
造方法を示す概略工程図である。 １、ｌａ・・・グレイズ工程、２．２ａ・・・加熱工程
、３・・・封着工程、４・・・冷却工程。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パッケージをガラス封止する半導体装置の製造方法
であって、組立完了後のペレット取付基板またはキャッ
プの少なくとも一方の封止部表面に封止用ガラスのグレ
イズを行い、該両者を予め所定温度に加熱した後、パッ
ケージの封着を行う半導体装置の製造方法。 ２、キャップをペレット取付基板より高温に加熱するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
の製造方法。 ３、キャップがガラス熔融温度以上に加熱されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24592784A JPS61125051A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24592784A JPS61125051A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125051A true JPS61125051A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17140916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24592784A Pending JPS61125051A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125051A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10289962A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-10-27 | Denso Corp | 電子回路装置の製造方法 |
| JP2018100898A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | セイコーＮｐｃ株式会社 | センサモジュールの製造方法 |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP24592784A patent/JPS61125051A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10289962A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-10-27 | Denso Corp | 電子回路装置の製造方法 |
| JP2018100898A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | セイコーＮｐｃ株式会社 | センサモジュールの製造方法 |
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