JPS63275149A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63275149A JPS63275149A JP11126287A JP11126287A JPS63275149A JP S63275149 A JPS63275149 A JP S63275149A JP 11126287 A JP11126287 A JP 11126287A JP 11126287 A JP11126287 A JP 11126287A JP S63275149 A JPS63275149 A JP S63275149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- ceramic substrate
- glass layer
- substrate
- crystallized glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にガラス封止型の半導体
装置に関する。
装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、第３図に示すように、絶
縁性のセラミック基板１と、セラミック基板１が搭載さ
れるリードフレーム２と、セラミック基板１をリードフ
レーム２に接着する非晶質ガラス４とを含んで構成され
ていた。
縁性のセラミック基板１と、セラミック基板１が搭載さ
れるリードフレーム２と、セラミック基板１をリードフ
レーム２に接着する非晶質ガラス４とを含んで構成され
ていた。
上述した従来の半導体装置は、非晶質ガラスをセラミッ
ク基板の表面に塗り、その上から熱圧着にてリードフレ
ームを固着していたので、その後の加熱により約４００
°Ｃの高温になると非晶質ガラスが融解しリードフレー
ムが移動するという欠点がある。
ク基板の表面に塗り、その上から熱圧着にてリードフレ
ームを固着していたので、その後の加熱により約４００
°Ｃの高温になると非晶質ガラスが融解しリードフレー
ムが移動するという欠点がある。
本発明の半導体装置は、絶縁性の基板と、該基板が搭載
されるリードフレームと、前記基板と前記リードフレー
ムを接着する結晶化ガラス層と、前記リードフレームの
上に塗布される非晶質ガラス層とを有している。
されるリードフレームと、前記基板と前記リードフレー
ムを接着する結晶化ガラス層と、前記リードフレームの
上に塗布される非晶質ガラス層とを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の側面図、第２図は第１図の
実施例のＡ−Ａ′線断面図である。
実施例のＡ−Ａ′線断面図である。
第１図及び第２図に示すように、絶縁性のセラミック基
板１と、セラミック基板１が搭載されるリードフレーム
２と、セラミック基板１とリードフレーム２の間に設は
セラミック基板１をリードフレーム２に接着する結晶化
ガラス層３と、リードフレーム２の上に塗布された非晶
質ガラス層４とを含む。
板１と、セラミック基板１が搭載されるリードフレーム
２と、セラミック基板１とリードフレーム２の間に設は
セラミック基板１をリードフレーム２に接着する結晶化
ガラス層３と、リードフレーム２の上に塗布された非晶
質ガラス層４とを含む。
このように、結晶化ガラス層を用いてセラミック基板を
り一隆フレームに加熱融着することにより、その後の工
程で加熱により約４００℃の高温になっても結晶化ガラ
ス層が融解しないのでリードフレームが移動することを
防止できる。゛〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、結晶化ガラスを使用する
ことにより、従来の非晶質ガラス層が約４００℃の加熱
で融解するのに比べてそれより高温でも融解しないので
、リードフレームの移動（変形）を防止できるという効
果がある。
り一隆フレームに加熱融着することにより、その後の工
程で加熱により約４００℃の高温になっても結晶化ガラ
ス層が融解しないのでリードフレームが移動することを
防止できる。゛〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、結晶化ガラスを使用する
ことにより、従来の非晶質ガラス層が約４００℃の加熱
で融解するのに比べてそれより高温でも融解しないので
、リードフレームの移動（変形）を防止できるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例の側面図、′第２図は第１図
の実施例のＡ−Ａ’線断面図、第３図は従来の半導体装
置の一例の断面図である。 １・・・セラミック基板、２・・・リードフレーム、３
・・・結晶化ガラス層、４・・・非晶質ガラス層。
の実施例のＡ−Ａ’線断面図、第３図は従来の半導体装
置の一例の断面図である。 １・・・セラミック基板、２・・・リードフレーム、３
・・・結晶化ガラス層、４・・・非晶質ガラス層。
Claims (1)
- 絶縁性の基板と、該基板が搭載されるリードフレームと
、前記基板と前記リードフレームを接着する結晶化ガラ
ス層と、前記リードフレームの上に塗布される非晶質ガ
ラス層とを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126287A JPS63275149A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126287A JPS63275149A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63275149A true JPS63275149A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14556742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126287A Pending JPS63275149A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63275149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03129862A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Nec Corp | ガラス封止型半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59112635A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用セラミツクパツケ−ジの製造方法 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP11126287A patent/JPS63275149A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59112635A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用セラミツクパツケ−ジの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03129862A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Nec Corp | ガラス封止型半導体装置 |
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