JP2535577B2 - ウェ―ハの接着方法 - Google Patents

ウェ―ハの接着方法

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JP2535577B2 JP62333868A JP33386887A JP2535577B2 JP 2535577 B2 JP2535577 B2 JP 2535577B2 JP 62333868 A JP62333868 A JP 62333868A JP 33386887 A JP33386887 A JP 33386887A JP 2535577 B2 JP2535577 B2 JP 2535577B2
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wafer
wafers
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wafer bonding
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由弘 有本
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ウェーハの接着方法に関し、 大口径ウェーハにおける未接着領域の発生を抑制する
ことを目的とし、 絶縁膜を介して２枚のウェーハを接着する際に、両ウ
ェーハに温度差をもたせ、かつこの温度差を変化させな
がら加熱接着することにより構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン等からなる２枚のウェーハを絶縁膜
を介して接着し、一方のウェーハを薄膜化してSOI（シ
リコン・オン・インシュレータ）基板を得る場合のウェ
ーハの接着方法に関する。
〔従来の技術〕
表面に酸化膜を形成したSiウェーハを重ね合わせ、熱
処理により接着したあと片方にウェーハを薄膜化した、
いわゆる貼り付けSOI基板は高性能LSI用基板として有用
である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら大口径ウェーハを均一に接着することは
容易でなく、たいていの場合部分的に接着していない領
域が発生する。未接着領域の存在はそのあとの工程に大
きな影響を与え素子の歩留まりを著しく低下させる。ま
た熱処理時に未接着領域のSiが剥離しSi片が飛散したり
するとプロセス装置を汚染することにもなる。
本発明はこのような問題点を解決して大口径ウェーハ
においても未接着領域の発生を抑えるようにするもので
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
接着に均一性を改善する方法としては、熱処理時に未
接着領域がウェーハ内に閉じ込められないようにするこ
とが効果的である。すなわち熱処理時に未接着領域がウ
ェーハ外に逃げて行くようにすることである。このこと
は加熱中において基板が変形することによって可能であ
る。基板の変形は重ね合わせたウェーハ間に温度差を与
えさらにこの温度差を変化させることによって達成され
る。さらに、この温度差を昇温とともに小さくして行く
ことにより、温度差によるウェーハの反りの発生を抑制
することができる。
〔作用〕
未接着領域がウェーハ外へ逃げて行くのでウェーハの
未接着領域の残留を抑えることができる。
〔実施例〕 第１図に示すように、Siウェーハ1,3をスチーム酸化
し表面にSiO22を形成する。酸化温度は1100℃、酸化時
間は１時間、SiO2膜厚は0.5μｍである。次いで第２図
に示すようにウェーハ1,3の表面どうしを重ね合わせた
あと、第３図に示すように700℃−1200℃で熱処理を行
いウェーハを接着する。このときウェーハ間に温度差を
与えるためヒータ4,5の昇温速度をずらしておく。ヒー
タ4,5の温度が600℃以下の場合にはヒータ4,5間の温度
差を５℃以上とする。ヒータ4,5の温度が1000℃以上の
時には温度差を５℃以下とする。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば大口径ウェーハ
においても未接着領域の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は、本発明の一実施例を示す工程順断
面図である。 図において、 1,3はウェーハ、 2,2′は絶縁膜（SiO2）、 4,5はヒータを示す。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１および第２のウェーハの少なくとも一
    方のウェーハ上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜を介して該
    第1,第２のウェーハを接着する方法において、該第1,第
    ２のウェーハに温度差をもたせ、該温度差を変化させな
    がら加熱接着することを特徴とするウェーハの接着方
    法。
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