JPH05283448A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH05283448A JPH05283448A JP8193492A JP8193492A JPH05283448A JP H05283448 A JPH05283448 A JP H05283448A JP 8193492 A JP8193492 A JP 8193492A JP 8193492 A JP8193492 A JP 8193492A JP H05283448 A JPH05283448 A JP H05283448A
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- semiconductor device
- power semiconductor
- insulating film
- insulator
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分な絶縁を得、製造工程数を抑える。
【構成】 リードフレーム１上に制御素子３を搭載する
絶縁材７を、絶縁フイルム６と、その両面の熱可塑型樹
脂接着層８ａ，８ｂとから三層構造とし、絶縁材７での
制御素子３の搭載を、電力半導体素子２の半田付け搭載
と同時にする。 【効果】 制御素子３とリードフレーム１との離間距離
を絶縁材７の厚さで調整する。
絶縁材７を、絶縁フイルム６と、その両面の熱可塑型樹
脂接着層８ａ，８ｂとから三層構造とし、絶縁材７での
制御素子３の搭載を、電力半導体素子２の半田付け搭載
と同時にする。 【効果】 制御素子３とリードフレーム１との離間距離
を絶縁材７の厚さで調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム上に、
電力半導体素子と制御素子とを有する半導体装置および
その製造方法に関する。
電力半導体素子と制御素子とを有する半導体装置および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、集積回路を含む半導体制御素子
（以下、制御素子という）と電力半導体素子とを組み合
わせた複合素子を有する電力半導体装置は、次のような
ものがあつた。
（以下、制御素子という）と電力半導体素子とを組み合
わせた複合素子を有する電力半導体装置は、次のような
ものがあつた。
【０００３】（従来例１）図４，５の如く、加熱したリ
ードフレーム１上にリボン状の半田５を切断したものを
付着させ、その上に電力半導体素子２を搭載し電気的に
接続する。
ードフレーム１上にリボン状の半田５を切断したものを
付着させ、その上に電力半導体素子２を搭載し電気的に
接続する。
【０００４】その後、リードフレーム１の電力半導体素
子２に隣接して、絶縁ペースト４を塗布し、その上に制
御素子３を搭載し高温硬化させる。
子２に隣接して、絶縁ペースト４を塗布し、その上に制
御素子３を搭載し高温硬化させる。
【０００５】（従来例２）図６，７のように、半田５で
電力半導体素子２を搭載した後、片面に接着層８ａの付
いた絶縁フイルム６をリードフレーム１上に付着させ、
その上に絶縁ペースト４を塗布し制御素子３をボンデイ
ングする。
電力半導体素子２を搭載した後、片面に接着層８ａの付
いた絶縁フイルム６をリードフレーム１上に付着させ、
その上に絶縁ペースト４を塗布し制御素子３をボンデイ
ングする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例１では、リード
フレーム１と制御素子３との距離が短いため、この間に
十分な絶縁が得られない。
フレーム１と制御素子３との距離が短いため、この間に
十分な絶縁が得られない。
【０００７】従来例２では、リードフレーム１と制御素
子３との間に絶縁フイルム６の厚さ分だけ距離があるた
め、高い絶縁性が得られるが、従来例１に比べ絶縁フイ
ルム６を貼り付ける工程が増える。
子３との間に絶縁フイルム６の厚さ分だけ距離があるた
め、高い絶縁性が得られるが、従来例１に比べ絶縁フイ
ルム６を貼り付ける工程が増える。
【０００８】また、絶縁ペースト４の量により、絶縁ペ
ースト４が制御素子３の側面から上部ワイヤーボンデイ
ングエリアまではい上がつたり、制御素子３が傾いたり
してワイヤーが打てなくなる不良が発生し歩留りが低下
する。
ースト４が制御素子３の側面から上部ワイヤーボンデイ
ングエリアまではい上がつたり、制御素子３が傾いたり
してワイヤーが打てなくなる不良が発生し歩留りが低下
する。
【０００９】さらに、絶縁ペースト４の厚さが一定でな
いため、制御素子３に過熱保護回路等がある場合に熱の
伝導が一定でなくなり、過熱保護温度が変動する。
いため、制御素子３に過熱保護回路等がある場合に熱の
伝導が一定でなくなり、過熱保護温度が変動する。
【００１０】本発明は、上記課題に鑑み、十分な絶縁を
得、製造工程数を抑え、かつ品質をよくして歩留りを向
上させ得る半導体装置およびその製造方法の提供を目的
とする。
得、製造工程数を抑え、かつ品質をよくして歩留りを向
上させ得る半導体装置およびその製造方法の提供を目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明請求項１による課
題解決手段は、図１，２の如く、リードフレーム１上
に、半田５を介して電力半導体素子２が搭載され、絶縁
材７を介して制御素子３が搭載された半導体装置におい
て、前記絶縁材７は、絶縁フイルム６と、該絶縁フイル
ム６の両面に形成された樹脂接着層８ａ，８ｂとから三
層構造とされ、該樹脂接着層８ａ，８ｂは、電力半導体
素子２の半田付け時の熱によつて可塑化するよう構成さ
れたものである。
題解決手段は、図１，２の如く、リードフレーム１上
に、半田５を介して電力半導体素子２が搭載され、絶縁
材７を介して制御素子３が搭載された半導体装置におい
て、前記絶縁材７は、絶縁フイルム６と、該絶縁フイル
ム６の両面に形成された樹脂接着層８ａ，８ｂとから三
層構造とされ、該樹脂接着層８ａ，８ｂは、電力半導体
素子２の半田付け時の熱によつて可塑化するよう構成さ
れたものである。
【００１２】本発明請求項２による課題解決手段は、リ
ードフレーム１上に、半田５を介して電力半導体素子２
を搭載し、絶縁材７を介して制御素子３を搭載する半導
体装置の製造方法において、前記絶縁材７として、絶縁
フイルム６と、該絶縁フイルム６の両面に形成された熱
可塑型樹脂接着層８ａ，８ｂとから三層構造のものを使
用し、該絶縁材７による制御素子３の搭載を電力半導体
素子２の搭載時の半田付けと同一工程で行なうものであ
る。
ードフレーム１上に、半田５を介して電力半導体素子２
を搭載し、絶縁材７を介して制御素子３を搭載する半導
体装置の製造方法において、前記絶縁材７として、絶縁
フイルム６と、該絶縁フイルム６の両面に形成された熱
可塑型樹脂接着層８ａ，８ｂとから三層構造のものを使
用し、該絶縁材７による制御素子３の搭載を電力半導体
素子２の搭載時の半田付けと同一工程で行なうものであ
る。
【００１３】
【作用】上記課題解決手段において加熱したリードフレ
ーム１上に絶縁材７を付着すると、熱で絶縁材７の両面
の樹脂接着層８ａ，８ｂが溶融する。その溶融した樹脂
接着層８ａ，８ｂの上に制御素子３を搭載し、常温に冷
却して硬化し接着する。
ーム１上に絶縁材７を付着すると、熱で絶縁材７の両面
の樹脂接着層８ａ，８ｂが溶融する。その溶融した樹脂
接着層８ａ，８ｂの上に制御素子３を搭載し、常温に冷
却して硬化し接着する。
【００１４】そうすると、絶縁材７の両面が高耐熱の熱
可塑型樹脂８ａ，８ｂであるため、半田５と同一工程で
行うことができる。
可塑型樹脂８ａ，８ｂであるため、半田５と同一工程で
行うことができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の一実施例による電力半導体装
置の断面図、図２は電力半導体装置の平面図、図３は絶
縁テープの断面図である。
置の断面図、図２は電力半導体装置の平面図、図３は絶
縁テープの断面図である。
【００１６】図示の如く、本実施例の半導体装置は、リ
ードフレーム１上に、半田５を介して搭載される電力半
導体素子２と、絶縁材７（樹脂テープ）を介して搭載さ
れる制御素子３とを備えてなる。
ードフレーム１上に、半田５を介して搭載される電力半
導体素子２と、絶縁材７（樹脂テープ）を介して搭載さ
れる制御素子３とを備えてなる。
【００１７】前記リードフレーム１は、図２の如く、一
枚の金属板が打ち抜き加工されて、所望の配線パターン
が形成されてなる。図２中、１ａはクレードル、１ｂは
タイバー、１ｃは搬送時等にリードフレーム１を支援す
るスプロケツト孔、１ｄは外部実装基板の実装する際の
ピン孔である。
枚の金属板が打ち抜き加工されて、所望の配線パターン
が形成されてなる。図２中、１ａはクレードル、１ｂは
タイバー、１ｃは搬送時等にリードフレーム１を支援す
るスプロケツト孔、１ｄは外部実装基板の実装する際の
ピン孔である。
【００１８】前記絶縁材７は、図１の如く、ベースとな
る耐熱樹脂製の絶縁フイルム６と、該絶縁フイルム６の
両面に形成された熱可塑性樹脂接着層８ａ，８ｂとから
三層構造とされ、供給前はテープ状に巻き取られ、供給
時に必要な寸法だけ切断される。
る耐熱樹脂製の絶縁フイルム６と、該絶縁フイルム６の
両面に形成された熱可塑性樹脂接着層８ａ，８ｂとから
三層構造とされ、供給前はテープ状に巻き取られ、供給
時に必要な寸法だけ切断される。
【００１９】上記構成の半導体装置は、次のように製造
される。
される。
【００２０】まず、リードフレーム１を半田５および樹
脂接着層８ａ，８ｂが溶融する温度に加熱する。
脂接着層８ａ，８ｂが溶融する温度に加熱する。
【００２１】次に、半田５および絶縁材７を、対応する
素子２，３の大きさに併せて切断し、リードフレーム１
上の所定の場所に付着させる。
素子２，３の大きさに併せて切断し、リードフレーム１
上の所定の場所に付着させる。
【００２２】そして、半田５および絶縁材７の両面の樹
脂接着層８ａ，８ｂを溶融させた後、電力半導体素子２
および制御素子３を半田５および絶縁材７上に夫々搭載
する。
脂接着層８ａ，８ｂを溶融させた後、電力半導体素子２
および制御素子３を半田５および絶縁材７上に夫々搭載
する。
【００２３】しかる後、リードフレーム１を常温に冷却
し、半田５および樹脂接着層８ａ，８ｂを硬化接着させ
る。
し、半田５および樹脂接着層８ａ，８ｂを硬化接着させ
る。
【００２４】これによつて、半田５および絶縁材７を同
一工程でボンデイングできる。
一工程でボンデイングできる。
【００２５】しかも、絶縁材７および樹脂厚が一定であ
るためにリードフレーム１と制御素子３との間の絶縁距
離が一定となる。
るためにリードフレーム１と制御素子３との間の絶縁距
離が一定となる。
【００２６】さらに、制御素子３上部のボンデイングエ
リアまで樹脂接着層８ａ，８ｂがはい上がるのを考慮す
る必要がない。
リアまで樹脂接着層８ａ，８ｂがはい上がるのを考慮す
る必要がない。
【００２７】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、絶縁材を、絶縁フイルムとその両面の熱可塑型
樹脂接着層とから三層構造としているので、電力半導体
装置と制御素子とを同一工程にてボンデイングできるの
で工程短縮になる。
よると、絶縁材を、絶縁フイルムとその両面の熱可塑型
樹脂接着層とから三層構造としているので、電力半導体
装置と制御素子とを同一工程にてボンデイングできるの
で工程短縮になる。
【００２９】また、絶縁材の厚みが一定であるため、こ
の厚みを適正に設定しておきさえすれば、制御素子の傾
きや樹脂のはい上がりなどでワイヤーボンデイングがで
きなくなるのを防止できる。
の厚みを適正に設定しておきさえすれば、制御素子の傾
きや樹脂のはい上がりなどでワイヤーボンデイングがで
きなくなるのを防止できる。
【００３０】さらに、制御素子とリードフレームとの距
離のばらつきによる加熱保護温度のばらつきがなくなり
信頼性の高い半導体装置を提供できるといつた優れた効
果がある。
離のばらつきによる加熱保護温度のばらつきがなくなり
信頼性の高い半導体装置を提供できるといつた優れた効
果がある。
【図１】本発明の一実施例による電力半導体装置の断面
図
図
【図２】電力半導体装置の平面図
【図３】絶縁テープの断面図
【図４】従来例１の電力半導体装置の断面図
【図５】従来例１の電力半導体装置の平面図
【図６】従来例２の電力半導体装置の断面図
【図７】従来例２の電力半導体装置の平面図
１ リードフレーム ２ 電力半導体装置 ３ 制御素子 ４ 絶縁ペースト ５ 半田 ６ 絶縁フイルム ７ 絶縁材 ８ 熱可塑型樹脂接着層
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレーム上に、半田を介して電力
半導体素子が搭載され、絶縁材を介して制御素子が搭載
された半導体装置において、前記絶縁材は、絶縁フイル
ムと、該絶縁フイルムの両面に形成された樹脂接着層と
から三層構造とされ、該樹脂接着層は、電力半導体素子
の半田付け時の熱によつて可塑化するよう構成されたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 リードフレーム上に、半田を介して電力
半導体素子を搭載し、絶縁材を介して制御素子を搭載す
る半導体装置の製造方法において、前記絶縁材として、
絶縁フイルムと、該絶縁フイルムの両面に形成された熱
可塑型樹脂接着層とから三層構造のものを使用し、該絶
縁材による制御素子の搭載を電力半導体素子の搭載時の
半田付けと同一工程で行なうことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8193492A JP2704342B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8193492A JP2704342B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283448A true JPH05283448A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2704342B2 JP2704342B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=13760316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8193492A Expired - Fee Related JP2704342B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2704342B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110986A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-04-20 | Fairchild Korea Semiconductor Kk | マルチチップパッケージ構造をもつ電力素子及びその製造方法 |
| US7259459B2 (en) | 2002-05-15 | 2007-08-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor module and DC-DC converter |
| JP2009267071A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2013150890A1 (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-10 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイス |
| JP2016186964A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置 |
| WO2022070768A1 (ja) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2023095745A1 (ja) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-04-03 JP JP8193492A patent/JP2704342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110986A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-04-20 | Fairchild Korea Semiconductor Kk | マルチチップパッケージ構造をもつ電力素子及びその製造方法 |
| US7259459B2 (en) | 2002-05-15 | 2007-08-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor module and DC-DC converter |
| JP2009267071A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2013150890A1 (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-10 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイス |
| JP2016186964A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置 |
| WO2022070768A1 (ja) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2023095745A1 (ja) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2704342B2 (ja) | 1998-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |