JPS6046507B2 - 厚膜ヒユ−ズ及びその製造方法 - Google Patents
厚膜ヒユ−ズ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6046507B2 JPS6046507B2 JP58144485A JP14448583A JPS6046507B2 JP S6046507 B2 JPS6046507 B2 JP S6046507B2 JP 58144485 A JP58144485 A JP 58144485A JP 14448583 A JP14448583 A JP 14448583A JP S6046507 B2 JPS6046507 B2 JP S6046507B2
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- Japan
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- fuse
- insulating substrate
- connection terminal
- thick film
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、厚膜ヒューズ及ひその製造方法に関する。
通常、厚膜ヒューズはセラミック等の絶縁基板上に導電
ペーストを印刷して接続端子層とヒューズ層を形成し、
次いで該導電ペーストを焼成することにより構成されて
いる。
ペーストを印刷して接続端子層とヒューズ層を形成し、
次いで該導電ペーストを焼成することにより構成されて
いる。
上記厚膜ヒューズでは、絶縁基板の表面に密着した状態
となつているため、過電流が流れても放熱されて溶断し
にくい問題があつた。
となつているため、過電流が流れても放熱されて溶断し
にくい問題があつた。
また、基板形状等により放熱条件が変化するために、溶
断特性に大きなバラツキがある問題があつた。さらに、
ヒューズを構成している厚膜は基板に対し物理的、化学
的に密着していて、溶断状態を確認しにくい問題があつ
た。これらの問題を解決するため、例えばヒューズ層と
基板との間にガラス等の断熱層を介在して放熱をおさえ
たり、あるいはヒューズ層の一部にくびれを設けて電流
密度を局部的に高めることにより溶断特性を向上させる
ことが考えられるが、いずれの場合も溶断状態が確認し
にくいという問題が解決できす、また溶断時の熱により
基板温度が上昇する問題があつた。
断特性に大きなバラツキがある問題があつた。さらに、
ヒューズを構成している厚膜は基板に対し物理的、化学
的に密着していて、溶断状態を確認しにくい問題があつ
た。これらの問題を解決するため、例えばヒューズ層と
基板との間にガラス等の断熱層を介在して放熱をおさえ
たり、あるいはヒューズ層の一部にくびれを設けて電流
密度を局部的に高めることにより溶断特性を向上させる
ことが考えられるが、いずれの場合も溶断状態が確認し
にくいという問題が解決できす、また溶断時の熱により
基板温度が上昇する問題があつた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、溶断特性に優れ、溶断状態の確認が容易
で、かつ溶断時における基板温度の上昇が少ない厚膜ヒ
ューズ及びその製造方法を提供することである。
するところは、溶断特性に優れ、溶断状態の確認が容易
で、かつ溶断時における基板温度の上昇が少ない厚膜ヒ
ューズ及びその製造方法を提供することである。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の厚膜ヒューズの一例を示す斜視図てあ
る。
る。
図中符号１は絶縁基板て、アルミナフ（Ａｌ’２０３）
、ガラス等により形成されている。絶縁基板１上には接
続端子層２、２が形成されていると共に、該接続端子層
２、２間にヒューズ層３が絶縁基板１の表面との間に隙
間４をおいて形成されていて、該隙間４が空気断熱層と
なつて５いる。接続端子層２、２は絶縁基板１上に形成
した導電ペースト５上にハンダ合金等の金属層６を積層
して形成されていて、全体の厚さは１００〜２００μ程
度に認定されている。
、ガラス等により形成されている。絶縁基板１上には接
続端子層２、２が形成されていると共に、該接続端子層
２、２間にヒューズ層３が絶縁基板１の表面との間に隙
間４をおいて形成されていて、該隙間４が空気断熱層と
なつて５いる。接続端子層２、２は絶縁基板１上に形成
した導電ペースト５上にハンダ合金等の金属層６を積層
して形成されていて、全体の厚さは１００〜２００μ程
度に認定されている。
また、ヒューズ層３は金属層６のみで形成されていて、
厚さは６０〜１８０μ利度で巾は接続端子層２，２のほ
ぼ３分の１程度に設定されている。また隙間４の高さは
２０〜４０μ私度に設定されている。次に上記厚膜ヒュ
ーズの製造方法の一例を第２図Ａ，ｂ〜第６図Ａ，ｂを
参照して説明する。
厚さは６０〜１８０μ利度で巾は接続端子層２，２のほ
ぼ３分の１程度に設定されている。また隙間４の高さは
２０〜４０μ私度に設定されている。次に上記厚膜ヒュ
ーズの製造方法の一例を第２図Ａ，ｂ〜第６図Ａ，ｂを
参照して説明する。
まず、第２図Ａ，ｂに示すように、絶縁基板１の表面の
接続端子層２，２（第１図参照）となる位置にスクリー
ン印刷等の手段でポリイミド系またはサーメット系の導
電ペースト層５を形成し、この後ヒューズ層３（第１図
参照）となる位置に同様にスクリーン印刷等の手段でエ
ポキシ系の樹脂ペースト層７をその一部が導電ペースト
層５上にラップする如く形成する。導電ペースト層５、
樹脂ペースト層７を形成するペーストとしては、ともに
ハンダ付け性（可溶体の付着（塗布等）性）を有するも
のを使用する。
接続端子層２，２（第１図参照）となる位置にスクリー
ン印刷等の手段でポリイミド系またはサーメット系の導
電ペースト層５を形成し、この後ヒューズ層３（第１図
参照）となる位置に同様にスクリーン印刷等の手段でエ
ポキシ系の樹脂ペースト層７をその一部が導電ペースト
層５上にラップする如く形成する。導電ペースト層５、
樹脂ペースト層７を形成するペーストとしては、ともに
ハンダ付け性（可溶体の付着（塗布等）性）を有するも
のを使用する。
また、樹脂ペースト層７を形成するペーストは後工程で
有機溶剤等により溶解して容易に除去されるものを使用
する。次いで、上記導電ペースト層５、樹脂ペースト層
７をベークして、第３図Ａ，ｂに示すように、樹脂ペー
スト層７の上面の一部と側面全体を覆う如くカバー８，
８を取付ける。
有機溶剤等により溶解して容易に除去されるものを使用
する。次いで、上記導電ペースト層５、樹脂ペースト層
７をベークして、第３図Ａ，ｂに示すように、樹脂ペー
スト層７の上面の一部と側面全体を覆う如くカバー８，
８を取付ける。
この後、第４図Ａ，ｂに示すように、導電ペースト層５
上と樹脂ペースト層７の露呈した部分とに印刷、溶融ま
たはデイツピング等の手段によりハンダ合金等からなる
金属層６を形成する。
上と樹脂ペースト層７の露呈した部分とに印刷、溶融ま
たはデイツピング等の手段によりハンダ合金等からなる
金属層６を形成する。
これにより、導電ペースト層５と金属層６を積層してな
る接続端子層２，２と金属層６からなるヒューズ層３と
が形成される。然る後、カバー８，８を外して（第５図
Ａ，ｂ参照）、アセトン等の有機溶剤を使用し溶解度の
差により樹脂ペースト層７のみを除去する。
る接続端子層２，２と金属層６からなるヒューズ層３と
が形成される。然る後、カバー８，８を外して（第５図
Ａ，ｂ参照）、アセトン等の有機溶剤を使用し溶解度の
差により樹脂ペースト層７のみを除去する。
これにより、第６図Ａ，ｂに示すように、ヒューズ層３
と絶縁基板１の表面との間に樹脂ペースト層７に対応し
た形状の隙間４が形成される。次に上記厚膜ヒューズの
作用を説明する。
と絶縁基板１の表面との間に樹脂ペースト層７に対応し
た形状の隙間４が形成される。次に上記厚膜ヒューズの
作用を説明する。
ヒューズ層３に過電流が流れると、該ヒューズ層３はジ
ュール熱により加熱され、溶断のための熱エネルギーが
順次蓄積される。
ュール熱により加熱され、溶断のための熱エネルギーが
順次蓄積される。
このとき、ヒューズ層３は空気と断熱層としており、ま
た絶縁基板１との接続は接続端子層２，２のみで熱伝導
による放熱も少ないことにより、ヒューズ層３からは熱
の放散も少なく時間の経過とともに温度が急激に上昇す
る。なお、絶縁基板１がヒューズ層３の放熱板として作
用することがほとんどないので、絶縁基板１の形状、大
きさによる放熱の差の５影響を受けにくく、温度上昇に
バラツキがない。 そして、ヒューズ層３の温度が金属
層６の融点近くなると溶断して、表面張力によりボール
状となつて接続端子層２，２側に凝集する。 従つて、
くびれを設けて局部的に電流密度を高Ｏめる場合、（絶
縁基板が放熱板として作用する）よりも溶断のための熱
エネルギーがヒューズ層３に集中しやすい。
た絶縁基板１との接続は接続端子層２，２のみで熱伝導
による放熱も少ないことにより、ヒューズ層３からは熱
の放散も少なく時間の経過とともに温度が急激に上昇す
る。なお、絶縁基板１がヒューズ層３の放熱板として作
用することがほとんどないので、絶縁基板１の形状、大
きさによる放熱の差の５影響を受けにくく、温度上昇に
バラツキがない。 そして、ヒューズ層３の温度が金属
層６の融点近くなると溶断して、表面張力によりボール
状となつて接続端子層２，２側に凝集する。 従つて、
くびれを設けて局部的に電流密度を高Ｏめる場合、（絶
縁基板が放熱板として作用する）よりも溶断のための熱
エネルギーがヒューズ層３に集中しやすい。
また熱伝導による放熱が少なく、絶縁基板１がアルミナ
等からなるため、不燃構造となる。″ なお、本発明に
おいてもヒューズ層３にくびれを設けて局部的に電流密
度を高めるようにすれば、更に溶断特性を向上させるこ
とが可能てある。
等からなるため、不燃構造となる。″ なお、本発明に
おいてもヒューズ層３にくびれを設けて局部的に電流密
度を高めるようにすれば、更に溶断特性を向上させるこ
とが可能てある。
以上説明したように本発明の厚膜ヒューズによ゛れば
、ヒューズ層と絶縁基板との間に隙間を設けて、該隙間
を空気断熱層としているので、溶断特性が優れ、放熱の
影響によるバラツキが少なく、局部的な電流密度集中箇
所を有する構造としなくても溶断条件を制御しやすい。
、ヒューズ層と絶縁基板との間に隙間を設けて、該隙間
を空気断熱層としているので、溶断特性が優れ、放熱の
影響によるバラツキが少なく、局部的な電流密度集中箇
所を有する構造としなくても溶断条件を制御しやすい。
また、熱伝導による放熱が少なく、絶縁基板自体の温度
上昇を小さくおさえることができ、回路の一部として回
路と同一基板上に形成することが可能となる。さらに、
溶断時にヒューズ層が接続端子層側にボール状に凝集さ
れるため、溶断を目視により容易に確認できる。 また
、本発明の厚膜ヒューズの製造方法によれば、レジンの
耐溶剤性の差を利用して樹脂ペースト層を溶解除去しヒ
ューズ層と絶縁基板との間に空気断熱層を形成するので
、製造が容易で、コス３ 卜高とならない。
上昇を小さくおさえることができ、回路の一部として回
路と同一基板上に形成することが可能となる。さらに、
溶断時にヒューズ層が接続端子層側にボール状に凝集さ
れるため、溶断を目視により容易に確認できる。 また
、本発明の厚膜ヒューズの製造方法によれば、レジンの
耐溶剤性の差を利用して樹脂ペースト層を溶解除去しヒ
ューズ層と絶縁基板との間に空気断熱層を形成するので
、製造が容易で、コス３ 卜高とならない。
また、樹脂ペースト層の厚さを変えることにより空気断
熱層を容易に変更できる。さらに、接続端子層は導電ペ
ースト層と金属層との二重構造となり、金属層を直接絶
縁基板上に形成する場合に比して接着力が得られ、信頼
性４・ が向上する。閃面の簡単な説明 図面は本発明の一実施例を示し、第１図は斜視×、第
２図Ａ，ｂ乃至第６図Ａ，ｂは製造工程を況明する側面
図及び平面図からなる工程説明図である。
熱層を容易に変更できる。さらに、接続端子層は導電ペ
ースト層と金属層との二重構造となり、金属層を直接絶
縁基板上に形成する場合に比して接着力が得られ、信頼
性４・ が向上する。閃面の簡単な説明 図面は本発明の一実施例を示し、第１図は斜視×、第
２図Ａ，ｂ乃至第６図Ａ，ｂは製造工程を況明する側面
図及び平面図からなる工程説明図である。
１・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・接続端子層、
３・・・・・・ヒューズ層、４・・・・・・隙間（空気
断熱層）、５・・・・・・導電ペースト層、７・・・・
・・樹脂ペースト層。
３・・・・・・ヒューズ層、４・・・・・・隙間（空気
断熱層）、５・・・・・・導電ペースト層、７・・・・
・・樹脂ペースト層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に設けた少なくとも一対をなす接続端子
層と、該接続端子層間に前記絶縁基板との間に隙間が生
ずるようにして設けたヒューズ層とを具備し、かつ前記
隙間を空気断熱層としてなることを特徴とする厚膜ヒュ
ーズ。 ２ 絶縁基板上の接続端子層となる位置に導電ペースト
層を形成し、また該接続端子層間のヒューズ層となる位
置に後工程の溶剤で除去可能な樹脂ペースト層を形成し
、次いで前記導電ペースト層上と前記樹脂ペースト層の
側面を除く表面所定位置にハンダ合金等の金属層を積層
して、接続端子層とヒューズ層を形成し、然る後前記樹
脂ペースト層を溶剤により溶解除去して、前記ヒューズ
層と前記絶縁基板との間に空気断熱層を形成することを
特徴とする厚膜ヒューズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144485A JPS6046507B2 (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 厚膜ヒユ−ズ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144485A JPS6046507B2 (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 厚膜ヒユ−ズ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037632A JPS6037632A (ja) | 1985-02-27 |
| JPS6046507B2 true JPS6046507B2 (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=15363412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58144485A Expired JPS6046507B2 (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 厚膜ヒユ−ズ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046507B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137407U (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-29 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144821A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Fujikura Ltd | ヒューズ形成方法 |
| JP3552539B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2004-08-11 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 抵抗付温度ヒューズ |
| JP4693001B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2011-06-01 | コーア株式会社 | チップ型回路保護素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159847U (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-26 | 株式会社フジクラ | 温度ヒユ−ズを有する面状発熱体 |
| JPS59187048U (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | 日立コンデンサ株式会社 | 温度ヒユ−ズ |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58144485A patent/JPS6046507B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137407U (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6037632A (ja) | 1985-02-27 |
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