JP2006286224A - チップ型ヒューズ - Google Patents
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Abstract
【課題】 チップ型ヒューズにおいて、より優れた速断性及びより明確な溶断可能電流値を得ること。
【解決手段】 絶縁基板1と、絶縁基板1の両端部に形成された一対の端面電極2と、絶縁基板1の上面に形成され一対の端面電極2に両端が接続された金属のヒューズ部4と、ヒューズ部4の上下に設けられヒューズ部4を構成する金属よりも低融点の下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9と、を備えている。これにより、低融点の下部融解性樹脂8及びが上部融解性樹脂9が先に融解を起こして液状化することによって、ヒューズ部4付近の熱伝導率が急激に下がる。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁基板1と、絶縁基板1の両端部に形成された一対の端面電極2と、絶縁基板1の上面に形成され一対の端面電極2に両端が接続された金属のヒューズ部4と、ヒューズ部4の上下に設けられヒューズ部4を構成する金属よりも低融点の下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9と、を備えている。これにより、低融点の下部融解性樹脂8及びが上部融解性樹脂9が先に融解を起こして液状化することによって、ヒューズ部4付近の熱伝導率が急激に下がる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、過電流による回路破壊を防止するため各種電子機器に使用されるチップ型ヒューズに関する。
電子機器に故障等で生じた過電流の流入により回路破壊が発生することを防止するためにヒューズが用いられているが、近年、装置の小型化に伴って配線板等に表面実装が容易で量産性に優れたチップ型ヒューズが採用されるようになってきた。
従来、例えば特許文献1には、耐パルス性を向上させるために非直線状となるように折り返されたヒューズ部を基板上に備えたチップ形ヒューズが提案されている。
また、特許文献2には、ヒューズ膜の溶断部下にシリコーン系樹脂が充填されていると共に、ヒューズ膜をエポキシ系樹脂の保護膜で覆ったチップヒューズが提案されている。
従来、例えば特許文献1には、耐パルス性を向上させるために非直線状となるように折り返されたヒューズ部を基板上に備えたチップ形ヒューズが提案されている。
また、特許文献2には、ヒューズ膜の溶断部下にシリコーン系樹脂が充填されていると共に、ヒューズ膜をエポキシ系樹脂の保護膜で覆ったチップヒューズが提案されている。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、ヒューズ特性として、ヒューズ部のより優れた速断性が要望されていると共に、溶断しない電流値と溶断する時の電流値とをより明確に区別可能とすることが要望されている。
すなわち、ヒューズ特性として、ヒューズ部のより優れた速断性が要望されていると共に、溶断しない電流値と溶断する時の電流値とをより明確に区別可能とすることが要望されている。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、より優れた速断性及びより明確な溶断可能電流値を得ることができるチップ型ヒューズを提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のチップ型ヒューズは、絶縁基板と、前記絶縁基板の両端部に形成された一対の電極と、前記絶縁基板の上面に形成され前記一対の電極に両端が接続された金属のヒューズ部と、前記ヒューズ部の上下の少なくとも一方に設けられ前記ヒューズ部を構成する金属よりも低融点の融解性樹脂と、を備えていることを特徴とする。
このチップ型ヒューズでは、ヒューズ部を構成する金属よりも低融点の融解性樹脂がヒューズ部の上下の少なくとも一方に設けられているので、低融点の融解性樹脂が先に融解を起こして液状化することによって、ヒューズ部付近の熱伝導率が急激に下がる。これにより、熱がこもり易くなって温度上昇速度が大きくなり、温度がヒューズ部の融点まで急速に達して溶断し易くなる。したがって、速断性が向上すると共に、相転移的な変化を起こすことで溶断しない電流値と溶断する時の電流値とをより明確に区別することが可能になる。
また、本発明のチップ型ヒューズは、前記融解性樹脂が、前記ヒューズ部の近傍にのみ形成されていることを特徴とする。すなわち、このチップ型ヒューズでは、融解性樹脂が、ヒューズ部の近傍にのみ形成されているので、融解性樹脂が融解し、ヒューズ部が溶断した際も、絶縁基板を含むヒューズ全体の剛性はほとんど低下せず、良好な実装状態を維持することができる。
また、本発明のチップ型ヒューズは、前記ヒューズ部が、前記一対の電極に両端が接続された第1金属層と、前記第1金属層の所定の中間部分に直接又は他の金属層を介して積層され前記第1金属層よりも低融点な金属で形成された第2金属層と、を備え、前記融解性樹脂が、前記第2金属層を構成する金属よりも低融点であることを特徴とする。すなわち、このチップ型ヒューズでは、融解性樹脂が、第2金属層を構成する金属よりも低融点であるので、第2金属層より先に融解性樹脂が融解して、第2金属層の融点まで急速に温度上昇させることで、溶けた第2金属層の第1金属層への拡散を急激に進行させて、溶断し易くすることができる。
さらに、本発明のチップ型ヒューズは、前記第2金属層が、Snで形成され、前記融解性樹脂が、フッ素樹脂又はエポキシ系樹脂であることを特徴とする。すなわち、このチップ型ヒューズでは、第2金属層が融点232℃のSnであり、それより低い融点(例えば200℃付近)で難燃性材料であるフッ素樹脂又はエポキシ系樹脂の融解性樹脂を選択して用いるので、速断性を確実に向上させることができる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るチップ型ヒューズによれば、ヒューズ部を構成する金属よりも低融点の融解性樹脂がヒューズ部の上下の少なくとも一方に設けられているので、低融点の融解性樹脂が先に融解を起こして、ヒューズ部付近の熱伝導率を急激に低下させて、ヒューズ部の速断性を向上させると共に、相転移的変化によりさらに明確化された溶断可能電流値を得ることができる。
すなわち、本発明に係るチップ型ヒューズによれば、ヒューズ部を構成する金属よりも低融点の融解性樹脂がヒューズ部の上下の少なくとも一方に設けられているので、低融点の融解性樹脂が先に融解を起こして、ヒューズ部付近の熱伝導率を急激に低下させて、ヒューズ部の速断性を向上させると共に、相転移的変化によりさらに明確化された溶断可能電流値を得ることができる。
以下、本発明に係るチップ型ヒューズの一実施形態を、図1から図3を参照しながら説明する。
本実施形態のチップ型ヒューズは、図1に示すように、絶縁基板1と、絶縁基板1の両端部に形成された一対の端面電極2と、絶縁基板1の上面に形成され一対の端面電極2に両端が接続された金属のヒューズ部4と、を備えている。
上記絶縁基板1は、絶縁性及び耐熱性が良好なアルミナセラミックス基板、ガラス基板又は樹脂基板等である。この絶縁基板1の裏面には、Ag(銀)系樹脂(Agペースト等)で形成された一対の裏面電極3が両端に設けられている。
上記絶縁基板1は、絶縁性及び耐熱性が良好なアルミナセラミックス基板、ガラス基板又は樹脂基板等である。この絶縁基板1の裏面には、Ag(銀)系樹脂(Agペースト等)で形成された一対の裏面電極3が両端に設けられている。
上記ヒューズ部4は、一対の端面電極2に両端が接続され銅箔で形成された銅層5a及びAgめっきによる銀層5bからなる第1エレメント(第1金属層)5と、第1エレメント5の溶断部となる所定の中間部分に積層され第1エレメント5よりも低融点な金属で形成された第2エレメント(第2金属層)6と、を備えている。すなわち、この第2エレメント6を構成する金属材料は、第1エレメント5の金属材料よりも融点が低く、第1エレメント5の金属材料と合金化することで、第1エレメント5の融点を下げるものが選択される。したがって、過電流が印加された場合、この第2エレメント6の形成箇所が溶断の主要部となる。本実施形態では、第2エレメント6をSn(錫)で形成している。
上記第1エレメント5は、絶縁基板1上に、例えばエポキシ系樹脂シート、アクリル系樹脂シート又はシリコーン系樹脂シート等の接着シート7を介して設けられている。なお、第1エレメント5は、所望の溶断特性に合わせて厚さやパターン形状が決定される。また、第1エレメント5の両端には、端面電極2と接続された表面電極5cがパターン形成されている。なお、本実施形態では、第1エレメント5を100nm〜20μmの厚さに設定している。
上記接着シート7には、第1エレメント5の溶断部となる所定の中間部分が重なる領域に円形の切り欠き部7aが形成されている。この切り欠き部7aには、下部融解性樹脂8が充填されている。すなわち、下部融解性樹脂8は、第1エレメント5の下部に接して配されている。さらに、第1エレメント5及び第2エレメント6上には、これらを覆うように上部融解性樹脂9が形成されている。
これら下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9は、第2エレメント6を構成する金属よりも低融点の樹脂で形成されている。すなわち、本実施形態では、第2エレメント6がSnで形成されているのに対し、融点232℃のSnよりも低融点であるフッ素樹脂又はエポキシ系樹脂で下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9が形成されている。なお、フッ素樹脂及びエポキシ系樹脂は、Snの融点232℃よりも低い融点(例えば、200℃程度)で難燃性材料のものが選択される。
また、上部融解性樹脂9及び第1エレメント5上には、これらを覆うようにフィラー含有エポキシ系樹脂等の保護用樹脂10が設けられている。
上記端面電極2は、導電性樹脂ペースト又はスパッタにより形成され、本実施形態では、Ag系樹脂(Agペースト等)で形成されている。また、端面電極2及び裏面電極3上には、これらを覆うようにCu、Ni(ニッケル)又はSn等で端面電極メッキ部11が形成されている。
上記端面電極2は、導電性樹脂ペースト又はスパッタにより形成され、本実施形態では、Ag系樹脂(Agペースト等)で形成されている。また、端面電極2及び裏面電極3上には、これらを覆うようにCu、Ni(ニッケル)又はSn等で端面電極メッキ部11が形成されている。
次に、本実施形態のチップ型ヒューズの製造方法について、図2から図3を参照して説明する。
まず、図2の(a)に示すように、絶縁基板1上に、切り欠き部7aを予め形成した接着シート7をラミネート方式により貼り付ける。なお、予め切り欠き部7aを形成せず、接着シート7を貼り付けた後に、切り欠き部7aを形成しても構わない。次に、図2の(b)に示すように、スクリーン印刷又はポッティングにより、切り欠き部7a内に、フッ素樹脂又はエポキシ系樹脂である下部融解性樹脂8を充填する。
そして、図2の(c)に示すように、銅箔を接着シート7上にラミネート方式で貼り合わせ、さらに熱圧着することで銅層5aを形成する。なお、スパッタ等の薄膜プロセスを用いて銅層5aを形成しても構わない。次に、図2の(d)に示すように、所望の溶断特性に合わせてフォトリソグラフィ技術によるパターンエッチングを施し、絶縁基板1の両端に位置する一対の表面電極5cを形成すると共に、表面電極5cを連結する所望の形状に銅層5aをパターン形成する。このとき、銅層5aを、切り欠き部7a上、すなわち下部融解性樹脂8上の範囲内となるようにパターニングする。
次に、図3の(a)に示すように、表面電極5c及び銅層5aの上に、バリヤ層としてAgめっきにより銀層5bを形成する。これら銅層5aと銀層5bとで第1エレメント5が構成される。さらに、図3の(b)に示すように、第1エレメント5において溶断部となる所定の中間部分に、Snめっきにより第2エレメント6をパターニングして積層する。なお、この際、NiめっきによるNi層(他の金属層)を介して第2エレメント6を積層しても構わない。
このように、第1エレメント5及び第2エレメント6によりヒューズ部4が構成される。
このように、第1エレメント5及び第2エレメント6によりヒューズ部4が構成される。
次に、図3の(c)に示すように、ヒューズ部4上に、これを覆うようにスクリーン印刷等によりフッ素樹脂又はエポキシ系樹脂の上部融解性樹脂9を形成し、さらに、その上にスクリーン印刷等によりフィラー含有エポキシ系樹脂等の保護用樹脂10を形成する。そして、保護用樹脂10形成後に、絶縁基板1の裏面に一対の裏面電極3を導電性樹脂の印刷硬化等によりパターン形成する。なお、第1エレメント5の形成前に裏面電極3を形成する場合は、メタルグレーズ系ペーストや金属有機物ペーストの印刷焼成等で形成することもできる。なお、ここまでの工程は、絶縁基板1を複数のチップ状に分割する以前の1枚の平板状態で複数を一括して処理する。
そして、平板状態の絶縁基板1を短冊状に一次分割し、その絶縁基板1の端面に、Agペーストの端面電極2を形成する。さらに、端面電極2及び裏面電極3上に、図3の(d)に示すように、これらを覆うようにCu、Ni(ニッケル)又はSnめっき等で端面電極メッキ部11を形成することで、本実施形態のチップ型ヒューズが作製される。
この本実施形態のチップ型ヒューズでは、ヒューズ部4を構成する金属よりも低融点の下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9がヒューズ部4の上下に形成されているので、融点が232℃のSnより融点の低いフッ素樹脂又はエポキシ系樹脂が第2エレメント6よりも先に融解を起こして液状化することによって、ヒューズ部4付近の熱伝導率が急激に下がり、熱がこもり易くなって温度上昇速度が大きくなる。これにより、溶けた第2エレメント6の第1エレメント5への拡散を急激に進行させて、温度が第1エレメント5の融点まで急速に達して溶断し易くなり、速断性が向上する。
また、相転移的な変化を起こすことで溶断しない電流値と溶断する時の電流値とをより明確に区別することが可能になる。したがって、本実施形態のチップ型ヒューズは、速断性の向上及び明確な溶断可能電流値が得られるため、例えば印加電流値の低い低定格品ヒューズ等に好適である。
また、下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9が、ヒューズ部4の近傍にのみ形成されているので、下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9が融解し、ヒューズ部4が溶断した際も、絶縁基板1を含むヒューズ全体の剛性はほとんど低下せず、良好な実装状態を維持することができる。
また、下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9が、ヒューズ部4の近傍にのみ形成されているので、下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9が融解し、ヒューズ部4が溶断した際も、絶縁基板1を含むヒューズ全体の剛性はほとんど低下せず、良好な実装状態を維持することができる。
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、ヒューズ部4の上下に下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9を設けているが、ヒューズ部4の上下のいずれか一方に同様の融解性樹脂を設けても構わない。なお、この場合、実装面側に近いヒューズ部4の下部に融解性樹脂を設けた方が、ヒューズ部4の上部に設けるよりも効果的である。
例えば、上記実施形態では、ヒューズ部4の上下に下部融解性樹脂8及び上部融解性樹脂9を設けているが、ヒューズ部4の上下のいずれか一方に同様の融解性樹脂を設けても構わない。なお、この場合、実装面側に近いヒューズ部4の下部に融解性樹脂を設けた方が、ヒューズ部4の上部に設けるよりも効果的である。
1…絶縁基板、2…端面電極、3…裏面電極、4…ヒューズ部、5…第1エレメント(第1金属層)、5c…表面電極、6…第2エレメント(第2金属層)、8…下部融解性樹脂、9…上部融解性樹脂、11…端面電極メッキ部
Claims (4)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の両端部に形成された一対の電極と、
前記絶縁基板の上面に形成され前記一対の電極に両端が接続された金属のヒューズ部と、
前記ヒューズ部の上下の少なくとも一方に設けられ前記ヒューズ部を構成する金属よりも低融点の融解性樹脂と、を備えていることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項1に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記融解性樹脂が、前記ヒューズ部の近傍にのみ形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項1又は2に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記ヒューズ部が、前記一対の電極に両端が接続された第1金属層と、
前記第1金属層の所定の中間部分に直接又は他の金属層を介して積層され前記第1金属層よりも低融点な金属で形成された第2金属層と、を備え、
前記融解性樹脂が、前記第2金属層を構成する金属よりも低融点であることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項3に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記第2金属層が、Snで形成され、
前記融解性樹脂が、フッ素樹脂又はエポキシ系樹脂であることを特徴とするチップ型ヒューズ。
Priority Applications (1)
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130049679A1 (en) * | 2010-04-08 | 2013-02-28 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Protection element, battery control device, and battery pack |
KR101266807B1 (ko) | 2012-10-30 | 2013-05-30 | 에이디엠티 주식회사 | 마이크로 칩 퓨즈 |
WO2014034287A1 (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 株式会社村田製作所 | ヒューズ |
WO2014109097A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社村田製作所 | ヒューズ |
KR101447605B1 (ko) | 2013-09-17 | 2014-10-08 | 조인셋 주식회사 | 표면실장형 칩 퓨즈 및 그 제조 방법 |
JPWO2014002231A1 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-05-26 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
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2005
- 2005-03-31 JP JP2005100935A patent/JP2006286224A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130049679A1 (en) * | 2010-04-08 | 2013-02-28 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Protection element, battery control device, and battery pack |
US9184609B2 (en) * | 2010-04-08 | 2015-11-10 | Dexerials Corporation | Overcurrent and overvoltage protecting fuse for battery pack with electrodes on either side of an insulated substrate connected by through-holes |
JPWO2014002231A1 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-05-26 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
WO2014034287A1 (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 株式会社村田製作所 | ヒューズ |
JPWO2014034287A1 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-08-08 | 株式会社村田製作所 | ヒューズ |
KR101266807B1 (ko) | 2012-10-30 | 2013-05-30 | 에이디엠티 주식회사 | 마이크로 칩 퓨즈 |
WO2014109097A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社村田製作所 | ヒューズ |
JP5939311B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2016-06-22 | 株式会社村田製作所 | ヒューズ |
KR101447605B1 (ko) | 2013-09-17 | 2014-10-08 | 조인셋 주식회사 | 표면실장형 칩 퓨즈 및 그 제조 방법 |
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