JP4632358B2 - チップ型ヒューズ - Google Patents
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Description
従来、例えば特許文献1には、ヒューズ膜の溶断部下にシリコーン系樹脂が充填されていると共に、ヒューズ膜をエポキシ系樹脂の保護膜で覆ったチップヒューズが提案されている。このチップヒューズでは、図6に示すように、Cu(銅)箔のヒューズ膜であるCu層100上にSn(錫)膜101を形成し、Cu層100へのSnの拡散を防止するために、Sn膜101形成前に、Cu層100上にバリア層としてNi(ニッケル)膜102をSn膜101と同じ形成領域にパターン形成することで、溶断特性の調整を行う技術が記載されている。
すなわち、上記特許文献1では、ヒューズ膜であるCu層上に、Sn膜の形成領域と同じ領域にバリア層としてNi膜をパターン形成しているが、バリア層であるNi層が液状化する前にSn膜が液状化した場合、SnがNi膜の端の部分からCu層上に流れ出るおそれがあり、直接SnがCu層に接触してヒューズ毎に溶断時間等の溶断特性がばらつく不都合があった。
すなわち、本発明に係るチップ型ヒューズによれば、バリア金属層が、第2金属層の形成領域よりも広い領域で形成されているので、第2金属層が液状化して形成領域から流れ出ても第1金属層に直接接触することを防ぐことができる。したがって、本発明によれば、安定した溶断時間が得られ、歩留まりを向上させることができる。
上記絶縁基板1は、絶縁性及び耐熱性が良好なアルミナセラミックス基板、ガラス基板又は樹脂基板等である。この絶縁基板1の裏面には、Ag(銀)系樹脂(Agペースト等)で形成された一対の裏面電極3が両端に設けられている。
また、バリア金属層5bは、第2エレメント6の形成領域よりも広い領域で形成されている。すなわち、本実施形態では、バリア金属層5bが、ヒューズ部4となるCu層5aの全体を覆って形成されている。
なお、本実施形態では、Cu層5aを1μm〜18μm、バリア金属層5bを0.1μm〜3μm、第2エレメント6を6μmの厚さに設定している。
上記端面電極2は、導電性樹脂ペースト又はスパッタにより形成され、本実施形態では、Ag系樹脂(Agペースト等)で形成されている。また、端面電極2及び裏面電極3上には、これらを覆うようにCu、Ni又はSn等で端面電極メッキ部11が形成されている。
このように、第1エレメント5及び第2エレメント6によりヒューズ部4が構成される。
また、Agは、Snの拡散速度を示す図5のグラフからわかるように、従来のNiに比べてSnの拡散速度が大幅に速く、バリア金属層5bの構成金属として採用することにより速断性に優れるという利点がある。
Claims (4)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の両端部に形成された一対の電極と、
前記絶縁基板の上面に形成され前記一対の電極に両端が接続された金属のヒューズ部と、を備え、
前記ヒューズ部が、前記一対の電極に両端が接続された第1金属層と、
前記第1金属層の所定の中間部分にバリア金属層を介して積層され前記第1金属層及び前記バリア金属層よりも低融点な金属で形成された第2金属層と、を備え、
前記バリア金属層が、一対の前記電極間の前記ヒューズ部となる前記第1金属層に積層され、前記第2金属層の形成領域よりも広い領域で形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項1に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記バリア金属層が、一対の前記電極間の前記ヒューズ部となる前記第1金属層の全体を覆って形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項1又は2に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記バリア金属層が、前記第2金属層よりも低抵抗かつ高融点な金属で形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項3に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記第2金属層が、Snで形成され、
前記バリア金属層が、Agで形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。
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