JP6454870B2 - 回路保護素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
12 上面電極
13 エレメント部
15 溶断部
16 金属層
19 トリミング溝
Claims (6)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の両端部に設けられた一対の上面電極と、前記一対の上面電極を橋絡するように形成され、かつ前記一対の上面電極と電気的に接続されたエレメント部と、前記エレメント部にレーザによって形成された少なくとも2つのトリミング溝と、前記2つのトリミング溝で囲まれた領域に設けられた溶断部とを備え、前記エレメント部の上面に融点が450℃以下の低融点金属からなる金属層を形成し、前記金属層の幅を前記エレメント部の幅より広くし、かつ前記金属層を前記溶断部および前記2つのトリミング溝が形成された箇所を覆うように設け、前記2つのトリミング溝は互いに対向する前記金属層の側面から前記エレメント部の中心方向に向かって形成されている回路保護素子。
- 前記エレメント部は、下層から順にCrまたはTi、Cu、拡散防止用金属を形成することによって設けた請求項1に記載の回路保護素子。
- 前記拡散防止用金属をCrとした請求項2に記載の回路保護素子。
- 前記拡散防止用金属を、前記エレメント部の最下層に形成された金属と同一のものとした請求項2に記載の回路保護素子。
- 請求項1に記載の回路保護素子において、Cr、Cu、拡散防止用金属を順にマスクを用いた物理気相成長法にて形成して前記エレメント部を設けた後、前記金属層を前記マスクと異なるマスクを用いた物理気相成長法にて形成するようにした回路保護素子の製造方法。
- 前記Cr、Cu、拡散防止用金属を同じマスクを用いて形成するようにした請求項5に記載の回路保護素子の製造方法。
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