JP2001053401A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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Abstract
裏面の放熱性を改善する。しかも製造工程に於いて金属
基板の裏面の傷付きを防止しつつ、放熱性を向上する。 【解決手段】 第1の絶縁樹脂膜14を厚く形成し、耐
電圧特性の向上を改善し、且つフィラーの混入により発
熱素子の熱を良好に混成集積回路基板に伝えられる。し
かも混成集積回路基板11の裏面は、極力薄く且つ第2
の絶縁樹脂膜16とフィラー18、19の混入に放熱性
の向上と耐傷つき性の改善が実現できる。
Description
であり、特に耐電圧特性が優れ、且つ放熱性の優れた混
成集積回路装置を提供するものである。
があり、これは例えば特公昭61−55247号が詳し
い。
と、この表面に被覆された絶縁性樹脂膜2と、この上に
接着されたCuよりなる導電パターン3、4と、この導
電パターン3、4と電気的に接続された半導体素子等の
回路素子5と、この導電パターンの一部であるパッド3
と半田を介して固着された外部リード6と、この外部リ
ード6と前記回路素子5とを電気的に接続する金属細線
7およびこれらをモールドする樹脂8とを有している。
等で封止する材料でも良い。また樹脂8の代わりにケー
ス材9を使用しても良い。このケース材9を採用した場
合、ケース材9と金属基板1とで成る空間は、中空構造
でも良いし、中に前記樹脂8が充填されても良い。
が露出されているものである。
大板を用意し、この金属基板と接着性を有する接着剤が
形成された銅箔を熱圧着により貼り合わせる。
し、所定のパターンに銅箔をパターニングし、配線、チ
ップや外部リードを固着するランド等を形成し、その
後、所定の形状に金属基板をプレスカットする。
を実装し、ケース材9を固着し、ケース材9と金属基板
1で成る空間に必要により樹脂8を充填して完成する。
ットしてからでも良い。
場合、耐電圧特性を向上させるため、また金属基板1の
搬送性を向上させるために両面に陽極酸化膜10を生成
させていた。
に優れ、且つ硬質であるため、金属基板1裏面に傷が付
きにくい特徴を有している。
属基板は搬送装置の搬送手段、例えば搬送ローラの上に
載せ、目的の場所まで搬送していた。特にCu、Al等
は、金属の中でも入手し易い材料ではあるが、傷が付き
やすい軟らかい材料である。また金属基板は、放熱性に
優れるため大電力用に多用されている。そして、放熱性
がより考慮され金属基板裏面をパッケージから露出させ
る製品もある。しかし前述したように軟らかい材料であ
るため、完成までの工程で傷が付き製品として見栄えが
悪い等の理由から、金属基板の裏面には陽極酸化膜が採
用されていた。
は、より放熱性が優れ、より高電圧が維持でき、更には
より高周波特性に優れた混成集積回路基板が求められる
様になってきた。
は、絶縁特性に優れていないと、耐電圧特性も高周波特
性も向上しない。また前述したように製造工程ラインで
の搬送性、プレス/カット性、更には装置としての放熱
性等を考慮して前記問題を解決しなければならない。
鑑みて成され、第1に、第2の絶縁性樹脂膜に混入され
たフィラーは、前記第2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突
出し、扁平可能な材料よりなる第1のフィラーを有する
事で解決するものである。
せることで、搬送工程での裏面の傷付きを抑制し、しか
もこの金属基板裏面を実装基板に当接した際、実質点接
触から扁平する事による面接触を可能とし、放熱性の向
上を実現できる。
で、混成集積回路装置の発熱を抑制することができる。
突出し、扁平可能な材料よりなる第1のフィラーを有
し、金属基板裏面と実質同一面を成す前記封止部材の面
よりも前記第1のフィラーの方を突出させることで、前
記第1のフィラーをより扁平させることができる。
フィラーは、前記第2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突出
し、扁平可能な材料よりなる第1のフィラーと、前記第
2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突出し、金属を主材料と
する第2のフィラーを有する事で解決するものである。
料とするものが多く、金属材料よりも熱伝導性に劣る。
逆に熱伝導性の優れる材料は、硬質性であり、フィラー
を球体と仮定すれば、実装基板には実質点接触でしか当
接できない。
で、第1のフィラーの当接面を拡大し、しかも扁平させ
ることで第2のフィラーを当接させることができる。
熱手段に当接させる事で、第1のフィラーも前記放熱手
段に当接させることができる。
封止部材の面よりも前記第1のフィラーおよび第2のフ
ィラーが突出している事で混成集積回路基板裏面のフィ
ラーが実装基板や放熱手段に良好に実装できる。
および図2を参照しながら説明する。
性の混成集積回路基板11がある。この混成集積回路基
板11は、Al、CuやFe等が考えられる。
用意されている。この大板は、金属の表面が元々光沢
性、平坦性を有するため、粗面12,13が形成され
る。この粗面は、細かな凹凸により接着性を向上させる
ものであり、ここでは、機械的ブラッシング、化学的処
理により膜の凹凸を生成させている。また、混成集積回
路基板の材料によりその処理方法が異なるが、Alの場
合はクロメート処理等が考えられる。またこの粗面は、
混成集積回路基板の材料そのものが凹凸化されても良い
し、化学的処理による反応物で凹凸が生成されても良
い。
ため反応も起こる。この反応物は、混成集積回路基板1
1上で剥離しやすく、且つ機械的強度があまりない。そ
のため、この反応を防止するために、且つ第1の絶縁性
樹脂膜14との接着強度を増強させるために第1の保護
膜15が極薄く形成されている。この保護膜15は、第
1の絶縁性樹脂膜14と接着させるために、同類の材料
により成る、または同類の材料が混入されているものを
採用すると良い。
の形成までに前記反応物が生成されない条件であれば、
前記第1の保護膜15は、不要となる。反応物が生成さ
れない条件とは、製造工程の雰囲気を非反応ガス雰囲
気、例えば窒素雰囲気、不活性ガス雰囲気にすればよ
い。しかしこの工程であるとコストが上昇する問題があ
る。
化膜が生成された後、第1の絶縁性樹脂膜14、第2の
絶縁性樹脂膜16を両面に被覆する。
に予め接着のりとして被覆され、これを熱圧着により貼
り合わせても良い。また第2の絶縁性樹脂膜16は、フ
ィルム状のものを用意し、貼り合わせても良いし、別途
塗布装置で被覆しても良い。
脂膜16には、熱伝導性が考慮されてフィラー17,1
8、19が混入されている。このフィラー17、18
は、酸化アルミニウム、酸化Si等の金属酸化物から選
択されたもの、または混合のもであり、絶縁耐料の維持
と熱伝導率の向上を実現している。更にフィラー18、
19は、第2の絶縁性樹脂膜16から一部が露出し、混
成集積回路基板11の摩擦抵抗を減少させている。また
第2の絶縁性樹脂膜16の硬度と相まって、裏面の傷つ
きの度合いを抑制している。
がパターニングされる。更に金属細線の接合部には、接
合性が考慮されてNiメッキが施される場合は、この処
理の後にパターニングされる。
て下側からプレス(またはカッター)で矢印の方向に打
ち抜かれており、混成集積回路基板11底面の周辺にあ
る角部20は、アールを有している。また混成集積回路
基板11上面の周辺にある角部21は、実質全周辺に渡
り突起部が設けられ、混成集積回路基板11の側面に
は、下側にせん断面、上側には破断面が全周に渡り設け
られている。
樹脂膜16の方が薄く形成され、しかも後述する扁平可
能なフィラー19が混入されている分、その中に混入さ
れているフィラー18の量も少なくなっている。
ーであり、例えば高分子材料より成る。
は、フィラーの少ない裏面から食い込んでいくため、ブ
レードの機械的破壊(歯の摩耗)が抑制できる。しかも
第1の絶縁性樹脂膜14側は、破断されるため、ブレー
ドは、フィラー17と接触がより抑制される。
もので、配線22、ランド23、ボンデイング用のパッ
ド24、外部リード用の固着パッド25等として設けら
れ、導電ランドにはベアの半導体ICやトランジスタ等
のチップ26(半導体素子)が設けられる。また配線間
はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の回
路素子27が半田等のロウ材や銀ペースト等を介して電
気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印刷等
で形成されている。更には前記チップと配線を電気的に
接続するため、チップ上の電極とボンディング用のパッ
ドとの間には金属細線28が電気的に接続され、外部リ
ード用の固着パッド25には半田を介して外部リード2
9が電気的に接続されている。
レキシブルシートに貼り合わされ、このフレキシブルシ
ートが混成集積回路基板に貼り合わされても良い。この
場合、第1の保護膜15は、このシートと同類か、この
材料が混入されているものが好ましい。
上に実装された実装部品を封止するために、封止用の樹
脂20が設けられている。
材31を採用しても良いし、混成集積回路基板11の裏
面が露出するようにトランスファーモールド、インジェ
クションモールドで実現されても良い。
積回路基板とケース材31で成る空間は、中空でも良い
し、またこの空間に絶縁性樹脂材料30が注入されても
良い。
も良い。この製造方法を簡単に説明する。まずここまで
の説明からも明らかなように、混成集積回路基板11を
用意する。
上に配置する。ここでペレットは、補強用シートに熱硬
化前の粉末状の樹脂が一体化されたものである。
ト性を保持する材質が好ましく、エポキシ含浸のガラス
繊維等が好ましい。また薄いガラス基板等でも良い。
し、150度程度にして樹脂を溶融し、その後熱硬化さ
れる。
強シートの自重により沈み込み、同時に補強シートの端
部から混成集積回路基板11の突起部21まで流れ出
て、ダレ部を形成する。
で流れ、そのダムとしての働きと表面張力により止ま
る。
刷性が向上し、機種名等を載せることができる。しかも
フラット性を有することから、補強シートに自動機の吸
引部を当てて、吸引が可能となり、例えばプリント基板
等に自動実装が可能となる。
膜16に扁平可能なフィラーを混入することにある。有
機溶剤で溶融している絶縁性樹脂にフィラーを混入し、
成膜すると、膜は有機溶媒が揮発し膜厚自身が薄くなっ
て硬化するため、フィラーが突出する。この突出は、混
成集積回路基板11裏面の傷付きを防止することができ
る。また堅いフィラーを採用するとフィラーは実質粒径
であるので、混成集積回路基板が実装基板や放熱基板等
の放熱手段に当接した時、フィラーは点接触となる。従
って混成集積回路基板11を伝わり外部へ逃げる熱の抵
抗は大きくなる。本発明は、このフィラーを扁平可能な
材料とすることで、前記点接触を面接触にし、この熱抵
抗を低下させるものである。
2のフィラー17、18であり、若干大きめに示したハ
ッチング無しのものが第2のフィラー19である。特に
第2のフィラー19は、扁平を図示するため、若干カッ
トして示してある。
ィラーが混入されている場合、本混成集積回路装置を実
装させた時は、このフィラーが扁平するように実装され
ることで、混成集積回路基板から外へ逃げる熱の抵抗が
改善される。
に、前記第2の絶縁樹脂膜16に第2のフィラー18を
混入させることである。ここでも第1のフィラー19も
第2のフィラー18も放熱手段32に当接させる必要が
ある。
の結果第2のフィラー18を当接させることにより、熱
抵抗を低下させる点に特徴を有する。
フィラー19の径を大きくすることで実現できる。実際
は、第1のフィラー19を50μm近傍に、第2のフィ
ラー18を10μm〜5μm程度にしている。
め、その裏面に第2の絶縁樹脂膜16を形成し、更にこ
の第2の絶縁樹脂膜16の傷防止にフィラーを混入させ
ている。そしてこのフィラーを介した放熱特性を改善さ
せるために、1つは扁平フィラーを採用し、1つはフィ
ラーを扁平させることでシリカ等のフィラーを放熱手段
に当接させている。
く、更には傷が付かないことで、各工程の薬液やガス等
である腐食剤に対して耐食性があり、本混成集積回路装
置の裏面の美観を維持しつつ、放熱性の改善が可能とな
った。
側から見た斜視図である。点線で示したものが図1で示
す混成集積回路基板11である。また実線で示すものが
ケース材31および外部リード40である。また符号4
1は、ねじ止め孔である。
れ、これと平行に延在されたケース材裏面43の位置関
係を図示している。
42が同一面を成すか、混成集積回路基板裏面42の方
が突出していないと、第1のフィラー19が扁平されな
いためである。
は0〜数十ミクロン程度でよい。従って完成品を巨視的
に見たら、混成集積回路基板裏面42とケース材裏面4
3は、実質同一面を成すような配置になっている。
ーを混入させることで大幅に熱伝導率を向上させる事が
できる。また第1の絶縁性樹脂膜は、耐電圧特性を向上
させ、裏面は、表面よりもより熱伝導率を向上させるた
めに、第2の絶縁性樹脂膜を薄く形成している。従って
裏面からプレスする事でブレードの摩耗を抑制すること
ができる。
出させることで、搬送工程での裏面の傷付きを抑制し、
しかもこの金属基板裏面を実装基板に当接した際、実質
点接触から扁平する事による面接触を可能とし、放熱性
の向上を実現できる。
接される事で、混成集積回路装置の温度上昇を抑制する
ことができる。
突出し、扁平可能な材料よりなる第1のフィラーを有
し、金属基板裏面と実質同一面を成す前記封止部材の面
よりも前記第1のフィラーの方を突出させることで、前
記第1のフィラーをより扁平させることができる。
を主材料とするものが多く、金属材料よりも熱伝導性に
劣る。逆に熱伝導性の優れる材料は、硬質性であり、フ
ィラーを球体と仮定すれば、実装基板には実質点接触で
しか当接できない。
で、第1のフィラーの当接面を拡大し、しかも扁平させ
ることで第2のフィラーを当接させることができる。
熱手段に当接させる事で、第1のフィラーも前記放熱手
段に当接させることができ、放熱特性を改善させること
ができる。
封止部材の面よりも前記第1のフィラーおよび第2のフ
ィラーが突出している事で混成集積回路基板裏面のフィ
ラーが実装基板や放熱手段に良好に実装できる。
断面図である。
る。
斜視図である。
る。
Claims (8)
- 【請求項1】 金属基板と、前記金属基板の表面上に形
成され、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第1
の絶縁性樹脂膜と、前記第1の絶縁性樹脂膜上に形成さ
れた配線と、前記配線と接続された回路素子と、前記金
属基板の裏面上に形成され、前記第1の絶縁性樹脂膜よ
りも薄く、フィラーが混入された第2の絶縁性樹脂膜と
を少なくとも有する混成集積回路装置であり、 前記第2の絶縁性樹脂膜に混入されたフィラーは、前記
第2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突出し、扁平可能な材
料よりなる第1のフィラーを有する事を特徴とした混成
集積回路装置。 - 【請求項2】 金属基板と、前記金属基板の表面上に形
成され、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第1
の絶縁性樹脂膜と、前記第1の絶縁性樹脂膜上に形成さ
れた配線と、前記配線と接続された回路素子と、前記金
属基板の裏面上に形成され、前記第1の絶縁性樹脂膜よ
りも薄く、フィラーが混入された第2の絶縁性樹脂膜と
を少なくとも有する混成集積回路装置であり、 前記第2の絶縁性樹脂膜に混入されたフィラーは、前記
第2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突出し、放熱手段と扁
平して当接される事を特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項3】 金属基板と、前記金属基板の表面上に形
成され、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第1
の絶縁性樹脂膜と、前記第1の絶縁性樹脂膜上に形成さ
れた配線と、前記配線と接続された回路素子と、前記金
属基板の裏面上に形成され、前記第1の絶縁性樹脂膜よ
りも薄く、フィラーが混入された第2の絶縁性樹脂膜
と、前記回路素子を封止し、前記金属基板の側面を覆う
封止部材を少なくとも有する混成集積回路装置であり、 前記第2の絶縁性樹脂膜に混入されたフィラーは、前記
第2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突出し、扁平可能な材
料よりなる第1のフィラーを有し、前記金属基板裏面と
実質同一面を成す前記封止部材の面よりも前記第1のフ
ィラーの方が突出している事を特徴とした混成集積回路
装置。 - 【請求項4】 金属基板と、前記金属基板の表面上に形
成され、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第1
の絶縁性樹脂膜と、前記第1の絶縁性樹脂膜上に形成さ
れた配線と、前記配線と接続された回路素子と、前記金
属基板の裏面上に形成され、前記第1の絶縁性樹脂膜よ
りも薄く、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第
2の絶縁性樹脂膜とを少なくとも有する混成集積回路装
置であり、 前記第2の絶縁性樹脂膜に混入されたフィラーは、前記
第2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突出し、扁平可能な材
料よりなる第1のフィラーと、前記第2の絶縁性樹脂膜
の表面よりも突出し、金属を主材料とする第2のフィラ
ーを有する事を特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項5】 金属基板と、前記金属基板の表面上に形
成され、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第1
の絶縁性樹脂膜と、前記第1の絶縁性樹脂膜上に形成さ
れた配線と、前記配線と接続された回路素子と、前記金
属基板の裏面上に形成され、前記第1の絶縁性樹脂膜よ
りも薄く、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第
2の絶縁性樹脂膜とを少なくとも有する混成集積回路装
置であり、 前記第2の絶縁性樹脂膜に混入されたフィラーは、前記
第2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突出し、扁平可能な材
料よりなる第1のフィラーと、前記第2の絶縁性樹脂膜
の表面よりも突出し、金属を主材料とする第2のフィラ
ーを有し、前記第2のフィラーが扁平して放熱手段に当
接する事で、前記第1のフィラーも前記放熱手段に当接
する事を特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項6】 金属基板と、前記金属基板の表面上に形
成され、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第1
の絶縁性樹脂膜と、前記第1の絶縁性樹脂膜上に形成さ
れた配線と、前記配線と接続された回路素子と、前記金
属基板の裏面上に形成され、前記第1の絶縁性樹脂膜よ
りも薄く、熱伝導性を向上するフィラーが混入された第
2の絶縁性樹脂膜と、前記回路素子を封止し、前記金属
基板の側面を覆う封止部材を少なくとも有する混成集積
回路装置であり、 前記第2の絶縁性樹脂膜に混入されたフィラーは、前記
第2の絶縁性樹脂膜の表面よりも突出し、扁平可能な材
料よりなる第1のフィラーと、前記第2の絶縁性樹脂膜
の表面よりも突出し、金属を主材料とする第2のフィラ
ーを有し、前記金属基板裏面と実質同一面を成す前記封
止部材の面よりも前記第1のフィラーおよび第2のフィ
ラーが突出している事を特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項7】 前記第1のフィラーは、高分子材料を主
材料とする請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、
請求項5または請求項6に記載の混成集積回路装置。 - 【請求項8】 前記第2のフィラーは、酸化アルミニウ
ム、酸化Siから選択される請求項4、請求項5または
請求項6に記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22327199A JP3789688B2 (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22327199A JP3789688B2 (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001053401A true JP2001053401A (ja) | 2001-02-23 |
JP3789688B2 JP3789688B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=16795514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22327199A Expired - Fee Related JP3789688B2 (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP3789688B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011249744A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント基板およびその製造方法 |
JP2013229534A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPWO2012081434A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-05-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-08-06 JP JP22327199A patent/JP3789688B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPWO2012081434A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-05-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2013229534A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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JP3789688B2 (ja) | 2006-06-28 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050614 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050810 |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051201 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060119 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |