JP3806550B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、混成集積回路装置およびその製造方法であり、特に耐電圧特性が優れ、且つ放熱性の優れた混成集積回路装置を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に図6の様な混成集積回路装置があり、これは例えば特公昭61−55247号が詳しい。
【0003】
つまり混成集積回路装置は、金属基板1と、この表面に被覆された絶縁性樹脂膜2と、この上に接着されたCuよりなる導電パターン3、4と、この導電パターン3、4と電気的に接続された半導体素子等の回路素子5と、この導電パターンの一部であるパッド3と半田を介して固着された外部リード6と、この外部リード6と前記回路素子5とを電気的に接続するために設けられた金属細線7およびこれらをモールドする樹脂8とを有している。
【0004】
前記導電パターンは、配線、配線と一体のボンディングパッド、配線と一体のダイボンドパッド、またアイランド状のダイボンドパッド、外部リード用のパッド等が考えられる。
【0005】
ここで樹脂8は、トランスファーモ−ルド等で封止する材料でも良い。また樹脂8の代わりに、図6の如くケース材9を使用しても良い。このケース材9を採用した場合、ケース材9と金属基板1とで成る空間は、中空構造でも良いし、中に前記樹脂8が充填されても良い。
【0006】
また図6は、放熱性が考慮されて基板1の裏面が露出されているものである。
【0007】
製造方法としては色々あるが、金属基板の大板を用意し、この金属基板と接着性を有する接着剤が塗布された銅箔を熱圧着により貼り合わせる。
【0008】
そしてボンディング位置にNiメッキを施し、所定のパターンに銅箔をパターニングして、前記導電パターンを形成し、その後、所定のICとして必要な形状に金属基板をプレスカットする。
【0009】
そして分離された金属基板1に回路素子5を実装し、封止する。ここではケース材9を固着し、ケース材9と金属基板1で成る空間に必要により樹脂8を充填して完成する。
【0010】
ただし、銅箔のパターニングは、プレスカットしてからでも良い。
【0011】
また金属基板1としてAl金属を採用する場合、耐電圧特性を向上させるため、また金属基板1の搬送性を向上させるために両面に陽極酸化膜10を生成させていた。
【0012】
陽極酸化膜10は、Al2O3から成り絶縁性に優れ、且つ硬質であるため、金属基板1裏面に傷が付きにくい特徴を有している。
【0013】
特に前述した大板から完成までの間に、金属基板は搬送装置の搬送手段、例えば搬送ローラの上に載せ、目的の場所まで搬送していた。Cu、Al等は、金属の中でも入手し易い材料ではあるが、傷が付きやすい軟らかい材料である。また金属基板は、放熱性に優れるため大電力用に多用されている。そして、放熱性がより考慮され金属基板裏面をパッケージから露出させる製品もある。しかし前述したように軟らかい材料であるため、完成までの工程で裏面に傷が付き製品として見栄えが悪い、また一度に両面を陽極酸化できる等の理由から、金属基板の裏面にも陽極酸化膜が採用されていた。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、最近は、より放熱性が優れ、より高電圧が維持でき、更にはより高周波特性に優れた混成集積回路基板が求められる様になってきた。
【0015】
つまり配線と金属基板との間の絶縁材料は、絶縁特性に優れていないと、耐電圧特性も高周波特性も向上しない。また前述したように製造工程ラインでの搬送性、プレス/カット性、更には装置としての放熱性等を考慮して前記問題を解決しなければならない。
【0016】
また陽極酸化膜は、蜂の巣状に形成され、中が中空構造であるため、この中空構造が熱抵抗の大きくしている問題もあった。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題に鑑みて成され、第1に、中空構造の陽極酸化膜を省略し、これに代わる膜として粗面を形成する。この粗面で形成される凹凸は、第1の保護膜や絶縁性樹脂膜で埋め込むことができ、熱抵抗の妨げとなっている空構造を無くすことができる。
【0018】
また金属基板表面および裏面の絶縁性樹脂膜は、熱抵抗の低下を考慮してフィラーが混入され、更に裏面の絶縁性樹脂膜は、傷の防止および搬送性も考慮されて極薄い膜(10μm程度)で形成されている。
【0019】
従って熱抵抗が大幅に低減され、導電パターンに実装される半導体素子は、良好にその熱を放熱させることができる。またNi抵抗、銅箔抵抗等から発生する熱も放熱良好となる。従って半導体素子の電流容量をより多く取れるあるいはその分チップサイズを小さくすることもできる。またヒートシンクを採用した場合は、そのヒートシンクのサイズも小さくできる。これは抵抗素子でも同様である。従って、熱が発生する所のサイズを小さくできるため、金属基板をより小さくすることができる。
【0020】
第2に、第2の粗面と前記第2の絶縁性樹脂膜との間に、第2の保護膜を形成する事で解決するものである。
【0021】
裏面に形成された粗面は、搬送装置に当接し、クラック等が発生する。またフィラーを混入した膜は、一般的に粘度が高いため前記粗面の凹凸の中を充填しにくい。そのため、粘度の低い保護膜でその凹凸を埋めることで中空部を無くすことも可能となる。
【0022】
第3に、金属基板は、Al基板であり、前記粗面は、Alをクロメート処理した膜からなす事で解決するものである。
【0023】
Al基板は、何の粗面化処理もせずに、Al自身をそまま表面に出すと、その平坦性から、樹脂との接着性が無く、剥離する。従って粗面としてクロメート処理することにより、細かな凹凸が生成され、樹脂との接着性が向上する。
【0024】
第4に、第1および第2のフィラーは、酸化アルミニウムおよび/またはシリコン酸化膜であり、前記第2の絶縁性樹脂膜には、更に樹脂から成るフィラーが混入される事で解決するものである。
【0025】
樹脂から成るフィラーを混入させることで、搬送手段での金属基板の搬送性を向上させることができる。
【0026】
第5に、第1の粗面に形成された凹凸を前記第1の保護膜で埋め、前記第2の粗面で形成された凹凸は、前記第2の保護膜または前記第2の絶縁性樹脂膜で埋める事で解決するものである。
【0027】
前述したように、両面に形成された粗面の凹凸を埋めることで中空構造が無くなり、より熱抵抗の低下が実現できる。
【0028】
第6に、第2の絶縁性樹脂膜に混入されたフィラーは、前記第2の絶縁性樹脂膜から露出されている事で解決するものである。
【0029】
フィラーが突出していることでより摩擦抵抗を低下させることができる。
【0030】
第7に、第1の絶縁性樹脂膜は、およそ30〜100μmのエポキシ樹脂から成り、中に酸化アルミニウムのフィラーが混入され、前記第2の絶縁性樹脂膜は、およそ5〜10μmのエポキシ樹脂から成り、前記保護膜は、エポキシ樹脂が一組成として成る事で解決するものである。
【0031】
金属基板と導電パターンの間は、耐電圧特性も維持しなくては成らず、一方裏面は、耐電圧特性を考慮せず、放熱性を考慮する必要がある。そのため、裏面は5〜10μmと薄く形成すると、この被膜の熱抵抗は殆ど無視することができる。また酸化アルミニウムを採用することでより熱抵抗を小さくすることができる。
【0032】
第8に、一方の面には第1の粗面および他方の面には第2の粗面を有し、第1の粗面には第1の保護膜が形成され、第2の粗面にはフィラーが混入された絶縁性樹脂膜が、あるいは前記第2の粗面と前記絶縁性樹脂膜の間に第2の保護膜が形成されたAlから成る金属基板を用意し、前記第1の保護膜の表面に、フィラーが混入された絶縁性樹脂層および銅箔が積層された積層体を複数組積み重ね、前記第2の粗面に形成された絶縁性樹脂膜とこの絶縁性樹脂膜と面対向する銅箔との間には、シートが介在されて熱圧着される事で解決するものである。
【0033】
熱抵抗、搬送性を考慮して極薄い絶縁性樹脂を裏面に形成するが、この裏面に形成された絶縁性樹脂からガスが発生し、面対向する銅箔と反応する。従ってこのガスを遮断するシートが設けられることで、Cuは、反応物を生成せず、導電パターンのエッチング、Niメッキ等がパターンのムラが無く、良好に形成できる。
【0034】
第9に、シートは、ガスの遮断性を持ち、前記第2の粗面に形成された絶縁性樹脂膜と非接着性を有する事で解決するものである。熱圧着時に溶融した絶縁性樹脂であっても、シートや銅箔と被着しない。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図1および図2を参照しながら説明する。
【0036】
まず例えばプレスにより打ち抜かれた金属性の混成集積回路基板11がある。この混成集積回路基板11は、Al、CuやFe等が考えられる。
【0037】
この混成集積回路基板11は、予め大板で用意されている。この大板は、金属の表面が元々光沢性、平坦性を有するため、粗面12,13が形成される。
【0038】
前述したように、陽極酸化膜は、蜂の巣状に形成され、中に中空構造を有するため、この中空構造のある膜を省略し、表面に樹脂が塗布されても中空構造が形成されない粗面を形成した。
【0039】
また粗面は、細かな凹凸により接着性を向上させるものであり、ここでは、機械的ブラッシング、化学的処理により膜の凹凸を生成させている。また、混成集積回路基板の材料によりその処理方法が異なるが、Alの場合は、クロメート処理やノンクロメート処理等が考えられる。
【0040】
つまりこの粗面は、混成集積回路基板の材料そのものが凹凸化されても良いし、化学的処理による反応物で凹凸が生成されても良い事を意味している。
【0041】
またこの粗面は、凹凸を有し、金属であるため反応も起こる。特に後述する熱圧着時に、保護膜が形成されないとより反応が進む。そしてこの反応物は、剥離しやすく、且つ機械的強度があまりないのが一般的である。そのため、この反応を防止するために、且つ第1の絶縁性樹脂膜14との接着強度を増強させるために第1の保護膜15が極薄く形成されている。この保護膜15は、第1の絶縁性樹脂膜14と接着させるために、同類の材料により成る、または同類の材料が混入されているものを採用すると良い。
【0042】
また粗面13も同様の事が言える。粗面12(または13)の生成と絶縁性樹脂膜14(または16)の形成までに前記反応物が生成されない条件であれば、保護膜は、不要となる。反応物が生成されない条件とは、製造工程の雰囲気を非反応ガス雰囲気、例えば窒素雰囲気、不活性ガス雰囲気にすればよい。しかしこの工程であるとコストが上昇する問題がある。
【0043】
従って、混成集積回路基板11の両面に粗面化膜12、13が生成された後、直ちに第1の絶縁性樹脂膜14、第2の絶縁性樹脂膜16が両面に被覆されか、または両面に形成された粗面に保護膜が形成され、更にその両面に絶縁性樹脂膜が形成される。
【0044】
前記第1の絶縁性樹脂膜14は、銅箔の下に予め接着のりとして被覆され、これを熱圧着により貼り合わせている。しかし第2の絶縁性樹脂膜16は、Cu箔を有するフィルム状のものを用意し、貼り合わせても良いし、別途塗布装置で被覆しても良い。また第1の絶縁性樹脂膜の上にメッキで生成しても良い。この場合は、直接導電パターンが生成できる。
【0045】
また第1の絶縁性樹脂膜14、第2の絶縁性樹脂膜16には、熱伝導性が考慮されてフィラー17,18、19が混入されている。このフィラー17、18は、酸化アルミニウム、酸化Si等の金属酸化物から選択されたもの、または混合のもであり、絶縁耐量の維持と熱伝導率の向上を実現している。更にフィラー18、19の一部は、第2の絶縁性樹脂膜16から一部が露出し、混成集積回路基板11の摩擦抵抗を減少させている。また第2の絶縁性樹脂膜16の硬度と相まって、裏面の傷つきの度合いを抑制している。
【0046】
また後述するプレスの前または後で、銅箔がパターニングされる。更に金属細線の接合部には、接合性が考慮されてNiメッキが施される場合は、このメッキ処理の後にパターニングされる。
【0047】
この混成集積回路基板11は、紙面に対して下側から上に向かいプレス(またはカッター)で打ち抜かれており、混成集積回路基板11底面の周辺にある角部20は、アールを有している。また混成集積回路基板11上面の周辺にある角部21は、実質全周辺に渡り金属の粘り故に、突起部が設けられ、混成集積回路基板11の側面には、下側にせん断面、上側には破断面が全周に渡り設けられている。これは、最初はプレスの歯が当接して切れているが、基板の中頃からは、破断、つまり表現は適切ではないが力により引きちぎられている事を示している。
【0048】
つまり図でも示してあるが、第1の絶縁性樹脂膜14が30〜100μmであるのに対し、第2の絶縁性樹脂膜16の方は、5〜10μmと薄く形成され、しかも後述する扁平可能なフィラー19が混入されている分、その中に混入されている硬いフィラー18の量も少なくなっている。
【0049】
ここでフィラー19は、扁平可能なフィラーであり、例えば高分子材料より成る。
【0050】
従ってプレスまたはカッターのブレードは、フィラーの少ない裏面から食い込んでいくため、ブレードの機械的破壊(歯の摩耗)が抑制できる。しかも第1の絶縁性樹脂膜14側は、破断されるため、ブレードは、フィラー17と接触がより抑制される。従って紙面に対して上から抜くよりもブレードの摩耗は抑制できる。
【0051】
また導電パターンは、例えばCuより成るもので、配線22、ランド(ダイボンデイングパッド)23、ボンデイング用のパッド24、外部リード用の固着パッド25等として設けられ、導電ランドにはベアの半導体ICやトランジスタ等のチップ26(半導体素子)がロウ材や銀ペーストを介して設けられる。また配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の回路素子27が形成され、チップコンデンサやチップ抵抗は、半田等のロウ材や銀ペースト等を介して電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印刷等で形成されている。更には前記半導体チップと導電パターンを電気的に接続するため、チップ上の電極とボンディング用のパッドとの間には金属細線28が電気的に接続され、外部リード用の固着パッド25には半田等のロウ材を介して外部リード29が電気的に接続されている。
【0052】
またこれらCuのパターンは、絶縁性のフレキシブルシートに貼り合わされ、このフレキシブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされても良い。この場合、第1の保護膜15は、このシートと同類か、この材料が混入されているものが好ましい。
【0053】
そして、混成集積回路基板11およびこの上に実装された実装部品を封止するために、封止用の樹脂30が設けられている。
【0054】
この封止方法は、従来技術で述べたケース材31を採用しても良いし、混成集積回路基板11の裏面が露出するようにトランスファーモールド、インジェクションモールドで実現されても良い。
【0055】
またケース材31を用いる場合は、混成集積回路基板とケース材31で成る空間は、中空でも良いし、またこの空間に絶縁性樹脂材料30が注入されても良い。例えば素子の実装されている中空領域は、シリコーン樹脂で、外部リードの実装される領域は、エポキシ樹脂等で封止される。
【0056】
また以下の様にペレットを用いて封止しても良い。この製造方法を簡単に説明する。まずここまでの説明からも明らかなように、混成集積回路基板11を用意する。
【0057】
次に、ペレットを混成集積回路基板11の上に配置する。ここでペレットは、補強用シートに熱硬化前の粉末状の樹脂が一体化されたものである。
【0058】
補強用シートは、樹脂が熱硬化後もフラット性を保持する材質が好ましく、エポキシ含浸のガラス繊維等が好ましい。また薄いガラス基板等でも良い。
【0059】
この状態で、例えばヒーターの上に載置し、150度程度にして樹脂を溶融し、その後熱硬化される。
【0060】
前述した溶融樹脂は、自分自身の自重や補強シートの自重により沈み込み、同時に補強シートの端部から混成集積回路基板11の突起部21まで流れ出て、ダレ部を形成する。
【0061】
ダレ部は、突起部21が有ることでここまで流れ、そのダムとしての働きと表面張力により止まる。
【0062】
補強シートがフラット性を有するため、印刷性が向上し、機種名等を載せることができる。しかもフラット性を有することから、補強シートに自動機の吸引部を当てて、吸引が可能となり、例えばプリント基板等に自動実装が可能となる。
【0063】
一方、第2の絶縁性樹脂膜16に扁平可能なフィラーを混入する点について説明する。有機溶剤で溶融している絶縁性樹脂にフィラーを混入し、成膜すると、膜は有機溶媒が揮発し膜厚自身が薄くなって硬化するため、フィラーが突出する。この突出は、混成集積回路基板11裏面の傷付きを防止することができる。また堅いフィラーを採用するとフィラーは実質粒形であるので、混成集積回路基板が実装基板や放熱基板等の放熱手段に当接した時、フィラーは点接触となる。従って混成集積回路基板11を伝わり外部へ逃げる熱の抵抗は大きくなる。本発明は、このフィラーを扁平可能な材料とすることで、前記点接触を面接触にし、この熱抵抗を低下させるものである。
【0064】
図1では、斜線でハッチングしたものが第1のフィラー17、18であり、若干大きめに示したハッチング無しのものが第2のフィラー19である。
【0065】
つまり高分子材料や柔軟な材料から成るフィラーが混入されている場合、本混成集積回路装置を実装させた時は、このフィラーが扁平するように実装されることで、混成集積回路基板から外へ逃げる熱の抵抗が改善される。
【0066】
第2の特徴は、より放熱性を改善するために、5〜10μmと極めて薄く形成し、前記第2の絶縁樹脂膜16に第1のフィラー18を混入させることである。ここでも第1のフィラー18も第2のフィラー19も放熱手段に当接させる必要がある。
【0067】
つまり第2のフィラー19を扁平させ、その結果第1のフィラー18を当接させることにより、熱抵抗を低下させる点に特徴を有する。
【0068】
この特徴を持たせるためには、若干第2のフィラー19の径を大きくすることで実現できる。実際は、第2のフィラー19を50μm近傍に、第1のフィラー18を10μm〜5μm程度にしている。
【0069】
以上、金属基板の裏面の傷を防止するため、その裏面に第2の絶縁樹脂膜16を形成し、更にこの第2の絶縁樹脂膜16の傷防止にフィラーを混入させている。そして放熱特性を改善させるために、1つは扁平フィラーを採用し、1つはフィラーを扁平させることでシリカ等のフィラーを放熱手段に当接させている。
【0070】
更には、中空構造を持つ陽極酸化膜を省略し、しかも第1の絶縁性樹脂膜12に10μmの酸化アルミニウムより成るフィラー14を混入させ、更には、第2の絶縁性樹脂膜を5〜10μmと薄くすることにより、大幅な熱抵抗の低減が実現できた。実験に依れば、フィラーとして2〜3μmの酸化アルミニウムが混入された第2の絶縁性樹脂膜を採用し、厚さ1mm、10mm角の銅のヒートシンクを混成集積回路基板11のランド21に半田で固着し、従来構造と本構造で熱抵抗を測定した。従来構造では、両面に陽極酸化膜もあるため、1度/1ワット(1ワットの熱量に対してヒートシンクが1度になる事を意味している。)の熱抵抗であるのに対して、本構造では、0.6度/1ワットとなった。この事は、熱源が同じなら、よりサイズの小さいヒートシンクが採用できる事を意味している。本発明では、厚さ1mm、6.4mm×8mmのヒートシンクを採用した。
【0071】
また印刷抵抗も同様のことがいえる。例えばカーボン膜より成る抵抗、Niよりなる抵抗は、大電流により熱的に溶断するので、できるだけ広い面積に形成している。面積を大きくして混成集積回路基板11に熱を逃がし、溶断を防止するためである。熱抵抗がおよそ40%も改善されていることから、その抵抗の面積も40%程度に小さくすることができる。抵抗は、膜厚が同じであれば実質平面積で決まる。従って平面の相対的サイズの比を同じにして縮小すれば、抵抗値はそのままで、平面積を少なくすることができる。
【0072】
このように、本構造を採用することで、実装密度の向上が実現でき、しかも温度上昇による制御性も高められ、性能が向上するばかりか、コストの低下も実現できた。更には金属基板の裏面に傷が付くことなく、更には傷が付かないことで、各工程の薬液やガス等である腐食剤に対して耐食性があり、本混成集積回路装置の裏面の美観を維持しつつ、放熱性の改善が可能となった。
【0073】
続いて製造工程に於ける搬送方法を説明する。符号40は、搬送装置に採用される搬送手段40である。この搬送手段は、ローラやベルトで成る。符号41は、反射型センサで、左が発光素子、右が受光素子で一体化されている。搬送手段の上で搬送されてきた混成集積回路基板11の裏面で光が反射し、混成集積回路基板11の有無を検知し、搬送手段の移動を止める。
【0074】
このため、第2の絶縁性樹脂膜16は、透明な樹脂が採用されている。しかし製造工程の熱履歴により、架橋が進み、膜自身が黄変する。これは、均一に発生せずまだらであり、製品としての見栄えが悪いばかりでなく、センサの検知精度の低下を招く。
【0075】
この黄変を簡単に説明すると、まず第1の保護膜15と第2の絶縁性樹脂膜16が貼り合わされた大板が用意され、第1の絶縁性樹脂膜とこの上に在る銅箔がホットプレスで貼り合わされる。これが第1の熱処理である。続いて短冊状にシャーリングされ、ボンディングパッド用のNiメッキが施され、ホトレジストを介してエッチングされ導電パターンが形成される。
【0076】
続いて個別のIC基板にプレスカットされ、オーバーコート膜が形成される。ここでも乾燥のため第2回目の熱処理が加えられる。
【0077】
また印刷抵抗として銀抵抗、カーボン抵抗が採用される。これらは、エポキシ樹脂の中に銀またはカーボンが混入されており、焼成温度と焼成時間により抵抗値を出すものである。例えばカーボン抵抗では、約200°1〜3時間の熱処理が加えられる。第3の熱処理である。
【0078】
続いてロウ材の印刷をし、溶融する。ここでも熱処理が加えられ第4の熱処理である。続いてチップの実装、封止の工程と進んで行くが、ここでは説明を省略する。
【0079】
このように大まかに説明しても4つの熱処理が加えられ、細かく説明すれば更なる熱処理工程が加えられている。この熱履歴により黄変していくのである。
【0080】
本発明は、このまだらな応変を防止するため、熱履歴で発生する色に予め付けておくことで解決するものである。もちろん光透過を維持して薄い黄色または薄い茶色で着色した樹脂を採用する。予め着色しておくことで、このまだらな変色を防止しできる。
【0081】
以上、基板裏面の黄変を防止しつつ、裏面の傷の発生防止、基板搬送性の向上を実現できると同時に、熱伝導率の向上も実現できる。
【0082】
続いて、図3〜図5を用いて熱圧着の方法を説明する。
図4の如く、裏面に第2の絶縁性樹脂膜30を被着した金属基板31を複数枚積層し、この間に第1の絶縁性樹脂膜32が被着された銅箔33を介在させた積層体34をホットプレス装置のステージ35に配置し、上から加圧手段36で前記積層体34を温度を加えながら圧着していた。
【0083】
しかしこの熱圧着時に、第2の絶縁性樹脂膜30が軟化し、この第2の絶縁性樹脂膜30と当接している銅箔33が接着したり、更には第2の絶縁性樹脂膜30を被覆する際に中に混入されている有機溶剤等のガスが発生し、このガスが銅箔と反応して、図5に示すような反応物37が生成し、エッチングムラ、メッキムラ等の大きな問題が発生した。
【0084】
この問題を解決するために、本発明は、図3に示すシート45、46を採用した。
この熱圧着の第1の方法としては、銅箔43の下面に前記第1の絶縁性樹脂膜44が被着されたものを用意し、図3の様に、金属基板41と銅箔43の間に前記第1の絶縁性樹脂膜44が位置するように積層し、熱圧着する方法である。図では3セット47〜49が積層されているが、実際はもっと積層されている。
【0085】
第2の方法は、銅箔43、第1の絶縁性樹脂膜44を別々に用意し、第1の方法と同様に積層する方法である。
【0086】
更には、第1の方法、第2の方法ともに採用する第2の絶縁性樹脂膜42は、前もって金属基板41に被着されていたが、第1の方法、第2の方法に於いて、第2の絶縁性樹脂膜42をシートとして用意して、熱圧着しても良い。
【0087】
本発明の特徴は、第2の絶縁性樹脂膜42と、この下層に位置する金属基板の銅箔43との間にシートを介在させたことにある。
【0088】
第2の絶縁性樹脂膜42の中には、溶剤である有機溶剤、希釈剤等のガスが混入されており、これが熱圧着時の熱により発生し、銅と反応し、図5の様に反応物37を生成させるために、前記シートでガスの通過を遮断している。
【0089】
また第2の絶縁性樹脂膜42は、軟化し、接着するため、前記シートは、少なくともその表面が第2の絶縁性樹脂と接着性を有さない材料から成る。
【0090】
この2つの性質を両方兼ね備えた物を用意すればよいが、ここでは、第1のシート45、第2のシート46と二枚用意して、実現した。
【0091】
例えば第1のシート45は、金属箔で、ここでは安価で入手できるアルミ箔を採用した。金属箔は、物性としてはガスを遮断する性質を有するので採用している。
【0092】
しかし金属と第2の絶縁性樹脂は、接着性を有するので、第2のシート46として、例えばテフロンシートを用いた。
【0093】
従って、第2の絶縁性樹脂膜42の下には、第2のシート46、第1のシート45、そして銅箔43が積層された構造になっている。
【0094】
また積層構造は、図3の配置を上下180度回転した順番で積層しても良い。
【0095】
更に変則な積層としては、セット47に対して上、または下のセットの位置関係を180度回転した配置でも良い。この場合、第2の絶縁性樹脂膜42は、銅箔43と対向せず、上または下の金属基板の第2の絶縁性樹脂膜と対向する。この場合は、第2の絶縁性樹脂同士が接着してしまうため、接着性を有さないシートを介在させる必要がある。更には、金属基板の銅箔同士が対向するため、ガスが銅と反応する事は無い為、シートを介在させる必要はないが、銅同士であるため、傷の防止も考慮してシートが介在された方がよい。
【0096】
一方、ステージ35、加圧手段36は、一般的に金属であるため、第2の絶縁性樹脂膜42とこれらが面対向する場合は、腐蝕および接着を防止するため前記シート47介在させた方がよい。また銅箔43と前記手段35または36が面対向する場合は、銅箔の傷、汚れを考慮して、どちらかのシートが介在されても良い。
【0097】
また全ての熱圧着に言える事であるが、間に挿入されるシートは、何枚挿入されても良い。ポイントは、第2の絶縁性樹脂膜42のガスが銅箔43と反応せず、また第2の絶縁性樹脂が熱で溶着しないようにすることである。
【0098】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、第1に、中空構造の陽極酸化膜を省略し、これに代わる膜として粗面を形成する。この粗面で形成される凹凸は、第1の保護膜や絶縁性樹脂膜で埋め込むことができ、熱抵抗の妨げとなっている中空構造を無くすことができる。
【0099】
また金属基板表面および裏面の絶縁性樹脂膜は、熱抵抗の低下を考慮してフィラーが混入され、更に裏面の絶縁性樹脂膜は、傷の防止および搬送性も考慮されて極薄い膜(5〜10μm程度)で形成されている。
【0100】
従って熱抵抗が0.6度/ワットと大幅に低減され、導電パターンに実装される半導体素子は、良好にその熱を放熱させることができる。またNi抵抗、銅箔抵抗等から発生する熱も放熱良好となる。従って半導体素子の電流容量をより多く取れるあるいはその分チップサイズを小さくすることもできる。またヒートシンクを採用した場合は、そのヒートシンクのサイズも小さくできる。これは抵抗素子でも同様である。従って、熱が発生する所のサイズを小さくできるため、金属基板をより小さくすることができる。
【0101】
第2に、第2の粗面と前記第2の絶縁性樹脂膜との間に、第2の保護膜を形成する事で、中空部を埋めることができる。
【0102】
裏面に形成された粗面は、搬送装置に当接し、クラック等が発生する。またフィラーを混入した膜は、一般的に粘度が高いため前記粗面の凹凸の中を充填しにくい。そのため、粘度の低い保護膜でその凹凸を埋めることで中空部を無くすことも可能となる。
【0103】
第3に、金属基板は、Al基板であり、前記粗面は、Alをクロメート処理した膜からなす事で、細かな凹凸が生成され、樹脂との接着性が向上する。
【0104】
第4に、第1および第2のフィラーは、酸化アルミニウムおよび/またはシリコン酸化膜であり、前記第2の絶縁性樹脂膜には、更に樹脂から成るフィラーが混入される事で、搬送手段に於ける金属基板の搬送性を向上させることができる。
【0105】
第5に、第1の粗面に形成された凹凸を前記第1の保護膜で埋め、前記第2の粗面で形成された凹凸は、前記第2の保護膜または前記第2の絶縁性樹脂膜で埋める事で、両面に形成された粗面の凹凸を埋めることで中空構造が無くなり、より熱抵抗の低下が実現できる。
【0106】
第6に、第2の絶縁性樹脂膜に混入されたフィラーは、前記第2の絶縁性樹脂膜から露出されている事で、より摩擦抵抗を低下させることができる。
【0107】
第7に、第1の絶縁性樹脂膜は、およそ30〜100μmのエポキシ樹脂から成り、中に酸化アルミニウムのフィラーが混入され、前記第2の絶縁性樹脂膜は、およそ5〜10μmのエポキシ樹脂から成り、前記保護膜は、エポキシ樹脂が一組成として成す事で、熱抵抗を小さくすることができる。
【0108】
第8に、熱抵抗、搬送性を考慮して極薄い絶縁性樹脂を裏面に形成するが、この裏面に形成された絶縁性樹脂からガスが発生し、面対向する銅箔と反応する。従ってこのガスを遮断するシートが設けられることで、Cuは、反応物を生成せず、導電パターンのエッチング、Niメッキ等がパターンのムラが無く、良好に形成できる。
【0109】
第9に、シートは、ガスの遮断性を持ち、前記第2の粗面に形成された絶縁性樹脂膜と非接着性を有する事で、熱圧着時に溶融した絶縁性樹脂であっても、シートや銅箔と被着しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の断面図である。
【図2】図1に採用する混成集積回路基板の平面図である。
【図3】図1の金属基板にCu箔を熱圧着する方法を説明する図である。
【図4】問題が発生した熱圧着の方法を説明する図である。
【図5】図4で発生する問題を説明する図である。
【図6】従来の混成集積回路装置を説明する図である。
【符号の説明】
11 混成集積回路基板
12、13 粗面
14 第1の絶縁性樹脂膜
16 第2の絶縁性樹脂膜
17、18、19 フィラー
Claims (1)
- 金属基板と、前記金属基板の上面を被覆する第1の保護膜と、前記第1の保護膜上に形成され、第1のフィラーが混入された第1の絶縁性樹脂膜と、前記第1の絶縁性樹脂膜上に形成された導電パターンと、前記導電パターンと接続された回路素子と、前記金属基板の裏面を被覆し、第2のフィラーが混入された第2の絶縁性樹脂膜とを少なくとも有し、
前記第1および前記第2のフィラーは、酸化アルミニウムおよび/またはシリコン酸化膜であり、前記第2の絶縁性樹脂膜には、更に樹脂から成るフィラーが混入され、前記第2のフィラーは、前記第2の絶縁性樹脂膜の裏面から外部に露出することを特徴とする混成集積回路装置。
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