JP2001044628A - 混成集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属基板の裏面の傷防止と同時に裏面の放熱
性を改善する。 【解決手段】 第２の絶縁樹脂膜４４へのフィラーの混
入により発熱素子の熱を良好に混成集積回路基板４１に
伝えられる様にした。しかも第１の絶縁性樹脂膜４２を
薄く形成した。また銅箔４３の熱圧着時は、第１の絶縁
性樹脂膜４２とＣｕ箔４３との間にシート４５、４６を
介在させ、第１の絶縁性樹脂から発生するガスとＣｕ箔
４３との反応を防止している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、混成集積回路装置
の製造方法であり、特に金属基板と銅箔の熱圧着に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】まず一般に図６の様な混成集積回路装置
があり、これは例えば特公昭６１−５５２４７号が詳し
い。

【０００３】つまり混成集積回路装置は、金属基板１
と、この表面に被覆された絶縁性樹脂膜２と、この上に
接着されたＣｕよりなる導電パターン３、４と、この導
電パターン３、４と電気的に接続された半導体素子等の
回路素子５と、この導電パターンの一部であるパッド３
と半田を介して固着された外部リード６と、この外部リ
ード６と前記回路素子５とを電気的に接続するために設
けられた金属細線７およびこれらをモールドする樹脂８
とを有している。

【０００４】前記導電パターンは、配線、配線と一体の
ボンディングパッド、配線と一体のダイボンドパッド、
またアイランド状のダイボンドパッド、外部リード用の
パッド等が考えられる。

【０００５】ここで樹脂８は、トランスファーモ−ルド
等で封止する材料である。また樹脂８の代わりに、図６
の如くケース材９を使用しても良い。このケース材９を
採用した場合、ケース材９と金属基板１とで成る空間
は、中空構造でも良いし、中に前記樹脂８が充填されて
も良い。

【０００６】また図６は、放熱性が考慮されて基板１の
裏面が露出されているものである。

【０００７】製造方法としては色々あるが、金属基板の
大板を用意し、この金属基板と接着性を有する接着剤が
塗布された銅箔を熱圧着により貼り合わせる。

【０００８】そしてボンディング位置にＮｉメッキを施
し、所定のパターンに銅箔をパターニングして、前記導
電パターンを形成し、その後、所定のＩＣとして必要な
形状に金属基板をプレスカットする。

【０００９】そして分離された金属基板１に回路素子５
を実装し、封止する。ここではケース材９を固着し、ケ
ース材９と金属基板１で成る空間に必要により樹脂８を
充填して完成する。

【００１０】ただし、銅箔のパターニングは、プレスカ
ットしてからでも良い。

【００１１】また金属基板１としてＡｌ金属を採用する
場合、耐電圧特性を向上させるため、また金属基板１の
搬送性を向上させるために両面に陽極酸化膜１０を生成
させていた。

【００１２】特に前述した大板から完成までの間に、金
属基板は搬送装置の搬送手段、例えば搬送ローラの上に
載せ、目的の場所まで搬送していた。特にＣｕ、Ａｌ等
は、金属の中でも入手し易い材料ではあるが、傷が付き
やすい軟らかい材料である。また金属基板は、放熱性に
優れるため大電力用に多用されている。そして、放熱性
がより考慮され金属基板裏面をパッケージから露出させ
る製品もある。

【００１３】しかし前述したように軟らかい材料である
ため、金属基板裏面を硬質処理せず、そのままＣｕまた
はＡｌを露出させると、完成までの工程、またはその後
に於いても裏面に傷が付き製品として見栄えが悪い問題
があった。

【００１４】これらの理由により、Ａｌ基板に於いて
は、陽極酸化膜１０の絶縁性、硬質材に着目して、陽極
酸化膜を形成していた。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】最近は、より放熱性が
優れ、より高電圧が維持でき、更にはより高周波特性に
優れた混成集積回路基板が求められる様になってきた。

【００１６】しかしＡｌ基板の場合、Ａｌ基板表面の酸
化膜全域が酸化アルミニウムで形成されていれば、その
熱伝導率も高いが、陽極酸化膜は、蜂の巣状の中空構造
であり、この部分で熱伝導率を低下させている問題があ
った。

【００１７】またＡｌ基板または銅基板の裏面を硬質処
理せず、そのまま露出させると、裏面に傷が形成された
り、また導電パターンのエッチング、レジスト剥離時等
に、エッチング液や剥離液で裏面が腐蝕してしまう問題
があった。

【００１８】このため、金属基板の裏面の保護を目的と
して、シールを貼り付け、前記腐蝕を防止する手段もあ
るが、シールの貼り付け、シールの剥がし作業が入り、
工程の増加、コストの上昇の問題があった。

【００１９】そのため、金属基板の裏面に樹脂を被着さ
せ、保護しようとしたが、図３の熱圧着時に、樹脂から
発生するガスが銅と反応する問題があった。

【００２０】即ち、図３の如く、裏面に第１の絶縁性樹
脂膜３０を被着した金属基板３１を複数枚積層し、この
間に第２の絶縁性樹脂膜３２が被着された銅箔３３介在
させた積層体３４をホットプレス装置のステージ３４に
配置し、上から加圧手段３６で前記積層体３４を温度を
加えながら圧着していた。

【００２１】しかしこの熱圧着時に、第１の絶縁性樹脂
膜３０が軟化し、この第１の絶縁性樹脂膜と当接してい
る銅箔３３と接着したり、更には第１の絶縁性樹脂膜を
被覆する際に中に混入されている有機溶剤等のガスが発
生し、このガスが銅箔と反応して、図４に示すような反
応物３７が生成し、エッチングムラ、メッキムラ等の大
きな問題が発生した。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて成されたものであり、第１に、第１の絶縁性樹脂
膜と前記銅箔の間に、前記第１の絶縁性樹脂膜と非接着
性を有し、且つ前記第１の絶縁性樹脂膜から発生するガ
スが前記銅箔と反応するのを阻止するシートを介在させ
て熱圧着する事で解決するものである。

【００２３】これにより、第１の絶縁性樹脂膜から発生
するガスは銅箔へ到達せず、図１の矢印で示すように外
部へ放出されるため、銅箔と反応せず、しかも第１の絶
縁性樹脂膜がシートや銅箔と接着されることもなくな
る。

【００２４】第１の絶縁性樹脂膜は、溶剤により溶融さ
れた状態で前記混成集積回路基板の一方の面に被覆され
る事で解決するものである。

【００２５】溶剤で溶かした絶縁性樹脂を塗布する事
で、非常に薄い膜が金属基板の裏面に被覆できるので、
金属基板の放熱性を維持することができる。

【００２６】またシートは、複数のシートから成り、前
記第１の絶縁性樹脂膜と直接当接する第１のシートは、
前記第１の絶縁性樹脂膜と接着性を有さず、前記第１の
シートと前記銅箔との間には、前記第１の絶縁性樹脂膜
から発生するガスが前記銅箔と反応するのを阻止するシ
ートを介在させる事で解決するものである。

【００２７】例えば、ガスの通過を阻止するＡｌシート
を用意し、Ａｌシートと前記第１の絶縁性樹脂膜との間
にテフロン等の樹脂シートを介在させれば、市販の安価
なシートを活用でき、しかも何度も再利用することがで
きる。

【００２８】更には、ステージまたは前記加圧手段と前
記第１の絶縁性樹脂膜の間に、前記第１の絶縁性樹脂膜
から発生するガスを阻止するシートを介在させたり、ま
た第１の絶縁性樹脂膜とは非接着性のシートを介在させ
た事で、熱圧着装置の寿命を高めることもできる。

【００２９】よって、銅箔は有機溶剤等から成るガスと
反応せず、その表面に均一にＮｉメッキを施したり、前
記銅箔を所望の形状にエッチングしたりすることが可能
となる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図
１、図２および図５を参照しながら説明する。

【００３１】まず例えばプレスにより打ち抜かれた金属
性の混成集積回路基板４１がある。この混成集積回路基
板４１は、Ａｌ、ＣｕまたはＦｅ等が考えられる。

【００３２】この混成集積回路基板４１は、予め大板で
用意されている。

【００３３】そして混成集積回路基板４１の少なくとも
裏面には、第１の絶縁性樹脂膜４２が被覆されている。
この被覆方法は、第１の絶縁性樹脂膜４２をシートとし
て用意し、熱圧着しても良い。しかし第１の絶縁性樹脂
膜４２の熱抵抗を考えた場合、有機溶剤で希釈・溶解し
た前記絶縁性樹脂を塗布したり、スピンオン等で被覆し
た方が、膜厚を〜１０μｍ程度に薄く形成できるメリッ
トを有する。

【００３４】そして本発明の特徴とする所である銅箔４
３の貼り合わせ工程がある。

【００３５】前記第２の絶縁性樹脂膜４４は、全面銅箔
の下に予め接着のりとして用意され、これらは熱圧着に
より貼り合わせられる。

【００３６】この熱圧着の第１の方法としては、銅箔の
下面に前記第２の絶縁性樹脂膜が被着されたものを用意
し、図１の様に、金属基板４１と銅箔４３の間に前記第
２の絶縁性樹脂膜４４が位置するように複数セットを積
層し、熱圧着する方法である。

【００３７】第２の方法は、銅箔４３、第２の絶縁性樹
脂膜４４を別々に用意し、第１の方法と同様に積層する
方法である。

【００３８】更には、第１の方法、第２の方法ともに採
用する第１の絶縁性樹脂膜４２は、前もって金属基板４
１に被着されていたが、第１の方法、第２の方法に於い
て、第１の絶縁性樹脂膜４２をシートとして用意して、
熱圧着しても良い。

【００３９】本発明の特徴は、第１の絶縁性樹脂膜４２
と、この下層に位置する金属基板の銅箔４３との間にシ
ートを介在させたことにある。

【００４０】第２の絶縁性樹脂膜４２の中には、溶剤で
ある有機溶剤、希釈剤等のガスが混入されており、これ
が熱圧着時の熱により発生し、銅と反応し、図４の様に
反応物３７を生成させるために、前記シートでガスの通
過を遮断している。

【００４１】また第１の絶縁性樹脂膜４２は、軟化し、
接着するため、前記シートは、少なくともその表面が第
１の絶縁性樹脂と接着性を有さない材料から成る。

【００４２】このシートは、この２つの性質を両方兼ね
備えた物を用意すればよいが、ここでは、第１のシート
４５、第２のシート４６と二枚用意して、実現した。

【００４３】例えば第１のシート４５は、金属箔で、こ
こでは安価で入手できるアルミ箔を採用した。金属箔
は、物性としてはガスを遮断する。

【００４４】しかし金属と第１の絶縁性樹脂は、接着性
を有するので、第２のシート４６として、例えばテフロ
ンシートを用いた。

【００４５】従って、第１の絶縁性樹脂膜４２の下に
は、第２のシート４６、第１のシート４５、そして銅箔
４３が積層された構造になっている。

【００４６】また積層構造は、図１の配置を上下１８０
度回転した順番で積層しても良い。

【００４７】更に変則な積層としては、図７に示すよう
に、セット４７に対して上、または下のセットの位置関
係を１８０度回転した配置でも良い。この場合、第１の
絶縁性樹脂膜４２は、銅箔４３と対向せず、上または下
の金属基板の第１の絶縁性樹脂膜と対向する。この場合
は、第１の絶縁性樹脂同士が接着してしまうため、接着
性を有さないシートを介在させる必要がある。更には、
金属基板の銅箔同士が対向するため、ガスが銅と反応す
る事は無い為、シートを介在させる必要はないが、銅同
士であるため、傷の防止も考慮してシートが介在された
方がよい。

【００４８】一方、ステージ３５、加圧手段３６は、一
般的に金属であるため、第１の絶縁性樹脂膜４２とこれ
らが面対向する場合は、腐蝕および接着を防止するため
前記シート４７介在させた方がよい。また銅箔４３と前
記手段３５または３６が面対向する場合は、銅箔の傷、
汚れを考慮して、どちらかのシートが介在されても良
い。

【００４９】また全ての熱圧着に言える事であるが、間
に挿入されるシートは、何枚挿入されても良い。ポイン
トは、第１の絶縁性樹脂膜４２のガスが銅箔４３と反応
せず、また第１の絶縁性樹脂が熱で溶着しないようにす
ることである。

【００５０】一方、第２の絶縁性樹脂膜４４には、熱伝
導性が考慮されてフィラー５０が混入されている。この
フィラー５０は、酸化アルミニウム、酸化Ｓｉ等の金属
酸化物から選択されたもの、または混合のもであり、そ
の粒径は、１〜１０μｍ程度である。そして、絶縁材料
であるため、高絶縁性の維持と熱伝導率の向上を実現し
ている。ここで、第２の絶縁性樹脂膜４４は、エポキシ
系材料で、膜厚が３０〜１００μｍ、第１の絶縁性樹脂
膜４２も、エポキシ系材料から成り、膜厚が５〜１０μ
ｍである。また第２の絶縁性樹脂膜４４の膜厚と前記フ
ィラー５０の直径が実質同じであると、フィラー５０の
界面を介して金属基板４１へ湿気が浸入する恐れがある
ため、その直径は、第２の絶縁性樹脂膜４４膜厚の半分
以下が好ましい また後述するプレスの前または後で、銅箔がパターニン
グされる。更に金属細線１５の接合部には、接合性が考
慮されてＮｉメッキが施される場合は、このメッキ処理
の後にパターニングされる。

【００５１】そして混成集積回路基板４１は、図２の矢
印で示すように紙面に対して下側から上に向かいプレス
（またはカッター）で打ち抜かれており、混成集積回路
基板４１底面の周辺にある角部５１は、アールを有して
いる。また混成集積回路基板４１上面の周辺にある角部
は、金属の粘り故に、実質全周辺に渡り突起部５２が設
けられる。更には混成集積回路基板４１の側面には、下
側にせん断面、上側には破断面が設けられている。これ
は、最初はプレスの歯が当接して切れているが、基板の
中頃からは、破断、つまり表現は適切ではないが力によ
り引きちぎられている事を示している。

【００５２】つまりプレスまたはカッターのブレード
は、裏面から食い込んでいき、硬い材料のフィラー５０
がある第２の絶縁性樹脂膜４４の領域では破断されるた
め、ブレードは、フィラー５０との接触が抑制され、ブ
レードの機械的破壊（歯の摩耗）が抑制できる特徴を有
している。従って紙面に対して上から抜くよりもブレー
ドの摩耗は抑制でき、より生産性が向上する。

【００５３】また導電パターンは、例えばＣｕまたはＣ
ｕを主材料とするもので、図５の様に、配線２０、ラン
ド（ダイボンデイングパッド）２１、ボンデイング用の
パッド２２、外部リード用の固着パッド２３等から成
り、導電ランドにはベアの半導体ＩＣやトランジスタ等
のチップ２４（半導体素子）がロウ材や銀ペーストを介
して設けられる。また配線間はチップコンデンサ、チッ
プ抵抗および印刷抵抗等の回路素子２５が形成され、チ
ップコンデンサやチップ抵抗は、半田等のロウ材や銀ペ
ースト等を介して電気的に固着され、あるいは印刷抵抗
がスクリーン印刷等で形成されている。更には前記半導
体チップと導電パターンを電気的に接続するため、チッ
プ上の電極とボンディング用のパッド（ＮｉまたはＡ
ｕ）との間にはＡｌまたはＡｕの金属細線１５が電気的
に接続され、外部リード用の固着パッド２３には半田等
のロウ材を介して外部リード２６が電気的に接続されて
いる。

【００５４】前述したように、シートが介在されて熱圧
着されるため、第１の絶縁性樹脂膜４２から発生するガ
スは銅箔４３と反応しない。その結果、Ｃｕパターンの
表面は、薄い酸化膜が生成されるのみで、それ以外の反
応物は生成されないため、導電パターンの精度の高いエ
ッチング、銅箔上へのＮｉ膜形成、半田形成、銀ペース
ト形成が良好にできる。

【００５５】またこれらＣｕのパターンは、予め絶縁性
で、フィラーの混入されているフレキシブルシートに貼
り合わされ、このフレキシブルシートが混成集積回路基
板に貼り合わされても良い。

【００５６】そして、混成集積回路基板４１およびこの
上に実装された実装部品を封止するために、封止用の樹
脂５３が設けられている。

【００５７】この封止方法は、従来技術で述べた様にケ
ース材５４を採用しても良いし、混成集積回路基板４１
の裏面が露出するようにトランスファーモールド、イン
ジェクションモールドで実現されても良い。

【００５８】またケース材５４を用いる場合は、混成集
積回路基板４１とケース材５４で成る空間は、中空でも
良いし、またこの空間に絶縁性樹脂材料５３が注入され
ても良い。例えば素子の実装されている中空領域は、シ
リコーン樹脂が塗布され、外部リードの実装される領域
は、エポキシ樹脂等で封止される。

【００５９】また以下の様にペレットを用いて封止して
も良い。この製造方法を簡単に説明する。まずここまで
の説明からも明らかなように、混成集積回路基板５１を
用意する。

【００６０】次に、ペレットを混成集積回路基板５１の
上に配置する。ここでペレットは、補強用シートの下に
熱硬化前の粉末状の樹脂が一体化されたものである。

【００６１】補強用シートは、樹脂が熱硬化後もフラッ
ト性を保持する材質が好ましく、エポキシ含浸のガラス
繊維等が好ましい。また薄いガラス基板等でも良い。

【００６２】この状態で、例えばヒーターの上に載置
し、１５０度程度にして樹脂を溶融し、その後熱硬化さ
れる。

【００６３】前述した溶融樹脂は、自分自身の自重や補
強シートの自重により沈み込み、同時に補強シートの端
部から混成集積回路基板５１の突起部５２まで流れ出
て、ダレ部を形成する。

【００６４】ダレ部は、突起部５２が有ることでここま
で流れ、そのダムとしての働きと表面張力により止ま
る。

【００６５】補強シートがフラット性を有するため、印
刷性が向上し、機種名等を載せることができる。しかも
フラット性を有することから、補強シートに自動機の吸
引部を当てて、吸引が可能となり、例えばプリント基板
等に自動実装が可能となる。

【００６６】以上の説明からも判るように、中空構造を
持つ陽極酸化膜を金属基板の両面から省略し、しかも第
２の絶縁性樹脂膜４４にフィラー５０を混入させ、更に
は、第１の絶縁性樹脂膜４２を５〜１０μｍと薄くする
ことにより、大幅な熱抵抗の低減が実現できた。実験に
依れば、フィラーとして２〜３μｍの酸化アルミニウム
が混入された第２の絶縁性樹脂膜を採用し、厚さ１ｍ
ｍ、１０ｍｍ角の銅のヒートシンクを混成集積回路基板
４１のランド２１に半田で固着し、従来構造と本構造で
熱抵抗を測定した。従来構造では、両面に陽極酸化膜も
あるため、１度／１ワット（１ワットの熱量に対してヒ
ートシンクが１度になる事を意味している。）の熱抵抗
に対し、本構造では、０．６度／１ワットとなった。こ
の事は、熱源が同じなら、よりサイズの小さいヒートシ
ンクが採用できる事を意味している。本発明では、厚さ
１ｍｍ、６．４ｍｍ×８ｍｍのヒートシンクを採用し
た。尚、前記第１の絶縁性樹脂膜は、熱抵抗の低下と基
板裏面の傷を防止するために設けられている。

【００６７】また印刷抵抗も同様のことがいえる。印刷
抵抗は、例えばカーボン膜より成る抵抗、Ｎｉよりなる
抵抗は、大電流により熱的に溶断するので、できるだけ
広い面積に形成している。面積を大きくして混成集積回
路基板４１に熱を逃がし、溶断を防止するためである。
熱抵抗がおよそ４０％も改善されていることから、その
抵抗の面積も４０％程度に小さくすることができる。抵
抗は、膜厚が同じであれば実質平面積で決まる。従って
平面の相対的サイズの比を同じにして縮小すれば、抵抗
値はそのままで、平面積を少なくすることができる。

【００６８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、熱圧
着工程において、第１の絶縁性樹脂膜から発生するガス
が積層される銅箔と反応しないように、シートを介在さ
せることで、銅箔のパターニング、Ｎｉメッキ、半田、
銀ペーストの形成が良好にできる。従って、金属細線の
接続、チップの固着、リード等の固着が良好に実現でき
る。

【００６９】また第１の絶縁性樹脂と接着性を有さない
性質も持たせることで、熱圧着時に第１の絶縁性樹脂が
シートに、また熱圧着装置に溶着することがなくなる。
従って、シートの再利用が可能となるばかりか、熱圧着
装置のステージや加圧手段の経時変化も抑制できる。

【００７０】特に、金属基板の裏面の傷を防止するため
に、第１の絶縁性樹脂膜が形成される場合、熱抵抗の低
下も考慮されて薄く形成される必要がある。この場合、
有機溶媒や希釈剤等で濃度の薄い第１の絶縁性樹脂の溶
融液が用意されるが、前記シートを採用することで、第
１の絶縁性樹脂膜からのガス発生を心配することなく熱
圧着できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の
製造方法を説明する図である。

【図２】図１の混成集積回路装置を説明する図である。

【図３】従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する
図である。

【図４】図３の所で発生する問題を説明する図である。

【図５】混成集積回路基板を説明する図である。

【図６】従来の混成集積回路装置を説明する断面図であ
る。

【図７】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の
製造方法を説明する図である。

【符号の説明】

３５ ステージ ３６ 加圧手段 ４１ 金属基板 ４２ 第１の絶縁性樹脂膜 ４３ 銅箔 ４４ 第２の絶縁性樹脂膜 ４５ 第１のシート ４６ 第２のシート

フロントページの続き (72)発明者 前原 栄寿 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5E315 AA05 BB14 CC14 DD15 DD16 DD19 GG01 GG22

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の面に第１の絶縁性樹脂膜が被着さ
   れ、複数枚積層された金属基板の間に、第２の絶縁性樹
   脂膜を有する銅箔を介在させ、 熱圧着により前記第２の絶縁性樹脂膜を介して前記銅箔
   を前記金属基板の他方の面に貼り合わせる工程を有する
   混成集積回路装置の製造方法に於いて、 前記第１の絶縁性樹脂膜と前記銅箔の間に、前記第１の
   絶縁性樹脂膜と接着性を有さず、且つ前記第１の絶縁性
   樹脂膜から発生するガスが前記銅箔と反応するのを阻止
   するシートを介在させて熱圧着する事を特徴とした混成
   集積回路装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１の絶縁性樹脂膜は、溶剤により
   溶融された状態で前記混成集積回路基板の一方の面に被
   覆される請求項１に記載の混成集積回路装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記シートは、複数のシートから成り、
   前記第１の絶縁性樹脂膜と直接当接する第１のシート
   は、前記第１の絶縁性樹脂膜と接着性を有さず、 前記第１のシートと前記銅箔との間には、前記第１の絶
   縁性樹脂膜から発生するガスが前記銅箔と反応するのを
   阻止するシートを介在させる請求項１または請求項２に
   記載の混成集積回路装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記銅箔を前記金属基板に熱圧着した
   後、前記銅箔に金属をメッキする工程または前記銅箔を
   エッチングする工程とを有する請求項１、請求項２また
   は請求項３に記載の混成集積回路装置の製造方法。
5. 【請求項５】 ステージと加圧手段を有する熱圧着装置
   の間に、一方の面に第１の絶縁性樹脂膜が被着された金
   属基板と、前記金属基板の他方の面に当接される第２の
   絶縁性樹脂膜を有する銅箔を介在させ、 前記加圧手段を加圧することにより前記金属基板に前記
   銅箔を貼り合わせる混成集積回路装置の製造方法に於い
   て、 前記ステージまたは前記加圧手段と前記第１の絶縁性樹
   脂膜の間に、前記第１の絶縁性樹脂膜から発生するガス
   を阻止するシートを介在させた事を特徴とした混成集積
   回路装置の製造方法。
6. 【請求項６】 ステージと加圧手段を有する熱圧着装
   置の間に、一方の面に第１の絶縁性樹脂膜が被着された
   金属基板と、前記金属基板の他方の面に当接される第２
   の絶縁性樹脂膜を有する銅箔を介在させ、 前記加圧手段を加圧することにより前記金属基板に前記
   銅箔を貼り合わせる混成集積回路装置の製造方法に於い
   て、 前記ステージまたは前記加圧手段と前記第１の絶縁性樹
   脂膜の間に、前記第１の絶縁性樹脂膜とは非接着性のシ
   ートを介在させた事を特徴とした混成集積回路装置の製
   造方法。
7. 【請求項７】 一方の面に第１の絶縁性樹脂膜が被着さ
   れ、複数枚積層された金属基板の間に、第２の絶縁性樹
   脂膜を有する銅箔を介在させ、 熱圧着により前記第２の絶縁性樹脂膜を介して前記銅箔
   を前記金属基板の他方の面に貼り合わせる工程を有する
   混成集積回路装置の製造方法に於いて、 面対向する前記第１の絶縁性樹脂膜との間に、前記第１
   の絶縁性樹脂膜と接着性を有さないシートを介在させて
   熱圧着する事を特徴とした混成集積回路装置の製造方
   法。