JP4310631B2 - 半導体装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Description
前記第1の基板にオーバーラップしてなる第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に介在してなる半導体基板と、
を含み、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記半導体基板の周辺領域で互いに接着されてなる。本発明によれば、第1及び第2の基板が半導体基板を挟み込みつつ互いに接着されているので、半導体基板と第1の基板(又は第2の基板)との剥離を防止することができる。また、第1及び第2の基板の間に半導体基板を介在させることができるので、半導体基板を湿気などの外部環境から保護することができ、半導体装置の信頼性が向上する。さらに、モールド用金型などが不要になり低コストの半導体装置を提供することができる。
(2)この半導体装置において、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記半導体基板の全周を囲む領域で互いに接着されていてもよい。こうすることで半導体基板の封止が可能になるとともに、より確実に半導体基板の剥離を防止することができる。
(3)この半導体装置において、
前記第2の基板は、前記第1の基板よりも屈曲しやすい性質を有してもよい。これによって、第2の基板と半導体基板との密着性を向上させることが可能になる。
(4)この半導体装置において、
前記第2の基板には貫通穴が形成されていてもよい。こうすることで第1及び第2の基板の間の排気を行うことができ、第2の基板と半導体基板との密着性を高めることができる。
(5)この半導体装置において、
前記第1の基板は配線パターンを有し、
前記半導体基板は、前記第1の基板にフェースダウンの向きに搭載されていてもよい。
(6)この半導体装置において、
前記第2の基板は配線パターンを有し、
前記半導体基板は、前記第2の基板にフェースダウンの向きに搭載されていてもよい。
(7)この半導体装置において、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に複数の前記半導体基板が介在していてもよい。
(8)この半導体装置において、
前記第1の基板は配線パターンを有し、
前記第2の基板は配線パターンを有し、
前記複数の半導体基板は、第1の半導体基板と、前記第1の半導体基板にスタックされた第2の半導体基板と、を含み、
前記第1の半導体基板は、前記第1の基板にフェースダウンの向きに搭載され、
前記第2の半導体基板は、前記第2の基板にフェースダウンの向きに搭載されていてもよい。
(9)この半導体装置において、
前記配線パターンに電気的に接続された外部端子をさらに含んでもよい。
(10)本発明に係る回路基板には上記半導体装置が実装されている。
(11)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
(12)本発明に係る半導体装置の製造方法は、(a)第1の基板と前記第1の基板にオーバーラップする第2の基板との間に半導体基板を介在させること、
(b)前記第1の基板と前記第2の基板とを前記半導体基板の周辺領域で互いに接着することを含む。本発明によれば、第1及び第2の基板を、半導体基板を挟み込みつつ互いに接着するので、半導体基板と第1の基板(又は第2の基板)との剥離を防止することができる。また、第1及び第2の基板の間に半導体基板を介在させることができるので、半導体基板を湿気などの外部環境から保護することができ、半導体装置の信頼性が向上する。
(13)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記第1の基板と前記第2の基板とを前記半導体基板の全周を囲む領域で互いに接着してもよい。こうすることで半導体基板の封止が可能になるとともに、より確実に半導体基板の剥離を防止することができる。
(14)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記第2の基板にエネルギーを供給することで粘着力を発現させ、前記第2の基板を前記第1の基板に圧着してもよい。
(15)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程は、複数の半導体基板を前記第1の基板に並べて搭載することを含み、
前記(b)工程終了後、前記第1及び第2の基板を切削することをさらに含んでもよい。
20…第1の基板、 22…配線パターン、 30…第2の基板、 32…貫通穴、
40…外部端子、 50…第2の基板、 52…配線パターン、 54…絶縁膜、
60…第1の半導体基板、 70…第2の半導体基板
Claims (7)
- 第1の基板と、
前記第1の基板にオーバーラップしてなる第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に介在してなる半導体基板と、
を含み、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記半導体基板の周辺領域で互いに接着されてなり、
前記第2の基板は、前記第1の基板よりも屈曲しやすい性質を有し、
前記第1の基板は配線パターンを有し、
前記半導体基板には、複数の電極が形成されており、
前記半導体基板は、前記半導体基板における前記複数の電極が形成された面が前記第1の基板に対向するように、前記第1の基板にフェースダウンの向きに搭載されてなり、
前記第2の基板は、前記半導体基板の前記複数の電極が形成された面と反対側の面に接し、かつ、前記半導体基板の外形に沿って屈曲しており、
前記第2の基板は、前記第1の基板の全面に対してオーバーラップしており、
前記第2の基板には貫通穴が形成されており、
前記貫通穴は、前記第2の基板の前記半導体基板および前記第1基板と離間している部分に設けられている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、前記第2の基板の一部にめり込んでいる半導体装置。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体装置において、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記半導体基板の全周を囲む領域で互いに接着されてなる半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記貫通穴は、前記半導体基板の周辺領域に配置されており、
前記貫通穴は、前記半導体基板とオーバーラップしていない半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記配線パターンに電気的に接続された外部端子をさらに含む半導体装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
- 請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
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