WO2009110376A1 - リードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法 - Google Patents

リードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2009110376A1
WO2009110376A1 PCT/JP2009/053654 JP2009053654W WO2009110376A1 WO 2009110376 A1 WO2009110376 A1 WO 2009110376A1 JP 2009053654 W JP2009053654 W JP 2009053654W WO 2009110376 A1 WO2009110376 A1 WO 2009110376A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lead frame
bonding material
resin bonding
patterns
resin
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/053654
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
岡 誠次
大井 健史
洋一 五藤
正喜 後藤
清文 北井
Original Assignee
三菱電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP2010501871A priority Critical patent/JPWO2009110376A1/ja
Publication of WO2009110376A1 publication Critical patent/WO2009110376A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09881Coating only between conductors, i.e. flush with the conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17Post-manufacturing processes
    • H05K2203/175Configurations of connections suitable for easy deletion, e.g. modifiable circuits or temporary conductors for electroplating; Processes for deleting connections

Definitions

  • the present invention relates to a lead frame substrate, a semiconductor module, and a method for manufacturing a lead frame substrate that can be preferably used particularly for a power semiconductor module.
  • a lead frame substrate on which a power semiconductor element is mounted is also desired to have a high density and a small size.
  • development of a lead frame substrate structure capable of forming an independent pattern at an arbitrary position such as a metal substrate manufactured by patterning a copper foil by an etching process to increase the density and the power semiconductor element How to dissipate heat is an important issue.
  • JP 2002-33558 A (first page, FIG. 2)
  • the strength of the resin is low because the polymerized thermal conductive resin sheet is uncured in the step of punching the connecting portion between the lead frame patterns, and the die punching is performed. Due to the pressure, the heat conductive resin sheet and the pattern part around the connecting part are partially warped, which makes it difficult to mount the electronic part with good flatness when mounting the electronic part in the subsequent process. There was a problem that the connection reliability of the solder between the power semiconductor element and the lead frame also deteriorated. Furthermore, since the uncured sheet is polymerized, it is difficult to ensure sufficient adhesive strength with the lead frame, so there is a problem in insulation reliability such that the sheet is peeled off or damaged in the process of punching the connecting part. appear.
  • An object of the present invention is to provide a lead frame substrate, a semiconductor module, and a method for manufacturing the lead frame substrate that can be easily densified and have excellent heat dissipation characteristics.
  • a lead frame substrate according to the present invention includes a plurality of independent patterns for holding an electronic component, and a resin bonding material that fills a gap between adjacent patterns and connects the adjacent patterns. It is a thing.
  • a semiconductor module according to the present invention is obtained by mounting an electronic component made of a power semiconductor element on the lead frame substrate of the present invention.
  • the manufacturing method of the lead frame substrate according to the present invention includes a first processing step of forming a lead frame having a plurality of patterns independent from each other and a connecting portion that connects adjacent patterns with each other from a metal plate, It includes a step of filling a gap between adjacent patterns formed by the first processing step with a resin bonding material and a second processing step of punching and removing the connecting portion by pressing.
  • the lead frame substrate of the present invention has a structure in which a plurality of independent patterns are filled and connected with a resin bonding material, the pattern is not inserted into the outer periphery of the lead frame substrate as in the prior art. Since an independent pattern can be formed, the mounting area of the lead frame substrate can be increased. In addition, since the upper surface and lower surface of the pattern can be in a state in which the surface of the metal material, which is a constituent material, is exposed, there is no warpage generated in the conventional manufacturing process, and electronic components can be mounted with high adhesion and high density. .
  • the semiconductor module of the present invention uses the lead frame substrate having excellent flatness and high density as described above, it is possible to mount electronic parts made of power semiconductor elements at high density, and any By using a lead frame material having a thickness of 5 mm, it is possible to obtain an effect of excellent heat dissipation characteristics and improved reliability.
  • the lead frame substrate manufacturing method of the present invention there is no deformation such as warpage when punching a connecting portion that connects a plurality of mutually independent patterns, so that electronic components can be mounted with high accuracy. A lead frame substrate with excellent quality can be obtained.
  • FIG. 1 is a bird's-eye view schematically showing a lead frame substrate according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view showing a state in which a resin bonding material is filled between the lead frame patterns shown in FIG. 4.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the lead frame substrate shown in FIG. 6. The figure which illustrates notionally the principal part of the process of filling the clearance gap between the adjacent patterns in the manufacturing method of the lead frame board
  • Sectional drawing which shows the state with the manufacturing method of the lead frame board
  • Sectional drawing which shows the state which removed the unnecessary part of the dry film for soldering resists shown by FIG.
  • the bird's-eye view which shows the state which gave the wire bond after mounting an electronic component in the lead frame board
  • Sectional drawing which shows the semiconductor module before sealing which attached the metal base board to the mounting board
  • FIG. 1 and 2 are bird's-eye views schematically showing a lead frame substrate suitable for the power semiconductor module according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional structure of the lead frame substrate shown in FIG. FIG.
  • FIG. 1 is a view after the external electrode is bent, and the thickness of the constituent members is not shown in order to make the structure easier to understand.
  • the same reference numerals denote the same or corresponding parts throughout the drawings.
  • a lead frame substrate 1 includes a plurality of independent patterns (island portions) 11 for holding electronic components such as power semiconductor elements, a plurality of external electrodes 12 provided on both sides, A resin bonding material 13 that is filled between the adjacent patterns 11 and connects the adjacent patterns 11 is provided. Further, at predetermined locations between the plurality of patterns 11 and the plurality of external electrodes 12, the connecting portion 21 (see FIG. 4) provided in the manufacturing process is cut out by punching as will be described in detail in Embodiment 3 below. The holes 14 are formed, and the plurality of patterns 11 and the plurality of external electrodes 12 are electrically insulated from each other.
  • Examples of a material that can be preferably used as the lead frame 2 constituting the pattern 11 and the external electrode 12 include a metal plate having good electrical and thermal conductivity such as an aluminum plate and a copper plate. In this case, a copper plate is preferably used.
  • the thickness of the lead frame 2 can be arbitrarily selected depending on the voltage, current, etc. of electronic components such as power semiconductor elements mounted on the lead frame substrate 1, and is usually 0.3 to Although a thing about 1.0 mm is used, it does not specifically limit within the said range.
  • the surface of the lead frame 2 is generally used that has been treated by, for example, nickel plating or solder plating to prevent copper oxidation.
  • thermosetting resin bonding material 13 which connects between the patterns 11 of the said lead frame 2
  • the thermosetting resin bonding material which consists of a resin composition containing a thermosetting resin, a hardening
  • an inorganic filler or the like may be appropriately mixed with the thermosetting resin bonding material.
  • a solder resist dry film having the same effect may be used. Since details will be described in the following third to sixth embodiments, the description thereof is omitted here.
  • the lead frame substrate 1 as shown in FIGS. 1 and 2 has a plurality of patterns 11 and external electrodes 12 fixed and integrated with a resin bonding material 13.
  • the upper and lower surfaces of the pattern 11 and the external electrodes 12 are integrated with each other.
  • the metal surface (plated surface) of the material is exposed.
  • the strength of the resin is obtained by using a cured resin bonding portion instead of using an uncured thermal conductive resin sheet or the like.
  • the pattern portion around the hole 14 is not deformed by the punching pressure of the press die, and the pattern 11 is smooth and smooth in the surface direction.
  • the electronic components when mounting electronic components such as power semiconductor elements and circuit components (not shown) on the lead frame substrate 1, the electronic components have good flatness with respect to the pattern 11 and good adhesion to the solder. And is mounted with high density. For this reason, the connection reliability when the electronic component and the pattern 11 are connected by solder is also improved.
  • the lead frame substrate 1 includes a plurality of independent patterns 11 for holding electronic components and a gap between adjacent patterns 11 filled with the adjacent patterns 11.
  • the resin 11 is connected to the resin bonding material 13 so that the pattern 11 is not deformed, for example, partially warped, and is entirely smooth in the surface direction, and the pattern 11 is formed with high density.
  • a normal process / equipment can be used as it is for the mounting process of electronic components such as power semiconductor elements to the lead frame substrate, and the electronic components can be mounted with good adhesion and flatness at high density. .
  • the effect that it is easy to ensure the connection reliability of the solder between the electronic component and the pattern 11 is obtained, and the reliability when the semiconductor module is obtained can be increased.
  • FIG. FIG. 3 is a main part plan view showing an engaging convex part for improving the bonding property with the resin bonding material of the lead frame substrate according to the second embodiment of the present invention.
  • an engagement convex portion 15 is provided at a joint portion between the pattern 11 and the resin bonding material 13 to improve the bondability.
  • a saddle-like concave portion is formed between opposing side surface portions of adjacent patterns 11, and the resin bonding material 13 side enters the convex shape into the concave portion.
  • An anchor-shaped engaging convex portion 15 is formed in the upper portion. 3 is merely an example.
  • the engagement convex portion 15 may be engaged with either the pattern 11 or the resin bonding material 13.
  • the part 15 may be provided.
  • the shape may be any shape such as a triangular shape, a trapezoidal shape, or a wedge shape.
  • the size of the joint convex portion 15 is preferably a minimum size that can be processed by punching or etching, and it is more desirable to increase the number of the engaging convex portions 15 than to increase the size.
  • the resin projection material is provided by providing the engagement convex portion 15 for improving the bondability at the joint portion between the pattern 11 of the lead frame 2 and the resin bonding material 13. 13 bites into the engagement convex portion 15 in an anchor shape or a wedge shape, and the joining strength of the pattern 11 portion is dramatically improved.
  • the resin projection material is provided by providing the engagement convex portion 15 for improving the bondability at the joint portion between the pattern 11 of the lead frame 2 and the resin bonding material 13. 13 bites into the engagement convex portion 15 in an anchor shape or a wedge shape, and the joining strength of the pattern 11 portion is dramatically improved.
  • the resin projection material is provided by providing the engagement convex portion 15 for improving the bondability at the joint portion between the pattern 11 of the lead frame 2 and the resin bonding material 13. 13 bites into the engagement convex portion 15 in an anchor shape or a wedge shape, and the joining strength of the pattern 11 portion is dramatically improved.
  • FIG. 4 to 7 are views for explaining a method of manufacturing a lead frame substrate according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view showing the lead frame after the primary punching by the first processing step
  • FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the positional relationship when a resin bonding material sheet used in the step of filling a resin bonding material in a gap between adjacent patterns of the lead frame shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the lead frame substrate shown in FIG. 6.
  • a step of filling the gap 22 between the adjacent patterns 11 with a resin bonding material is performed, and then, in a second processing step, the connecting portion 21 is cut and removed by a press to obtain a target lead frame substrate. can get.
  • FIG. 4 shows the lead frame 2 obtained by the first processing step.
  • a copper plate having a thickness of 1.0 mm whose surface is plated with nickel is used as a metal plate, and the copper plate is punched with a press, whereby a plurality of independent plates as shown in FIG. 4 are used.
  • the lead frame 2 having the pattern (island part) 11, the connecting part 21 connecting the adjacent patterns 11 to each other, the plurality of external electrodes 12, and the gap part 22 formed by punching was obtained.
  • the first processing step may be processing by etching. Needless to say, the size, shape, number, arrangement, and the like of the pattern 11 and the external electrode 12 can be appropriately changed as desired.
  • a step of filling the gap portion 22 between the patterns 11 with a resin bonding material here is an uncured of an arbitrary thickness having a volume sufficient to fill the gap portion 22 between the patterns 11.
  • the resin bonding material sheet 31 is placed on the upper surface of the lead frame 2 as shown in FIG. 5, it is set on a heating plate of a well-known vacuum heating press or vacuum heating laminator device (not shown) and heated under pressure.
  • the resin bonding material sheet 31 is caused to flow and fill the gaps 22 between the patterns 11 and at the same time is cured.
  • this method since filling and curing can be performed at once, the cost of the process can be reduced.
  • the resin of the resin bonding material sheet 31 is pressed or laminated between the patterns 11. It is possible to prevent the wire 22 from passing through the gap 22 on the metal surface on the lower surface of the lead frame 2.
  • a heat-resistant sheet such as Teflon (registered trademark) having elasticity between the lead frame 2 and the heating plate
  • a mask plate made of an extremely thin metal or resin having the same pattern as the lead frame 2 is interposed between the resin bonding material sheet 31 and the lead frame 2. After being installed and filled with a resin bonding material in the same process as above, the mask material is peeled off to obtain the lead frame 2 in which the resin does not remain on the upper surface as described above.
  • FIG. 6 shows the lead frame 2 obtained through the first processing step as described above and the step of filling the gap between the patterns with the resin bonding material, and each gap between the patterns 11 of the lead frame 2 is shown.
  • the part 22 is filled with the resin bonding material 13 obtained by curing the resin bonding material sheet 31 to bond the patterns 11 to each other and the pattern 11 and the external electrode 12.
  • the connection part 21 which connects the pattern 11 mutually and the pattern 11 and the external electrode 12 is left at this time.
  • the connecting portions 21 between the patterns 11 and between the patterns 11 and the external electrodes 12 are punched and removed without overlapping the semi-cured sheets, and then the external electrodes 12 are bent.
  • the lead frame substrate 1 as shown in FIG. It should be noted that the order of removal of the connecting portion 21 and the bending process of the external electrode 12 in the secondary processing step does not cause any problem first, and may be performed simultaneously.
  • the lead frame substrate manufacturing method forms a lead frame having a plurality of independent patterns and a connecting portion that connects adjacent patterns by pressing a metal plate.
  • the semi-cured sheet is not polymerized in the second processing step, deformation such as warpage does not occur when the connecting portion 21 that connects the patterns 11 to each other is punched out, and in the surface direction.
  • a smooth and excellent quality lead frame substrate 1 can be obtained.
  • the uncured resin bonding material sheet 31 is used here as the step of filling the gap 22 between the adjacent patterns 11 with the resin bonding material, the effect that the resin bonding material can be easily filled between the patterns 11 is achieved. Is obtained.
  • FIG. FIG. 8 is a diagram conceptually illustrating the main part of the step of filling a gap between adjacent patterns with a resin bonding material in the method for manufacturing a lead frame substrate according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the fourth embodiment is the same as the third embodiment up to the first processing step.
  • a liquid thermosetting resin bonding material paste 32 is used as a resin material for forming the resin bonding material 13, and as shown in FIG.
  • the resin bonding material paste 32 is spread on the lead frame 2 using a squeegee 33, and the gap 22 between the patterns 11 of the lead frame 2 is formed by vacuum printing. Then, the resin bonding material paste 32 filled in the gap portion 22 is heat-cured using a dryer to obtain, for example, a lead frame substrate similar to that shown in FIG.
  • voids can be removed from the bulk of the resin bonding material paste filled in the gap portion 22.
  • the bonding material paste 32 is densely filled.
  • the resin bonding material can be prevented from remaining on the upper and lower pattern portions of the lead frame 2 to some extent in the filling step, the resin bonding material remains on the surface of the pattern 11 portion of the lead frame 2 in the embodiment.
  • the metal surface is exposed by removing by buffing or the like as in 3.
  • a metal mask on which the same pattern as the lead frame is formed during vacuum printing it is possible to prevent the resin from remaining on the surface of the pattern 11 portion of the lead frame 2.
  • the prevention of the resin from flowing into the lower surface of the lead frame 2 can be achieved by attaching an adhesive heat-resistant sheet to the lower surface of the lead frame after the primary punching in the first processing step and then performing vacuum printing. Become.
  • the second processing step of performing the secondary punching and the bending of the external electrode 12 are performed in the same manner as in the third embodiment, whereby the lead frame substrate illustrated in FIG. 1 of the present invention is obtained.
  • the gap 22 is filled with the resin bonding material paste 32 by using the vacuum printing method, voids are generated in the bulk of the filled resin bonding material.
  • the lead frame substrate 1 in which the adjacent patterns 11 and the external electrodes 12 are more firmly connected can be obtained.
  • FIG. FIGS. 9 and 10 are views for explaining a method of manufacturing a lead frame substrate according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the lead frame after the first processing step, and FIG. It is sectional drawing of the obtained lead frame board
  • the same surface as in the third embodiment is nickel-plated on the entire upper and lower surfaces of a 1.0 mm-thick copper plate, and one surface is previously adhesive.
  • the adhesive surface of a resin film 4 made of PET having a thickness of about 20 ⁇ m is bonded and adhered.
  • the resin film 4 is bonded to both surfaces of the lead frame 2 as shown in FIG.
  • the gap portion 22 separating the patterns 11 is formed.
  • the formed lead frame 2 having a cross-sectional shape is obtained.
  • the resin bonding material 13 is filled into the gap 22 of the lead frame 2 and cured by the same method as in the third or fourth embodiment.
  • the resin film 4 is peeled from the lead frame 2, so that the thickness of the resin bonding material 13 as shown in FIG. 10 is added by a dimension corresponding to the thickness of the resin film 4 from the thickness of the lead frame 2. What protrudes from the surface of the frame 2 is obtained.
  • the subsequent secondary processing step and bending of the external electrode 12 are performed in the same manner as in the third and fourth embodiments, whereby the lead frame substrate 1 is obtained.
  • the first processing step is punched in a state where the surface of the metal plate to be processed into the lead frame 2 is covered with the resin film 4 in advance.
  • the step of filling the gap with the resin bonding material it is possible to prevent the resin bonding material 13 from directly adhering to the surface of the pattern 11 of the lead frame 2. For this reason, even when the resin bonding material 13 remains in a portion other than the gap 22, the upper and lower metal surfaces of the pattern 11 can be easily exposed by peeling the resin film 4 after the resin bonding material 13 is cured. Therefore, in the vacuum heating press or vacuum heating laminator process of the third embodiment and the vacuum printing process of the fourth embodiment, there is no need to make the resin bonding material 13 remaining in the pattern 11 part, It can be manufactured efficiently.
  • FIGS. 11 and 12 are views for explaining a method of manufacturing a lead frame substrate according to Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 11 shows a solder resist dry film used as a resin bonding material in a gap between adjacent patterns.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state where unnecessary portions of the solder resist dry film shown in FIG. 11 are removed.
  • a copper plate having a thickness of 1.0 mm, which is plated with nickel on the same surface as in the third embodiment is used, and the primary processing step is performed in the same manner as in FIG.
  • the lead frame 2 in which the connecting portion 21 remains between the adjacent patterns 11 is obtained.
  • a solder resist dry film 34 is used instead of the resin bonding material sheet, the resin bonding material paste, and the like. After being placed on the upper surface of the obtained lead frame 2, laminating with a known vacuum heating laminator device, the gap portion 22 between the patterns 11 as shown in FIG. 11 is filled with the resin of the solder resist dry film. At the same time, a solder resist dry film 34 having a thickness of, for example, 10 to 50 ⁇ m is formed on the entire upper surface of the lead frame 2 on which electronic components are mounted.
  • the gap 22 is filled with the resin of the solder resist dry film 34 as the resin bonding material 13, and the portion protruding from the surface portion of the pattern 11 has the positioning portion 13a of the electronic component such as the power semiconductor element.
  • the formed pattern (detailed illustration is omitted) is formed on the upper surface of the lead frame 2.
  • the second machining step for punching and the bending of the external electrode 12 are the same as in the third, fourth, and fifth embodiments.
  • the solder resist dry film 34 is used as the resin bonding material 13, and the solder resist dry film 34 is applied to the entire surface of the pattern 11 and the gap 22 on the lead frame 2. Since the unnecessary part on the pattern 11 is removed by the exposure process and the development process, the peripheral part of the resin bonding material protruding on the pattern 11 becomes the positioning part 13a of the electronic component. There is also an accompanying effect that the electronic component can be easily aligned when the electronic component is mounted. Further, since the resin bonding material 13 in the gap portion 22 extends around the pattern 11 and is provided in a T-shaped cross section, the contact area is increased and the bonding strength between the adjacent patterns 11 can be increased.
  • FIG. FIGS. 13 to 15 are diagrams for conceptually explaining the internal configuration of the semiconductor module according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 shows a wire bond after electronic components are mounted on the lead frame substrate in the manufacturing process.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a semiconductor module before sealing in which a metal base plate is attached to the mounting board shown in FIG. 13 via a heat conductive resin sheet, and
  • FIG. 15 is a modification of FIG. It is sectional drawing which shows an example.
  • the metal surfaces are exposed on the upper and lower surfaces as shown in FIGS. 1 to 3 of the first and second embodiments obtained by the manufacturing method exemplified in the third to sixth embodiments.
  • the main point is to use the lead frame substrate 1 in a state. For example, after a predetermined plurality of electronic components 5 including power semiconductor elements are mounted on the upper surface of the pattern 11 of the lead frame substrate 1 as shown in FIG. 1, as shown in FIG. 13, between the electronic components 5 and between the electronic components 5 and the patterns 11 After electrically connecting the electronic component 5 or the pattern 11 and the external electrode 12 by using the wire bond 6, as shown in FIG. 14, through the heat conductive resin sheet 7 having insulation and excellent heat conductivity. Then, the metal base plate 8 made of aluminum or copper material is joined.
  • thermosetting resin sheet 7 in which an inorganic filler having excellent thermal conductivity, such as alumina, aluminum nitride, boron nitride or the like, is mixed with a thermosetting resin can be preferably used.
  • a sealing method a transfer sealing method using a mold may be used in addition to the silicone gel resin or the liquid epoxy resin.
  • the connecting portion 21 (FIG. 4) Since the pattern 11 part around the hole 14 (FIG. 1) that existed is not deformed such as being partially warped and is formed smoothly in the surface direction, such as power semiconductor elements and circuit components
  • the electronic component 5 can be mounted with high adhesion and flatness and with high density.
  • the solder connection reliability between the electronic component 5 and the pattern 11 is high.
  • the adhesiveness with respect to the metal base board 8 through the heat conductive resin sheet 7 is also high, the outstanding effect that it is excellent in a heat dissipation characteristic and reliability is acquired.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

 電力用半導体素子等の電子部品が実装されるリードフレーム基板において、高密度で放熱特性に優れるとともに、実装信頼性にも優れたリードフレーム基板が求められている。 リードフレーム基板1は、金属板から、互いに独立した複数のパターン11と、隣接するパターンを相互に接続する連結部21を有するリードフレーム2を得る第1の加工工程と、この第1の加工工程によって形成された隣接するパターン間の間隙部22に樹脂接合材13を充填する工程と、上記連結部をプレスの打ち抜きにより除去する第2の加工工程を含むことを特徴とする製造方法によって得られる。

Description

リードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法
 この発明は、特に電力用半導体モジュールに好ましく用いることができるリードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法に関する。
 近年、電力用半導体モジュールの小型化、高性能化の要求に伴い、電力用半導体素子の高密度実装化が要求されている。その実現のために電力用半導体素子が実装されるリードフレーム基板もまた高密度で小型化されたものが望まれている。その結果、高密度化するために銅箔をエッチングプロセスでパターン形成して製造される金属基板のような任意の位置に独立したパターンが形成可能なリードフレーム基板構造の開発と電力用半導体素子の発熱を如何に放熱するかが重要な課題となっている。従来、このような放熱性を改良すると同時にリードフレーム基板の高密度化を達成する方法として、パターン間の連結部が残されたリードフレーム基板の片面に、未硬化で無機フィラーが充填された熱伝導樹脂シートを重合し、その状態で、回路的に不要な連結部をシートと共に打ち抜き切断し、その後、熱伝導樹脂シート単独か放熱用金属板とともに加熱・加圧し打ち抜きにより形成された孔部分、及び回路パターン間をシートで埋設一体化しつつ硬化した後、電子部品をはんだ等で実装する方法がある(例えば特許文献1参照)。
特開2002-33558号公報(第1頁、図2)
 上記のような従来のリードフレーム基板にあっては、リードフレームのパターン間の連結部を打ち抜く工程において、重合されている熱伝導樹脂シートが未硬化のため樹脂の強度が低く、金型の打ち抜き圧力により熱伝導樹脂シートと連結部周辺のパターン部が部分的に反るなどの変形が発生し、後工程の電子部品の実装時に電子部品を平坦性良く実装することが困難となり、これが原因で電力用半導体素子とリードフレーム間のはんだの接続信頼性も低下するという課題があった。更には、未硬化シートを重合しているため十分なリードフレームとの接着強度の確保が困難なため、連結部を打ち抜く工程でシートが剥離したり、破損されるなどの絶縁信頼性に問題が発生する。また、リードフレームの片側のみ熱伝導樹脂シートが形成されている構造では、電力用半導体素子等の電子部品をはんだ付けするリフロー工程において、熱伝導樹脂シートの熱膨張係数のミスマッチングからリードフレームに反りが発生し電子部品の実装が困難になるなどの課題があった。
 この発明は、上記のような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、パターン間の連結部を打ち抜く工程において反りなどの問題や、剥離など信頼性低下の問題を生じることがなく、高密度化が容易で放熱特性に優れたリードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法を提供することを目的としている。
 この発明に係わるリードフレーム基板は、電子部品を保持するための互いに独立した複数のパターンと、隣接するパターン間の間隙部に充填され該隣接するパターン相互を接続する樹脂接合材とを備えるようにしたものである。
 また、この発明に係わる半導体モジュールは、上記この発明のリードフレーム基板に、電力用半導体素子からなる電子部品を実装したものである。
 また、この発明に係わるリードフレーム基板の製造方法は、金属板から、互いに独立した複数のパターンと、隣接するパターンを相互に接続する連結部を有するリードフレームを形成する第1の加工工程と、この第1の加工工程によって形成された隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程と、上記連結部をプレスにより打ち抜き除去する第2の加工工程を含むようにしたものである。
 この発明のリードフレーム基板は、互いに独立した複数のパターン間を樹脂接合材で充填し接続する構造としたので、従来のようにパターンをリードフレーム基板の外周部にまで引き回すことなくリードフレーム内に独立したパターン形成が出来るため、リードフレーム基板の実装面積の高密度化が可能になる。また、パターンの上面及び下面を構成素材である金属材の表面が露出された状態とすることができることにより、従来の製造過程では発生した反りがなく、電子部品を密着性良く高密度に実装できる。
 また、この発明の半導体モジュールは、上記のような平坦性に優れ高密度化されたリードフレーム基板を用いたので、電力用半導体素子からなる電子部品を高密度に実装することができ、しかも任意の厚みのリードフレーム材を用いることにより放熱特性に優れ、信頼性が向上されるという効果が得られる。
 また、この発明に係るリードフレーム基板の製造方法によれば、互いに独立した複数のパターンを相互に接続する連結部を打ち抜くときに反りなどの変形を生じることがないので、電子部品を精度よく実装できる品質に優れたリードフレーム基板を得ることができる。
本発明の実施の形態1に係るリードフレーム基板を模式的に示す鳥瞰図。 図1に示されたリードフレーム基板の断面構造を模式的に示す図。 本発明の実施の形態2に係るリードフレーム基板の樹脂接合材との接合性の向上を図る係合凸部を示す要部平面図。 本発明の実施の形態3によるリードフレーム基板の製造方法における第1の加工工程による1次打ち抜き後のリードフレームを示す平面図。 図4に示されたリードフレームの隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程で用いる樹脂接合材シートを配設する際の位置関係を説明する断面図。 図4に示されたリードフレームのパターン間に樹脂接合材が充填された状態を示す平面図。 図6に示されたリードフレーム基板の断面図。 本発明の実施の形態4によるリードフレーム基板の製造方法における隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程の要部を概念的に説明する図。 本発明の実施の形態5によるリードフレーム基板の製造方法における第1の加工工程を終えた後のリードフレームを示す断面図。 図9に示されたリードフレームから加工されたリードフレーム基板を示す断面図。 本発明の実施の形態6によるリードフレーム基板の製造方法において、隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材として用いたソルダーレジスト用ドライフィルムが充填された状態を示す断面図。 図11に示されたソルダーレジスト用ドライフィルムの不要部分を除去した状態を示す断面図。 本発明の実施の形態7による半導体モジュールの製造工程でリードフレーム基板に電子部品を実装した後、ワイヤーボンドを施した状態を示す鳥瞰図。 図13に示された実装基板に熱伝導樹脂シートを介して金属ベース板を取り付けた封止前の半導体モジュールを示す断面図。 図14の変形例を示す断面図。
符号の説明
 1 リードフレーム基板、 11 パターン(アイランド部)、 12 外部電極、 13 樹脂接合材、 13a 位置決め部、 14 穴、 15 係合凸部、 2 リードフレーム、 21 連結部、 22 間隙部、 31 樹脂接合材シート、 32 樹脂接合材ペースト、 33 スキージ、 34 ソルダーレジスト用ドライフィルム、 4 樹脂フィルム、 5 電子部品、 6 ワイヤーボンド、 7 熱伝導樹脂シート、 8 金属ベース板、 8A 金属冷却フィン。
実施の形態1.
 図1及び図2は本発明の実施の形態1に係る電力用半導体モジュールに好適なリードフレーム基板を模式的に示す鳥瞰図、図2は図1に示されたリードフレーム基板の断面構造を模式的に示す図である。なお、図1は外部電極を折り曲げ加工した後の図であり、さらに、構造を解り易くするため構成部材の厚みの図示を省いている。また、各図を通じて同一符号は同一または相当部分を示している。図において、リードフレーム基板1は、例えば電力用半導体素子などの電子部品を保持するための互いに独立した複数のパターン(アイランド部)11と、両側部にそれぞれ設けられた複数の外部電極12と、隣接するパターン11の間に充填され該隣接するパターン11相互を接続する樹脂接合材13を備えている。また、複数のパターン11及び複数の外部電極12相互間の所定箇所には、下記実施の形態3で詳述するように製造過程で設けられていた連結部21(図4参照)を打ち抜きによって切除した部分である穴14が開けられ、さらに複数のパターン11及び複数の外部電極12相互間は電気的に絶縁された状態となっている。
 上記パターン11及び外部電極12を構成するリードフレーム2として好ましく用いることができる材料としては、例えばアルミニウム板、銅板などの電気伝導性及び熱伝導性の良好な金属板が挙げられ、特に低熱抵抗化においては銅板が好んで用いられる。また、該リードフレーム2の厚さは、リードフレーム基板1に実装される電力用半導体素子等の電子部品の電圧・電流等により任意に選定することが可能であり、通常は例えば0.3~1.0mm程度のものが使用されるが、特に上記範囲内に限定されるものではない。また、リードフレーム2の表面は例えばニッケルめっきや、はんだめっきにより処理され、銅の酸化を防止した物が一般的に用いられる。そして、上記リードフレーム2のパターン11相互間を接続する樹脂接合材13としては、例えば熱硬化性樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含む樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂接合材は好ましく用いることができる。なお、用いるリードフレーム2の熱膨張率とのマッチングを考慮して、該熱硬化性樹脂接合材に無機フィラーなどを適宜混合しても良い。また、熱硬化性樹脂接合材に代えて、同様な効果を有するソルダーレジスト用ドライフィルムなどを用いてもよい。なお、詳細については下記実施の形態3~6で詳述するのでここでは説明を省略する。
 次に、上記のように構成された実施の形態1の動作について説明する。上記図1及び図2に示すようなリードフレーム基板1は、複数のパターン11及び外部電極12相互が樹脂接合材13によって固着され一体化されており、パターン11及び外部電極12の上面及び下面は素材の金属表面(めっき面)が露出されている。そして、製造段階におけるリードフレーム2のパターン11相互間の連結部21(図4)を打ち抜く工程において未硬化の熱伝導樹脂シート等を用いる代わりに硬化された樹脂接合部を用いることにより樹脂の強度が高く、プレス金型の打ち抜き圧力により、穴14の周辺のパターン部が部分的に反るなどの変形がなく、面方向に平滑でパターン11が高密度に形成されている。従って、このようなリードフレーム基板1に図示省略している電力用半導体素子や回路部品などの電子部品を実装するときには、該電子部品はパターン11に対して平坦性良く、はんだとの良好な密着性を有し、また高密度に実装される。このため、電子部品とパターン11間をはんだによって接続したときの接続信頼性も向上する。
 上記のように、実施の形態1に係るリードフレーム基板1は、電子部品を保持するための互いに独立した複数のパターン11と、隣接するパターン11間の間隙部に充填され該隣接するパターン11相互を接続する樹脂接合材13とを備えたものであり、パターン11部が部分的に反るなどの変形がなく、面方向に全体的に平滑、かつパターン11が高密度に形成されている。このため、電力用半導体素子等の電子部品のリードフレーム基板への実装プロセスも通常のプロセス・装置がそのまま使用出来、該電子部品を密着性、平坦性良く、また高密度に実装することができる。このため、電子部品とパターン11間のはんだの接続信頼性を確保することも容易であるなどの効果が得られ、半導体モジュールとしたときの信頼性を高めることができる。
実施の形態2.
 図3は本発明の実施の形態2に係るリードフレーム基板の樹脂接合材との接合性の向上を図る係合凸部を示す要部平面図である。図において、パターン11と樹脂接合材13との接合部には接合性の向上を図る係合凸部15が設けられている。この例では、楕円A内に示すように隣接するパターン11の対向する側面部相互に壺状の凹部を形成し、その凹部内に樹脂接合材13が凸状に入り込むように樹脂接合材13側にアンカー状の係合凸部15が構成さている。なお、図3で例示した係合凸部15は一例であり、パターン11と樹脂接合材13の接合面が互いに係合する凹凸であれば、パターン11と樹脂接合材13の何れに係合凸部15を設けても良い。また、形状についても例えば三角形状、台形状、くさび状など、任意の形状とすることができる。また、必ずしも隣接するパターン11の対向位置でなくてもよく、さらにパターン11と樹脂接合材13の一方に凹部と凸部の双方を形成してもよい。なお、大きさに関しては係合凸部15が大きくなりすぎると、電子部品を実装するパターン11部が大面積になり、得られる半導体モジュールの小型化、高密度化に不利となるため、該係合凸部15の大きさとしては、打ち抜き、またはエッチングにより加工出来る最小の大きさが望ましく、大きさを大きくするよりは、係合凸部15の設置数を増やす方が望ましい。
 上記のように構成された実施の形態2においては、リードフレーム2のパターン11と樹脂接合材13との接合部に接合性の向上を図る係合凸部15を設けたことにより、樹脂接合材13がその係合凸部15にアンカー状ないしはくさび状に食い込むこととなり、パターン11部の接合強度が飛躍的に向上する。これにより、電力用半導体素子などの電子部品をパターン11へはんだ付けするリフロー工程、その後のワイヤーボンド工程においても、独立したパターン11の脱落、反りなどの不具合の発生が防止出来、実装信頼性がアップする。
 次に、本発明のリードフレーム基板の製造方法を図面に基づき説明する。
実施の形態3.
 図4~図7は本発明の実施の形態3によるリードフレーム基板の製造方法を説明する図であり、図4は第1の加工工程による1次打ち抜き後のリードフレームを示す平面図、図5は図4に示されたリードフレームの隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程で用いる樹脂接合材シートを配設する際の位置関係を説明する断面図、図6はリードフレームのパターン間に樹脂接合材が充填された状態を示す平面図、図7は図6に示されたリードフレーム基板の断面図である。この実施の形態3においては、まず、第1の加工工程によって金属板から、互いに独立した複数のパターン11と、外部電極12と、隣接するパターン11を相互に接続する連結部21を有するリードフレーム2を得る。次に、隣接するパターン11間の間隙部22に樹脂接合材を充填する工程を行い、その後、第2の加工工程において、プレスにより連結部21を切断除去することにより目的とするリードフレーム基板が得られる。
 図4は上記第1の加工工程によって得られたリードフレーム2を示している。なお、この実施の形態3では、金属板として表面にニッケルめっきが施された厚さ1.0mmの銅板を用い、該銅板をプレスで打ち抜き加工することによって、図4のような互いに独立した複数のパターン(アイランド部)11と、隣接するパターン11を相互に接続する連結部21と、複数の外部電極12と、打ち抜きによって形成された間隙部22を有するリードフレーム2を得た。なお、この第1の加工工程はエッチングによる加工であっても差し支えない。また、パターン11や外部電極12の大きさ、形状、数、配置などは所望により適宜変更し得るものであることは言うまでもない。
 次に、パターン11間の間隙部22に樹脂接合材を充填する工程として、ここではパターン11相互間の間隙部22を充填するのに十分な体積を有した任意の厚さの未硬化である樹脂接合材シート31を図5に示すようにリードフレーム2の上面に設置後、図示省略している例えば公知の真空加熱プレス、または真空加熱ラミネータ装置の熱盤上にセットして加圧加熱することにより、樹脂接合材シート31を流動させてパターン11間の間隙部22に充填すると同時に硬化を行う。この方法の場合、一括で充填と硬化を行うことができるので、プロセスの低コスト化が図れる。なお、加圧時にリードフレーム2と装置下面の熱盤の間に弾性を有するテフロン(登録商標)等の耐熱シートを設けることにより、樹脂接合材シート31の樹脂がプレス、またはラミネート時にパターン11間の間隙部22を通ってリードフレーム2の下面の金属面上へ回り込むのを防止できる。なお、リードフレーム2の上面に樹脂接合材シート31の樹脂が残存した場合は、例えばバフ研磨等の公知の適宜な手段で取り除き、金属面を露出させる。
 また、リードフレーム2の上面に樹脂が残存しない方法としては、リードフレーム2と同様なパターンを有する極薄の金属、または樹脂で出来たマスク板を樹脂接合材シート31とリードフレーム2の間に設置し、上記と同様なプロセスで樹脂接合材を充填した後、上記マスク材を剥離することにより上記と同様に上面に樹脂が残存しないリードフレーム2を得ることが出来る。
 図6は上記のような第1の加工工程、及びパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程を経て得られたリードフレーム2を示しており、リードフレーム2のパターン11間の各間隙部22には樹脂接合材シート31が硬化した樹脂接合材13がそれぞれ充填されパターン11相互、及びパターン11と外部電極12を接着している。なお、パターン11相互、及びパターン11と外部電極12を連結している連結部21はこの時点では残されている。その後、プレスを用いる2次加工工程において、半硬化状のシートを重ねることなくパターン11間、及びパターン11と外部電極12との間の連結部21を打ち抜き除去した後、外部電極12を折り曲げ加工により成形することにより図1に示すようなリードフレーム基板1が得られる。なお、2次加工工程による連結部21の除去と外部電極12の折り曲げ加工の順番はどちらが先でも問題はなく、また、同時に行っても良い。
 上記のように、実施の形態3によるリードフレーム基板の製造方法は、金属板をプレスすることによって、互いに独立した複数のパターンと、隣接するパターンを相互に接続する連結部を有するリードフレームを形成する第1の加工工程と、隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程と、プレスにより上記連結部を除去する第2の加工工程を含むようにしたものである。この方法によれば第2の加工工程で半硬化状のシートが重合されていないため、パターン11を相互に接続する連結部21を打ち抜くときに反りなどの変形を生じることがなく、面方向に平滑で品質に優れたリードフレーム基板1を得ることができる。さらに、隣接するパターン11間の間隙部22に樹脂接合材を充填する工程として、ここでは未硬化の樹脂接合材シート31を用いたので、簡単にパターン11間に樹脂接合材を充填出来るという効果が得られる。
実施の形態4.
 図8は本発明の実施の形態4によるリードフレーム基板の製造方法における隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程の要部を概念的に説明する図である。なお、この実施の形態4は、第1の加工工程までは実施の形態3と同様である。第1の加工工程によって図4と同様のリードフレーム2を得た後、樹脂接合材13を形成する樹脂材料として液状の熱硬化性の樹脂接合材ペースト32を用い、図8に示すように該樹脂接合材ペースト32をリードフレーム2上の適宜の位置に所定量載せた後、スキージ33を用いてリードフレーム2上に展ばし、真空印刷法によりリードフレーム2のパターン11間の間隙部22に充填した後、乾燥機を用い間隙部22に充填された樹脂接合材ペースト32を加熱硬化することによって例えば図7と同様のリードフレーム基板を得る。この実施の形態4では、間隙部22への樹脂材料の充填に真空印刷法を用いたことにより、間隙部22に充填された樹脂接合材ペーストのバルク中からボイドを除去することができ、樹脂接合材ペースト32が密に充填される。
 なお、上記充填工程ではリードフレーム2の上下パターン部への樹脂接合材の残存はある程度防止可能であるが、リードフレーム2のパターン11部表面に樹脂接合材が残った場合には、実施の形態3と同様にバフ研磨等で取り除き、金属面を露出させる。
 更には、真空印刷時にリードフレームと同じパターンが形成されたメタルマスクを用いることによりリードフレーム2のパターン11部表面への樹脂の残存を防止することが出来る。
 リードフレーム2の下面への樹脂の回り込み防止に関しては、第1の加工工程による1次打ち抜き後のリードフレームの下面に粘着性の耐熱シートを貼り合わせた後、真空印刷を行うことにより達成可能となる。
 その後、2次打ち抜きを行う第2の加工工程、外部電極12の折り曲げ加工は実施の形態3と同様に行うことにより、本発明である図1に例示されるリードフレーム基板が得られる。
 上記のように実施の形態4の製造方法においては、真空印刷法を用いて樹脂接合材ペースト32を間隙部22に充填するようにしたので、充填された樹脂接合材のバルク中にボイドが発生することがなく、隣接するパターン11相互及び外部電極12が一層強固に接続されたリードフレーム基板1が得られる。
実施の形態5.
 図9、図10はこの発明の実施の形態5によるリードフレーム基板の製造方法を説明する図であり、図9は第1の加工工程を終えた後のリードフレームを示す断面図、図10は得られたリードフレーム基板の断面図である。この実施の形態5では、第1の加工工程を行う前に、実施の形態3と同様の表面にニッケルめっきを施した厚さ1.0mmの銅板の上下両面の全面に、予め片面に粘着性を有する厚さ約20μmのPET製の樹脂フィルム4の粘着面を貼り合わせて接着する。次いで、実施の形態3と同様に第1の加工工程において金型により打ち抜きすることで図9に示すようなリードフレーム2の両面に樹脂フィルム4が接着され、パターン11間を隔てる間隙部22が形成された断面形状のリードフレーム2を得る。その後、実施の形態3または実施の形態4と同様な方法でリードフレーム2の間隙部22に樹脂接合材13を充填し、硬化させる。次いで、樹脂フィルム4をリードフレーム2から剥離することで、図10に示すような樹脂接合材13の厚さがリードフレーム2の厚さより樹脂フィルム4の厚さに相当する寸法だけ加算され、リードフレーム2の表面から突出したものが得られる。その後の2次加工工程、外部電極12の折り曲げ加工は実施の形態3、4と同様に行うことにより、リードフレーム基板1が得られる。
 上記のように実施の形態5によれば、リードフレーム2に加工する金属板の表面を予め樹脂フィルム4で覆った状態で第1の加工工程の打ち抜き加工を行うことにより、隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程では、樹脂接合材13が、リードフレーム2のパターン11表面に直接付着するのを防ぐことができる。このため、間隙部22以外の部分に樹脂接合材13が残った場合でも、樹脂接合材13の硬化後、樹脂フィルム4を剥離することにより、簡単にパターン11の上下の金属面を露出させることが可能となるため、実施の形態3の真空加熱プレス、または真空加熱ラミネータ工程、実施の形態4の真空印刷工程において、樹脂接合材13のパターン11部への残存を問題にする必要が無くなり、効率的に製造することができる。
実施の形態6.
 図11、図12はこの発明の実施の形態6によるリードフレーム基板の製造方法を説明する図であり、図11は隣接するパターン間の間隙部に、樹脂接合材として用いたソルダーレジスト用ドライフィルムが充填された状態を示す断面図、図12は図11に示されたソルダーレジスト用ドライフィルムの不要部分を除去した状態を示す断面図である。この実施の形態6の製造方法では、先ず上記実施の形態3と同様の表面にニッケルめっきを施した厚さ1.0mmの銅板を用い、同様に1次加工工程を行ない、図4と同様の隣接するパターン11間に連結部21が残った状態のリードフレーム2を得る。次に、パターン11間の間隙部22に樹脂接合材を充填する工程では、樹脂接合材シート、樹脂接合材ペースト等に代えてソルダーレジスト用ドライフィルム34を用い、該ソルダーレジスト用ドライフィルム34を得られたリードフレーム2の上面に載置した後、公知の真空加熱ラミネータ装置により、ラミネートさせることにより、図11に示すようなパターン11間の間隙部22にソルダーレジスト用ドライフィルムの樹脂が充填されると同時に、電子部品が実装されるリードフレーム2の上面全面に例えば10~50μmの厚さでソルダーレジスト用ドライフィルム34が被着形成されたものが得られる。
 その後、パターン11上に実装する電子部品の位置決め部13aを形成するための例えば電子部品に応じた形状のマスク(何れも図示省略)を用い、露光工程、現像工程、硬化工程を行うことにより、図12に示すように間隙部22にソルダーレジスト用ドライフィルム34の樹脂が樹脂接合材13として充填され、パターン11の表面部に突出した部分で電力用半導体素子等の電子部品の位置決め部13aを形成したパターン(詳細図示省略)がリードフレーム2の上面に形成される。その後、打ち抜き加工を行う第2の加工工程、外部電極12の折り曲げ加工は実施の形態3、4、5と同様である。
 上記のように、実施の形態6の製造方法においては、樹脂接合材13としてソルダーレジスト用ドライフィルム34を用い、該ソルダーレジスト用ドライフィルム34をリードフレーム2上のパターン11と間隙部22の全面に跨って設け、パターン11上の不要となる部分は露光工程、現像工程によって除去する一方、パターン11上に突出した樹脂接合材の周囲部が電子部品の位置決め部13aとなるようにしたので、電子部品の実装時に簡単に電子部品の位置合わせが行えると言う付随効果も得られる。また、間隙部22の樹脂接合材13がパターン11の周囲部に伸びて断面T字状に設けられるので接触面積が増し、隣接するパターン11相互の接合強度が高められるという効果も得られる。
実施の形態7.
 図13~図15はこの発明の実施の形態7に係る半導体モジュールの内部構成を概念的に説明する図であり、図13は製造工程でリードフレーム基板に電子部品を実装した後、ワイヤーボンドを施した状態を示す鳥瞰図、図14は図13に示された実装基板に熱伝導樹脂シートを介して金属ベース板を取り付けた封止前の半導体モジュールを示す断面図、図15は図14の変形例を示す断面図である。この実施の形態7に係る半導体モジュールは、上記実施の形態3~6に例示した製造方法によって得られた実施の形態1、2の図1~3に示すような上下面に金属面が露出した状態のリードフレーム基板1を用いることを骨子としている。例えば図1のようなリードフレーム基板1のパターン11上面に電力用半導体素子を含む所定の複数の電子部品5を図13に示すように実装後、電子部品5間、電子部品5とパターン11間、電子部品5またはパターン11と外部電極12間をワイヤーボンド6を用いて電気的に接続した後、図14に示すように絶縁性を有し熱伝導性に優れた熱伝導樹脂シート7を介してアルミニウムまたは銅材料からなる金属ベース板8を接合する。
 その後、所定の形状、寸法に形成された枠を用いて、例えばシリコーンゲル樹脂、液状エポキシ樹脂等の封止樹脂材料で外部電極12のみが露出した状態で金属ベース板8の熱伝導樹脂シート7と反対面を露出した形状で封止することにより、目的とする電力用の半導体モジュール(図示省略)を得ることが出来る。なお、上記熱伝導樹脂シート7としては熱伝導性に優れた無機フィラーである例えばアルミナ、窒化アルミ、窒化硼素等を熱硬化性樹脂に混合した熱硬化性樹脂シートなどは好ましく用いることができる。また、封止方法としては、シリコーンゲル樹脂または液状エポキシ樹脂以外に、金型を用いるトランスファー封止方法などを用いても良い。更には、図15の変形例に示すように、金属ベース板8の代わりに金属冷却フィン8Aを直接接合しても良い。
 上記のように構成された実施の形態7による半導体モジュールは、リードフレーム基板1が、その製造過程において連結部21(図4)をプレスによって打ち抜いたときに、該連結部21(図4)が存在していた部分の穴14(図1)の周辺のパターン11部が部分的に反るなどの変形がなく、面方向に平滑に形成されているので、電力用半導体素子や回路部品などの電子部品5を実装するときに、該電子部品5を密着性、平坦性良く、また高密度に実装することができる。また、密着性、平坦性に優れることにより、電子部品5とパターン11間のはんだの接続信頼性が高い。また、熱伝導樹脂シート7を介した金属ベース板8に対する密着度も高いので放熱特性に優れ、信頼性も向上されるという顕著な効果が得られる。

Claims (12)

  1.  電子部品を保持するための互いに独立した複数のパターンと、隣接するパターン間の間隙部に充填され該隣接するパターン相互を接続する樹脂接合材とを備えてなることを特徴とするリードフレーム基板。
  2.  上記パターンと上記樹脂接合材との接合部に、接合性の向上を図る係合凸部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム基板。
  3.  上記樹脂接合材は、上記パターンの表面位置より厚さ方向に突出されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のリードフレーム基板。
  4.  上記樹脂接合材の突出された部分を、実装される電子部品の位置決め部としてなることを特徴とする請求項3に記載のリードフレーム基板。
  5.  上記複数のパターンの上面及び下面は金属面が露出されていることを特徴とする請求項1~請求項4の何れか1項に記載のリードフレーム基板。
  6.  上記請求項1~請求項5の何れか1項に記載のリードフレーム基板に、電力用半導体素子からなる電子部品が実装されてなることを特徴とする半導体モジュール。
  7.  金属板から、互いに独立した複数のパターンと、隣接するパターンを相互に接続する連結部を有するリードフレームを形成する第1の加工工程と、この第1の加工工程によって形成された隣接するパターン間の間隙部に樹脂接合材を充填する工程と、上記連結部をプレスにより打ち抜き除去する第2の加工工程を含むことを特徴とするリードフレーム基板の製造方法。
  8.  上記樹脂接合材を充填する工程は、未硬化である樹脂接合材シートを上記リードフレームの表面に設置後、真空加熱プレスまたは真空加熱ラミネータ装置により充填すると共に硬化することを特徴とする請求項7に記載のリードフレーム基板の製造方法。
  9.  上記樹脂接合材を充填する工程は、上記パターン間の間隙部に熱硬化性の樹脂接合材ペーストを真空印刷法により充填した後、加熱硬化することを特徴とする請求項7に記載のリードフレーム基板の製造方法。
  10.  上記樹脂接合材を充填する工程は、ソルダーレジスト用ドライフィルムを上記リードフレームの表面に設置後、真空加熱ラミネータ装置により該ソルダーレジスト用ドライフィルムを上記間隙部に充填すると共に上記パターン表面に被着し、然る後、露光、現像、硬化を行い、上記パターン表面部のソルダーレジスト用ドライフィルムを除去することを特徴とする請求項7に記載のリードフレーム基板の製造方法。
  11.  上記露光時に、上記パターン上に実装する電子部品の位置決め部を形成することを特徴とする請求項10に記載のリードフレーム基板の製造方法。
  12.  上記金属板として、両面に樹脂フィルムを貼り合わせた金属板を用い、上記第2の加工工程の後、上記リードフレーム上に残った樹脂フィルムを剥離することを特徴とする請求項7~請求項11の何れか1項に記載のリードフレーム基板の製造方法。
PCT/JP2009/053654 2008-03-06 2009-02-27 リードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法 WO2009110376A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010501871A JPWO2009110376A1 (ja) 2008-03-06 2009-02-27 リードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-055771 2008-03-06
JP2008055771 2008-03-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009110376A1 true WO2009110376A1 (ja) 2009-09-11

Family

ID=41055936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/053654 WO2009110376A1 (ja) 2008-03-06 2009-02-27 リードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2009110376A1 (ja)
TW (1) TW200941684A (ja)
WO (1) WO2009110376A1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222870A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法。
WO2012127696A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール及びパワーユニット装置
JP2014099547A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体モジュールおよびその製造方法
WO2015025834A1 (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 凸版印刷株式会社 フレキシブル配線基材と配線基板及び太陽電池モジュールとicカード
JP2015076441A (ja) * 2013-10-07 2015-04-20 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法
JP2016092261A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 三菱電機株式会社 電子制御装置およびその製造方法
JP2016167611A (ja) * 2016-04-14 2016-09-15 三菱電機株式会社 モジュール部品およびその製造方法
JP2017037892A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 富士電機株式会社 半導体装置
JP2017216468A (ja) * 2014-11-20 2017-12-07 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
WO2018012006A1 (ja) * 2016-07-12 2018-01-18 日立化成株式会社 回路基板の製造方法及び回路基板
EP3223307A4 (en) * 2014-11-20 2018-08-29 NSK Ltd. Heat dissipation substrate for mounting electric component
JP2018152612A (ja) * 2014-11-20 2018-09-27 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
WO2018189797A1 (ja) 2017-04-10 2018-10-18 日立化成株式会社 回路基板の製造方法、回路シート及び回路基板
WO2019142282A1 (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 日立化成株式会社 回路シートの製造方法、回路基板の製造方法、回路シート、及び回路基板
CN114364141A (zh) * 2022-01-04 2022-04-15 深圳中富电路股份有限公司 一种厚铜陶瓷基板及其制作方法
WO2023210420A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 住友ベークライト株式会社 ヒートシンク付回路基板およびその製造方法、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033558A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板とその製造方法
JP2004349400A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導性回路基板およびそれを用いたパワーモジュール
JP2005033043A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 New Japan Radio Co Ltd リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06177188A (ja) * 1992-12-04 1994-06-24 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH06318670A (ja) * 1993-05-06 1994-11-15 Sony Corp リードフレーム及びその製造方法
JP3169578B2 (ja) * 1998-03-23 2001-05-28 松下電器産業株式会社 電子部品用基板
WO2003083940A1 (fr) * 2002-03-29 2003-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de fabrication d'un substrat thermoconducteur
JP4409849B2 (ja) * 2003-04-24 2010-02-03 株式会社東芝 半導体装置の形成方法
JP2005303107A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 New Japan Radio Co Ltd リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033558A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板とその製造方法
JP2004349400A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導性回路基板およびそれを用いたパワーモジュール
JP2005033043A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 New Japan Radio Co Ltd リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222870A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法。
WO2012127696A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール及びパワーユニット装置
JP5701377B2 (ja) * 2011-03-24 2015-04-15 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール及びパワーユニット装置
US9129931B2 (en) 2011-03-24 2015-09-08 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor module and power unit device
JP2014099547A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体モジュールおよびその製造方法
US9171774B2 (en) 2012-11-15 2015-10-27 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor module and method of manufacturing the same
US9252028B2 (en) 2012-11-15 2016-02-02 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor module and method of manufacturing the same
WO2015025834A1 (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 凸版印刷株式会社 フレキシブル配線基材と配線基板及び太陽電池モジュールとicカード
JP2015076441A (ja) * 2013-10-07 2015-04-20 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法
JP2016092261A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 三菱電機株式会社 電子制御装置およびその製造方法
EP3223307A4 (en) * 2014-11-20 2018-08-29 NSK Ltd. Heat dissipation substrate for mounting electric component
JP2019009465A (ja) * 2014-11-20 2019-01-17 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
JP2017216468A (ja) * 2014-11-20 2017-12-07 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
US10388596B2 (en) 2014-11-20 2019-08-20 Nsk Ltd. Electronic part mounting heat-dissipating substrate
US10249558B2 (en) 2014-11-20 2019-04-02 Nsk Ltd. Electronic part mounting heat-dissipating substrate
JP2018152612A (ja) * 2014-11-20 2018-09-27 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
JP2018152611A (ja) * 2014-11-20 2018-09-27 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
JP2018152613A (ja) * 2014-11-20 2018-09-27 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
JP2018152614A (ja) * 2014-11-20 2018-09-27 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
JP2019041110A (ja) * 2014-11-20 2019-03-14 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
JP2018170520A (ja) * 2014-11-20 2018-11-01 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
US10192818B2 (en) 2014-11-20 2019-01-29 Nsk Ltd. Electronic part mounting heat-dissipating substrate
JP2019009466A (ja) * 2014-11-20 2019-01-17 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
JP2017037892A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 富士電機株式会社 半導体装置
JP2016167611A (ja) * 2016-04-14 2016-09-15 三菱電機株式会社 モジュール部品およびその製造方法
WO2018012006A1 (ja) * 2016-07-12 2018-01-18 日立化成株式会社 回路基板の製造方法及び回路基板
WO2018189797A1 (ja) 2017-04-10 2018-10-18 日立化成株式会社 回路基板の製造方法、回路シート及び回路基板
WO2019142282A1 (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 日立化成株式会社 回路シートの製造方法、回路基板の製造方法、回路シート、及び回路基板
CN114364141A (zh) * 2022-01-04 2022-04-15 深圳中富电路股份有限公司 一种厚铜陶瓷基板及其制作方法
WO2023210420A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 住友ベークライト株式会社 ヒートシンク付回路基板およびその製造方法、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法
JP7401037B1 (ja) 2022-04-28 2023-12-19 住友ベークライト株式会社 ヒートシンク付回路基板およびその製造方法、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2009110376A1 (ja) 2011-07-14
TW200941684A (en) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009110376A1 (ja) リードフレーム基板、半導体モジュール、及びリードフレーム基板の製造方法
EP0948814B1 (en) Chip scale ball grid array for integrated circuit package
JP5100081B2 (ja) 電子部品搭載多層配線基板及びその製造方法
JP6309112B2 (ja) パワーモジュール
JP2007110010A (ja) フレキシブルプリント配線板、フレキシブルプリント回路板、およびそれらの製造方法
JP4070470B2 (ja) 半導体装置用多層回路基板及びその製造方法並びに半導体装置
JP2006253354A (ja) 回路装置およびその製造方法
JP2008159682A (ja) 多層プリント配線板およびその製造方法
JP2008091814A (ja) 回路基板及び回路基板の製造方法
JP2008177461A (ja) 電子装置およびその製造方法
TWI685935B (zh) 半導體裝置及其製造方法
JP5539453B2 (ja) 電子部品搭載多層配線基板及びその製造方法
JP2004319644A (ja) 高放熱型プラスチックパッケージ及びその製造方法
JP3922058B2 (ja) 回路基板の製造方法
KR100396796B1 (ko) 고성능 bga 기판의 제조방법 및 상기 방법에 적용되는지그
JP4348893B2 (ja) 熱伝導性基板の製造方法
JP4251105B2 (ja) 高放熱樹脂基板とその製造方法
TWI803175B (zh) 電路基板及其製造方法
JP6179003B2 (ja) 半導体装置
JP5522225B2 (ja) 電子装置の製造方法
JP7018967B2 (ja) 放熱基板、及びその製造方法
JP3985558B2 (ja) 熱伝導性基板の製造方法
JP2008172176A (ja) 半導体素子搭載基板及びその製造方法。
JP2011029518A (ja) フレキシブルプリント配線板、半導体装置及びその製造方法
JP2021190455A (ja) 回路基板とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09716935

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010501871

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09716935

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1