JPH08306745A

JPH08306745A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08306745A
Application number: JP12728395A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Tanigawa; 聡谷川; Kazumasa Igarashi; 一雅五十嵐; Toku Nagasawa; 徳長沢; Nobuhiko Yoshio; 信彦吉尾; Hideyuki Usui; 英之薄井; Hisataka Itou; 久貴伊藤
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1995-04-27
Filing date: 1995-04-27
Publication date: 1996-11-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】半導体チップと補助配線板片とを高い導通成功
率で接続でき、しかも、その間の樹脂封止にも高い信頼
性を保証でき、補助配線板片の反りを防止するＣＳＰ半
導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】プリント配線パタ−ンを有するチップサイズの
補助配線板片を半導体チップの電極側の面にあてがい、
該補助配線板片の内側電極と半導体チップの電極とを金
属バンプを介し接続する半導体装置において、補助配線
板片の内側電極２１と半導体チップ１の電極１１とを金
属バンプ２１１を介し接続する際、補助配線板片２にプ
ラスックフィルム２４，２５よりも高曲げ剛性の弾性材
（通常、弾性率が５０ｋｇ／ｍｍ²以上）２０を貼着す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チップスケ−ルパッケ
−ジ（ＣＳＰ）タイプの半導体装置及びその製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】パッケ−ジした半導体装置としては、リ
−ドフレ−ムのダイパットに半導体チップを搭載し、半
導体チップの電極とリ−ドフレ−ムのインナ−リ−ドと
をワイヤ−ボンディングし、半導体チップをリ−ドフレ
−ムと共にアウタ−リ−ドを除いて樹脂で封止した構造
が周知されている。しかし、かかるパッケ−ジ構造で
は、リ−ドフレ−ムのアウタ−リ−ドのピッチをはんだ
付け精度上かなり広くする必要があり、パッケ−ジの大
型化が避けられず、高密度化に不利である。

【０００３】そこで、図８の（イ）または（ロ）に示す
ように、半導体チップ１’の電極１１’に接続される内
側電極２１’と被実装回路板の導体端に接続される外側
電極２２’とこれらの電極間にまたがる引き回し導体２
３’とからなるプリント配線パタ−ンをプラスチックフ
ィルムに設けたチップサイズの補助配線板片２’〔図８
の（イ）においては引き回し導体２３’が埋設配線さ
れ、図８の（ロ）においては引き回し導体２３’が表面
に配線されている〕を半導体チップ１’の電極１１’側
の面にあてがい、該補助配線板片２’の内側電極２１’
と半導体チップ１’の電極１１’とを金属バンプ２２
１’を介して接続し、次いで、樹脂３’でパッケ−ジ
し、補助配線板片２’と半導体チップ１’との間の間隙
を樹脂３’で封止することが提案されている（特開平６
−７７２９３号公報、特開平５−８２５８６号公報
等）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、補助配
線板片のプラスチックフィルムにおいては、加熱下での
加工、引張り、曲げ等を受けているために残留応力の残
存が不可避であり、上記補助配線板片の内側電極と半導
体チップの電極との金属バンプを介しての接続時、プラ
スチックフィルムが相当高温に加熱されるために残留応
力の解放によるプラスチックフィルムの撓み変形が発生
し、その撓み量の如何によっては、補助配線板片の内側
電極と半導体チップの電極との位置ずれによる導通不良
が招来される。また、残留応力の応力状態の如何によっ
ては、補助配線板片のプラスチックフィルムが半導体チ
ップ側を凸とする方向に反り、その反りのために半導体
チップと補助配線板片との間の間隙が狭くなり、半導体
チップと補助配線板片との間の封止を樹脂の圧入により
行う場合は、樹脂の充填が不完全となる畏れもある。

【０００５】本発明の目的は、半導体チップの電極に接
続される内側電極と被実装回路板の導体端に接続される
外側電極とこれらの電極間にまたがる引き回し導体とか
らなるプリント配線パタ−ンを有するチップサイズの補
助配線板片を半導体チップの電極側の面にあてがい、該
補助配線板片の内側電極と半導体チップの電極とを金属
バンプを介し接続する半導体装置において、半導体チッ
プと補助配線板片とを高い導通成功率で接続できるＣＳ
Ｐ半導体装置の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、半導体チップの電極に接続される内側電
極と被実装回路板の導体端に接続される外側電極とこれ
らの電極間にまたがる引き回し導体とからなる配線パタ
−ンをプラスックフィルムに設けた補助配線板片の内側
電極側と半導体チップの電極とを金属バンプを介して接
続し、補助配線板片と半導体チップとの間に封止樹脂を
介在させた半導体装置を製造する方法において、上記補
助配線板片の外側電極の在る側の面に上記プラスックフ
ィルムよりも高曲げ剛性の弾性材を貼着した状態で補助
配線板片と半導体チップとの接続を行い、この接続後に
弾性材を取外すことを特徴とする構成であり、弾性材に
は弾性率が５０ｋｇ／ｍｍ²以上であるものを使用する
ことが好ましい。

【０００７】

【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の構成につい
て説明する。図１の（イ）は本発明により製造される半
導体装置の一例を示す説明図、図１の（ロ）は同じく一
部を欠切した斜視説明図である。図１の（イ）並びに図
１の（ロ）において、１は半導体チップである。２は補
助配線板片であり、半導体チップの電極に金属バンプ２
１１において接合された内側電極２１と、内側電極２１
の背面位置とは異なる位置に存する外側電極２２と、こ
れらの両電極２１−２２に跨る引き回し導体２３と、引
き回し導体２３の両面に設けられたプラスチック絶縁層
２４，２５とからなり、内側電極２１は絶縁層２４に穿
設された内側電極用孔２１２に充填された金属２１３に
より構成され、この充填金属２１３の端面に金属バンプ
２１１が予め形成されている。外側電極２２は絶縁層２
５に穿設された外側電極用孔２２１に充填された金属２
２２により構成され、充填金属２２２の端面には金属バ
ンプ２２３が形成される。り、半導体チップ１と補助配
線板片２との間が樹脂３で封止されている。

【０００８】上記補助配線板片２の大きさは、半導体チ
ップ１の平面寸法（通常、３ｍｍ〜２０ｍｍ角）に等し
いか、半導体チップ１の平面寸法の２００％以下、好ま
しくは、１３０％以下とされる。上記外側電極２２，２
２相互間の間隔につては、被実装回路基板にはんだ付け
する際でのはんだブリッジを防止するために、上記補助
配線板片２の平面寸法内でできるだけ広くすることが要
求され、通常ほぼ等間隔とされる。上記補助配線板片２
は図２に示すように多層構造とすることもできる。図２
において、半導体チップ１の一の電極１１とこの電極１
１に導通させるべき被実装回路基板の導体端１１０の対
が一の層の引き回し導体２３に対応され、この引き回し
導体２３からその半導体チップ電極１１に臨む孔２１２
が絶縁積層ａに設けられ、この孔２１２に金属２１３が
充填され、その充填金属２１３の頂上面に金属バンプ２
１１が形成されてその一の引き回し導体２３に対する内
側電極２１が形成されている。また、その一の引き回し
導体２３からその一の半導体チップ電極１１に導通させ
るべき被実装回路基板の一の導体端１１０に臨む孔２２
１が絶縁積層ａに設けられ、この孔２２１に金属２２２
が充填されてその一の引き回し導体２３に対する外側電
極２２が形成され、その充填金属２２２の頂上面がはん
だバンプ２２３を介して被実装配線板の導体端に接続さ
れる。

【０００９】図３の（イ）乃至図３の（リ）は本発明に
係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。まず、
図３の（イ）に示すように、絶縁支持フィルム２４の片
面に引き回し導体２３を印刷形成する。この引き回し導
体２３の印刷形成には、金属箔積層合成樹脂フィルムの
金属箔を所定の引き回しパタ−ンに化学エッチングする
方法を使用することが好ましい。この金属箔積層合成樹
脂フィルムには、合成樹脂フィルムに銅箔を融着した二
層基材、銅箔を熱可塑性または熱硬化性接着剤で合成樹
脂フィルムに接着した三層基材等を使用でき、合成樹脂
フィルムには、ワイヤ−バンブ法で金属バンプを形成す
る場合の耐熱性、めっき法により金属バンプを形成する
場合の耐薬品性を満たすものであれば、特に材質上の制
約はなく、適宜のものを使用でき、例えば、ポリイミド
フィルム、ポリエチレンテレフタレ−トフィルム、ポリ
エ−テルイミドフィルム、ポリエ−テルサルホンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエ−テ
ルエ−テルケトンフィルム等を使用できる。この合成樹
脂フィルムの厚みは、通常１０〜１５０μｍである。

【００１０】このようにして引き回し導体２３を印刷形
成したのちは、図３の（ロ）に示すように絶縁支持フィ
ルム２４に内側電極用孔２１２を穿設する。この穿孔に
は、一般に、ドリル加工、レ−ザ−エッチング加工等を
使用でき、特に、ポリイミドフィルムの場合は、アルカ
リエッチング等の湿式穿孔法を使用することが可能であ
る。また、二層基材型ポリイミドフィルムの場合は、感
光性ポリイミドを使用し、露光により穿孔することもで
きる。

【００１１】内側電極用孔２１２を穿孔したのちは、図
３の（ハ）に示すように、孔２１２の底面の導体２３に
金属を絶縁フィルム２４をめっきマスクとしてめっき
し、孔２１２に金属２１３を充填し、内側電極２１を形
成する。金属には、例えば、金、銀、ニッケル、銅、パ
ラジウム等を使用できる。このようにして内側電極用孔
２１２に金属２１３を充填したのちは、図３の（ニ）に
示すように充填金属面上に高さ１０〜１５０μｍの金属
バンプ２１１を形成する。この金属バンプ２１１の形成
には、ワイヤ−ボンダ−を用いて金線、銅線またははん
だ線の先端を溶融球状化させ、溶融球状化金属を充填金
属面に溶着させる方法を使用できる。金線を使用する場
合、銅の引き回し導体２３と金との接触を防止するため
に、充填金属２１３の上層はニッケルとすることが好ま
しい。充填金属面上に湿式めっき法で金属を盛り上げる
方法によって金属バンプを形成することもできる。特
に、金属バンプ２１１の表面または全体を、半導体チッ
プの電極材であるアルミニウムと強固に金属間結合する
金を使用することが好ましい。

【００１２】ワイヤ−ボンダ−を用いて金属バンプを形
成する場合、孔２１２周辺が溶融金属に対する濡れ性の
低い合成樹脂面であるから、溶融金属の孔周囲への付着
を防止して充填金属面上に接触角の大なる球状の金属バ
ンプを整然と形成できる。また、めっき法により金属バ
ンプ２１１を形成する場合は、電解めっき、無電解めっ
きの何れの場合でも、充填金属２１３の露出端面を核と
して金属バンプを整然と形成できる。

【００１３】このようにして金属バンプ２１１を形成し
たのちは、図３の（ホ）に示すように、引き回し導体２
３の印刷形成面に樹脂２５をカバ−コ−トし、更に、図
３の（ヘ）に示すように、このカバ−コ−ト絶縁層２５
に外側電極用孔２２１を穿設し、図３の（ト）に示すよ
うに、この孔２２１に上記したワイヤ−ボンダ−により
はんだ２２２を充填して外側電極２２を形成し、次い
で、外側電極２２の在る側の面に高剛性の弾性板２０を
貼着する。この高剛性の弾性板２０においては、後述す
るようにプラスチック絶縁層２４，２５の残量応力が金
属バンプ接合時の熱で解放されて補助配線板片２に曲げ
モ−メントが作用しても、補助配線板片２の曲げ変形を
実質的に０にするために設けられており、プラスチック
絶縁層２４，２５の軟化温度のもとでも、プラスチック
絶縁層に較べ極めて高い曲げ剛性を呈するものが使用さ
れる。而して、曲げ剛性は弾性率に比例し、厚みの３乗
に比例するので、高剛性弾性板２０には、弾性率が５０
ｋｇ／ｍｍ²以上、厚みがプラスチック絶縁層２４，２
５の４倍以上のものを使用することが適切である。

【００１４】高剛性の弾性板２０を貼着したのちは、図
３の（チ）に示すように、内側電極２１の金属バンプ２
１１を半導体チップ１の電極１１に一致させるようにア
ライメントして、ホットバ−やパルスヒ−ト等の一括圧
着接続またはシングルポイントボンダ−による個別熱圧
着接続で半導体チップ１の電極１１と補助配線板片２の
内側電極２１とを金属バンプ２１１を介して金属間接合
し、半導体チップ１と補助配線板片２とを電気的並びに
機械的に接合する。シングルポイントボンダ−による個
別熱圧着接続を行う場合、超音波接合を併用することも
できる。

【００１５】このようにして、補助配線板片２に半導体
チップ１を搭載したのちは、図３の（リ）に示すよう
に、半導体チップ１と補助配線板片２との間を樹脂３で
封止する。この樹脂封止には、トランスファ−モ−ル
ド、ポッティング、キャスティング等を使用できる。こ
のようにして樹脂封止したのちは、上記した弾性板２０
を取外し、図１のように外側電極２２の充填金属端面上
にはんだバンプ２２３を形成し、これにて半導体装置の
パッケ−ジ工程までの製作を終了する。この弾性板２０
の取外しは、半導体チップ１と補助配線板片２との間を
樹脂３で封止する前に行うことも可能である。上記トラ
ンスファ−モ−ルド、ポッティング、キャスティング等
による樹脂封止に代え、補助配線板片２と半導体チップ
１との間にフィルム状熱融着性接着剤を挾み、半導体チ
ップ１の電極１１と補助配線板片２の内側電極２１とを
金属バンプ２１１を介して接続し、この接続時の熱で接
着剤を溶融して半導体チップ１の補助配線板片２とを接
着することもできる。また、図３の（ハ）に示す段階に
至るまでに絶縁フィルム２４の表面にフィルム状熱融着
性接着剤（孔２１２が既に形成されている）を設けてお
くこともできる。これらの場合、半導体チップ１の横エ
ッジ部及び裏面の封止は、ランスファ−モ−ルド、ポッ
ティング、キャスティング等による樹脂封止、接着シ−
トやフィルムの貼着による封止等で行うことができる。

【００１６】上記図３において、図３の（チ）に示す段
階における、半導体チップ１の電極１１と補助配線板片
２の内側電極２１の金属バンプ２１１とをアライメント
させる方法としては、図４に示すように、半導体チップ
のダミ−電極１１ａにアライメント用バンブ２１１ａを
取付け、補助配線板片２にアライメント用孔２１２ａを
穿設し、この孔２１２ａとアライメント用バンブ２１１
ａとを嵌合させる方法を使用できる。この場合、アライ
メント用バンプ２１１ａの高さは、内側電極２１の金属
バンプ２１１よりもやや高くされ、例えば、後者２１１
の２０μｍに対しアライメント用バンプ２１１ａの高さ
は５０μｍとされる。アライメント用バンブ２１１ａの
材質については、該バンプ２１１ａが半導体チップ１の
電極１１と補助配線板片２の内側金属バンプ２１１と接
合時に加圧される場合は、その接合温度で軟化するもの
が使用され、加圧されない場合は、特に限定されない。
アライメント用孔２１２ａの孔径は、半導体チップ１の
電極１１と補助配線板片２の内側金属バンプ２１１との
位置ずれを１０％以下に抑えるように設定される。

【００１７】本発明に係る半導体装置の製造方法におい
ては、半導体チップと補助配線板片との間のみを封止す
ることもできるが、図５の（イ）乃至図５の（ニ）に示
すように、半導体チップの横エッジ及び裏面を含む全外
面を封止することもできる。図５の（イ）においては、
半導体チップ１と補助配線板片２との間をエポキシ系の
樹脂３１で封止し、半導体チップ１の横エッジ部及び裏
面をシリコン系の樹脂３２で封止してある。図５の
（ロ）においては、半導体チップ１と補助配線板片２と
の間をエポキシ系３１の樹脂で封止し、半導体チップ１
の横エッジ部及び裏面を接着シ−ト３３（例えば、エポ
キシ−ゴム系樹脂を接着剤として使用した接着シ−ト）
の貼着により封止してある。図５の（ハ）または図５の
（ニ）においては、補強枠３４（合成樹脂、または金属
製）を固着してある。半導体チップの外面の封止は、半
導体チップの放熱を図るために、図６の（イ）乃至図６
の（ニ）に示すように、半導体チップの横エッジ部のみ
を封止し、裏面は露出させることもできる。

【００１８】図６の（イ）においては、半導体チップ１
と補助配線板片２との間をエポキシ系の樹脂３１で封止
し、半導体チップ１の裏面は露出させ、横エッジ部をシ
リコン系の樹脂３２で封止してある。図６の（ロ）にお
いては、半導体チップ１と補助配線板片２との間をエポ
キシ系３１の樹脂で封止し、半導体チップ１の裏面は露
出させ、横エッジ部を接着シ−ト３３（例えば、エポキ
シ−ゴム系樹脂を接着剤として使用した接着シ−ト）の
貼着により封止し、図６の（ロ）においては、接着シ−
ト３３をチップ裏面端部にまで貼着してある。図６の
（ニ）または図６の（ホ）においては、補強枠３４（合
成樹脂、または金属製）を固着してある。

【００１９】半導体チップの放熱性を向上するために、
図７の（イ）または図７の（ロ）に示すように、放熱フ
ィン乃至はヒ−トスプレッダ３５を取り付けること〔図
７の（イ）においては熱伝導性接着剤３６によりフィン
３５を固定し、図７の（ロ）においては封止樹脂３でフ
ィン３５を固定している）が有効である。また、図７の
（ハ）に示すように、半導体チップ１の電極には接触し
ない内側金属充填孔３７１とこの充填金属３７１に熱的
に接続された内部導体３７２（引き回し導体ではない）
とこの内部導体３７２に熱的に接続された外側金属充填
孔３７３並びに金属バンプ３７４を設け、これらの経路
で半導体チップ１の発生熱を放熱すること、図７の
（ハ）において、点線で示すように、引き回し導体２４
と所定の絶縁ギャップを隔てて導体（銅箔）２４ａをで
きるだけ多く残存させてこの残存導体２４ａをヒ−トス
プレッダとして使用する等、放熱用ダミ−を設けること
も有効である。なお、上記の例では、金属バンプを補助
配線板片の内側電極側に予め形成しているが、半導体チ
ップの電極側に予め形成しておくことも可能である。

【００２０】本発明に係る半導体装置の製造方法はＴＡ
Ｂ法により実施することもできる。すなわち、図３の
（ト）に示すものを一単位として多数箇有するフィルム
キャリアテ−プをスプロケットにより間歇的に搬送し、
チップアタッチステ−ションにおいて半導体チップを搭
載してそのチップの電極を配線パタ−ンの内側電極に接
続し、この接続時に前記した接着封止を行い、または、
封止ステ−ションにおいて搭載半導体チップをトランス
ファ−モ−ルド、ポッティング、キャスティング等によ
り樹脂封止し、更に、弾性材を取外し、最終的にフィル
ムキャリアを半導体チップの周囲に打ち抜き、これにて
半導体装置のパッケ−ジ工程までの製造を終了する。

【００２１】

【作用】補助配線板のプラスチックフィルムには、加工
時の機械的・熱的履歴に応じて残留応力が残存している
から、補助配線板片の内側電極側と半導体チップの電極
とを金属バンプを介して接続する際、その接続時の熱で
残留応力が解放されて曲げモ−メントＭが発生する。こ
の曲げモ−メントＭに対し、補助配線板片の曲げ剛性を
EIとすれば、その曲げモ-メントＭによる補助配線板片
の曲げ径Ｒは、１／Ｒ＝Ｍ／EIである。而るに、本発明
においては、補助配線板片の内側電極側と半導体チップ
の電極とを金属バンプを介して接続する際、補助配線板
片の曲げ剛性が、高曲げ剛性材の貼着により著しく高く
されているから、１／Ｒをほぼ０に保持でき、補助配線
板片の曲げ変形を実質上、排除できる。従って、補助配
線板片の内側電極側と半導体チップの電極とのずれを防
止でき、その間の確実な導通接続を保証できる。また、
補助配線板片と半導体チップとの間の間隙を平行に保持
でき、この間隙を樹脂の圧入により封止する場合、その
平行間隙への樹脂のスム−ズな流動のために、この間隙
を樹脂で完全に充填できる。従って、本発明によれば、
スル−プット性、耐湿信頼性に優れたチップサイズの半
導体装置を得ることができる。更に、補助配線板片のプ
ラスチックフィルムの厚みを薄くでき、弾性材を取外し
た状態で実装するから、実装スペ−スの薄厚化を図るこ
とができる。このことは、次の実施例品と比較例品との
初期導通試験、接着力試験、耐吸水試験結果等の対比か
らも確認できる。

【００２２】

【実施例】

〔実施例〕図３において、補助配線板片には配線パタ−
ンが銅、プラスチックフィルムが厚み６０μｍのポリイ
ミドフィルム、金属バンブが高さ５０μｍの金バンプ、
寸法が１７．０ｍｍ×１７．０ｍｍであり、高曲げ剛性
板として厚み３００μｍ、弾性率１０，０００ｋｇ／ｍ
ｍ²のステンレス板をシリコ−ン系耐熱接着剤で接着し
たものを使用した。この補助配線板片に厚み０．３７５
ｍｍ、縦横寸法１５．０ｍｍ×１５．０ｍｍの信頼性評
価用チップを加熱温度３００℃にて熱圧着した。而るの
ち、液状エポキシ樹脂組成物（エポキシ当量１８０のビ
スフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂１００重量部、当量１６
２の無酸水物１００重量部、２メチルイミダゾ−ル０．
４重量部）の注型により、外郭寸法が厚み０．５５０ｍ
ｍ，一辺の長さ１７．０ｍｍの樹脂封止を行った。〔比較例〕実施例に対し、ステンレス板を使用しない以
外、実施例に同じとした。

【００２３】これらの実施例並びに比較例につき、接続
後で封止前の段階で導通成功率を測定（試料数１００
箇）したところ、比較例の５７％に対し、実施例におい
ては９８％であり、本発明によれば、接続時でのチップ
電極と補助配線板片の内側電極とのずれを実質上排除で
きることが明らかである。また、実施例並びに比較例に
つき、封止後、封止樹脂と補助配線板片との間の９０°
剥離強度を測定したところ（試料数１００箇）、実施例
では１０６０ｇ／ｃｍであったのに対し、比較例では２
８０ｇ／ｃｍに過ぎなかった。また、１２１℃飽和水蒸
気中プレッシヤ−クッカ試験２００時間後での導通不良
率を測定（試料数１００箇）したところ、比較例の６８
％に対し、実施例においては０であった。上記実施例品
の優れた剥離強度と優れた耐水性試験結果からも、本発
明によれば、信頼性の高い封止を保証できることが明ら
かである。

【００２４】

【発明の効果】本発明によれば、半導体チップの電極に
接続される内側電極と被実装回路板の導体端に接続され
る外側電極とこれらの電極間にまたがる引き回し導体と
からなるプリント配線パタ−ンを有するチップサイズの
補助配線板片を半導体チップの電極側の面にあてがい、
該補助配線板片の内側電極と半導体チップの電極とを金
属バンプを介して接続する半導体装置の製造において、
実質上、導通不成功率０で半導体チップと補助配線板片
とを接続し得、しかも半導体チップと補助配線板片との
間を樹脂で確実に封止できるから、信頼性のあるチップ
サイズ半導体装置を優れた歩留まりで能率よく製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１の（イ）は本発明に係る半導体装置の一例
を示す断面説明図、図１の（ロ）は同じく一部を切欠い
た斜視説明図である。

【図２】本発明に係る上記とは別の半導体装置の要部を
示す説明図である。

【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す説明
図である。

【図４】本発明に係る上記とは別の半導体装置を示す説
明図である。

【図５】本発明に係る互いに異なる上記とは別の半導体
装置を示す説明図である。

【図６】本発明に係る上記とは別の半導体装置を示す説
明図である。

【図７】本発明に係る互いに異なる上記とは別の半導体
装置を示す説明図である。

【図８】互いに異なる従来のチップサイズの半導体装置
を示す説明図である。

【符号の説明】

１半導体チップ１１半導体チップの電極２補助配線板片２１内側電極２１１金属バンプ２２外側電極２３引き回し導体２４プラスチック絶縁層２５プラスチック絶縁層２０高曲げ剛性の弾性材３封止樹脂

フロントページの続き (72)発明者吉尾信彦大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者薄井英之大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者伊藤久貴大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップの電極に接続される内側電極
と被実装回路板の導体端に接続される外側電極とこれら
の電極間にまたがる引き回し導体とからなる配線パタ−
ンをプラスックフィルムに設けた補助配線板片の内側電
極側と半導体チップの電極とを金属バンプを介して接続
し、補助配線板片と半導体チップとの間に封止樹脂を介
在させた半導体装置において、補助配線板片と半導体チ
ップとの接続が、上記補助配線板片の外側電極の在る側
の面に上記プラスックフィルムよりも高曲げ剛性の弾性
材を貼着した状態で行われていることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項２】弾性材の弾性率が５０ｋｇ／ｍｍ²以上で
ある請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】半導体チップの電極に接続される内側電極
と被実装回路板の導体端に接続される外側電極とこれら
の電極間にまたがる引き回し導体とからなる配線パタ−
ンをプラスックフィルムに設けた補助配線板片の内側電
極側と半導体チップの電極とを金属バンプを介して接続
し、補助配線板片と半導体チップとの間に封止樹脂を介
在させた半導体装置を製造する方法において、上記補助
配線板片の外側電極の在る側の面に上記プラスックフィ
ルムよりも高曲げ剛性の弾性材を貼着した状態で補助配
線板片と半導体チップとの接続を行い、この接続後に弾
性材を取外すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】弾性材の弾性率が５０ｋｇ／ｍｍ²以上で
ある請求項１記載の半導体装置の製造方法。