JPH08306739A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体チップ４の電極４１に接続される内側電
極２２と被実装回路板の導体端に接続される外側電極２
３とこれらの電極間にまたがる引き回し導体２１とから
なるプリント配線パタ−ンを有するチップサイズの補助
配線板片２を半導体チップ４の電極４１側の面にあてが
い、該補助配線板片２の内側電極２２と半導体チップ４
の電極４１とを金属バンプ２２０を介し接続する半導体
装置において、半導体チップと補助配線板片との間の封
止を確実に行い得る半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】補助配線板片と半導体チップとの間の間隙を上
記の金属バンプ２２０以外にスペ−サ−バンプ３２によ
っても保持しつつ上記封止樹脂の圧入を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チップスケ−ルパッケ
−ジタイプの半導体装置の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】パッケ−ジした半導体装置としては、リ
−ドフレ−ムのダイパットに半導体チップを搭載し、半
導体チップの電極とリ−ドフレ−ムのインナ−リ−ドと
をワイヤ−ボンディングし、半導体チップをリ−ドフレ
−ムと共にアウタ−リ−ドを除いて樹脂で封止した構造
が周知されている。しかし、かかるパッケ−ジ構造で
は、リ−ドフレ−ムのアウタ−リ−ドのピッチをはんだ
付け精度上かなり広くする必要があり、パッケ−ジの大
型化が避けられず、高密度化に不利である。

【０００３】そこで、図７の（イ）または（ロ）に示す
ように、半導体チップ４’の電極４１’に接続される内
側電極２２’と被実装回路板の導体端に接続される外側
電極２３’とこれらの電極間にまたがる引き回し導体２
１’とからなるプリント配線パタ−ンを有するチップサ
イズの補助配線板片２’〔図７の（イ）においては引き
回し導体２１’が埋設配線され、図７の（ロ）において
は引き回し導体２１’が表面に配線されている〕を半導
体チップ４’の電極４１’側の面にあてがい、該補助配
線板片２’の内側電極２２’と半導体チップ４’の電極
４１’とを金属バンプ２２０’を介して接続し、次い
で、樹脂５’でパッケ−ジし、補助配線板片２’と半導
体チップ４’との間の間隙を樹脂５’で封止することが
提案されている。この樹脂パッケ−ジには、通常トラン
スファモ−ルドが使用される。すなわち、トランスファ
−成形機の金型のキャビティに補助配線板片付き半導体
チップをセットし、熱硬化性樹脂組成物タブレットをト
ランスファ−成形機のポットに入れ、このタブレットを
加熱により可塑化すると共にプランジャ−で加圧し、ス
プ−ル、ランナ−並びにゲ−トを経てその可塑化樹脂を
金型キャビティに圧入する方法が使用される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記において、半導体
チップの電極配置が均等エリア配置でない場合、例え
ば、四周配置の場合、半導体チップと補助配線板片との
間の間隙に対する金属バンプによる支点状態は、半導体
チップに垂直方向の圧力に対し、間隙の相当のエリア部
分、例えば、中央部分が無支持状態となる。而るに、上
記の樹脂パッケ−ジ時、半導体チップと補助配線板片と
の間の間隙に対する樹脂流入抵抗が高く、従って、半導
体チップの裏面側（電極側の面とは反対側の面）に樹脂
が回り込んでいるにもかかわらず上記間隙には樹脂が入
っていない状態が生じ、その結果、半導体チップに対し
垂直方向の荷重が作用し、上記中央部の無支持状態のも
とでは、半導体チップ撓み変形し上記間隙が狭まって間
隙への樹脂の完全な充填が困難になることが懸念され
る。また、フィルムキャリア方式を使用する場合、キャ
リアフィルムが残留応力のために半導体チップ側を凸と
する方向に反り、その反りのために上記間隙が狭くなっ
て間隙への樹脂の完全な充填が困難になることが懸念さ
れる。

【０００５】本発明の目的は、半導体チップの電極に接
続される内側電極と被実装回路板の導体端に接続される
外側電極とこれらの電極間にまたがる引き回し導体とか
らなるプリント配線パタ−ンを有するチップサイズの補
助配線板片を半導体チップの電極側の面にあてがい、該
補助配線板片の内側電極と半導体チップの電極とを金属
バンプを介し接続する半導体装置において、半導体チッ
プと補助配線板片との間の封止を確実に行い得る半導体
装置の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、半導体チップの電極に接続される内側電
極と被実装回路板の導体端に接続される外側電極とこれ
らの電極に導通された引き回し導体とからなる配線パタ
−ンを有する補助配線板片の内側電極側と半導体チップ
の電極とを金属バンプを介して接続し、補助配線板片と
半導体チップとの間に封止樹脂を圧入して半導体装置を
製造する方法において、補助配線板片と半導体チップと
の間の間隙を上記の金属バンプ以外にスペ−サ−バンプ
によっても保持しつつ上記封止樹脂の圧入を行うことを
特徴とする構成であり、補助配線板片は引き回し導体を
挾む絶縁層を有しており、これらの両絶縁層のうち半導
体チップ側の絶縁層に引き回し導体から半導体チップ対
向面の電極に臨む孔を設け、この孔に充填した金属によ
り内側電極を形成し、該内側電極に金属バンプを形成
し、同上半導体チップ側の絶縁層に引き回し導体から半
導体チップ対向面の電極以外の部位に臨む孔を設け、こ
の孔に金属を充填し、この充填金属にスペ−サ−バンプ
を形成すること、または、同上半導体チップ側の絶縁層
にスペ−サ−バンプを樹脂により形成することもでき
る。

【０００７】

【作用】金型キャビティ内への樹脂の圧入により半導体
チップと補助配線板片との間隙を樹脂で充填する。この
樹脂の圧入に対し、半導体チップと補助配線板片との間
の間隙が狭くその間隙への樹脂の流動抵抗が高いため
に、初期の段階では、半導体チップの裏面側に樹脂が回
り込んでもまだ間隙内には樹脂が入っていない状態が生
じ、半導体チップに垂直方向の荷重が作用する。また、
フィルムキャリア方式を使用する場合、キャリアフィル
ムを半導体チップ側を凸とする方向に反り曲げようとす
る残量応力がキャリアフィルムに作用していることもあ
る。しかしながら、補助配線板片と半導体チップとの間
の間隙をスペ−サ−バンプによっても保持しており、半
導体チップの電極接続用金属バンプとスペ−サ−バンプ
とで短スパンの均等支持を行うことができるので、その
荷重による半導体チップの撓みを排除し得、また、補助
配線板片（キャリアフィルム）の残留応力に起因する反
りの発生も防止でき、従って、半導体チップと補助配線
板片との間に充分な間隙を保持し得、最終的にこの間隙
を樹脂で完全に充填できる。

【０００８】

【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の構成を説明
する。本発明により半導体装置を製造するには、まず、
補助配線板片と半導体チップとの間の間隙を半導体チッ
プの電極接続用金属バンプ以外にスペ−サ−バンプによ
っても保持した補助配線板片付き半導体チップを作成す
る必要があり、図１はその補助配線板片付き半導体チッ
プの一例を示している。図１において、２は補助配線板
片を示し、１１及び１２は絶縁層、２１，２１…は絶縁
層１１，１２間に挾まれた引き回し導体、２２１は絶縁
層１１に引き回し導体２１から半導体チップの電極位置
に臨むように穿設された孔、２２はこの孔２２１に充填
された金属２２２であり、この充填金属２２２が内側電
極とされている。２３１は他の絶縁層１２に引き回し導
体２１を底面として設けられた孔、２３は孔２３１に充
填された金属２３２であり、この充填金属２３２が外側
電極とされている。

【０００９】図１において、２２０は内部電極に予め形
成された金属バンプである。図１において、３２１は絶
縁層１１に引き回し導体２１から半導体チップの電極と
は異なる位置に臨むように穿設された孔、３２２はこの
孔２２１に充填された金属２２２、３２は充填金属上に
形成された金属製のスペ−サ−バンプである。図１にお
いて、４は半導体チップであり、半導体チップ４の電極
４１が補助配線板片２の金属バンプ２２０により内側電
極２２２に機械的並びに電気的に接続されている。３は
半導体チップ４と補助配線板片２との間の間隙を示し、
上記のスペ−サ−バンプ３２，…は上記金属バンプ２２
０，…とでこの間隙に対し充分に短スパンの均等間隔の
支点を形成するように配設されている。

【００１０】上記のような補助配線板片付き半導体チッ
プを製作すれば、これを樹脂パッケ−ジして半導体チッ
プと補助配線板片との間隙を樹脂で充填する。この樹脂
パッケ−ジには、トランスファモ−ルドを使用できる。
すなわち、トランスファ−成形機の金型のキャビティに
補助配線板片付き半導体チップをセットし、熱硬化性樹
脂組成物タブレットをトランスファ−成形機のポットに
入れ、このタブレットを加熱により可塑化すると共にプ
ランジャ−で加圧し、スプ−ル、ランナ−並びにゲ−ト
を経てその可塑化樹脂を金型キャビティに導入する方法
を使用できる。

【００１１】このモ−ルドの途中において、半導体チッ
プと補助配線板片との間隙にまだ樹脂が流入され状態で
半導体チップの裏面に樹脂圧が作用する段階があり、こ
の段階において、半導体チップの最大撓量δは、支点間
スパンをL、樹脂圧力をＰ、半導体チップの曲げ剛性を
ＥＩとすれば、 δ∝ＰL⁴／ＥＩ で把握でき、支点間隔、従って、スペ−サ−バンプの箇
数や配置は撓みを数％以内に抑えように定められる。上
記トランスファ−成形機には、センタ−ゲ−ト方式、サ
イドゲ−ト方式の何れをも使用可能であるが、間隙が８
０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下特に２０μｍの
場合は、周囲から樹脂を可及的に均一に流入させ得るセ
ンタ−ゲ−ト方式が好適である。上記熱硬化性樹脂組成
物には、例えば、シリカ粉末配合のエポキシ樹脂組成物
を使用することができ、間隙が８０μｍ以下、好ましく
は、４０μｍ以下特に２０μｍの場合、その間隙寸法以
上の粒子径のシリカ含有量が１５％以下の粒度分布のシ
リカを使用することが適切である。

【００１２】上記スペ−サ−バンプは、樹脂パッケ−ジ
温度のもとでも溶融せず樹脂圧に耐え得るものであれ
ば、樹脂の使用も可能であり、この樹脂製スペ−サ−バ
ンプは例えば、ポリイミド系樹脂ドット転写シ−トを用
いて形成することもできる。上記補助配線板片の引き回
し導体は、配線板片の表面に形成することもでき、ま
た、金属バンプは半導体チップの電極に予め形成してお
くこともでき、金属バンプも半導体チップ側に形成する
ことも可能である。

【００１３】図１に示した補助配線板片付き半導体チッ
プは次のようにして製造することができる。まず、図２
の（イ）に示すように、絶縁フィルム１１の片面に引き
回し導体２１を印刷法で形成する。引き回し導体２１の
印刷形成には、金属箔積層合成樹脂フィルムの金属箔を
所定の引き回しパタ−ンに化学エッチングする方法を使
用することが好ましい。この金属箔積層合成樹脂フィル
ムには、合成樹脂フィルムに銅箔を融着した二層基材、
銅箔を熱可塑性または熱硬化性接着剤で合成樹脂フィル
ムに接着した三層基材等を使用でき、合成樹脂フィルム
には、ワイヤ−バンブ法で金属バンプを形成する場合の
耐熱性、めっき法により金属バンプを形成する場合の耐
薬品性を満たすものであれば、特に材質上の制約はな
く、適宜のものを使用でき、例えば、ポリイミドフィル
ム、ポリエチレンテレフタレ−トフィルム、ポリエ−テ
ルイミドフィルム、ポリエ−テルサルホンフィルム、ポ
リフェニレンサルファイドフィルム、ポリエ−テルエ−
テルケトンフィルム等を使用できる。この合成樹脂フィ
ルムの厚みは、通常１０〜１５０μｍである。

【００１４】引き回し導体２１の形成後は、図２の
（ロ）に示すように絶縁フィルム１１に内側電極用孔２
２１並びにスペ−サ−バンプ基礎孔３２１を穿設する。
これらの穿孔には、一般に、ドリル加工、レ−ザ−エッ
チング加工等を使用でき、特に、絶縁フィルムがポリイ
ミドの場合は、アルカリエッチング等の湿式穿孔法を使
用することができ、また、感光性ポリイミドを使用し、
露光により穿孔することもできる。内側電極用孔２２１
並びにスペ−サ−バンプ基礎孔３２１を穿孔したのち
は、図２の（ハ）に示すように、孔２２１並びに孔３２
１の底面の導体２１に金属をめっきし、孔２２１に金属
２２２を、孔３２１に金属３２２をそれぞれ充填する。
金属には、例えば、金、銀、ニッケル、銅、パラジウム
等を使用できる。

【００１５】このようにして金属２２２、金属３２２の
充填を終了したのちは、図２の（ニ）に示すように充填
金属２２２並びに３２２上にそれぞれ高さ１０〜１５０
μｍの金属バンプ２２０並びにスペ−サ−バンプ３２を
形成する。これらのバンプ２２０，３２の形成には、ワ
イヤ−ボンダ−を用いて金線、銅線またははんだ線の先
端を溶融球状化させ、溶融球状化金属を充填金属面に溶
着させる方法を使用できる。金線を使用する場合、銅の
引き回し導体２１と金との接触を防止するために、充填
金属２２２の上層はニッケルとすることが好ましい。充
填金属面上に湿式めっき法で金属を盛り上げる方法によ
ってもこれらのバンプを形成することができる。

【００１６】ワイヤ−ボンダ−を用いてバンプを形成す
る場合、孔２２１、３２１周辺が溶融金属に対する濡れ
性の低い合成樹脂面であるから、溶融金属の孔周囲への
付着を防止して充填金属面上に接触角の大なる球状のバ
ンプを整然と形成できる。また、めっき法によりバンプ
を形成する場合は、電解めっき、無電解めっきの何れの
場合でも、充填金属の露出端面を核として金属バンプを
整然と形成できる。上記のバンプのうち、半導体チップ
の電極に接続される金属バンプにおいては、その表面ま
たは全体を電極材料であるアルミと強固に金属間結合す
る金で形成することが望ましい。このようにして金属バ
ンプ２２０並びにスペ−サ−バンプ３２を形成したのち
は、図２の（ホ）に示すように、引き回し導体２１の印
刷形成面に絶縁層１２を設け、更に、図２の（ヘ）に示
すように、この絶縁層１２に外側電極用孔２３１を穿設
し、図２の（ト）に示すように、この孔２３１に上記し
たワイヤ−ボンダ−またはめっき法によりはんだ２３２
を充填する。

【００１７】上記のようにして、金属バンプ並びにスペ
−サ−バンプ付き補助配線板片を製作すれば、図２の
（チ）に示すように、金属バンプ並びにスペ−サ−バン
プ付き補助配線板片（２は金属バンプ並びにスペ−サ−
バンプ付き補助配線板片を示している）を、金属バンプ
２２３を半導体チップ４の電極４１に一致させるように
アライメントして、ホットバ−やパルスヒ−ト等の一括
圧着接続またはシングルポイントボンダ−による個別熱
圧着接続で半導体チップ４の電極４１と補助配線板片２
の内側電極２２の金属バンプ２２３とを金属間接合し、
半導体チップ４と補助配線板片２とを電気的並びに機械
的に接合する。シングルポイントボンダ−による個別熱
圧着接続を行う場合、超音波接合を併用して熱圧着温度
を低くすることが好ましい。上記内側電極２２の金属バ
ンプ２２０にはんだバンプを使用し、補助配線板片２と
半導体チップ４との接合をリフロ−法により行うことも
可能である。この場合、半導体チップ４の電極４１と補
助配線板片２の内側電極２２との間に多少のずれがあっ
ても、溶融はんだの表面張力で自ずと修正されから、後
述のアライメントのための措置は不要である。

【００１８】上記において、図２の（チ）に示す段階に
おける、半導体チップ４の電極４１と補助配線板片２の
金属バンプ２２０とをアライメントさせる方法として
は、図３に示すように、半導体チップ４のダミ−電極４
１ａにアライメント用バンブ２２０ａを取付け、補助配
線板片２にアライメント用孔２２１ａを穿設し、この孔
２２１ａとアライメント用バンブ２２０ａとを嵌合させ
る方法を使用できる。この場合、アライメント用バンプ
２２０ａの高さは、金属バンプ２２０やスペ−サ−バン
プ３２よりもやや高くされ、例えば、後者２２０，３２
の２０μｍに対しアライメント用バンプ２２０ａの高さ
は５０μｍとされる。アライメント用孔２２１ａの孔径
は、半導体チップ４の電極４１と補助配線板片２の金属
バンプ２２０との位置ずれを１０％以下に抑えるように
設定される。

【００１９】上記した本発明に係る半導体装置の実装
は、リフロ−法により行うことができ、この場合、半導
体装置の外側電極と被実装回路基板の導体端子との間に
多少のずれがあっても、溶融はんだの表面張力で自ずと
修正される。上記補助配線板片２の大きさは、半導体チ
ップ４の平面寸法（通常、３ｍｍ〜２０ｍｍ角）に等し
いか、半導体チップ１の平面寸法の２００％以下、好ま
しくは、１３０％以下とされる。上記外側電極２３，２
３相互間の間隔につては、被実装回路基板にはんだ付け
する際でのはんだブリッジを防止するために、上記補助
配線板片２の平面寸法内でできるだけ広くすることが要
求され、通常ほぼ等間隔とされる。

【００２０】上記半導体チップ１の横エッジ部や裏面は
接着シ−ト（例えば、エポキシ−ゴム系樹脂を接着剤と
して使用した接着シ−ト）の貼着により封止することも
できる。半導体チップの放熱性を向上するために、図４
の（イ）に示すように、半導体チップ４の裏面を完全に
露出させること（５は封止樹脂）、図４の（ロ）または
図４の（ハ）に示すように、放熱フィン乃至はヒ−トス
プレッダ６１を取り付けること〔図４の（ロ）において
は熱伝導性接着剤６２によりフィン６１を固定し、図５
の（ハ）においては封止樹脂５でフィン６１を固定して
いる）が有効である。また、図４の（ニ）に示すよう
に、スペ−サ−バンプ３２に熱的に接続された内部導体
７２（引き回し導体ではない）とこの内部導体７２に熱
的に接続された外側金属充填孔７３並びに金属バンプ７
４を設け、これらの経路で半導体チップ４の発生熱を放
熱すること、図４の（ニ）において、点線で示すよう
に、引き回し導体２１と所定の絶縁ギャップを隔てて導
体（銅箔）２１ａをできるだけ多く残存させてこの残存
導体２１ａをヒ−トスプレッダとして使用する等、放熱
用ダミ−を設けることも有効である。

【００２１】上記において、絶縁層（絶縁フィルム）１
１と封止用樹脂層５との接着力を高めることは、この界
面からの水分やイオン性不純物の侵入防止に有効であ
り、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。而
して、次に述べる試験結果Ａから明らかなように、補助
配線板片２の絶縁フィルム１１には、表面張力（Ｚｉｓ
ｍａｎプロットから求められる臨界表面張力）が３５ｍ
Ｊ／ｍ²以上、好ましくは４０Ｊ／ｍ²以上のものを使用
すれば、上記界面の接着力を９０度剥離強度（室温、乾
燥状態）において、３００ｇ／ｃｍ以上、より好ましく
は５００ｇ／ｃｍ以上、特に好ましくは１０００ｇ／ｃ
ｍ以上にして、導電不良率を著しく小さくでき、半導体
装置の信頼性の向上に有効である（このような合成樹脂
フィルムは、当所の表面張力が３５ｍＪ／ｍ²以下であ
っても、酸、アルカリ液処理、カップリング剤処理、グ
ラフト処理等の化学的処理、コロナ放電処理、高周波プ
ラズマ処理、イオンエッチング処理等の物理的処理によ
り、得ることができる。

【００２２】〔実験結果Ａ〕表１（表１において、ＰＩ
はポリイミド。ＰＥＴはポリエチレンテレフタレ−ト。
ＰＰはポリプロピレン。アルカリ処理は０．１ＮＫＯＨ
水溶液に５時間浸漬。プラズマ処理は、０．１ｔｏｒｒ
の酸素ガス雰囲気にて、１００ｗ，１３．５６MHZで３
０秒間グロ−放電処理）に示すフィルム（厚み６０μ
ｍ）を支持フィルムとする補助配線板片（チップと同サ
イズ）に、金バンブの高さが５０μｍの内側電極を形成
し、厚み０．３７５ｍｍ、一辺の長さが１５．０ｍｍの
正方形の信頼評価用半導体チップを３００℃で補助配線
板片に接合し、外郭寸法が厚み０．５５０ｍｍ，一辺の
長さ１７．０ｍｍの樹脂封止を表２に示す組成物（表２
において、エポキシ樹脂１はエポキシ当量１８０のビス
フェノ−ルＡ型エポキシ樹脂。エポキシ樹脂２はエポキ
シ当量１９５のクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂。
無酸水物はメチルヘキサヒド無水フタル酸。ＰＰＳはポ
リフェニレンサルファイド。配合量は重量部）で行っ
て、実施例１〜１５並びに比較例１〜６（これらの比較
例は、請求項１の発明に包含される）を作成した。これ
らの実施例並びに比較例について、９０度剥離強度並び
に１２１℃飽和水蒸気中プレッシヤ−クッカ試験２００
時間後での導電不良率を測定したところ、表３の通りで
あった。

【００２３】本発明に係る半導体装置において、半導体
チップと封止樹脂との界面の接着力を高めて半導体装置
の信頼性の向上を図るには、次に述べる実験結果Ｂから
明らかな通り、補助配線板片の絶縁支持フィルムの表面
全体に０．００５μｍ〜０．５μｍ径の凹凸を形成する
ことも有効である。

【００２４】〔実験結果Ｂ〕表４における厚み、材質の
フィルムを表面処理（表４において、イオンエッチング
は、窒素ガス雰囲気中、３ｘ１０Ｅ-３ｔｏｒｒ、１
３．５６MHZの高周波を２００ｗ、５分間照射。溶剤処
理は熱キシレンに３時間浸漬。アルカリ処理は、０．１
ＮＫＯＨ水溶液に５時間浸漬。紫外線処理は、１００ｗ
の紫外線照射。コロナ処理は１２００ｋHZ、３３ｗ、１
分の低周波コロナ照射。）し、表面を凹凸にしたものを
支持フィルムとする補助配線板片（チップと同サイズ）
に、金バンブの高さが５０μｍの内側電極を形成し、厚
み０．３７５ｍｍ、一辺の長さが１５．０ｍｍの正方形
の信頼評価用半導体チップを３００℃で補助配線板片に
接合し、外郭寸法が厚み０．５５０ｍｍ，一辺の長さ１
７．０ｍｍの樹脂封止を表５に示す組成物（表５におい
て、エポキシ樹脂１はエポキシ当量１８０のビスフェノ
−ルＡ型エポキシ樹脂。エポキシ樹脂２はエポキシ当量
１９５のクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂。無酸水
物はメチルヘキサヒド無水フタル酸。ＰＰＳはポリフェ
ニレンサルファイド。配合量は重量部）で行って、実施
例１’〜２０’並びに比較例１’〜９’（これらの比較
例は、請求項１の発明に包含される）を作成した。これ
らの実施例並びに比較例について、９０度剥離強度（フ
ィルムと封止樹脂との間剥離強度）並びに上記した導電
不良率を測定したところ、表６の通りであった。

【００２５】上記補助配線板片２は図５に示すように多
層構造とすることもできる。図５において、半導体チッ
プ４の一の電極４１とこの電極４２に導通させるべき被
実装回路基板の導体端２１０の対が一の層の引き回し導
体２１に対応され、この引き回し導体２１からその半導
体チップ電極４１に臨む孔２２１が絶縁積層１に設けら
れ、この孔２２１に金属２２２が充填され、その充填金
属２２２の頂上面に金属バンプ２２０が形成され、また
引き回し導体２１からその半導体チップ電極４１とは別
の位置に臨む孔３２１が絶縁積層１に設けられ、この孔
３２１に金属３２２が充填され、その充填金属３２２の
頂上面にスペ−サ−バンプ３２が形成されてている。ま
た、その一の引き回し導体２１からその一の半導体チッ
プ電極４１に導通させるべき被実装回路基板の一の導体
端２１０に臨む孔２３１が絶縁積層１に設けられ、この
孔２３１に金属２３２が充填され、その充填金属２３２
の頂上面に金属バンプ２３３が形成されてその一の引き
回し導体２１に対する外側電極２３が形成されている。
図５において、５は封止用樹脂層を示している。

【００２６】本発明はフィルムキャリア方式により実施
することが生産能率上有利である。図６は図２の（イ）
〜図２の（リ）に示した本発明に係る半導体装置の製造
方法をフィルムキャリア方式により実施する場合に使用
するフィルムキャリアを示している。図６において、１
１及び１２は絶縁フィルムである。Ｐ，…はフィルムキ
ャリアの長手方向に所定の間隔を隔てて設けられた多数
箇の同一パタ−ンの配線群であり、半導体チップ一箇に
対し一箇の配線パタ−ンが対応しており、各配線パタ−
ンは絶縁層１１，１２に挾まれた引き回し導体２１と内
側電極２２と外側電極２３とスペ−サ−バンプ３２とか
らなり、内側電極２２は絶縁層１１及び封止用樹脂層３
に引き回し導体２１から半導体チップの電極側に臨んで
穿設された孔２２１とこの孔２２１に充填された金属２
２２とこの孔２２１から突出して形成された金属バンプ
２２０とにより構成され、外側電極２３は絶縁層１２に
穿設された孔２３１とこの孔２３１に充填された金属２
３２とにより構成され、更に、スペ−サ−バンプ３２に
おいては、絶縁層１１に引き回し導体２１を底面として
穿設した孔３２１の充填金属３２２の頂面に形成されて
いる。

【００２７】図２の（イ）〜図２の（リ）に示した本発
明に係る半導体装置の製造方法をフィルムキャリア方式
により実施するには、図６に示すフィルムキャリアを走
行させ、半導体チップ搭載ステ−ションにおいて半導体
チップを搭載してそのチップの電極を配線パタ−ンの内
側電極に接続し、次いで、フィルムキャリアを半導体チ
ップの周囲で打ち抜き、これをトランスファ−モ−ルド
等により樹脂封止していく。この場合、キャリアフィル
ムに半導体チップの搭載側を凸とする方向に反曲しよう
とする残量応力が作用していても、スペ−サ−バンプの
ために半導体チップと補助配線板片との間に充分に間隙
を保持でき、この間隙を樹脂の流入により確実に封止で
きる。

【００２８】

【発明の効果】本発明によれば、半導体チップの電極に
接続される内側電極と被実装回路板の導体端に接続され
る外側電極とこれらの電極間にまたがる引き回し導体と
からなるプリント配線パタ−ンを有するチップサイズの
補助配線板片を半導体チップの電極側の面にあてがい、
該補助配線板片の内側電極と半導体チップの電極とを接
続する半導体装置に対し、半導体チップと補助配線板片
との間を樹脂で確実に封止でき、信頼性のあるチップサ
イズ半導体装置を能率よく製造することが可能である。

【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【表６】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明において使用する補助配線板付き半導体
チップの一例を示す説明図である。

【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例
を示す説明図である。

【図３】本発明により製造される半導体装置の一例を示
す説明図である。

【図４】本発明により製造される上記とは別の半導体装
置の異なる例を示す説明図である。

【図５】本発明により製造される上記とは別の半導体装
置の一例を示す説明図である。

【図６】本発明に係る半導体装置の製造方法において使
用されるフィルムキャリアの一例を示す説明図である。

【図７】異なる公知のチップサイズのパッケ−ジ半導体
装置を示す説明図である。

【符号の説明】 １１ 絶縁層 １２ 絶縁層 ２ 補助配線板片 ２１ 引き回し導体 ２２１ 孔 ２２２ 内側電極 ２２０ 金属バンプ ２３ 外側電極 ２３１ 孔 ２３２ 充填金属 ３２１ 孔 ３２２ 充填金属 ３２ スペ−サ−バンプ ４ 半導体チップ ４１ 半導体チップの電極 ５ 封止樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 薄井 英之 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 吉尾 信彦 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 伊藤 久貴 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体チップの電極に接続される内側電極
   と被実装回路板の導体端に接続される外側電極とこれら
   の電極に導通された引き回し導体とからなる配線パタ−
   ンを有する補助配線板片の内側電極側と半導体チップの
   電極とを金属バンプを介して接続し、補助配線板片と半
   導体チップとの間に封止樹脂を圧入して半導体装置を製
   造する方法において、補助配線板片と半導体チップとの
   間の間隙を上記の金属バンプ以外にスペ−サ−バンプに
   よっても保持しつつ上記封止樹脂の圧入を行うことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】補助配線板片は引き回し導体を挾む絶縁層
   を有しており、これらの両絶縁層のうち半導体チップ側
   の絶縁層に引き回し導体から半導体チップ対向面の電極
   に臨む孔を設け、この孔に充填した金属により内側電極
   を形成し、該内側電極に金属バンプを形成し、同上半導
   体チップ側の絶縁層に引き回し導体から半導体チップ対
   向面の電極以外の部位に臨む孔を設け、この孔に金属を
   充填し、この充填金属にスペ−サ−バンプを形成する請
   求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】補助配線板片は引き回し導体を挾む絶縁層
   を有しており、これらの両絶縁層のうち半導体チップ側
   の絶縁層に引き回し導体から半導体チップ対向面の電極
   に臨む孔を設け、この孔に充填した金属により内側電極
   を形成し、該内側電極に金属バンプを形成し、同上半導
   体チップ側の絶縁層にスペ−サ−バンプを樹脂により形
   成する請求項１記載の半導体装置の製造方法。