JP3664045B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【発明の背景】
リードフレームのダイパッドの裏面を露出させた形態のパッケージが知られている。このパッケージの製造工程では、ダイパッドを金型に押しつけて樹脂のモールド工程を行う。しかし、ダイパッドと金型との間に樹脂が入り込むため、ダイパッドの裏面にバリが出来ていた。また、このパッケージでは、ダイパッドと樹脂との界面が剥離しやすかった。
【0003】
本発明はこの問題点を解決するためのものであり、その目的は、ダイパッドの裏面が露出する構造でありながら信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係るリードフレームは、外枠とダイパッドとを有するリードフレームであって、
前記ダイパッドの端部には、中央部よりも薄い薄肉部が形成されてなり、
前記薄肉部の一方の面は、前記中央部の一方の面と面一に形成されてなり、
前記ダイパッドは、前記薄肉部及び前記中央部の面一となった前記面が向く方向に前記外枠からシフトしてなる。
【0005】
本発明によれば、ダイパッドの端部には薄肉部が形成されているので封止材が載りやすくなっている。したがって、モールド工程でダイパッドを型に押しつけやすい。そして、ダイパッドと型との間に封止材が入り込まず、バリができにくい。また、ダイパッドの端部に薄肉部を形成することで、ダイパッドの一方の面を露出させて封止材で封止しても、ダイパッドの一方の面から他方の面に至る距離が長くなる。そして、ダイパッドと封止材との界面に剥離が生じても、水分の侵入を抑制することができる。
【0006】
(2)このリードフレームにおいて、
前記ダイパッドは、吊りピンによって前記外枠に連結されてなり、
前記薄肉部は、前記ダイパッドの端部に一部を避けて形成され、
前記吊りピンは、前記ダイパッドにおける前記薄肉部を避けた部分に連結されていてもよい。
【0007】
これによれば、薄肉部を避けて、吊りピンがダイパッドに連結されているので、両者の連結部分の強度が低下することを避けられる。
【0008】
(3)このリードフレームにおいて、
前記ダイパッドの端部に段が形成されることで、前記薄肉部が形成され、
前記段を構成する面のうち、前記ダイパッドの厚み方向に立ち上がる端面は、凹面をなしていてもよい。
【0009】
これによれば、凹面に入り込むように封止材を設けると、凹面と封止材との密着性が向上する。
【0010】
(4)本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、端部に中央部よりも薄い薄肉部が形成されてなるダイパッドと、
前記半導体チップを封止する封止材と、
を有し、
前記ダイパッドの前記薄肉部の一方の面は、前記中央部の一方の面と面一に形成されてなり、
前記封止材は、前記ダイパッドにおける前記薄肉部及び前記中央部の面一となった前記面を露出させて、前記ダイパッドの前記端部を封止する。
【0011】
本発明によれば、ダイパッドの端部に薄肉部が形成されることで、ダイパッドの一方の面から他方の面への距離が長くなり、ダイパッドと封止材との界面に剥離が生じても、水分の侵入を抑えることができる。また、ダイパッドの端部には薄肉部が形成されているので封止材が載りやすくなっている。したがって、モールド工程でダイパッドを型に押しつけやすい。そして、ダイパッドと型との間に封止材が入り込まず、バリができにくい。
【0012】
(5)この半導体装置において、
前記ダイパッドの端部に段が形成されることで、前記薄肉部が形成され、
前記ダイパッドの前記段を構成する面のうち、前記ダイパッドの厚み方向に立ち上がる端面は、凹面をなしていてもよい。
【0013】
これによれば、封止材が凹面に入り込むので、ダイパッドの端部と封止材との密着性が向上する。
【0014】
(6)この半導体装置において、
前記ダイパッドの前記封止材から露出する前記面に、ロウ材が設けられていてもよい。
【0015】
これによれば、ダイパッドの露出した面の保護をロウ材によって図ることができ、ロウ材を使用して他の部材とダイパッドとを接合しやすくなっている。
【0016】
(7)本発明に係る回路基板は、上記半導体装置を備える。
【0017】
(8)本発明に係る回路基板は、上記半導体装置を備え、
前記ロウ材によって前記ダイパッドと接合される放熱部材が設けられてなる。
【0018】
これによれば、半導体チップに生じた熱を、ダイパッドと接合された放熱部材から発散することができる。
【0019】
(9)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。
【0020】
(10)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備え、
前記ロウ材によって前記ダイパッドと接合される放熱部材が設けられてなる。
【0021】
これによれば、半導体チップに生じた熱を、ダイパッドと接合された放熱部材から発散することができる。
【0022】
(11)本発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイパッドに半導体チップが搭載されたリードフレームを型にセットして行うモールド工程を含み、
前記ダイパッドの端部には、中央部よりも薄い薄肉部が形成されてなり、
前記薄肉部の一方の面は、前記中央部の一方の面と面一に形成されてなり、
前記薄肉部に封止材が載ることで、前記ダイパッドを前記型の内面に接触させて前記モールド工程を行う。
【0023】
本発明によれば、ダイパッドの端部には薄肉部が形成されているので封止材が載りやすくなっており、ダイパッドに封止材を載せて型に押しつけることができる。したがって、ダイパッドと型との間に封止材を入り込ませずにモールド工程を行うことができる。こうして、ダイパッド上にバリができないように半導体装置を製造することができる。
【0024】
(12)この半導体装置の製造方法において、
前記モールド工程後に、前記リードフレームに対して行う電解メッキ工程を含み、
前記リードフレームは、外枠と、前記外枠と前記ダイパッドとを連結する吊りピンと、を有し、
前記電解メッキ工程を、前記吊りピンを切断する前に行ってもよい。
【0025】
これによれば、吊りピンを利用して、外枠とダイパッドとの電気的な接続をとって電解メッキを行うことができる。
【0026】
(13)この半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームは、ダムバーによって連結された複数のリードを有し、
前記電解メッキ工程を、前記ダムバーを切断した後に行ってもよい。
【0027】
これによれば、リードにおけるダムバーとの切断面にも電解メッキを施すことができる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
【0029】
(リードフレーム)
図1は、本実施の形態に係るリードフレームを示す図である。図2は、図1のII−II線断面図であり、図3は、図1のIII−III線断面図である。
【0030】
リードフレーム10は、銅系又は鉄系の板材を加工して形成される。その加工方法には、化学的なエッチングや、機械的な打ち抜きが適用される。リードフレーム10は、外枠12を有する。外枠12は、長方形をなしていることが多く、外枠12の形状がリードフレーム10の外形となる。外枠12には、図示しない治具穴を形成し、モールド用の型に設けられたガイドピンを入れられるようにすることが好ましい。これにより、リードフレーム10の型に対する位置決めを簡単に行える。
【0031】
リードフレーム10は、ダイパッド14を有する。ダイパッド14は、半導体チップ30(図4参照)などの電子部品を搭載する部分であり、矩形(特に正方形)をなす場合が多い。本実施の形態では、ダイパッド14の端部には、図2に示すように薄肉部16が形成されている。薄肉部16は、ハーフエッチングによって形成することができる。また、板材を、リードフレーム10の形状に加工するときに、同時にハーフエッチングして薄肉部16を形成してもよい。
【0032】
薄肉部16は、ダイパッド14の中央部18よりも薄い。薄肉部16を形成することで、ダイパッド14の端部に、少なくとも1つの段(図2に示す例では1つの段が示されているが複数の段を形成してもよい。)が形成されている。
【0033】
ダイパッド14の一方の面と他方の面とを接続する面(例えばダイパッド14の端部に形成された段を構成する面)のうち、ダイパッド14の厚み方向に立ち上がる面は、図2に拡大して示すように、凹面をなすことが好ましい。この形状によれば、凹面に封止材が入り込んで、ダイパッド14の端部と封止材42(図4参照)が密着しやすい。
【0034】
薄肉部16の一方の面は、ダイパッド14の中央部18の一方の面と面一になっている。すなわち、ダイパッドの14の端部において、片面からのみ薄くなって薄肉部16が形成されている。ダイパッド14の一方の面(裏面)は、薄肉部16の面及び中央部18の面が面一になって形成されている。
【0035】
ダイパッド14の他方の面(表面)は、中央部18の面と、薄肉部16の面と、両者の面を接続する面(例えば図2に示すようにダイパッド14の厚み方向に立ち上がる面)と、で形成されている。薄肉部16と面一になっていない中央部18の面は、図4に示すように、半導体チップ30の搭載面であり、半導体チップ30よりも大きく設定されている。
【0036】
ダイパッドの14の一方の面(中央部18の面及び薄肉部16の面が面一となって形成された面)は、ダイパッド14の他方の面のうちの中央部18の面よりも大きい。ダイパッド14の一方の面は、全体的に平坦面であることが好ましい。こうすることで、モールド工程で、型40(図4参照)の内面にダイパッド14の一方の面を全体的に接触させることができる。
【0037】
薄肉部16は、ダイパッドの14の端部の全体に形成されていてもよいが、図1に示すように、一部を除いて形成されていてもよい。図1に示す例では、矩形のダイパッド14の角部を除いて、薄肉部16が形成されている。ダイパッド14の角部は、中央部18と同じ厚みとなっている。
【0038】
ダイパッド14は、吊りピン(タイバー又は吊りリード)20によって外枠12と接続されている。吊りピン20は、薄肉部16を避けてダイパッド14と接続されていることが好ましい。こうすることで、ダイパッド14と吊りピン20との接続部の強度の低下を避けることができる。例えば図1に示すように、矩形のダイパッド14の角部を薄肉部16よりも厚く(あるいは中央部18とほぼ同じ厚みで)形成し、この角部が吊りピン20との接続部となっていてもよい。
【0039】
吊りピン20は、図3に示すように屈曲し、ダイパッド14における薄肉部16は、外枠12からシフトしている。詳しくは、ダイパッド14は、薄肉部16及び中央部18の面一となった面が向く方向に、外枠12からシフトしている。また、ダイパッド14は、ダウンセットされている。すなわち、ダイパッド14における外枠12からシフトした方向とは反対側の面が、半導体チップ30の搭載面である。あるいは、ダイパッド14における薄肉部16及び中央部18の面一となった面とは反対側の面が、半導体チップ30の搭載面である。あるいは、ダイパッド14における薄肉部16を形成するために削られた片面が、半導体チップ30の搭載面である。なお、本実施の形態では、図4に示すように、半導体チップ30のパッド(図示せず)よりもリード22の位置が高くなるように、ダイパッド14の位置が設定されている。
【0040】
リードフレーム10は、複数のリード22を有する。リード22は、外枠12からダイパッド14に向けて延びて設けられている。リード22は、詳しくは、インナーリード24及びアウターリード26を含む。インナーリード24は、半導体装置において封止材42(図8参照)で封止される部分であり、アウターリード26は、封止材42から引き出された部分であって外部との電気的な接続に使用される部分である。
【0041】
アウターリード26は、矩形のダイパッド14の各辺に対して直角に、外枠12から延びている。インナーリード24は、アウターリード26から、ダイパッド14の中央部に向けて傾斜して延びている。隣同士のリード22は、ダムバー28によって連結されている。詳しくは、ダムバー28は、隣同士のアウターリード26におけるインナーリード24に近い部分を連結している。
【0042】
本実施の形態のリードフレーム10には、上述した構成の他に、周知のリードフレームの構成が適用されている。
【0043】
(半導体装置の製造方法)
図4〜図7は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【0044】
まず、上述したリードフレーム10を用意し、ダイパッド14に半導体チップ30を固定する(ダイボンディング工程)。例えば、ダイパッド14と半導体チップ30とを接着剤32で接着する。接着剤32として、熱硬化性樹脂を用いてもよいが、熱伝導率の高い材料、例えば金属ペースト(銀ペースト等)を用いてもよい。なお、ダイボンディング工程の前に、図3に示すように、吊りピン20を曲げておいてもよいし、ダイボンディング工程の後に、吊りピン20を曲げてもよい。
【0045】
次に、ワイヤーボンディング工程を行う。例えば、半導体チップ30のパッド(図示せず)とインナーリード24とに、ワイヤ34をボンディングする。この工程には、周知のワイヤボンダーを使用することができる。ただし、本実施の形態では、半導体チップ30のパッドよりもインナーリード24が高い位置に設定されているので、これに対応してワイヤ34のループ高さ等を調整する。
【0046】
次に、モールディング工程を行う。詳しくは、図4に示すように、モールド用の型(例えば金型)40に、半導体チップ30が搭載されたリードフレーム10をセットする。型40は、上型36及び下型38を含む。ダイパッド14が下型38の内面に接触するように、リードフレーム10をセットする。そして、半導体チップ30、ワイヤ34及びインナーリード24を封止材(モールド樹脂)42で封止する。封止材42として、熱硬化性樹脂を用いることが多い。
【0047】
本実施の形態では、ダイパッド14の端部に薄肉部16が形成してある。薄肉部16及び中央部18の面が面一になった側が下型38に接触し、薄く削られた側が封止材42にて封止される。したがって、薄肉部16に封止材42が載りやすいので、ダイパッド14と下型38との間に封止材42が入り込みにくい。その結果、ダイパッド14上にバリができにくい。
【0048】
図5は、封止材42を硬化させて型40から取り出したリードフレーム10を示す図である。なお、図5に示すリードフレーム10は、図1に示すリードフレーム10の裏面から見た状態で示されている。図5に示すように、ダイパッド14の一方の面は封止材42から露出している。この状態で、リード22の表面にバリが発生していれば、バリ取り工程を行う。
【0049】
次に、図6に示すように、第1のトリミング工程を行う。すなわち、リード22を連結しているダムバー28を切断する。ダムバー28を切断しておくことで、次の電解メッキ工程で、ダムバー28の切断面にもメッキを施すことができる。本実施の形態では、この時点では、未だ吊りピン20を切断しない。
【0050】
そして、電解メッキ工程を行う。すなわち、リードフレーム10の封止材42から露出した部分に、ロウ材(例えばハンダ)やスズ等の金属皮膜を形成する。例えば、複数のアウターリード26は、外枠12と連結されており、外枠12を介して電気的に接続されているので電解メッキが可能である。また、ダイパッド14は、吊りピン20によって外枠12と連結されており、吊りピン20を介して電気的に接続されるので電解メッキが可能になっている。こうして、金属皮膜を形成することで、耐食性が向上する。また、ハンダなどのロウ材のメッキを施せば、アウターリード26と配線パターンとの接合や、ダイパッド14と放熱部材54(図8参照)との接合を容易に行うことができる。
【0051】
次に、図7に示すように、第2のトリミング工程を行う。すなわち、アウターリード26を外枠12から切断し、吊りピン20を除去する。続いて、フォーミング工程を行う。すなわち、アウターリード26を回路基板に実装しやすい形態に曲げる。第2のトリミング工程及びフォーミング工程は同時に行ってもよい。
【0052】
そして、必要であれば、マーキング工程を行い、検査工程などを行う。以上の工程を経て半導体装置を製造することができる。
【0053】
(半導体装置・回路基板)
図8は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ30と、ダイパッド14と、封止材42と、を有する。ダイパッド14の一方の面は、封止材42から露出している。
【0054】
本実施の形態では、ダイパッド14の端部に、薄肉部16を形成したことで段が形成され、封止材42からの露出面から半導体チップ30までの距離が長くなっている。したがって、外部からの水分の侵入を抑制し、耐クラック性を向上させることができる。
【0055】
また、ダイパッド14における厚み方向に立ち上がる面が、図2に拡大して示すように凹面をなすので、凹面に封止材が入り込んで、ダイパッド14の端部と封止材42(図4参照)が密着している。したがって、封止材42が収縮して変形しても、ダイパッド14と封止材42との界面に隙間が生じにくいので、クラックが生じにくい。
【0056】
図8において、半導体装置は、回路基板50に実装されている。回路基板50には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板50には例えば銅等からなる配線パターン52が所望の回路となるように形成されていて、配線パターン52と半導体装置のアウターリード26とが接合されている。また、回路基板50には、放熱部材(ヒートスプレッダ)54が設けられており、放熱部材54は、半導体装置のダイパッド14の露出面と接合されている。こうすることで、半導体チップ30に生じた熱を、ダイパッド14を通して放熱部材54から発散させることができる。本実施の形態に係る半導体装置のその他の構成は、上述したリードフレーム10及び半導体装置の製造方法について説明した通りである。
【0057】
そして、本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図9にはノート型パーソナルコンピュータ100、図10には携帯電話200が示されている。
【0058】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、図11に示すように、ダイパッド64の端面を傾斜面とすることで薄肉部を形成してもよい。あるいは、図12に示すように、ダイパッド74の端面を凹面とすることで薄肉部を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明を適用した実施の形態に係るリードフレームを示す図である。
【図2】図2は、図1のII−II線断面図である。
【図3】図3は、図1のIII−III線断面図である。
【図4】図4は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図5】図5は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図6】図6は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図7】図7は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図8】図8は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を搭載する回路基板を示す図である。
【図9】図9は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図10】図10は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図11】図11は、本発明を適用した実施の形態の変形例を示す図である。
【図12】図12は、本発明を適用した実施の形態の変形例を示す図である。
【符号の説明】
10 リードフレーム
12 外枠
14 ダイパッド
16 薄肉部
18 中央部
20 吊りピン
30 半導体チップ
40 型
50 回路基板
54 放熱部材
Claims (1)
- 外枠と、ダイパッドと、前記外枠と前記ダイパッドとを連結する吊りピンと、ダムバーによって連結された複数のリードと、を有し、前記ダイパッドに半導体チップが搭載されたリードフレームを型にセットして行うモールド工程と、
前記ダムバーの切断工程と、
前記モールド工程及び前記ダムバーの切断工程後に、前記吊りピンによって前記外枠と前記ダイパッドを電気的に接続して前記リードフレームに対して行う電解メッキ工程と、
前記電解メッキ後に、前記吊りピンを切断する工程と、
を含み、
前記ダイパッドの端部には、段が形成されることで、中央部よりも薄い薄肉部が形成されてなり、
前記段を構成する面のうち、前記ダイパッドの厚み方向に立ち上がる面は、凹面をなしてなり、
前記薄肉部の一方の面は、前記中央部の一方の面と面一に形成されてなり、
前記ダイパッドは、前記薄肉部及び前記中央部の面一となった前記面が向く方向に前記外枠からシフトしてなり、
前記薄肉部に封止材が載ることで、前記ダイパッドを前記型の内面に接触させて前記モールド工程を行う半導体装置の製造方法。
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