JPH05226545A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH05226545A JPH05226545A JP1272192A JP1272192A JPH05226545A JP H05226545 A JPH05226545 A JP H05226545A JP 1272192 A JP1272192 A JP 1272192A JP 1272192 A JP1272192 A JP 1272192A JP H05226545 A JPH05226545 A JP H05226545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- lead
- resin
- semiconductor device
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂クラック対策を施したリードフレームを得
る。 【構成】タブ１２と接続用リード１４の近接する角部
に、凹み部１８を形成した半導体装置用リードフレーム
である。 【効果】モールド成形後の樹脂厚ｌ1 が大きく取れるた
め、半田付け等の熱ストレスによる樹脂クラックを低減
できる。
る。 【構成】タブ１２と接続用リード１４の近接する角部
に、凹み部１８を形成した半導体装置用リードフレーム
である。 【効果】モールド成形後の樹脂厚ｌ1 が大きく取れるた
め、半田付け等の熱ストレスによる樹脂クラックを低減
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームに関し、特に半導体装置等を搭載して樹脂封止す
る半導体装置用リードフレームに関する。
レームに関し、特に半導体装置等を搭載して樹脂封止す
る半導体装置用リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のかかる半導体装置用リードフレー
ムは、Ｆｅ−Ｎｉ合金あるいはＣｕ合金からなる板材を
プレス加工もしくはエッチング加工により所定の形状と
し、接続用リードの先端部のみを貴金属めっきし、これ
らを樹脂封止した構造になっている。
ムは、Ｆｅ−Ｎｉ合金あるいはＣｕ合金からなる板材を
プレス加工もしくはエッチング加工により所定の形状と
し、接続用リードの先端部のみを貴金属めっきし、これ
らを樹脂封止した構造になっている。
【０００３】図３は、かかる従来のプレス加工によって
作られた一例を示すリードフレームであり、図３（ａ）
は上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ−Ｘ′
縦断面拡大図である。図３に示すように、リードフレー
ム３１は、半導体素子を搭載するためのタブ３２と、こ
のタブ３２を支持するためのタブリード３３と、半導体
素子を電気的に外部に導出するための接続用リード３４
とを有している。この接続用リード３４と、半導体素子
は通常Ａｕ等のワイヤによって接続されるが、Ａｕワイ
ヤと接続用リード３４との接続性を良くするため、一般
に接続用リード３４の先端には、Ａｕ，Ａｇ等の貴金属
めっきが行なわれる。３６は、これら接続用リード３４
の先端に貴金属めっきされた貴金属（Ａｇ）めっき領域
である。
作られた一例を示すリードフレームであり、図３（ａ）
は上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ−Ｘ′
縦断面拡大図である。図３に示すように、リードフレー
ム３１は、半導体素子を搭載するためのタブ３２と、こ
のタブ３２を支持するためのタブリード３３と、半導体
素子を電気的に外部に導出するための接続用リード３４
とを有している。この接続用リード３４と、半導体素子
は通常Ａｕ等のワイヤによって接続されるが、Ａｕワイ
ヤと接続用リード３４との接続性を良くするため、一般
に接続用リード３４の先端には、Ａｕ，Ａｇ等の貴金属
めっきが行なわれる。３６は、これら接続用リード３４
の先端に貴金属めっきされた貴金属（Ａｇ）めっき領域
である。
【０００４】また、タブ３２は、図３（ｂ）に示すごと
く、ダブリード３３の中間を曲げ加工し、接続用リード
３４より低く形成されている。これは搭載する半導体素
子の電極面と接続用リード３４の面とをできる限り同一
平面とし、Ａｕ等のワイヤによるボンディング性を良く
する目的とモールド成形（３７はモールド領域を示す）
後の完成した半導体装置の厚さ方向の外形を小さくする
ために施されている。さらにこうした半導体装置は、軽
薄短小化と共に高集積化が進んでおり、タブ３２の大型
化と共に接続用リード３４の多数化及び完成した半導体
装置の小型化が進んで来ている。
く、ダブリード３３の中間を曲げ加工し、接続用リード
３４より低く形成されている。これは搭載する半導体素
子の電極面と接続用リード３４の面とをできる限り同一
平面とし、Ａｕ等のワイヤによるボンディング性を良く
する目的とモールド成形（３７はモールド領域を示す）
後の完成した半導体装置の厚さ方向の外形を小さくする
ために施されている。さらにこうした半導体装置は、軽
薄短小化と共に高集積化が進んでおり、タブ３２の大型
化と共に接続用リード３４の多数化及び完成した半導体
装置の小型化が進んで来ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
用リードフレームにおいては、プレス加工による抜き方
向は同一面から行なわれており、プレスダレ３８は同一
方向に形成されているためタブ３２と接続用リード３４
間の間隔ｌ3 が大きく取れず、モールド成形した樹脂厚
が小さくなるという欠点を有していた。すなわち、完成
した半導体装置は、実装時の半田付けによる熱ストレス
あるいは、半導体装置が使用される環境下における熱ス
トレスにより、ｌ3 の位置の樹脂クラックが生じやす
く、この樹脂クラックによりＡｕ等のワイヤの切断によ
る電気的オープンが生じやすく、また、電気的オープン
とならなくても、半導体装置の使用環境化において供給
される水分が、搭載した半導体素子の表面に浸入しやす
くなるため素子上の配線電極が腐食し、電気的ショート
又はオープンを生じやすいといった信頼性上の欠点を有
していた。なお、熱ストレスは、搭載する半導体素子，
リードフレーム材質及びモールド成形した樹脂の線膨張
係数の差によるものである。
用リードフレームにおいては、プレス加工による抜き方
向は同一面から行なわれており、プレスダレ３８は同一
方向に形成されているためタブ３２と接続用リード３４
間の間隔ｌ3 が大きく取れず、モールド成形した樹脂厚
が小さくなるという欠点を有していた。すなわち、完成
した半導体装置は、実装時の半田付けによる熱ストレス
あるいは、半導体装置が使用される環境下における熱ス
トレスにより、ｌ3 の位置の樹脂クラックが生じやす
く、この樹脂クラックによりＡｕ等のワイヤの切断によ
る電気的オープンが生じやすく、また、電気的オープン
とならなくても、半導体装置の使用環境化において供給
される水分が、搭載した半導体素子の表面に浸入しやす
くなるため素子上の配線電極が腐食し、電気的ショート
又はオープンを生じやすいといった信頼性上の欠点を有
していた。なお、熱ストレスは、搭載する半導体素子，
リードフレーム材質及びモールド成形した樹脂の線膨張
係数の差によるものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
搭載するタブと、このタブを支持し曲げ加工したタブリ
ードと、搭載する半導体素子を電気的に外部へ導出する
ための接続用リードとを有し、かつこれらを含むように
モールド封止（成形）する半導体装置用リードフレーム
において、タブの外周及び接続用リードのタブ側端部の
近接する角部に凹み部を形成するように構成したことを
特徴とする。
搭載するタブと、このタブを支持し曲げ加工したタブリ
ードと、搭載する半導体素子を電気的に外部へ導出する
ための接続用リードとを有し、かつこれらを含むように
モールド封止（成形）する半導体装置用リードフレーム
において、タブの外周及び接続用リードのタブ側端部の
近接する角部に凹み部を形成するように構成したことを
特徴とする。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１はプレス加工にて形成した本発明の第１の実施
例を示す半導体装置置用リードフレームであり、図１
（ａ）は上面図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）をＸ
−Ｘ′縦断面拡大図を示す。リードフレーム１１は、タ
ブ１２，曲げ加工されたタブリード１３，接続用リード
１４を有し、接続用リード１４の先端のＡｇめっき領域
１６にはＡｇめっきが施こされている。また、タブ１２
と接続用リード１４のプレス抜き方向を逆とし、プレス
ダレ（凹み部）１８が接続用リード１４とタブ１２との
近接する位置に来るように施こしている。このため両者
用の間隔ｌ1 は従来の間隔ｌ3 （図３）より大きくなる
ので樹脂の厚さが厚くなる。したがって、熱ストレスに
よる樹脂クラックを防止できる。
る。図１はプレス加工にて形成した本発明の第１の実施
例を示す半導体装置置用リードフレームであり、図１
（ａ）は上面図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）をＸ
−Ｘ′縦断面拡大図を示す。リードフレーム１１は、タ
ブ１２，曲げ加工されたタブリード１３，接続用リード
１４を有し、接続用リード１４の先端のＡｇめっき領域
１６にはＡｇめっきが施こされている。また、タブ１２
と接続用リード１４のプレス抜き方向を逆とし、プレス
ダレ（凹み部）１８が接続用リード１４とタブ１２との
近接する位置に来るように施こしている。このため両者
用の間隔ｌ1 は従来の間隔ｌ3 （図３）より大きくなる
ので樹脂の厚さが厚くなる。したがって、熱ストレスに
よる樹脂クラックを防止できる。
【０００８】図２は、エッチング法によって形成した本
発明の第２の実施例を示す半導体装置用リードフレーム
の縦断面図である。タブ２２と、接続用リード２４との
近接する角部においてΔｌ，Δｌ′のオーバエッチング
領域（凹み部）２８を形成している。なお、この凹み部
２８の形成は、プレスのコイニング加工によっても得る
ことができる。この実施例においてもタブ２２と接続用
リード２４の間隔ｌ2は従来の間隔ｌ3 （図３）より大
きくなり、この部分における樹脂クラックを防止でき
る。
発明の第２の実施例を示す半導体装置用リードフレーム
の縦断面図である。タブ２２と、接続用リード２４との
近接する角部においてΔｌ，Δｌ′のオーバエッチング
領域（凹み部）２８を形成している。なお、この凹み部
２８の形成は、プレスのコイニング加工によっても得る
ことができる。この実施例においてもタブ２２と接続用
リード２４の間隔ｌ2は従来の間隔ｌ3 （図３）より大
きくなり、この部分における樹脂クラックを防止でき
る。
【０００９】なお、同一形状（外形寸法）のリードフレ
ームにおいて、半田付け（１分浸漬）による樹脂クラッ
クの発生状況を比較すると表１のような結果が得られ
た。なお、数値は試験数１０に対する樹脂クラックの発
生数である。
ームにおいて、半田付け（１分浸漬）による樹脂クラッ
クの発生状況を比較すると表１のような結果が得られ
た。なお、数値は試験数１０に対する樹脂クラックの発
生数である。
【００１０】
【００１１】この表１から本発明のリードフレームによ
れば、樹脂クラックを大幅に低減できることがわかる。
れば、樹脂クラックを大幅に低減できることがわかる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置用リードフレームは、タブと接続用リードの近接する
角部に凹み部を形成したので、タブと接続用リード間の
モールド成形した樹脂の厚さを厚く取ることができる。
したがって、樹脂厚が厚く取れる結果樹脂強度が強くな
り、実装時の半田付けあるいは半導体装置が使用される
環境下の熱ストレスによる樹脂クラックを防止すること
ができ、同時に水の浸入を防止することができる。すわ
わち、本発明によれば、電気的オープン・ショートの少
ない高信頼度の半導体装置を提供することができる。
置用リードフレームは、タブと接続用リードの近接する
角部に凹み部を形成したので、タブと接続用リード間の
モールド成形した樹脂の厚さを厚く取ることができる。
したがって、樹脂厚が厚く取れる結果樹脂強度が強くな
り、実装時の半田付けあるいは半導体装置が使用される
環境下の熱ストレスによる樹脂クラックを防止すること
ができ、同時に水の浸入を防止することができる。すわ
わち、本発明によれば、電気的オープン・ショートの少
ない高信頼度の半導体装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例のリードフレームを示す
図で、（ａ）図は上面図，（ｂ）は（ａ）図のＸＸ′断
面拡大図である。
図で、（ａ）図は上面図，（ｂ）は（ａ）図のＸＸ′断
面拡大図である。
【図２】本発明の第２の実施例のリードフレームを示す
断面図である。
断面図である。
【図３】従来のリードフレームを示す図で、（ａ）図は
上面図，（ｂ）図は（ａ）のＸＸ′断面拡大図である。
上面図，（ｂ）図は（ａ）のＸＸ′断面拡大図である。
１１，３１ リードフレーム １２，２２，３２ タブ １３，２３，３３ タブリード １４，２４，３４ 接続用リード １５，３５ アンカホール １６，３６ Ａｇめっき領域 １７，３７ モールド領域 １８ プレスダレ（凹み部） ２８ オーバエッチング（凹み部） ３８ プレスダレ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するタブと、このタブ
を支持し曲げ加工したタブリードと、搭載する前記半導
体素子を電気的に外部へ導出するための接続用リードと
を有し、かつこれらを含むようにモールド封止する半導
体装置用リードフレームにおいて、前記タブの外周およ
び接続用リードのタブ側端部の近接する角部に凹み部を
形成したことを特徴とする半導体装置用リードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1272192A JPH05226545A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1272192A JPH05226545A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226545A true JPH05226545A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=11813296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1272192A Withdrawn JPH05226545A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226545A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345414A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP1272192A patent/JPH05226545A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345414A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |