JPS607747A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS607747A JPS607747A JP58115521A JP11552183A JPS607747A JP S607747 A JPS607747 A JP S607747A JP 58115521 A JP58115521 A JP 58115521A JP 11552183 A JP11552183 A JP 11552183A JP S607747 A JPS607747 A JP S607747A
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- lead
- point
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- semiconductor device
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L23/49548—Cross section geometry
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置にか力り、とくにこの装
置の内部及び外部リードの構造に関するものである。
置の内部及び外部リードの構造に関するものである。
一般に樹脂封止U半導体装置は第1図ta)で示される
ようにリードフレーム3の中央部3′に素子lを搭載し
金属線2でリード3と素子1會接続し、これを同(切の
ように樹脂4で封止しこの後同図(C)のように外部リ
ード3を折り曲げて製造されるものである。ここで使用
されているJJ−ドフレームは鉄系の合金が多く、半導
体装置を回路基板等に装着ための機械的特性上、硬度の
高いものが多い。
ようにリードフレーム3の中央部3′に素子lを搭載し
金属線2でリード3と素子1會接続し、これを同(切の
ように樹脂4で封止しこの後同図(C)のように外部リ
ード3を折り曲げて製造されるものである。ここで使用
されているJJ−ドフレームは鉄系の合金が多く、半導
体装置を回路基板等に装着ための機械的特性上、硬度の
高いものが多い。
このため外部リードを折り曲げる工程ではかなり強力な
成形機全使用して成形する必要がある。しかしながら強
力な成形機を使用する以上折り曲げられる外部リード及
びこのリードを支える樹脂に大きな機械的応力が加わる
。この応力により外部リードの変形、或は樹脂のカケ、
ワレ、ヒビ等がしばしば発生することがあったつ又、無
理に曲げるため装置の外形寸法にもバラツキが多くなる
ことがある。
成形機全使用して成形する必要がある。しかしながら強
力な成形機を使用する以上折り曲げられる外部リード及
びこのリードを支える樹脂に大きな機械的応力が加わる
。この応力により外部リードの変形、或は樹脂のカケ、
ワレ、ヒビ等がしばしば発生することがあったつ又、無
理に曲げるため装置の外形寸法にもバラツキが多くなる
ことがある。
一方このリード3の折り曲げる部分6のみ金薄くし曲げ
やすくした構造(第2図うもあるがこの構造では曲げた
部分に応力が集中し、成形する際装置と成形機との位置
精度を高くしないかぎりリードの強度が低下してしまう
。
やすくした構造(第2図うもあるがこの構造では曲げた
部分に応力が集中し、成形する際装置と成形機との位置
精度を高くしないかぎりリードの強度が低下してしまう
。
本発明の目的は係る欠点を除去した改良されたリードフ
レーム全提供することにある。
レーム全提供することにある。
本発明は、樹脂内部にあるリードの少なくとも樹脂面よ
り0.2m以上内部から外部リードの折り曲げ完了する
までの部分を好ましくはその厚さを他の部分の厚さの2
/3以下にすることを特徴とする。
り0.2m以上内部から外部リードの折り曲げ完了する
までの部分を好ましくはその厚さを他の部分の厚さの2
/3以下にすることを特徴とする。
以下本発明を実施例に基ずいて説明する。
第3図は本発明の実施例を示す部分断面図である。この
リード7においては、樹脂内部リードの樹脂4の面■よ
す0.2腹内部に八つ几ところから外部リードの曲げ終
わる個所までのリードの部分8をその厚さを2/3にし
たものである。この時樹脂面よ!70.2 amよりよ
り小の範囲をうすくしたのではこの部分の樹脂0部に折
り曲げの際応力が集中し0部がカケ落ちることがある。
リード7においては、樹脂内部リードの樹脂4の面■よ
す0.2腹内部に八つ几ところから外部リードの曲げ終
わる個所までのリードの部分8をその厚さを2/3にし
たものである。この時樹脂面よ!70.2 amよりよ
り小の範囲をうすくしたのではこの部分の樹脂0部に折
り曲げの際応力が集中し0部がカケ落ちることがある。
第3図のようなリード7′f:用いると、外部リードを
折り曲げる時の刀が小さくても可能となり外部リードの
変形は勿論、樹脂にかかる応力も少なくなり樹脂部のカ
ケ、ヒ(等の発生を防げ信頼性全向上することが出来る
。又、樹脂封止型半導体装置の欠点である耐湿性という
面でもリード部での水が浸入可能となる面積も少く、浸
入した水も内部リードの段差の部分で浸入しにくくなり
耐湿性という信頼性をも向上することが出来る。さらに
樹脂内部に段があるためリードの引き抜きに対する強度
も増加する。その上、リード折り曲げの際に強力な成形
機を必要としないためより安価な空気式成形機を使用出
来コストダウンを計ることが出来る。
折り曲げる時の刀が小さくても可能となり外部リードの
変形は勿論、樹脂にかかる応力も少なくなり樹脂部のカ
ケ、ヒ(等の発生を防げ信頼性全向上することが出来る
。又、樹脂封止型半導体装置の欠点である耐湿性という
面でもリード部での水が浸入可能となる面積も少く、浸
入した水も内部リードの段差の部分で浸入しにくくなり
耐湿性という信頼性をも向上することが出来る。さらに
樹脂内部に段があるためリードの引き抜きに対する強度
も増加する。その上、リード折り曲げの際に強力な成形
機を必要としないためより安価な空気式成形機を使用出
来コストダウンを計ることが出来る。
この様にリードの一部金薄くしても装置全基板等に実装
する部分3′は厚いため装置の機械的特性は何ら劣化し
ないことはいうまでもない。
する部分3′は厚いため装置の機械的特性は何ら劣化し
ないことはいうまでもない。
第1図は従来技術の樹脂封止を半導体装置の一般的製造
方法を示す図である。第2図は他の従来技術の構造金示
す図である。第3図は本発明の実施例を示す図であり(
a)は断面図(b)は長さの規定の意味を説明する図で
ある。 尚、各図において、1・・・・・・半導体素子、2・・
・・・・金属細線、3.7・・・・・・リード、3′・
・・・・・リードの素子搭載部、4・・・・・・樹脂、
6.8・・・・・・リードが薄くなった部分である。 準l 辺 第2図 (bλ
方法を示す図である。第2図は他の従来技術の構造金示
す図である。第3図は本発明の実施例を示す図であり(
a)は断面図(b)は長さの規定の意味を説明する図で
ある。 尚、各図において、1・・・・・・半導体素子、2・・
・・・・金属細線、3.7・・・・・・リード、3′・
・・・・・リードの素子搭載部、4・・・・・・樹脂、
6.8・・・・・・リードが薄くなった部分である。 準l 辺 第2図 (bλ
Claims (1)
- 樹脂対IE観半導体装置の外部接続リードにおいて、樹
脂の外壁より0.2 am以上樹脂内部に入った範囲の
部分と該樹脂の外壁から外側のリード折り曲げ部を越え
る個所までの部分の厚さが他の部分に比較して薄くなっ
ていることを特徴する樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58115521A JPS607747A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58115521A JPS607747A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607747A true JPS607747A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14664581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58115521A Pending JPS607747A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607747A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261145A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-03-01 | Peruujia:Kk | 飾り紐 |
US5619065A (en) * | 1991-09-11 | 1997-04-08 | Gold Star Electron Co., Ltd. | Semiconductor package and method for assembling the same |
WO2012165568A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 株式会社Neomaxマテリアル | 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115521A patent/JPS607747A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261145A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-03-01 | Peruujia:Kk | 飾り紐 |
US5619065A (en) * | 1991-09-11 | 1997-04-08 | Gold Star Electron Co., Ltd. | Semiconductor package and method for assembling the same |
WO2012165568A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 株式会社Neomaxマテリアル | 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール |
JPWO2012165568A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2015-02-23 | 株式会社Neomaxマテリアル | 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール |
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