JPWO2012165568A1 - 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール - Google Patents
発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012165568A1 JPWO2012165568A1 JP2013518170A JP2013518170A JPWO2012165568A1 JP WO2012165568 A1 JPWO2012165568 A1 JP WO2012165568A1 JP 2013518170 A JP2013518170 A JP 2013518170A JP 2013518170 A JP2013518170 A JP 2013518170A JP WO2012165568 A1 JPWO2012165568 A1 JP WO2012165568A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- base material
- material layer
- emitting element
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 214
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 182
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 32
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 76
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 60
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 description 1
- FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M silver;silver;sulfanide Chemical compound [SH-].[Ag].[Ag+] FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
光反射層での光の反射量が減少することに起因して発光モジュールの光量が低下することを抑制することが可能な発光素子用基板を提供する。この発光素子用基板（１）では、基材層（１１）は、光反射層（１２）と接合可能な接合領域（１３）を有しており、光反射層は、基材層の接合領域の全部または一部に対して圧接接合されている。
Description
この発明は、発光素子用基板、基板用材料および発光モジュールに関し、特に、光反射層が設けられた発光素子用基板、その発光素子用基板となる部分を含む基板用材料およびその発光素子用基板を備える発光モジュールに関する。
従来、光反射層が設けられた発光素子用基板を含む発光モジュールが知られている。このような光反射層が設けられた発光素子用基板を含む発光モジュールは、たとえば、特開２００８−１０５９１号公報に開示されている。
特開２００８−１０５９１号公報には、セラミックスからなる基板と、基板の表面上に配置されたＬＥＤチップとを備えるＬＥＤ装置が開示されている。このＬＥＤ装置の基板では、Ｃｕからなる配線パターンが、ＬＥＤチップ側の表面から側面を通ってＬＥＤチップとは反対側の表面までを覆うように形成されている。また、配線パターンのＬＥＤチップ側の表面上には、光を反射するためのＡｇメッキ（光反射層）が形成されているとともに、Ａｇメッキの表面上には、空気中の硫黄成分を透過しにくい薄膜コートが形成されている。この薄膜コートにより、Ａｇメッキの表面に光を反射しにくくする黒色の硫化銀（Ａｇ２Ｓ）が形成されるのが抑制されている。
しかしながら、特開２００８−１０５９１号公報に開示されたＬＥＤ装置では、空気中の硫黄成分を透過しにくい薄膜コートを用いている場合であっても、Ａｇメッキが用いられている以上、ＬＥＤ装置の長期間の使用によって、Ａｇメッキの表面に光を反射しにくい硫化銀が形成されると考えられる。このため、Ａｇメッキ（光反射層）での光の反射量が減少することに起因してＬＥＤ装置の光量が低下するという問題点があると考えられる。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、光反射層での光の反射量が減少することに起因して発光モジュールの光量が低下することを抑制することが可能な発光素子用基板、その発光素子用基板となる部分を含む基板用材料およびその発光素子用基板を備える発光モジュールを提供することである。
この発明の第１の局面による発光素子用基板は、発光素子が表面に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層とを備え、基材層は、光反射層と接合可能な接合領域を有しており、光反射層は、基材層の接合領域の全部または一部に対して圧接接合されている。
この発明の第１の局面による発光素子用基板では、上記のように、発光素子が表面に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層を有することによって、ＡｌまたはＡｌ合金は空気中の硫黄と略反応しないので、Ａｇ２Ｓなどが光反射層に付着物として形成されない。これにより、ＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層での光の反射量が減少することを抑制することができるので、発光素子用基板を用いた発光モジュールにおいて光量が低下することを抑制することができる。また、光反射層が基材層の接合領域の全部または一部に対して圧接接合されていることによって、製造プロセス上、一様の厚みに形成されにくいメッキ処理によって光反射層が形成される場合と異なり、光反射層にＡｌまたはＡｌ合金が配置されていない穴部（ピンホール）が形成されることを抑制することができる。これにより、ピンホールに起因して光反射層での光の反射量が減少することを抑制することができる。
また、第１の局面による発光素子用基板では、上記のように、熱伝導率の高いＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層を有することによって、発光素子が生ずる熱を容易に基材層を介して放熱させることができるので、発熱に起因して発光素子の発光特性が劣化することを抑制することができる。
上記第１の局面による発光素子用基板において、好ましくは、光反射層は、基材層の少なくとも一部に設けられている接合領域に形成されている。このように構成すれば、基材層の少なくとも一部に設けられている接合領域において、発光素子用基板を用いた発光モジュールにおいて光量が低下することを抑制することができるとともに、ピンホールに起因して光反射層での光の反射量が減少することを抑制することができる。
上記第１の局面による発光素子用基板において、好ましくは、基材層は、接合領域から張り出すように、接合領域の光反射層と基材層との合計の厚み以下の厚みを有する部分が設けられた張出部をさらに有する。このように構成すれば、発光素子用基板を張出部において容易に所定の形状に変形させることができる。また、発光素子が配置される光反射層の厚みと基材層の厚みとの合計の厚みを張出部の厚み以上にすることによって、厚みの大きい接合領域により、発光素子からの熱を放熱させやすくすることができる。
上記基材層が張出部を有する発光素子用基板において、好ましくは、張出部は、少なくとも曲げ加工される領域に形成されている。このように構成すれば、容易に変形させることが可能な張出部において、容易に曲げ加工することができる。
上記基材層が張出部を有する発光素子用基板において、好ましくは、基材層の接合領域と張出部との間に段差部が形成されている。このように構成すれば、段差部を境として、容易に、大きい厚みの接合領域と、曲げ加工などを施しやすい小さい厚みの部分を有する張出部とを発光素子用基板に形成することができる。
上記基材層が張出部を有する発光素子用基板において、好ましくは、基材層の張出部における表面の少なくとも一部には、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料を含むメッキ層が形成されている。このように構成すれば、メッキ層を介して、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層と半田とを容易に接続することができるので、メッキ層を介して、基材層と発光素子を制御する基板などとを半田によって容易に接続することができる。
この場合、好ましくは、クラッド構造を有する発光素子用基板本体は、発光素子が配置される側とは反対側から発光素子用基板本体を支持する基台の上面、側面および下面を覆うように折り曲げられており、メッキ層は、基台の下面を覆う発光素子用基板本体の下部と、基台の側面を覆う発光素子用基板本体の側部とに設けられている。このように構成すれば、基台の下面だけでなく基台の側面にもメッキ層が位置するので、基台の下面だけでなく基台の側面にも配置された半田によって、基台と発光素子を制御する基板などとを接続することができる。これにより、基台を基板などに確実に固定することができる。
上記基材層が張出部を有する発光素子用基板において、好ましくは、基材層の接合領域の厚みは、基材層の張出部の厚みよりも大きい。このように構成すれば、張出部をより所定の形状に変形させやすくすることができる。
上記第１の局面による発光素子用基板において、好ましくは、基材層の接合領域の厚みは、光反射層の厚みよりも大きい。このように構成すれば、一般的にＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層は、ＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層と比べて熱伝導率が大きいので、基材層の接合領域の厚みが光反射層の厚みよりも小さい場合と比べて、接合領域において発光素子からの熱を放熱させやすくすることができる。
この場合、好ましくは、基材層の接合領域の厚みは、光反射層の厚みの１０倍以上である。このように構成すれば、光反射層の厚みに対してより大きい厚みを有する接合領域によりさらに発光素子からの熱を放熱させやすくすることができる。
上記基材層の接合領域の厚みが光反射層の厚みの１０倍以上である発光素子用基板において、好ましくは、基材層の接合領域の厚みは、０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、光反射層の厚みは、１μｍ以上５０μｍ以下である。このように構成すれば、光を確実に反射可能な厚みを有するように光反射層を形成しつつ、接合領域によりさらに発光素子からの熱を放熱させやすくすることができる。
上記光反射層の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下である発光素子用基板において、好ましくは、光反射層の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下である。このように構成すれば、光反射層の厚みが十分に小さいことにより、光反射層よりも放熱性に優れた基材層に熱を迅速に伝達することができる。
上記第１の局面による発光素子用基板において、好ましくは、光反射層が接合される接合領域は、少なくとも発光素子を囲むように形成されたリフレクタに囲まれる領域に形成されている。このように構成すれば、リフレクタとリフレクタに囲まれる領域に形成された光反射層とにより発光素子からの光を十分に反射することができるので、発光素子用基板を用いた発光モジュールにおいて光量が低下することをより抑制することができる。
上記段差部が形成されている発光素子用基板において、好ましくは、クラッド構造を有する発光素子用基板本体は、発光素子が配置される側とは反対側から発光素子用基板本体を支持する基台の上面、側面および下面を覆うように折り曲げられており、段差部は、基材層の発光素子が配置される側の表面に形成されているとともに、基材層の発光素子が配置される側とは反対側の表面は、略平坦面状に形成されている。このように構成すれば、基材層の発光素子が配置される側とは反対側の表面が略平坦面状に形成されていることにより、容易に、発光素子用基板本体を、基台の上面、側面および下面に密着させることができるので、発光素子が生ずる熱を基台に伝達しやすくすることができる。
上記第１の局面による発光素子用基板において、好ましくは、光反射層は、基材層に埋め込まれており、基材層に埋め込まれた光反射層の表面と、接合領域の周囲に位置する基材層の表面とは、略平坦面状に接続されている。このように構成すれば、発光素子が生ずる熱を、光反射層の側面からも基材層に伝えることができる。これにより、発光素子が生ずる熱を、基材層を介してより効果的に放熱させることができる。
この発明の第２の局面による基板用材料は、複数の発光素子用基板となる部分を含む基板用材料であって、複数の発光素子用基板の各々は、発光素子が表面に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層とを備え、基材層は、光反射層と接合可能な接合領域を有しており、光反射層は、基材層の接合領域の全部または一部に対して圧接接合されており、複数の発光素子用基板となる部分は、各々分離可能に構成されている。
この発明の第２の局面による基板用材料では、上記のように、複数の発光素子用基板の各々が、発光素子が表面に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層を有することによって、ＡｌまたはＡｌ合金は空気中の硫黄と略反応しないので、Ａｇ２Ｓなどが光反射層に付着物として形成されない。これにより、ＡｌまたはＡｌ合金からなる一方表面での光の反射量が減少することを抑制することができるので、発光素子用基板を用いた発光モジュールにおいて光量が低下することを抑制することができる。また、光反射層が基材層の接合領域の全部または一部に対して圧接接合されていることによって、製造プロセス上、一様の厚みに形成されにくいメッキ処理によって光反射層が形成される場合と異なり、光反射層にＡｌまたはＡｌ合金が配置されていない穴部（ピンホール）が形成されることを抑制することができる。これにより、ピンホールに起因して光反射層での光の反射量が減少することを抑制することができる。
また、第２の局面による基板用材料では、上記のように、複数の発光素子用基板の各々が、熱伝導率の高いＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層を有することによって、発光素子が生ずる熱を容易に基材層を介して放熱させることができるので、発熱に起因して発光素子の発光特性が劣化することを抑制することができる。また、複数の発光素子用基板となる部分を、各々分離可能に構成することによって、複数の発光素子用基板を１つの基板用材料から容易に製造することができる。
この発明の第３の局面による発光モジュールは、発光素子と、発光素子が表面に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層とを含み、基材層は、光反射層と接合可能な接合領域を有しており、光反射層は、基材層の接合領域の全部または一部に対して圧接接合されている発光素子用基板と、基材層の光反射層とは反対側が表面に沿うように配置される基台とを備える。
この発明の第３の局面による発光モジュールでは、上記のように、発光素子用基板が、発光素子が表面に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層を有することによって、ＡｌまたはＡｌ合金は空気中の硫黄と略反応しないので、Ａｇ２Ｓなどが光反射層に付着物として形成されない。これにより、ＡｌまたはＡｌ合金からなる一方表面での光の反射量が減少することを抑制することができるので、発光モジュールにおいて光量が低下することを抑制することができる。また、発光素子用基板において、光反射層が基材層の接合領域の全部または一部に対して圧接接合されていることによって、製造プロセス上、一様の厚みに形成されにくいメッキ処理によって光反射層が形成される場合と異なり、光反射層にＡｌまたはＡｌ合金が配置されていない穴部（ピンホール）が形成されることを抑制することができる。これにより、ピンホールに起因して光反射層での光の反射量が減少することを抑制することができる。
また、第３の局面による発光モジュールでは、上記のように、発光素子用基板が、熱伝導率の高いＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層を有することによって、発光素子が生ずる熱を容易に基材層を介して放熱させることができるので、発熱に起因して発光素子の発光特性が劣化することを抑制することができる。
上記第３の局面による発光モジュールにおいて、好ましくは、光反射層は、基材層の少なくとも一部に設けられている接合領域に形成されている。このように構成すれば、基材層の少なくとも一部に設けられている接合領域において、光量が低下することを抑制することができるとともに、ピンホールに起因して光反射層での光の反射量が減少することを抑制することができる。
上記第３の局面による発光モジュールにおいて、好ましくは、基材層は、少なくとも曲げ加工される領域に形成され、接合領域から張り出すように、接合領域の光反射層と基材層との合計の厚み以下の厚みを有する部分が設けられた張出部をさらに有し、基材層の張出部は、基台の側面および下面を覆うように曲げ加工された状態で基台に配置されている。このように構成すれば、発光素子用基板を張出部において容易に所定の形状に変形させることができる。また、接合領域の光反射層と基材層との合計の厚みを張出部の厚み以上にすることによって、厚みの大きい接合領域により、発光素子からの熱を放熱させやすくすることができる。また、張出部を基台の側面および下面を覆うように配置することによって、基材層と基台との接触面積を大きくすることができるので、基材層の熱を基台により伝えることができる。
この場合、好ましくは、基材層の接合領域と張出部との間に段差部が形成されている。このように構成すれば、段差部を境として、容易に、大きい厚みの接合領域と、曲げ加工などを施しやすい小さい厚みの部分を有する張出部とを発光素子用基板に形成することができる。
本発明によれば、上記のように、光反射層での光の反射量が減少することに起因して発光モジュールの光量が低下することを抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
まず、図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態によるＬＥＤモジュール１００の構造について説明する。なお、ＬＥＤモジュール１００は、本発明の「発光モジュール」の一例である。
まず、図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態によるＬＥＤモジュール１００の構造について説明する。なお、ＬＥＤモジュール１００は、本発明の「発光モジュール」の一例である。
本発明の第１実施形態によるＬＥＤモジュール１００は、図１および図２に示すように、プリント基板１０２のＣｕ配線１０２ａおよび１０２ｂが延びる方向（Ｘ方向）の一方側（Ｘ１側）が、半田１０１ａを介してＣｕ配線１０２ａに接続されているとともに、他方側（Ｘ２側）が、半田１０１ｂを介してＣｕ配線１０２ｂに接続されている。これにより、プリント基板１０２に別途接続された制御部（図示せず）により、ＬＥＤモジュール１００のＬＥＤ素子２の発光が制御されるように構成されている。
また、ＬＥＤモジュール１００は、Ｘ１側とＸ２側とに分かれた放熱基板１と、放熱基板１のＸ１側の後述する上面１２ａ上に固定されたＬＥＤ素子２と、放熱基板１に覆われた基台３（図２参照）とを含んでいる。なお、基台３は、上面３ａ（Ｚ１側の面）と、長手方向（Ｘ方向）の両側面３ｂと、下面３ｃ（Ｚ２側の面）の一部とが放熱基板１に覆われている。なお、放熱基板１は、本発明の「発光素子用基板」および「発光素子用基板本体」の一例であり、ＬＥＤ素子２は、本発明の「発光素子」の一例である。
放熱基板１は、基台３の上面３ａ側（Ｚ１側）で、かつ、Ｘ方向の中央部よりもＸ２側に形成された切り欠き部１０ａと、基台３の下面３ｃ側（Ｚ２側）で、かつ、Ｘ方向の中央部およびその周辺に形成された切り欠き部１０ｂ（図２参照）とによって、Ｘ１側とＸ２側とに分かれるように構成されている。また、切り欠き部１０ａおよび１０ｂは、共にＹ方向に延びるように形成されている。
ＬＥＤ素子２は、図２に示すように、上面（Ｚ１側の面）側から、主に上方（Ｚ１側）に向かって光を照射するように構成されている。なお、ＬＥＤ素子２から照射される光の一部は、放熱基板１側（Ｚ２側）や後述するリフレクタ６側（側方側）に照射される。
基台３は、絶縁性を有するとともに、光を反射可能な白色のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる。また、基台３は、放熱基板１の切り欠き部１０ａおよび１０ｂの内部にも形成されている。これにより、放熱基板１のＸ１側とＸ２側との絶縁が確保されている。さらに、切り欠き部１０ａの内部に配置された基台３によって、ＬＥＤ素子２から下方（Ｚ２側）の切り欠き部１０ａに照射された光を、上方（Ｚ１側）に向かって反射することが可能である。
また、ＬＥＤ素子２は、放熱基板１のＸ１側の上面１２ａに、絶縁性樹脂からなる接着部材４を介して接着されている。また、ＬＥＤ素子２の上面側に形成された図示しない一対の電極は、Ａｕワイヤ５ａおよび５ｂを介して、放熱基板１のＸ１側およびＸ２側にそれぞれ電気的に接続されている。
また、図１および図２に示すように、放熱基板１の上面１２ａ上には、ＬＥＤ素子２を囲うようにリフレクタ６が配置されている。このリフレクタ６は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなるとともに、下方（Ｚ２側）から上方（Ｚ１側）に向かって開口が大きくなるように構成されている。これにより、リフレクタ６は、ＬＥＤ素子２から側方側に照射された光を、上方（Ｚ１方向）に向かって反射することが可能なように構成されている。また、リフレクタ６と放熱基板１とによって形成される空間には、ＬＥＤ素子２とＡｕワイヤ５ａおよび５ｂとを覆うように、透明なシリコン樹脂からなる封止樹脂７が配置されている。
ここで、第１実施形態では、放熱基板１は、図２に示すように、Ｃｕからなる基材層１１と、Ａｌからなる光反射層１２とが互いに圧延接合されたクラッド構造を有するクラッド材からなる。基材層１１は、基台３の上面３ａ（Ｚ１側の面）と、長手方向（Ｘ方向）の両側面３ｂと、下面３ｃ（Ｚ２側の面）の一部とを内表面１１ａが覆うように配置されている。光反射層１２は、基材層１１の外表面１１ｂ上の一部の接合領域１３に配置されている。また、光反射層１２は、接合領域１３のうちの切り欠き部１０ａを除く領域に圧接接合されている。つまり、光反射層１２は、基材層１１の接合領域１３の一部に配置されている。また、光反射層１２では、上面１２ａ（Ｚ１側の面）上にＬＥＤ素子２が接着されているとともに、下面１２ｂ（Ｚ２側の面）に基材層１１が接合されている。
また、Ａｌからなる光反射層１２では、上面１２ａ（Ｚ１側の面）上には、非常に薄い厚みを有するＡｌ２Ｏ３からなる酸化被膜（図示せず）が形成されている。この酸化被膜によって、光反射層１２が空気中の硫黄などと反応するのが抑制されている。
また、第１実施形態では、図３に示すように、基材層１１と光反射層１２とが接合された領域である接合領域１３における、放熱基板１の厚みｔ１は、接合領域１３以外の領域からなる薄板部１４の厚みｔ２よりも大きい。なお、薄板部１４は、基材層１１のみから構成されている。具体的には、一対の薄板部１４は、接合領域１３をＸ方向に挟み込むように形成されている。また、基材層１１のＬＥＤ素子２側の外表面１１ｂで、かつ、接合領域１３と一対の薄板部１４との境には、段差部１５ａおよび１５ｂが形成されている。ここで、段差部１５ａは、Ｘ１側の薄板部１４と接合領域１３との境に形成されているとともに、段差部１５ｂは、Ｘ２側の薄板部１４と接合領域１３との境に形成されている。そして、一対の薄板部１４は、接合領域１３のＸ１側の段差部１５ａからＸ１側に張り出すように形成されているとともに、接合領域１３のＸ２側の段差部１５ｂからＸ２側に張り出すように形成されている。なお、薄板部１４は、本発明の「張出部」の一例である。
また、放熱基板１では、段差部１５ａを境にして、接合領域１３側（Ｘ２側）の高さ位置（Ｚ方向の位置）が薄板部１４側（Ｘ１側）の高さ位置よりも高くなるように構成されている。同様に、放熱基板１では、段差部１５ｂを境にして、接合領域１３側（Ｘ１側）の高さ位置が薄板部１４側（Ｘ２側）の高さ位置よりも高くなるように構成されている。一方、図２に示すように、基材層１１の基台３側の内表面１１ａには、段差部が形成されておらず略平坦面状に形成されている。これにより、図３に示すように、接合領域１３の厚みｔ１は薄板部１４の厚みｔ２よりも大きくなるように構成されている。
ここで、薄板部１４の厚みｔ２は、約０．１ｍｍである。また、接合領域１３において、光反射層１２の厚みｔ３は、約１０μｍであり、基材層１１の厚みｔ４は、約０．４９ｍｍである。つまり、基材層１１の厚みｔ４（約０．４９ｍｍ）は、薄板部１４の厚みｔ２（約０．１ｍｍ）および光反射層１２の厚みｔ３（約１０μｍ）よりも大きい。より詳細には、接合領域１３における基材層１１は、薄板部１４の約４．９倍の厚みを有するとともに、光反射層１２の約４９倍の厚みを有している。なお、光反射層１２の厚みｔ３と基材層１１の厚みｔ４とを合計した接合領域１３の厚みｔ１は、約０．５ｍｍ（＝約０．４９ｍｍ＋約１０μｍ）になる。
また、光反射層１２（接合領域１３）は、図１に示すように、Ｙ方向の一方側（Ｙ１側）の端部から、Ｙ方向の他方側（Ｙ２側）の端部まで延びるように形成されている。また、光反射層１２は、切り欠き部１０ａを除く領域で、かつ、少なくともリフレクタ６に囲まれる領域に形成されている。これにより、光反射層１２によって、ＬＥＤ素子２から下方（Ｚ２側、図２参照）に照射された光を、上方（Ｚ１側、図２参照）に向かって反射することが可能である。なお、接合領域１３において、基材層１１と光反射層１２とは、Ｙ方向に約５ｍｍの幅Ｗ１を有するとともに、Ｘ方向に約５ｍｍの長さＬ１を有している。
また、基材層１１は、無酸素銅、タフピッチ銅およびリン脱酸銅などの純度約９９．９％以上のＣｕからなる。光反射層１２は、ＪＩＳ１１００、ＪＩＳ１０５０、ＪＩＳ１０７０、ＪＩＳ１０８０およびＪＩＳ１０６０などの純度約９９％以上のＡｌからなり、光を反射することが可能なように構成されている。ここで、Ｃｕからなる基材層１１の熱伝導率（約４００Ｗ／（ｍ×ｋ））は、Ａｌからなる光反射層１２の熱伝導率（約２４０Ｗ／（ｍ×ｋ））よりも大きい。また、Ｃｕからなる基材層１１の導電率（約６０×１０６／（Ω×ｍ））は、Ａｌからなる光反射層１２の導電率（約３５×１０６／（Ω×ｍ））よりも大きい。つまり、基材層１１は、光反射層１２よりも、熱を受け取りやすく、放熱しやすい材料からなるとともに、導電性の高い材料からなる。
また、図２に示すように、放熱基板１の薄板部１４は、基台３を覆うように構成されている。具体的には、放熱基板１の薄板部１４において、基台３の上面３ａとＸ方向の両側面３ｂとの境界と、基台３の下面３ｃとＸ方向の両側面３ｂとの境界とが略直角に曲げ加工されることによって、薄板部１４が基台３の上面３ａの端部近傍と、Ｘ方向の両側面３ｂと、基台３の下面３ｃの一部とを覆っている。なお、放熱基板１は、曲げ加工されていない状態において、Ｘ方向に約２０ｍｍの長さを有している。
また、放熱基板１の薄板部１４の表面上（基材層１１の外表面１１ｂ上）には、メッキ層１６が形成されている。このメッキ層１６は、少なくとも半田１０１ａおよび１０１ｂが配置される領域に形成されているとともに、基材層１１を構成するＣｕよりも濡れ性が良好な材料からなる。具体的には、メッキ層１６は、放熱基板１において、基台３の側面３ｂに対応する領域のＺ２側の一部の外表面１１ｂ上と、基台３の下面３ｃに対応する領域の外表面１１ｂ上とに形成されている。つまり、メッキ層１６は、放熱基板１の側部の一部と放熱基板１の下部とに形成されている。これにより、ＬＥＤ素子２から放熱基板１に伝えられた熱の一部は、半田１０１ａおよび１０１ｂを介して、プリント基板１０２側に伝えられるように構成されている。
また、メッキ層１６は、図４に示すように、Ｃｕからなる基材層１１の外表面１１ｂに近い側から、Ｎｉ層１６ａ、Ｐｄ層１６ｂおよびＡｕ層１６ｃが順に積層した構造を有している。ここで、Ａｕ層１６ｃは、基材層１１（Ｃｕ）よりも半田１０１ａおよび１０１ｂに対する濡れ性が良好である。また、Ｎｉ層１６ａの厚みｔ５は、約０．５μｍ以上約１．５μｍ以下である。また、Ｐｄ層１６ｂの厚みｔ６は、約０．０２μｍ以上約０．０６μｍ以下である。また、Ａｕ層１６ｃの厚みｔ７は、約０．００１μｍ以上約０．００５μｍ以下である。
次に、図１〜図７を参照して、本発明の第１実施形態によるＬＥＤモジュール１００の製造プロセスについて説明する。
まず、所定の方向（Ｘ方向）に約６０ｍｍの長さを有し、Ｘ方向と直交するＹ方向に延びるＣｕからなるＣｕ板と、Ｘ方向に約６０ｍｍの長さを有し、Ｙ方向に延びるＡｌからなるＡｌ板とを準備する。なお、Ｃｕ板の厚みは、Ａｌ板の厚みの約４９倍の大きさである。そして、Ｃｕ板の表面上の略全面にＡｌ板を配置した状態で、Ｃｕ板とＡｌ板とを圧延（圧延接合）する。その後、Ｃｕ板とＡｌ板とを拡散焼鈍することによって、図５に示すように、Ｃｕからなる基材層１１の外表面１１ｂ上の略全面に、Ａｌからなる光反射層１２が接合されたクラッド構造が形成されることにより、クラッド材からなる放熱基板用材料２００が形成される。なお、放熱基板用材料２００は、本発明の「基板用材料」の一例である。
そして、接合領域１３に対応する領域を除いて、放熱基板用材料２００をＺ１側から厚み方向（Ｚ方向）に機械的に切削する。これにより、図６に示すように、接合領域１３を挟み込むように、接合領域１３のＸ１側に段差部１５ａが形成されるとともに、接合領域１３のＸ２側に段差部１５ｂが形成される。また、段差部１５ａのＸ１側および段差部１５ｂのＸ２側に、接合領域１３の厚みｔ１（図３参照）よりも小さい厚みｔ２（図３参照）を有する薄板部１４が形成される。これにより、放熱基板用材料２００には、基材層１１と光反射層１２とが接合された接合領域１３と、基材層１１のみからなる薄板部１４とがＸ方向に交互に配置される。この結果、放熱基板１に対応する部分が、Ｘ方向およびＹ方向に複数並ぶように形成される。
その後、メッキ処理によって、薄板部１４の表面上（基材層１１の外表面１１ｂ上）の所定の位置に、Ｎｉ層１６ａ、Ｐｄ層１６ｂおよびＡｕ層１６ｃ（図４参照）をこの順に積層してメッキ層１６を形成する。
そして、図７に示すように、プレス加工によって、放熱基板用材料２００の各々の接合領域１３に、Ｙ方向に延びる切り欠き部１０ａを形成する。その後、インサート成形により、放熱基板用材料２００の放熱基板１に対応する部分の各々に、基台３およびリフレクタ６を形成する。それと同時に、基台３の上面３ａとＸ方向の両側面３ｂとの境界と、基台３の下面３ｃとＸ方向の両側面３ｂとの境界とを略直角に曲げ加工することによって、薄板部１４が基台３を覆うように曲げ加工する。
具体的には、切断線２００ａ（図６参照）に沿うように、放熱基板用材料２００をＹ方向に沿って切断する。そして、切断線２００ａのＸ１側に位置する薄板部１４が、切断線２００ａのＸ１側の基台３に曲げ加工されるとともに、切断線２００ａのＸ２側に位置する薄板部１４が、切断線２００ａのＸ２側の基台３に曲げ加工される。これにより、放熱基板用材料２００は、個々の放熱基板１に対応する部分がＸ方向に互いに分離した状態に形成される。また、放熱基板１に対応する部分の各々のＹ方向の間に、放熱基板１に対応する部分の各々をＹ方向に分離可能とするための接続部分２０１を形成する。
その後、放熱基板１にＬＥＤ素子２を実装する。そして、超音波溶接によって、ＬＥＤ素子２の上面側に形成された図示しない一対の電極とＡｕワイヤ５ａの一方端およびＡｕワイヤ５ｂの一方端とをそれぞれ接続する。また、超音波溶接によって、放熱基板１の光反射層１２のＸ１側およびＸ２側とＡｕワイヤ５ａの他方端およびＡｕワイヤ５ｂの他方端とをそれぞれ接続する。この際、Ｃｕからなる基材層１１にＡｕワイヤ５ａおよび５ｂを溶接した場合、Ｃｕが大気中の酸素と反応することに起因して、基材層１１におけるＡｕワイヤ５ａおよび５ｂとの溶接部分に脆弱な酸化物が形成されてしまう。このため、放熱基板１とＡｕワイヤ５ａおよび５ｂとの接合が弱くなる。一方、第１実施形態では、上記のように、Ａｌからなる光反射層１２にＡｕワイヤ５ａおよび５ｂを溶接すると、光反射層１２の酸化被膜のうちの溶接部分の酸化被膜のみが剥がれて、Ａｕワイヤ５ａおよび５ｂと光反射層１２の露出したＡｌとが直接接合される。これにより、放熱基板１とＡｕワイヤ５ａおよび５ｂとの接合を強固にすることが可能である。
そして、ＬＥＤ素子２とＡｕワイヤ５ａおよび５ｂとを覆うように、リフレクタ６と放熱基板１とによって形成される空間に封止樹脂７を配置して固化させる。これにより、ＬＥＤモジュール１００が形成された部分が複数設けられた、放熱基板用材料２００が形成される。
そして、複数のＬＥＤモジュール１００を接続部分２０１において切り離す。これにより、個々の放熱基板１に対応する部分が、Ｘ方向だけでなくＹ方向にも互いに分離した状態になることによって、複数のＬＥＤモジュール１００が形成される。最後に、Ｃｕ配線１０２ａおよび１０２ｂが形成されたプリント基板１０２に、半田１０１ａおよび１０１ｂを用いて、ＬＥＤモジュール１００を接続する。これにより、図１および図２に示すプリント基板１０２に接続されたＬＥＤモジュール１００が製造される。
第１実施形態では、上記のように、放熱基板１が、上面１２ａ上にＬＥＤ素子２が接着されているとともに、Ａｌからなる光反射層１２を備えることによって、表面に薄い酸化被膜（図示せず）が形成されたＡｌは空気中の硫黄と略反応しないので、Ａｇ２Ｓなどが付着物として形成されない。これにより、Ａｌからなる光反射層１２での光の反射量が減少することを抑制することができるので、ＬＥＤモジュール１００において光量が低下することを抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、放熱基板１が、Ｃｕからなる基材層１１と、Ａｌからなる光反射層１２とが基材層１１の接合領域１３の一部で互いに圧延接合されていることによって、製造プロセス上、メッキ処理によって光反射層１２が形成される場合と異なり、光反射層１２にＡｌが配置されていない穴部（ピンホール）が形成されることを抑制することができる。これにより、ピンホールに起因して光反射層１２での光の反射量が減少することを抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、放熱基板１に熱伝導率の高いＣｕからなる基材層１１を用いることによって、ＬＥＤ素子２が生ずる熱を容易に基材層１１を介して放熱させることができるので、発熱に起因してＬＥＤ素子２の発光特性が劣化することを抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、基材層１１と光反射層１２とが接合された領域である接合領域１３における、放熱基板１の厚みｔ１を、基材層１１のみを有し、接合領域１３以外の領域からなる薄板部１４の厚みｔ２よりも大きくすることによって、放熱基板１を薄板部１４において容易に基台３を覆うように曲げ加工することができる。また、厚みｔ１の大きい接合領域１３により、ＬＥＤ素子２からの熱を放熱基板１により伝えることができる。
また、第１実施形態では、上記のように、放熱基板１の薄板部１４において、基台３の上面３ａとＸ方向の両側面３ｂとの境界と、基台３の下面３ｃとＸ方向の両側面３ｂとの境界とを略直角に曲げ加工することによって、容易に変形させることが可能な薄板部１４において、容易に曲げ加工することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、Ｘ１側の薄板部１４と接合領域１３との境に段差部１５ａを形成するとともに、Ｘ２側の薄板部１４と接合領域１３との境に段差部１５ｂを形成することによって、段差部１５ａおよび１５ｂを境として、容易に、大きい厚みｔ１の接合領域１３と、曲げ加工を施しやすい小さい厚みｔ２の薄板部１４とを放熱基板１に形成することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、少なくとも半田１０１ａおよび１０１ｂが配置される領域に形成されているとともに、基材層１１（Ｃｕ）よりも濡れ性が良好な材料（Ａｕ）を含むメッキ層１６を形成することによって、メッキ層１６を介して、Ｃｕからなる基材層１１と半田１０１ａおよび１０１ｂとを容易に接続することができるので、メッキ層１６を介して、基材層１１とプリント基板１０２とを半田１０１ａおよび１０１ｂによって容易に接続することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、基材層１１の厚みｔ４（約０．４９ｍｍ）を薄板部１４の厚みｔ２（約０．１ｍｍ）よりも大きくなるように形成することによって、薄板部１４をより基台３を覆うように曲げ加工しやくすることができるとともに、基材層１１の接合領域１３によりＬＥＤ素子２からの熱を放熱させやすくすることができる。
また、第１実施形態では、上記のように、光反射層１２の厚みｔ３を約１０μｍにするとともに、基材層１１の厚みｔ４を約０．４９ｍｍにすることによって、光を確実に反射可能な約１０μｍの厚みｔ３を有するように光反射層１２を形成しつつ、光反射層１２の厚みｔ３に対してより大きい約０．４９ｍｍの厚みｔ４を有する接合領域１３においてさらにＬＥＤ素子２からの熱を放熱させやすくすることができる。
また、第１実施形態では、上記のように、放熱基板用材料２００を、放熱基板１に対応する部分がＸ方向に互いに分離した状態に形成するとともに、放熱基板１に対応する部分の各々のＹ方向の間に、放熱基板１に対応する部分を各々Ｙ方向に分離可能とするための接続部分２０１を形成することによって、複数の放熱基板１を１つの放熱基板用材料２００から容易に製造することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、放熱基板１の薄板部１４において、基台３の上面３ａとＸ方向の両側面３ｂとの境界と、基台３の下面３ｃとＸ方向の両側面３ｂとの境界とが略直角に曲げ加工されることにより、薄板部１４が基台３の上面３ａの端部近傍と、Ｘ方向の両側面３ｂと、基台３の下面３ｃの一部とを覆うように曲げ加工することによって、基材層１１と基台３との接触面積を大きくすることができるので、基材層１１の熱を基台３により伝えることができる。
また、第１実施形態では、上記のように、メッキ層１６を、放熱基板１の側部の一部と放熱基板１の下部とに形成することによって、基台３の下面３ｃだけでなく基台３の側面３ｂにもメッキ層１６が位置するので、基台３の下面３ｃだけでなく基台３の側面３ｂにも配置された半田１０１ａおよび１０１ｂによって、基台３とＬＥＤ素子２を制御するプリント基板１０２とを接続することができる。これにより、基台３をプリント基板１０２に確実に固定することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、光反射層１２を、少なくともリフレクタ６に囲まれる領域に形成することによって、リフレクタ６とリフレクタ６に囲まれる領域に形成された光反射層１２とによりＬＥＤ素子２からの光を十分に反射することができるので、放熱基板１を用いたＬＥＤモジュール１００において光量が低下することをより抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、基材層１１の基台３側の内表面１１ａを略平坦面状に形成することによって、容易に、基台３の上面３ａ、側面３ｂおよび下面３ｃに密着させることができるので、ＬＥＤ素子２が生ずる熱を基台３に伝達しやすくすることができる。
（第２実施形態）
次に、図８および図９を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、ＬＥＤモジュール３００の放熱基板３０１における基材層３１１に形成された溝部３１１ｃに、光反射層３１２が埋め込まれている場合について説明する。なお、ＬＥＤモジュール３００は、本発明の「発光モジュール」の一例であり、放熱基板３０１は、本発明の「発光素子用基板」および「発光素子用基板本体」の一例である。
次に、図８および図９を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、ＬＥＤモジュール３００の放熱基板３０１における基材層３１１に形成された溝部３１１ｃに、光反射層３１２が埋め込まれている場合について説明する。なお、ＬＥＤモジュール３００は、本発明の「発光モジュール」の一例であり、放熱基板３０１は、本発明の「発光素子用基板」および「発光素子用基板本体」の一例である。
本発明の第２実施形態では、図８に示すように、ＬＥＤモジュール３００の放熱基板３０１における基材層３１１には、溝部３１１ｃが形成されている。この溝部３１１ｃは、基台３の上面３ａに対応する外表面３１１ｂ上の中央部およびその周辺に、Ｘ方向に約３ｍｍの長さＬ２を有している。
また、溝部３１１ｃに光反射層３１２が埋め込まれた状態で、基材層３１１と光反射層３１２とが互いに圧延接合されている。つまり、放熱基板３０１は、クラッド構造を有するクラッド材からなる。また、光反射層３１２では、上面３１２ａ上にＬＥＤ素子２が接着されているとともに、下面３１２ｂに基材層３１１が接合されている。また、溝部３１１ｃに埋め込まれていることによって、光反射層３１２は、Ｘ方向に約３ｍｍの長さＬ２を有している。
また、基材層３１１と光反射層３１２とが接合された領域である接合領域３１３のＸ方向の両端部には、それぞれ、基材層３１１のみからなる周辺部３１６ａおよび３１６ｂが形成されている。周辺部３１６ａは、接合領域３１３のＸ１側の端部からＸ１側に張り出すように形成されているとともに、周辺部３１６ｂは、接合領域３１３のＸ２側の端部からＸ２側に張り出すように形成されている。また、接合領域３１３の厚み、周辺部３１６ａの厚みおよび周辺部３１６ｂの厚みは、共に略同一になるように構成されている。なお、周辺部３１６ａおよび３１６ｂは、本発明の「張出部」の一例である。
また、基材層３１１のＬＥＤ素子２側の外表面３１１ｂで、かつ、周辺部３１６ａのＸ１側および周辺部３１６ｂのＸ２側には、それぞれ、段差部３１５ａおよび３１５ｂが形成されている。また、段差部３１５ａの接合領域３１３とは反対側、および、段差部３１５ｂの接合領域３１３とは反対側には、薄板部３１４がそれぞれ形成されている。ここで、接合領域３１３、周辺部３１６ａおよび３１６ｂから構成される厚板部の厚みは、接合領域３１３、周辺部３１６ａおよび３１６ｂ以外の領域からなる薄板部３１４の厚みよりも大きい。また、接合領域３１３、周辺部３１６ａおよび周辺部３１６ｂから構成される厚板部は、Ｘ方向に約５ｍｍの長さＬ３を有している。なお、薄板部３１４は、本発明の「張出部」の一例である。
また、第２実施形態では、光反射層３１２が溝部３１１ｃに埋め込まれることによって、接合領域３１３における光反射層３１２の上面３１２ａと、接合領域３１３周辺の領域における基材層３１１の外表面３１１ｂとは、略平坦面状に接続されている。これにより、光反射層３１２のＸ方向の両側面は、溝部３１１ｃの内側面に当接するように構成されている。
また、光反射層３１２は、切り欠き部１０ａを除く領域で、かつ、少なくともリフレクタ６に囲まれる領域に形成されている。また、光反射層３１２は、基材層３１１の接合領域３１３の一部に配置されている。なお、本発明の第２実施形態のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
次に、図９を参照して、本発明の第２実施形態によるＬＥＤモジュール３００の製造プロセスについて説明する。
まず、所定の方向（Ｘ方向）に約６０ｍｍの長さを有し、Ｘ方向と直交するＹ方向に延びるＣｕからなるＣｕ板を準備する。そして、Ｃｕ板に、Ｘ方向に所定の長さを有する溝部３１１ｃ（図９参照）をＹ方向に延びるように、Ｘ方向に等間隔を隔てて形成する。また、Ｘ方向に溝部３１１ｃとの略同一の幅を有し、Ｙ方向に延びるＡｌからなるＡｌ板を準備する。そして、Ｃｕ板のＹ方向に延びる複数の溝部３１１ｃの各々にＡｌ板を配置した状態で、Ｃｕ板とＡｌ板とを圧延（圧延接合）する。その後、Ｃｕ板とＡｌ板とを拡散焼鈍することによって、図９に示すように、Ｃｕからなる基材層３１１と、Ａｌからなる複数の光反射層３１２とが接合領域３１３において接合されたクラッド構造が形成されることにより、クラッド材からなる放熱基板用材料４００が形成される。この際、溝部３１１ｃおよび溝部３１１ｃに埋め込まれた光反射層３１２のＸ方向の長さＬ２は、約３ｍｍになる。なお、放熱基板用材料４００は、本発明の「基板用材料」の一例である。
そして、接合領域３１３と周辺部３１６ａおよび３１６ｂとを除く領域を圧延ロールによって圧延する。これにより、接合領域３１３と周辺部３１６ａおよび３１６ｂとを挟み込むように、段差部３１５ａおよび３１５ｂが形成されるとともに、接合領域３１３、周辺部３１６ａおよび３１６ｂから構成される厚板部と薄板部３１４とがＸ方向に交互に配置される。この結果、放熱基板３０１（図８参照）に対応する部分が、Ｘ方向およびＹ方向に複数並ぶように形成される。なお、本発明の第２実施形態のその他の製造プロセスは、上記第１実施形態と同様である。
第２実施形態では、上記のように、放熱基材３０１が、上面３１２ａ上にＬＥＤ素子２が接着されているとともに、Ａｌからなる光反射層３１２を備えることによって、Ａｌからなる光反射層３１２での光の反射量が減少することを抑制することができる。また、放熱基材３０１が、Ａｌからなる光反射層３１２と、Ｃｕからなる基材層３１１とが互いに圧延接合されたクラッド構造を有するクラッド材からなることによって、ピンホールに起因して光反射層３１２での光の反射量が減少することを抑制することができる。また、放熱基材３０１に熱伝導率の高いＣｕからなる基材層３１１を用いることによって、発熱に起因してＬＥＤ素子２の発光特性が劣化することを抑制することができる。
また、第２実施形態では、上記のように、光反射層３１２が溝部３１１ｃに埋め込まれることによって、接合領域３１３における光反射層３１２の上面３１２ａと、接合領域３１３周辺の領域における基材層３１１の外表面３１１ｂとが、略平坦面状に接続されるように構成することによって、ＬＥＤ素子２が生ずる熱を、光反射層３１２の下面３１２ｂからだけでなく、光反射層３１２のＸ方向の両側面からも基材層３１１に伝えることができる。これにより、ＬＥＤ素子２が生ずる熱を、基材層３１１を介してより効果的に放熱させることができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
（第２実施形態の変形例）
次に、図８、図１０および図１１を参照して、本発明の第２実施形態の変形例について説明する。この第２実施形態の変形例では、上記第２実施形態とは異なり、放熱基板用材料５００において、放熱基板３０１に対応する部分が、Ｙ方向にのみ複数並ぶように形成される場合について説明する。なお、本発明の第２実施形態の変形例におけるＬＥＤモジュール３００の構造（図８参照）は、上記第２実施形態と同様である。なお、放熱基板用材料５００は、本発明の「基板用材料」の一例である。
次に、図８、図１０および図１１を参照して、本発明の第２実施形態の変形例について説明する。この第２実施形態の変形例では、上記第２実施形態とは異なり、放熱基板用材料５００において、放熱基板３０１に対応する部分が、Ｙ方向にのみ複数並ぶように形成される場合について説明する。なお、本発明の第２実施形態の変形例におけるＬＥＤモジュール３００の構造（図８参照）は、上記第２実施形態と同様である。なお、放熱基板用材料５００は、本発明の「基板用材料」の一例である。
本発明の第２実施形態の変形例におけるＬＥＤモジュール３００の製造方法では、まず、所定の方向（Ｘ方向）に約１０ｍｍの長さを有し、Ｘ方向と直交するＹ方向に延びるＣｕからなるＣｕ板を準備する。そして、Ｃｕ板のＸ方向の略中央部に、Ｘ方向に所定の長さを有する溝部３１１ｃ（図１０参照）をＹ方向に延びるように形成する。また、Ｘ方向に溝部３１１ｃとの略同一の幅を有し、Ｙ方向に延びるＡｌからなるＡｌ板を準備する。そして、Ｃｕ板のＹ方向に延びる溝部３１１ｃにＡｌ板を配置した状態で、Ｃｕ板とＡｌ板とを圧延（圧延接合）する。その後、Ｃｕ板とＡｌ板とを拡散焼鈍することによって、図１０に示すように、Ｃｕからなる基材層３１１と、Ａｌからなる光反射層３１２とが接合領域３１３において接合されたクラッド構造が形成されることにより、クラッド材からなる放熱基板用材料５００が形成される。
そして、切断線５００ａに沿うように、放熱基板用材料５００をＸ方向に沿って切断する。これにより、図１１に示すように、複数の放熱基板３０１が形成される。この後、個々の放熱基板３０１の接合領域３１３と周辺部３１６ａおよび３１６ｂとを除く領域をコイニングする。これにより、接合領域３１３と周辺部３１６ａおよび３１６ｂとを挟み込むように、段差部３１５ａおよび３１５ｂが形成されるとともに、接合領域３１３、周辺部３１６ａおよび３１６ｂから構成される厚板部と薄板部３１４とが形成される。
そして、図８に示すように、メッキ処理によって、薄板部３１４の所定の位置にメッキ層１６を形成するとともに、プレス加工によって、放熱基板３０１に切り欠き部１０ａを形成する。その後、インサート成形により、基台３およびリフレクタ６を形成するとともに、薄板部３１４を基台３に沿うように曲げ加工する。その後、放熱基板３０１にＬＥＤ素子２を実装するとともに、Ａｕワイヤ５ａおよび５ｂを接続する。そして、封止樹脂７を配置することによって、１つのＬＥＤモジュール３００が形成される。最後に、プリント基板１０２に、半田１０１ａおよび１０１ｂを用いて、ＬＥＤモジュール３００を接続する。これにより、図８に示すプリント基板１０２に接続されたＬＥＤモジュール３００が製造される。
なお、第２実施形態の変形例のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第１および第２実施形態では、光反射層１２（３１２）を、基材層１１（３１１）の外表面１１ｂ（３１１ｂ）上の接合領域１３（３１３）の一部に配置した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、光反射層１２（３１２）を、基材層１１（３１１）の外表面１１ｂ（３１１ｂ）上の全面に配置してもよい。また、光反射層１２（３１２）を、基材層１１（３１１）の接合領域１３（３１３）の全部に配置してもよい。
また、上記第１および第２実施形態では、基材層１１（３１１）が純度約９９．９％以上のＣｕからなるとともに、光反射層１２（３１２）が純度約９９％以上のＡｌからなる例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、基材層１１（３１１）を、Ｃｕ−２．３０Ｆｅ−０．１０Ｚｎ―０．０３ＰからなるＣ１９４００（ＣＤＡ規格）などの、Ｃｕの純度が約９９．９％以下のＣｕ合金からなるように構成してもよい。また、光反射層１２（３１２）を、Ａｌの純度が約９９％以下のＡｌ合金からなるように構成してもよい。
また、上記第１実施形態では、基材層１１と光反射層１２とが接合される接合領域１３の厚みｔ１を、薄板部１４の厚みｔ２よりも大きくした例を示すとともに、上記第２実施形態では、基材層３１１と光反射層３１２とが接合される接合領域３１３を含む厚板部の厚みを、薄板部３１４の厚みよりも大きくした例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、放熱基板１（３０１）の全体の厚みを略同一の厚みにしてもよい。これにより、厚みを異ならせるための加工を放熱基板１（３０１）に対して行う必要がないので、製造工程を簡略化することが可能である。この際、放熱基板１（３０１）は曲げ加工されなくてもよい。
また、上記第１実施形態では、薄板部１４の厚みｔ２を約０．１ｍｍにした例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、薄板部１４の厚みｔ２は約０．１ｍｍでなくてもよい。なお、薄板部１４の厚みｔ２は、約０．０５ｍｍ以上約０．５ｍｍ以下であるとともに、基材層１１の接合領域１３の厚みｔ１よりも小さいことが好ましい。
また、上記第１実施形態では、光反射層１２の厚みｔ３を約１０μｍにするとともに、基材層１１の厚みｔ４を約０．４９ｍｍにした例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、光反射層１２の厚みｔ３は約１０μｍでなくてもよいし、基材層１１の厚みｔ４は約０．４９ｍｍでなくてもよい。なお、光反射層１２の厚みｔ３は、約１μｍ以上約５０μｍ以下であるのが好ましく、約１μｍ以上約１０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、光反射層１２の厚みｔ３が十分に小さいことにより、光反射層１２よりも放熱性に優れた基材層１１に熱を迅速に伝達することが可能である。また、基材層１１の厚みｔ４は、約０．１ｍｍ以上約３ｍｍ以下であるのが好ましい。さらに、基材層１１の厚みｔ４は、光反射層１２の厚みｔ３の１０倍以上であるのが好ましい。
また、上記第１実施形態では、接合領域１３において、基材層１１と光反射層１２とが、Ｙ方向に約５ｍｍの幅Ｗ１を有するとともに、Ｘ方向に約５ｍｍの長さＬ１を有するように形成した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、接合領域１３において、基材層１１と光反射層１２とが、Ｙ方向に約２ｍｍ以上約５ｍｍ以下の幅Ｗ１を有するように形成してもよいし、Ｘ方向に約５ｍｍ以上１０ｍｍ以下の長さＬ１を有するように形成してもよい。
また、上記第２実施形態では、光反射層３１２を、Ｘ方向に約３ｍｍの長さＬ２を有するように形成した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、反射層３１２を、Ｘ方向に約２ｍｍ以上約３ｍｍ以下の長さＬ２を有するように形成してもよい。
また、上記第２実施形態では、光反射層３１２が溝部３１１ｃに埋め込まれることによって、接合領域３１３における光反射層３１２の上面３１２ａと、接合領域３１３周辺の領域における基材層３１１の外表面３１１ｂとを、略平坦面状に接続した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、光反射層３１２の上面３１２ａと、基材層３１１の外表面３１１ｂとが段差によって接続されていてもよい。この際、光反射層３１２の上面３１２ａが基材層３１１の外表面３１１ｂよりも下方に位置するほうが、光反射層３１２のＸ方向の両側面の全面から基材層３１１に熱を伝えることが可能であるので好ましい。
また、上記第１および第２実施形態では、基台３およびリフレクタ６がアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、基台３およびリフレクタ６が窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるように構成してもよい。
また、上記第２実施形態では、Ｃｕ板のＹ方向に延びる複数の溝部３１１ｃの各々に、溝部３１１ｃとの略同一の幅を有するＡｌ板を配置した状態で、Ｃｕ板とＡｌ板とを圧延して放熱基板用材４００を形成した例を示すとともに、上記第２実施形態の変形例では、Ｃｕ板のＹ方向に延びる溝部３１１ｃに、溝部３１１ｃとの略同一の幅を有するＡｌ板を配置した状態で、Ｃｕ板とＡｌ板とを圧延して放熱基板用材５００を形成した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、溝が形成されていないＣｕ板の表面上の略全面にＡｌ板を配置した状態で、Ｃｕ板とＡｌ板とを圧延することによって、Ｃｕからなる基材層の外表面上の略全面にＡｌからなる光反射層が接合されたクラッド材を形成する。その後、基材層の外表面上の略全面に接合された光反射層のうち、ＬＥＤ素子の周辺を除く領域の光反射層を機械的または化学的に除去することによって、上記第２実施形態および上記第２実施形態の変形例の放熱基板用材４００（５００）を形成してもよい。
また、上記第１および第２実施形態では、ＬＥＤ素子２を有するＬＥＤモジュール１００（３００）に放熱基板１（３０１）を用いた例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、レーザ光を出射するレーザ素子モジュールに放熱基板１（３０１）を用いてもよい。
１、３０１ 放熱基板（発光素子用基板、発光素子用基板本体）
２ ＬＥＤ素子（発光素子）
３ 基台
３ａ 上面
３ｂ 側面
３ｃ 下面
６ リフレクタ
１１、３１１ 基材層
１２、３１２ 光反射層
１３、３１３ 接合領域
１４、３１４ 薄板部（張出部）
１５ａ、１５ｂ、３１５ａ、３１５ｂ 段差部
１６ メッキ層
１００、３００ ＬＥＤモジュール（発光モジュール）
３１６ａ、３１６ｂ 周辺部（張出部）
２００、４００、５００ 放熱基板用材料（基板用材料）
２ ＬＥＤ素子（発光素子）
３ 基台
３ａ 上面
３ｂ 側面
３ｃ 下面
６ リフレクタ
１１、３１１ 基材層
１２、３１２ 光反射層
１３、３１３ 接合領域
１４、３１４ 薄板部（張出部）
１５ａ、１５ｂ、３１５ａ、３１５ｂ 段差部
１６ メッキ層
１００、３００ ＬＥＤモジュール（発光モジュール）
３１６ａ、３１６ｂ 周辺部（張出部）
２００、４００、５００ 放熱基板用材料（基板用材料）
Claims (20)
- 発光素子（２）が表面（１２ａ）に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層（１２）と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層（１１）とを備え、
前記基材層は、前記光反射層と接合可能な接合領域（１３）を有しており、
前記光反射層は、前記基材層の前記接合領域の全部または一部に対して圧接接合されている、発光素子用基板（１）。 - 前記光反射層は、前記基材層の少なくとも一部に設けられている前記接合領域に形成されている、請求項１に記載の発光素子用基板。
- 前記基材層は、前記接合領域から張り出すように、前記接合領域の前記光反射層と前記基材層との合計の厚み以下の厚みを有する部分が設けられた張出部（１４）をさらに有する、請求項１に記載の発光素子用基板。
- 前記張出部は、少なくとも曲げ加工される領域に形成されている、請求項３に記載の発光素子用基板。
- 前記基材層の前記接合領域と前記張出部との間に段差部（１５ａ）が形成されている、請求項３に記載の発光素子用基板。
- 前記基材層の前記張出部における表面の少なくとも一部には、ＣｕまたはＣｕ合金からなる前記基材層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料を含むメッキ層（１６）が形成されている、請求項３に記載の発光素子用基板。
- 前記クラッド構造を有する発光素子用基板本体（１）は、前記発光素子が配置される側とは反対側から前記発光素子用基板本体を支持する基台（３）の上面（３ａ）、側面（３ｂ）および下面（３ｃ）を覆うように折り曲げられており、
前記メッキ層は、前記基台の下面を覆う前記発光素子用基板本体の下部と、前記基台の側面を覆う前記発光素子用基板本体の側部とに設けられている、請求項６に記載の発光素子用基板。 - 前記基材層の前記接合領域の厚みは、前記基材層の前記張出部の厚みよりも大きい、請求項３に記載の発光素子用基板。
- 前記基材層の前記接合領域の厚みは、前記光反射層の厚みよりも大きい、請求項１に記載の発光素子用基板。
- 前記基材層の前記接合領域の厚みは、前記光反射層の厚みの１０倍以上である、請求項９に記載の発光素子用基板。
- 前記基材層の前記接合領域の厚みは、０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、前記光反射層の厚みは、１μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１０に記載の発光素子用基板。
- 前記光反射層の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１１に記載の発光素子用基板。
- 前記光反射層が接合される前記接合領域は、少なくとも前記発光素子を囲むように形成されたリフレクタ（６）に囲まれる領域に形成されている、請求項１に記載の発光素子用基板。
- 前記クラッド構造を有する発光素子用基板本体は、前記発光素子が配置される側とは反対側から前記発光素子用基板本体を支持する基台の上面、側面および下面を覆うように折り曲げられており、
前記段差部は、前記基材層の前記発光素子が配置される側の前記表面に形成されているとともに、前記基材層の前記発光素子が配置される側とは反対側の表面（１２ｂ）は、略平坦面状に形成されている、請求項５に記載の発光素子用基板。 - 前記光反射層（３１２）は、前記基材層（３１１）に埋め込まれており、
前記基材層に埋め込まれた前記光反射層の前記表面（３１２ａ）と、前記接合領域（３１３）の周囲に位置する前記基材層の表面（３１１ｂ）とは、略平坦面状に接続されている、請求項１に記載の発光素子用基板（３０１）。 - 複数の発光素子用基板（１）となる部分を含む基板用材料（２００）であって、
前記複数の発光素子用基板の各々は、発光素子（２）が表面（１２ａ）に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層（１２）と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層（１１）とを備え、前記基材層は、前記光反射層と接合可能な接合領域（１３）を有しており、前記光反射層は、前記基材層の前記接合領域の全部または一部に対して圧接接合されており、
前記複数の発光素子用基板となる部分は、各々分離可能に構成されている、基板用材料。 - 発光素子（２）と、
前記発光素子が表面（１２ａ）に配置されるＡｌまたはＡｌ合金からなる光反射層（１２）と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材層（１１）とを含み、前記基材層は、前記光反射層と接合可能な接合領域（１３）を有しており、前記光反射層は、前記基材層の前記接合領域の全部または一部に対して圧接接合されている発光素子用基板（１）と、
前記基材層の前記光反射層とは反対側が表面（３ａ）に沿うように配置される基台（３）とを備える、発光モジュール（１００）。 - 前記光反射層は、前記基材層の少なくとも一部に設けられている前記接合領域に形成されている、請求項１７に記載の発光モジュール。
- 前記基材層は、少なくとも曲げ加工される領域に形成され、前記接合領域から張り出すように、前記接合領域の前記光反射層と前記基材層との合計の厚み以下の厚みを有する部分が設けられた張出部（１４）をさらに有し、
前記基材層の張出部は、前記基台の側面（３ｂ）および下面（３ｃ）を覆うように曲げ加工された状態で前記基台に配置されている、請求項１７に記載の発光モジュール。 - 前記基材層の前記接合領域と前記張出部との間に段差部（１５ａ）が形成されている、請求項１９に記載の発光モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011124350 | 2011-06-02 | ||
| JP2011124350 | 2011-06-02 | ||
| PCT/JP2012/064134 WO2012165568A1 (ja) | 2011-06-02 | 2012-05-31 | 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2012165568A1 true JPWO2012165568A1 (ja) | 2015-02-23 |
| JP6040938B2 JP6040938B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=47259420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013518170A Active JP6040938B2 (ja) | 2011-06-02 | 2012-05-31 | 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6040938B2 (ja) |
| KR (1) | KR101869126B1 (ja) |
| CN (1) | CN103563109A (ja) |
| TW (1) | TW201310709A (ja) |
| WO (1) | WO2012165568A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107706271A (zh) * | 2016-08-08 | 2018-02-16 | 深圳市斯迈得半导体有限公司 | 一种新型结构的led光源的制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607747A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2005197329A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造 |
| JP2008042064A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック配線基板とそれを用いた光学デバイス装置、パッケージおよびセラミック配線基板の製造方法 |
| JP2010192606A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5233087B2 (ja) | 2006-06-28 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法、パッケージ、発光素子実装用の基板 |
-
2012
- 2012-05-31 WO PCT/JP2012/064134 patent/WO2012165568A1/ja active Application Filing
- 2012-05-31 KR KR1020137030141A patent/KR101869126B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-31 JP JP2013518170A patent/JP6040938B2/ja active Active
- 2012-05-31 CN CN201280026054.4A patent/CN103563109A/zh active Pending
- 2012-06-01 TW TW101119738A patent/TW201310709A/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607747A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2005197329A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造 |
| JP2008042064A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック配線基板とそれを用いた光学デバイス装置、パッケージおよびセラミック配線基板の製造方法 |
| JP2010192606A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012165568A1 (ja) | 2012-12-06 |
| KR20140024383A (ko) | 2014-02-28 |
| TW201310709A (zh) | 2013-03-01 |
| JP6040938B2 (ja) | 2016-12-07 |
| KR101869126B1 (ko) | 2018-06-19 |
| CN103563109A (zh) | 2014-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10636945B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device including metal patterns and cut-out section | |
| TWI675497B (zh) | 發光裝置封裝及搭載發光裝置之封裝 | |
| US8124998B2 (en) | Light emitting device package | |
| US20160365492A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP2018160677A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPWO2006030671A1 (ja) | Ｌｅｄ装置 | |
| JP2011139059A (ja) | 発光モジュール及びその製造方法 | |
| JP2012195430A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| US20130215584A1 (en) | Laminate with integrated electronic component | |
| JP2012174703A (ja) | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 | |
| JP2015050303A (ja) | 発光装置 | |
| US8941139B2 (en) | Light-emitting element mounting package, light-emitting element package, and method of manufacturing the same | |
| JP5057371B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP6040938B2 (ja) | 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール | |
| JP4831958B2 (ja) | 表面実装型ｌｅｄ | |
| JP5183965B2 (ja) | 照明装置の製造方法 | |
| KR101161408B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| JP6064415B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6369580B2 (ja) | 支持体及びそれを用いた発光装置 | |
| JP5881501B2 (ja) | 発光素子用基板および発光モジュール | |
| JP2007208061A (ja) | 半導体発光素子，その製造方法，半導体発光素子アセンブリ | |
| JP5179106B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP6986453B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2004327505A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
| JP7141277B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150818 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151008 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160322 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160616 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160623 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160803 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161011 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161024 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6040938 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |