TW201310709A - 發光元件用基板，基板用材料及發光模組 - Google Patents

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Yoshimitsu Oda
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Abstract

本發明之發光元件用基板包括：於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層、以及包含Cu或者Cu合金之基材層，且基材層具有可與光反射層接合之接合區域，光反射層係對基材層之接合區域之全部或者一部分壓接接合。

Description

發光元件用基板，基板用材料及發光模組
本發明係關於一種發光元件用基板、基板用材料及發光模組，特別是關於一種設置有光反射層之發光元件用基板、包含成為該發光元件用基板之部分之基板用材料及包括該發光元件用基板之發光模組。
先前，周知有包括設置有光反射層之發光元件用基板之發光模組。此種包括設置有光反射層之發光元件用基板之發光模組係例如於日本專利特開2008-10591號公報中所揭示。
於日本專利特開2008-10591號公報中，揭示有包括包含陶瓷之基板、及配置於基板之表面上之發光二極體(LED，Light Emitting Diode)晶片之LED裝置。於該LED裝置之基板中，包含Cu之佈線圖案係以自LED晶片側之表面通過側面並覆蓋至與LED晶片為相反側之表面之方式形成。又，於佈線圖案之LED晶片側之表面上，形成有用以反射光之鍍Ag(光反射層)，並且於鍍Ag之表面上，形成有難以使空氣中之硫成分透過之薄膜塗層。藉由該薄膜塗層，抑制於鍍Ag之表面形成難以反射光之黑色之硫化銀(Ag2S)。
然而，就於日本專利特開2008-10591號公報中所揭示之LED裝置而言，考慮到即便於使用難以使空氣中之硫成分透過之薄膜塗層之情形時，由於使用有鍍Ag，並且由於LED 裝置之長期之使用，於鍍Ag之表面會形成難以反射光之硫化銀。因此，考慮存在因鍍Ag(光反射層)上之光之反射量減少而引起LED裝置之光量降低之問題。
本發明之第1態樣之發光元件用基板包括：於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層、以及包含Cu或者Cu合金之基材層，且基材層具有可與光反射層接合之接合區域，光反射層係對基材層之接合區域之全部或者一部分壓接接合。
於本發明之第1態樣之發光元件用基板中，如上述般，藉由包括於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層，Al或者Al合金幾乎不與空氣中之硫反應，故而Ag2S等不會於光反射層上作為附著物而形成。藉此，可抑制包含Al或者Al合金之光反射層上之光之反射量減少之情況，故而可抑制使用有發光元件用基板之發光模組中光量降低之情況。又，藉由使光反射層對基材層之接合區域之全部或者一部分壓接接合，於製造步驟方面與藉由難以形成一致之厚度之鍍覆處理形成光反射層之情形不同，可抑制於光反射層上形成未配置有Al或者Al合金之孔部(針孔)之情況。藉此，可抑制由針孔而引起光反射層上之光之反射量減少之情況。
又，於第1態樣之發光元件用基板中，如上述般，藉由包 括包含熱傳導率較高之Cu或者Cu合金之基材層，可使發光元件產生之熱容易地經由基材層散熱，故而可抑制由發熱而引起發光元件之發光特性劣化之情況。
於上述第1態樣之發光元件用基板中，較佳為光反射層形成於設置於基材層之至少一部分之接合區域。只要如此構成，則於設置在基材層之至少一部分之接合區域中，可抑制於使用有發光元件用基板之發光模組中光量降低之情況，並且可抑制因針孔而引起光反射層上之光之反射量減少之情況。
於上述第1態樣之發光元件用基板中，較佳為基材層進而包括突出部，該突出部係以自接合區域突出之方式設置有具有接合區域之光反射層與基材層之合計厚度以下之厚度的部分。藉由如此構成，可使發光元件用基板於突出部容易地變形為既定之形狀。又，藉由使配置有發光元件之光反射層之厚度與基材層之厚度之合計厚度為突出部之厚度以上，利用厚度較大之接合區域，可容易使來自發光元件之熱散熱。
於上述基材層具有突出部之發光元件用基板中，較佳為突出部至少形成於彎曲加工之區域中。藉由如此構成，對於可容易地變形之突出部，可容易地進行彎曲加工。
於上述基材層具有突出部之發光元件用基板中，較佳為於基材層之接合區域與突出部之間形成有階差部。藉由如此構成，將階差部作為邊界，可容易地於發光元件用基板上形成 較大厚度之接合區域、以及易實施彎曲加工等之具有較小厚度之部分之突出部。
於上述基材層具有突出部之發光元件用基板中，較佳為於基材層之突出部之表面之至少一部分形成有鍍覆層，該鍍覆層包含對焊錫之潤濕性較包含Cu或者Cu合金之基材層更良好之材料。藉由如此構成，經由鍍覆層可容易地使包含Cu或者Cu合金之基材層與焊錫連接，因此可經由鍍覆層，並利用焊錫容易地使基材層與控制發光元件之基板等連接。
於此情形時，較佳為具有包層構造之發光元件用基板本體係以自配置有發光元件之側之相反側覆蓋支持發光元件用基板本體之基台之上表面、側面及下表面之方式彎折；鍍覆層係設置於覆蓋基台之下表面的發光元件用基板本體之下部、及覆蓋基台之側面的發光元件用基板本體之側部。藉由如此構成，鍍覆層不僅僅位於基台之下表面亦位於基台之側面，故而藉由不僅配置於基台之下表面亦配置於基台之側面之焊錫，可連接基台與控制發光元件之基板等。藉此，可使基台確實地固定於基板等。
於上述基材層具有突出部之發光元件用基板中，較佳為基材層之接合區域之厚度大於基材層之突出部之厚度。藉由如此構成，可使突出部更易變形為既定之形狀。
於上述第1態樣之發光元件用基板中，較佳為基材層之接合區域之厚度大於光反射層之厚度。藉由如此構成，一般而 言包含Cu或者Cu合金之基材層與包含Al或者Al合金之光反射層相比熱傳導率較大，故而與基材層之接合區域之厚度小於光反射層之厚度之情形相比，可容易地使於接合區域中自發光元件產生之熱散熱。
於此情形時，較佳為基材層之接合區域之厚度為光反射層之厚度之10倍以上。藉由如此構成，利用具有相對於光反射層之厚度更大之厚度的接合區域而可更容易地使自發光元件產生之熱散熱。
於上述基材層之接合區域之厚度為光反射層之厚度之10倍以上之發光元件用基板中，較佳為基材層之接合區域之厚度為0.1 mm以上且3 mm以下，光反射層之厚度為1 μm以上且50 μm以下。藉由如此構成，可一面以具有可確實地反射光之厚度之方式形成光反射層，一面藉由接合區域更容易地使自發光元件產生之熱散熱。
於上述光反射層之厚度為1 μm以上且50 μm以下之發光元件用基板中，較佳為光反射層之厚度為1 μm以上且10 μm以下。藉由如此構成，可藉由使光反射層之厚度充分小，而使熱迅速地傳遞至散熱性較光反射層更優異之基材層。
於上述第1態樣之發光元件用基板中，較佳為接合有光反射層之接合區域至少形成於以包圍發光元件之方式形成之反射部所包圍之區域中。藉由如此構成，可藉由反射部與形成於反射部所包圍之區域中之光反射層而使自發光元件發 出之光充分反射，因此可更抑制於使用有發光元件用基板之發光模組中光量降低之情況。
於形成有上述階差部之發光元件用基板中，較佳為具有包層構造之發光元件用基板本體係以自配置有發光元件之側之相反側覆蓋支持發光元件用基板本體之基台之上表面、側面及下表面之方式彎折；階差部係形成於基材層之配置有發光元件之側之表面，並且基材層之與配置有發光元件之側為相反側之表面係形成為大致平面狀。藉由如此構成，藉由使基材層之與配置有發光元件之側為相反側之表面形成為大致平面狀，而可容易地使發光元件用基板本體密接於基台之上表面、側面及下表面，因而可容易地使發光元件產生之熱傳遞至基台。
於上述第1態樣之發光元件用基板中，較佳為光反射層埋入於基材層，且埋入於基材層之光反射層之表面與位於接合區域之周圍之基材層之表面係連接為平面狀。藉由如此構成，亦可使發光元件產生之熱自光反射層之側面傳遞至基材層。藉此，可使發光元件產生之熱經由基材層而更有效地進行散熱。
本發明之第2態樣之基板用材料係包含成為複數個發光元件用基板之部分者，複數個發光元件用基板之各者包括：於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層、以及包含Cu或者Cu合金之基材層，基材層具有可與光反 射層接合之接合區域，光反射層係對基材層之接合區域之全部或者一部分進行壓接接合，成為複數個發光元件用基板之部分係構成為可各自分離。
於本發明之第2態樣之基板用材料中，如上述般，藉由使複數個發光元件用基板之各者包括於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層，Al或者Al合金幾乎不與空氣中之硫反應，因此Ag2S等不會於光反射層上作為附著物而形成。藉此，可抑制包含Al或者Al合金之一表面上之光之反射量減少之情況，因此可抑制於使用有發光元件用基板之發光模組中光量降低之情況。又，藉由使光反射層對基材層之接合區域之全部或者一部分壓接接合，於製造步驟方面，與藉由難以形成一致之厚度之鍍覆處理形成光反射層之情形不同，可抑制於光反射層中形成未配置有Al或者Al合金之孔部(針孔)之情況。藉此，可抑制由針孔而引起光反射層上之光之反射量減少之情況。
又，第2態樣之基板用材料中，如上述般，藉由使複數個發光元件用基板之各者包括包含熱傳導率較高之Cu或者Cu合金之基材層，可容易地使發光元件產生之熱經由基材層散熱，故而可抑制因發熱而引起之發光元件發光特性劣化之情況。又，藉由使成為複數個發光元件用基板之部分構成為可各自分離，可容易地利用1個基板用材料製造複數個發光元件用基板。
本發明之第3態樣發光模組係包括：發光元件；發光元件用基板，其包含於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層、以及包含Cu或者Cu合金之基材層，基材層具有可與光反射層接合之接合區域，光反射層對基材層之接合區域之全部或者一部分壓接接合；以及基台，其以基材層之與光反射層為相反側沿表面之方式配置。
於本發明之第3態樣發光模組中，如上述般，藉由使發光元件用基板包括於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層，由於Al或者Al合金幾乎不與空氣中之硫反應，故而Ag2S等不會於光反射層上作為附著物而形成。藉此，可抑制包含Al或者Al合金之一表面上之光之反射量減少之情況，故而可抑制於發光模組中光量降低之情況。又，於發光元件用基板中，藉由使光反射層對基材層之接合區域之全部或者一部分壓接接合，於製造步驟方面與藉由難以形成一致之厚度之鍍覆處理形成光反射層之情形不同，可抑制於光反射層中形成未配置有Al或者Al合金之孔部(針孔)之情況。藉此，可抑制由針孔而引起之光反射層上之光之反射量減少之情況。
又，於第3態樣之發光模組中，如上述般，藉由使發光元件用基板包括包含熱傳導率較高之Cu或者Cu合金之基材層，可容易地使發光元件產生之熱經由基材層散熱，故而可抑制由發熱而引起之發光元件之發光特性劣化。
於上述第3態樣之發光模組中，較佳為光反射層形成於設置在基材層之至少一部分之接合區域中。藉由如此構成，可抑制於設置在基材層之至少一部分之接合區域中光量降低之情況，並且可抑制由針孔而引起之光反射層上之光之反射量之減少之情況。
於上述第3態樣之發光模組中，較佳為基材層進而包括突出部，該突出部係至少形成於彎曲加工之區域中，且以自接合區域突出之方式設置有具有接合區域之光反射層與基材層之合計厚度以下之厚度的部分；基材層之突出部係以覆蓋基台之側面及下表面之方式於彎曲加工之狀態下配置於基台上。藉由如此構成，可使發光元件用基板於突出部中容易地變形為既定之形狀。又，藉由使接合區域之光反射層與基材層之合計厚度為突出部之厚度以上，藉由厚度較大之接合區域，可容易地使自發光元件產生之熱散熱。又，由於藉由以覆蓋基台之側面及下表面之方式配置突出部，可使基材層與基台之接觸面積變大，故而可藉由基台傳遞基材層之熱。
於此情形時，較佳為於基材層之接合區域與突出部之間形成有階差部。藉由如此構成，以階差部為邊界，可容易地於發光元件用基板上厚度較大之接合區域、以及容易實施彎曲加工等之具有較小厚度之部分之突出部。
以下基於圖式對本發明之實施形態進行說明。
(第1實施形態)
首先，參照圖1~圖4對本發明之第1實施形態之LED模組100之構造進行說明。再者，LED模組100為本發明之「發光模組」之一例。
如圖1及圖2所示，本發明之第1實施形態之LED模組100中，印刷基板102之Cu佈線102a及102b延伸之方向(X方向)之一側(X1側)係經由焊錫101a連接於Cu佈線102a，並且另一側(X2側)係經由焊錫101b連接於Cu佈線102b。藉此，藉由另外連接於印刷基板102之控制部(未圖示)，以控制LED模組100之LED元件2之發光之方式構成。
又，LED模組100包含分為X1側與X2側之散熱基板1；固定於散熱基板1之X1側之下述上表面12a上之LED元件2；以及由散熱基板1覆蓋之基台3(參照圖2)。再者，基台3由散熱基板1覆蓋上表面3a(Z1側之面)、長度方向(X方向)之兩側面3b、與下表面3c(Z2側之面)之一部分。再者，散熱基板1為本發明之「發光元件用基板」及「發光元件用基板本體」之一例，LED元件2為本發明之「發光元件」之一例。
散熱基板1構成為藉由凹口部10a、及凹口部10b(參照圖2)分為X1側與X2側，該凹口部10a形成於基台3之上表面3a側(Z1側)且較X方向之中央部更靠X2側，該凹口部 10b形成於基台3之下表面3c側(Z2側)且X方向之中央部及其周邊。又，凹口部10a及10b以一併在Y方向延伸之方式形成。
如圖2所示，LED元件2係以自上表面(Z1側之面)側主要朝向上方(Z1側)照射光之方式構成。再者，自LED元件2照射之光之一部分照射至散熱基板1側(Z2側)及下述反射部6側(側方側)。
基台3具有絕緣性，並且包含可發射光之白色之氧化鋁(Al2O3)。又，基台3亦形成於散熱基板1之凹口部10a及10b之內部。藉此，確保散熱基板1之X1側與X2側之絕緣。進而，藉由配置於凹口部10a之內部之基台3，可使自LED元件2照射至下方(Z2側)之凹口部10a之光朝向上方(Z1側)反射。
又，LED元件2係經由包含絕緣性樹脂之黏著構件4黏著於散熱基板1之X1側之上表面12a。又，形成於LED元件2之上表面側之未圖示之一對電極係經由Au導線5a及5b分別電性連接於散熱基板1之X1側及X2側。
又，如圖1及圖2所示，反射部6係以包圍LED元件2之方式，配置於散熱基板1之上表面12a上。該反射部6包含氧化鋁(Al2O3)，並且以自下方(Z2側)朝向上方(Z1側)開口逐漸變大之方式構成。藉此，反射部6以可使自LED元件2照射至側方側之光朝向上方(Z1方向)反射之方式構 成。又，於藉由反射部6與散熱基板1形成之空間中，包含透明之矽樹脂之密封樹脂7以覆蓋LED元件2與Au導線5a及5b之方式配置。
此處，於第1實施形態中，如圖2所示，散熱基板1包含包覆材，該包覆材具有包含Cu之基材層11與包含Al之光反射層12相互輥軋接合而成之包層構造。基材層11係以使內表面11a覆蓋基台3之上表面3a(Z1側之面)、長度方向(X方向)之兩側面3b、以及下表面3c(Z2側之面)之一部分之方式配置。光反射層12配置於基材層11之外表面11b上之一部分之接合區域13。又，光反射層12壓接接合於接合區域13中之除凹口部10a以外之區域。即，光反射層12配置於基材層11之接合區域13之一部分。又，於光反射層12中，於上表面12a(Z1側之面)上黏著有LED元件2，並且於下表面12b(Z2側之面)接合有基材層11。
又，於包含Al之光反射層12中，於上表面12a(Z1側之面)上，形成有具有非常薄之厚度之包含Al2O3之氧化覆膜(未圖示)。藉由該氧化覆膜，抑制光反射層12與空氣中之硫等發生反應。
又，於第1實施形態中，如圖3所示，作為接合有基材層11與光反射層12之區域之接合區域13中之散熱基板1之厚度t1，較包含接合區域13以外之區域之薄板部14之厚度t2大。再者，薄板部14僅由基材層11構成。具體而言，一 對薄板部14係以於X方向上夾持接合區域13之方式形成。又，於基材層11之LED元件2側之外表面11b，且，於接合區域13與一對薄板部14之邊界處，形成有階差部15a及15b。此處，階差部15a係形成於X1側之薄板部14與接合區域13之邊界處，並且階差部15b係形成於X2側之薄板部14與接合區域13之邊界處。而且，一對薄板部14係以自接合區域13之X1側之階差部15a向X1側突出之方式形成，並且以自接合區域13之X2側之階差部15b向X2側突出之方式形成。再者，薄板部14為本發明之「突出部」之一例。
又，對於散熱基板1，以階差部15a為分界，以接合區域13側(X2側)之高度位置(Z方向之位置)較薄板部14側(X1側)之高度位置高之方式構成。同樣，對於散熱基板1，以階差部15b為邊界，以接合區域13側(X1側)之高度位置較薄板部14側(X2側)之高度位置高之方式構成。另一方面，如圖2所示，於基材層11之基台3側之內表面11a，未形成階差部而是形成為大致平面狀。藉此，如圖3所示，接合區域13之厚度t1係以大於薄板部14之厚度t2之方式構成。
此處，薄板部14之厚度t2約為0.1 mm。又，於接合區域13中，光反射層12之厚度t3約為10 μm，基材層11之厚度t4約為0.49 mm。即，基材層11之厚度t4(約0.49 mm)較薄板部14之厚度t2(約0.1 mm)及光反射層12之厚度t3(約 10 μm)大。更詳細而言，接合區域13中之基材層11具有薄板部14之約4.9倍之厚度，並且具有光反射層12之約49倍之厚度。再者，將光反射層12之厚度t3與基材層11之厚度t4合計而得之接合區域13之厚度t1約為0.5 mm(=約0.49 mm+約10 μm)。
又，如圖1所示，光反射層12(接合區域13)以自Y方向之一側(Y1側)之端部延伸至Y方向之另一側(Y2側)之端部為止之方式形成。又，光反射層12形成於除凹口部10a以外之區域中，且至少形成於由反射部6包圍之區域中。藉此，藉由光反射層12，可使自LED元件2向下方(Z2側、參照圖2)照射之光朝向上方(Z1側、參照圖2)反射。再者，於接合區域13中，基材層11與光反射層12於Y方向上具有約5 mm之寬度W1，並且於X方向上具有約5 mm之長度L1。
又，基材層11包含無氧銅、精銅及磷脫氧銅等純度約99.9%以上之Cu。光反射層12包含JIS1100、JIS1050、JIS1070、JIS1080及JIS1060等純度約99%以上之Al，且以可反射光之方式構成。此處，包含Cu之基材層11之熱傳導率(約400 W/(m×k))大於包含Al之光反射層12之熱傳導率(約240 W/(m×k))。又，包含Cu之基材層11之導電率(約60×106/(Ω×m))大於包含Al之光反射層12之導電率(約35×106/(Ω×m))。即，與光反射層12相比，基材層11包含 容易接收熱、且容易散熱之材料，並且包含導電性較高之材料。
又，如圖2所示，散熱基板1之薄板部14係以覆蓋基台3之方式構成。具體而言，於散熱基板1之薄板部14中，基台3之上表面3a與X方向之兩側面3b之邊界，以及基台3之下表面3c與X方向之兩側面3b之邊界大致彎曲加工為直角，藉此薄板部14覆蓋基台3之上表面3a之端部附近、X方向之兩側面3b、以及基台3之下表面3c之一部分。再者，散熱基板1於未經彎曲加工之狀態下，於X方向上具有約20 mm之長度。
又，於散熱基板1之薄板部14之表面上(基材層11之外表面11b上)形成有鍍覆層16。該鍍覆層16至少形成於配置有焊錫101a及101b之區域中，並且包含較構成基材層11之Cu潤濕性良好之材料。具體而言，於散熱基板1中，鍍覆層16係形成於與基台3之側面3b對應之區域之Z2側之一部分之外表面11b上，以及與基台3之下表面3c對應之區域之外表面11b上。即，鍍覆層16係形成於散熱基板1之側部之一部分與散熱基板1之下部。藉此，自LED元件2對散熱基板1傳遞之熱之一部分以經由焊錫101a及101b而傳遞至印刷基板102側之方式構成。
又，如圖4所示，鍍覆層16具有自接近包含Cu之基材層11之外表面11b之側開始，Ni層16a、Pd層16b及Au 層16c依序層疊之構造。此處，Au層16c與基材層11(Cu)相比對焊錫101a及101b之潤濕性良好。又，Ni層16a之厚度t5為約0.5 μm以上且約1.5 μm以下。又，Pd層16b之厚度t6約0.02 μm以上且約0.06 μm以下。又，Au層16c之厚度t7約0.001 μm以上且約0.005 μm以下。
其次，參照圖1~圖7對本發明之第1實施形態之LED模組100之製造步驟進行說明。
首先，準備於既定之方向(X方向)上具有約60 mm之長度且沿與X方向正交之Y方向延伸之包含Cu之Cu板，以及於X方向上具有約60 mm之長度且沿Y方向延伸之包含Al之Al板。再者，Cu板之厚度為Al板之厚度之約49倍之大小。而且，於在Cu板之表面上之大致整個面配置有Al板之狀態下，對Cu板與Al板進行輥軋(輥軋接合)。其後，藉由使Cu板與Al板擴散退火，如圖5所示，於包含Cu之基材層11之外表面11b上之大致整個面上形成接合有包含Al之光反射層12之包層構造，藉此形成包含包覆材之散熱基板用材料200。再者，散熱基板用材料200為本發明之「基板用材料」之一例。
而且，除與接合區域13對應之區域以外，自Z1側於厚度方向(Z方向)上機械性地切割散熱基板用材料200。藉此，如圖6所示，以夾持接合區域13之方式，於接合區域13之X1側形成有階差部15a，並且於接合區域13之X2側形 成有階差部15b。又，於階差部15a之X1側及階差部15b之X2側形成有具有小於接合區域13之厚度t1(參照圖3)之厚度t2(參照圖3)之薄板部14。藉此，對於散熱基板用材料200，接合有基材層11與光反射層12之接合區域13與僅包含基材層11之薄板部14於X方向上交替配置。其結果，與散熱基板1對應之部分係以於X方向及Y方向上排列複數個之方式形成。
其後，藉由鍍覆處理，於薄板部14之表面上(基材層11之外表面11b上)之既定之位置上，Ni層16a、Pd層16b及Au層16c(參照圖4)依序層疊而形成鍍覆層16。
而且，如圖7所示，藉由壓製加工，於散熱基板用材料200之各個接合區域13中形成沿Y方向延伸之凹口部10a。其後，藉由嵌入成形，於與散熱基板用材料200之散熱基板1對應之部分之各者上，形成基台3及反射部6。與此同時，藉由將基台3之上表面3a與X方向之兩側面3b之邊界，以及基台3之下表面3c與X方向之兩側面3b之邊界彎曲加工為大致直角，將薄板部14以覆蓋基台3之方式彎曲加工。
具體而言，以沿切割線200a(參照圖6)之方式，沿Y方向切割散熱基板用材料200。而且，於切割線200a之X1側之基台3上，對位於切割線200a之X1側之薄板部14進行彎曲加工，並且於切割線200a之X2側之基台3上，對位於 切割線200a之X2側之薄板部14進行彎曲加工。藉此，散熱基板用材料200係形成為對應於各個散熱基板1之部分於X方向上相互分離之狀態。又，於與散熱基板1對應之部分之各個Y方向之間，形成用以使與散熱基板1對應之部分之各者於Y方向上可分離之連接部分201。
其後，於散熱基板1上安裝LED元件2。而且，藉由超音波焊接，將形成於LED元件2之上表面側之未圖示之一對電極與Au導線5a之一端及Au導線5b之一端分別連接。又，藉由超音波焊接，分別連接散熱基板1之光反射層12之X1側及X2側與Au導線5a之另一端及Au導線5b之另一端。此時，於將Au導線5a及5b焊接於包含Cu之基材層11之情形時，因Cu與大氣中之氧發生反應，與基材層11上之Au導線5a及5b焊接之焊接部分會形成脆弱之氧化物。因此，散熱基板1與Au導線5a及5b之接合變弱。另一方面，於第1實施形態中，如上述般，若將Au導線5a及5b焊接於包含Al之光反射層12上，則僅光反射層12之氧化覆膜中之焊接部分之氧化覆膜剝落，使Au導線5a及5b與光反射層12之露出之Al直接接合。藉此，可使散熱基板1與Au導線5a及5b之接合牢固。
而且，以覆蓋LED元件2與Au導線5a及5b之方式，將密封樹脂7配置並固化於由反射部6與散熱基板1形成之空間中。藉此，形成散熱基板用材料200，該散熱基板用材料 200設置有複數個形成有LED模組100之部分。
而且，於連接部分201將複數個LED模組100切斷。藉此，使與各個散熱基板1對應之部分成為不僅於X方向亦於Y方向上相互分離之狀態，藉此形成複數個LED模組100。最後，於形成有Cu佈線102a及102b之印刷基板102上，使用焊錫101a及101b連接LED模組100。藉此，製造連接於圖1及圖2所示之印刷基板102之LED模組100。
於第1實施形態中，如上述般，藉由使散熱基板1包括於上表面12a上黏著有LED元件2並且包含Al之光反射層12，於表面形成有較薄之氧化覆膜(未圖示)之Al幾乎不與空氣中之硫反應，故而Ag2S等不會作為附著物而形成。藉此，由於可抑制於包含Al之光反射層12上之光之反射量減少之情況，故可抑制於LED模組100中光量降低之情況。
又，於第1實施形態中，如上述般，藉由於基材層11之接合區域13之一部分使散熱基板1與包含Cu之基材層11、以及包含Al之光反射層12相互輥軋接合，於製造步驟方面與藉由鍍覆處理形成光反射層12之情形不同，可抑制於光反射層12上形成未配置有Al之孔部(針孔)之情況。藉此，可抑制由針孔而引起光反射層12上之光之反射量減少之情況。
又，於第1實施形態中，如上述般，藉由於散熱基板1上使用包含熱傳導率較高之Cu之基材層11，可使自LED 元件2產生之熱容易地經由基材層11散熱，故而可抑制由發熱而引起LED元件2之發光特性劣化之情況。
又，於第1實施形態中，如上述般，使作為接合有基材層11與光反射層12之區域之接合區域13中之散熱基板1之厚度t1大於僅包括基材層11且包含除接合區域13以外之區域之薄板部14之厚度t2，藉此以於薄板部14上容易地覆蓋基台3之方式彎曲加工散熱基板1。又，藉由厚度為t1較大之接合區域13，可藉由散熱基板1傳遞自LED元件2產生之熱。
又，於第1實施形態中，如上述般，於散熱基板1之薄板部14中，將基台3之上表面3a與X方向之兩側面3b之邊界，以及基台3之下表面3c與X方向之兩側面3b之邊界彎曲加工為大致直角，藉此對於可容易地變形之薄板部14，可容易地進行彎曲加工。
又，於第1實施形態中，如上述般，於X1側之薄板部14與接合區域13之邊界處形成階差部15a，並且於X2側之薄板部14與接合區域13之邊界處形成階差部15b，藉此將階差部15a及15b設為邊界，可容易地於散熱基板1上形成較大厚度t1之接合區域13以及易實施彎曲加工之較小厚度t2之薄板部14。
又，於第1實施形態中，如上述般，藉由形成鍍覆層16，該鍍覆層16至少形成於配置有焊錫101a及101b之區域並 且包含較基材層11(Cu)潤濕性良好之材料(Au)，經由鍍覆層16，可容易地連接包含Cu之基材層11與焊錫101a及101b，因此經由鍍覆層16，藉由焊錫101a及101b可容易地連接基材層11與印刷基板102。
又，於第1實施形態中，如上述般，藉由以使基材層11之厚度t4(約0.49 mm)大於薄板部14之厚度t2(約0.1 mm)之方式形成，可更容易地以覆蓋基台3之方式彎曲加工薄板部14，並且藉由基材層11之接合區域13可容易地使自LED元件2產生之熱散熱。
又，於第1實施形態中，如上述般，藉由使光反射層12之厚度t3為約10 μm，並且使基材層11之厚度t4為約0.49 mm，可一面以具有可確實反射光之約10 μm之厚度t3之方式形成光反射層12，一面於相對於光反射層12之厚度t3具有更大之約0.49 mm之厚度t4之接合區域13中更容易地使自LED元件2產生之熱散熱。
又，於第1實施形態中，如上述般，於使對應於散熱基板1之部分於X方向上相互分離之狀態下形成散熱基板用材料200，並且於與散熱基板1對應之部分之各者之Y方向之間，形成用以使各個與散熱基板1對應之部分可於Y方向分離之連接部分201，藉此可利用1個散熱基板用材料200容易地製造複數個散熱基板1。
又，於第1實施形態中，如上述般，於散熱基板1之薄板 部14中，藉由將基台3之上表面3a與X方向之兩側面3b之邊界、與基台3之下表面3c與X方向之兩側面3b之邊界彎曲加工成大致直角，以覆蓋基台3之上表面3a之端部附近、X方向之兩側面3b、以及基台3之下表面3c之一部分之方式對薄板部14進行彎曲加工，藉此可使基材層11與基台3之接觸面積增大，故而可藉由基台3傳遞基材層11之熱。
又，於第1實施形態中，如上述般，藉由於散熱基板1之側部之一部分與散熱基板1之下部形成鍍覆層16，使鍍覆層16不僅位於基台3之下表面3c亦位於基台3之側面3b，因此可藉由不僅配置於基台3之下表面3c亦配置於基台3之側面3b之焊錫101a及101b，使基台3與控制LED元件2之印刷基板102連接。藉此，可使基台3確實地固定於印刷基板102。
又，於第1實施形態中，如上述般，藉由至少於由反射部6包圍之區域中形成光反射層12，可利用反射部6與形成於經反射部6包圍之區域中之光反射層12使自LED元件2發出之光充分反射，因此可進一步控制於使用有散熱基板1之LED模組100中光量降低之情況。
又，於第1實施形態中，如上述般，藉由使基材層11之基台3側之內表面11a形成為大致平面狀，可容易地密接於基台3之上表面3a、側面3b及下表面3c，因此可使LED 元件2產生之熱容易傳遞至基台3。
(第2實施形態)
其次，參照圖8及圖9對本發明之第2實施形態進行說明。於該第2實施形態中，與上述第1實施形態不同，關於對形成於LED模組300之散熱基板301中之基材層311之溝槽部311c埋入光反射層312之情形進行說明。再者，LED模組300為本發明之「發光模組」之一例，散熱基板301為本發明之「發光元件用基板」及「發光元件用基板本體」之一例。
於本發明之第2實施形態中，如圖8所示，於LED模組300之散熱基板301之基材層311中形成有溝槽部311c。該溝槽部311c係於與基台3之上表面3a對應之外表面311b上之中央部及其周邊，於X方向上具有約3 mm之長度L2。
又，於在溝槽部311c中埋入光反射層312之狀態下，使基材層311與光反射層312相互輥軋接合。即，散熱基板301包含具有包層構造之包覆材。又，於光反射層312中，於上表面312a上黏著有LED元件2，並且於下表面312b上接合有基材層311。又，藉由埋入於溝槽部311c，光反射層312於X方向上具有約3 mm之長度L2。
又，於作為接合有基材層311與光反射層312之區域之接合區域313之X方向之兩端部，分別形成有僅由基材層311構成之周邊部316a及316b。周邊部316a以自接合區域313 之X1側之端部向X1側突出之方式形成，並且周邊部316b以自接合區域313之X2側之端部向X2側突出之方式形成。又，接合區域313之厚度、周邊部316a之厚度及周邊部316b之厚度以均成為大致相同之方式構成。再者，周邊部316a及316b為本發明之「突出部」之一例。
又，於基材層311之LED元件2側之外表面311b且於周邊部316a之X1側及周邊部316b之X2側分別形成有階差部315a及315b。又，於階差部315a之與接合區域313為相反側之側及階差部315b之與接合區域313為相反側之側分別形成有薄板部314。此處，包括接合區域313、周邊部316a及316b之厚板部之厚度大於包括除接合區域313、周邊部316a及316b以外之區域之薄板部314之厚度。又，包括接合區域313、周邊部316a及周邊部316b之厚板部於X方向上具有約5 mm之長度L3。再者，薄板部314為本發明之「突出部」之一例。
又，於第2實施形態中，藉由將光反射層312埋入於溝槽部311c，接合區域313中之光反射層312之上表面312a、與接合區域313周邊之區域中之基材層311之外表面311b係連接為大致平面狀。藉此，光反射層312之X方向之兩側面係以抵接溝槽部311c之內側面之方式構成。
又，光反射層312形成於除凹口部10a以外之區域中且至少經反射部6包圍之區域中。又，光反射層312配置於基材 層311之接合區域313之一部分。再者，本發明之第2實施形態之其他構造與上述第1實施形態相同。
其次，參照圖9，對本發明之第2實施形態之LED模組300之製造步驟進行說明。
首先，準備於既定之方向(X方向)上具有約60 mm之長度，且沿與X方向正交之Y方向延伸之包含Cu之Cu板。而且，於Cu板上，使於X方向上具有既定之長度之溝槽部311c(參照圖9)以沿Y方向延伸之方式，於X方向上隔開相等間隔形成。又，準備於X方向上具有與溝槽部311c大致相同之寬度，且沿Y方向延伸之包含Al之Al板。而且，於沿Cu板之Y方向延伸之複數個溝槽部311c之各者上配置有Al板之狀態下，將Cu與Al板輥軋(輥軋接合)。其後，藉由使Cu板與Al板擴散退火，如圖9所示，藉由形成於接合區域313中接合有包含Cu之基材層311、與包含Al之複數個光反射層312之包層構造，而形成包含包覆材之散熱基板用材料400。此時，埋入於溝槽部311c及溝槽部311c之光反射層312之X方向之長度L2成為約3 mm。再者，散熱基板用材料400為本發明之「基板用材料」之一例。
而且，藉由輥軋輥對除接合區域313與周邊部316a及316b以外之區域進行輥軋。藉此，以夾持接合區域313與周邊部316a及316b之方式，形成階差部315a及315b，並且使包括接合區域313、周邊部316a及316b之厚板部與薄 板部314於X方向上交替配置。其結果，與散熱基板301(參照圖8)對應之部分以沿X方向及Y方向排列複數個之方式形成。再者，本發明之第2實施形態之其他製造步驟與上述第1實施形態相同。
於第2實施形態中，如上述般，藉由使散熱基材301包括於上表面312a上黏著有LED元件2並且包含Al之光反射層312，而可抑制包含Al之光反射層312上之光之反射量減少之情況。又，藉由使散熱基材301包含包覆材，該包覆材具有使包含Al之光反射層312、與包含Cu之基材層311相互輥軋接合之包層構造，而可抑制由針孔而引起光反射層312上之光之反射量減少之情況。又，藉由於散熱基材301中使用包含熱傳導率較高之Cu之基材層311，可抑制由發熱而引起LED元件2之發光特性劣化之情況。
又，於第2實施形態中，如上述般，藉由將光反射層312埋入於溝槽部311c，並藉由使接合區域313中之光反射層312之上表面312a、與接合區域313周邊之區域中之基材層311之外表面311b以連接為大致平面狀之方式構成，可使LED元件2產生之熱不僅自光反射層312之下表面312b、亦自光反射層312之X方向之兩側面傳遞至基材層311。藉此，可使LED元件2產生之熱經由基材層311更有效地散熱。再者，第2實施形態之其他效果與上述第1實施形態相同。
(第2實施形態之變形例)
其次，參照圖8、圖10及圖11對本發明之第2實施形態之變形例進行說明。於該第2實施形態之變形例中，與上述第2實施形態不同，對使散熱基板用材料500中與散熱基板301對應之部分以僅於Y方向上排列複數個之方式形成之情形進行說明。再者，本發明之第2實施形態之變形例中之LED模組300之構造(參照圖8)與上述第2實施形態相同。再者，散熱基板用材料500為本發明之「基板用材料」之一例。
就本發明之第2實施形態之變形例中之LED模組300之製造方法而言，首先，準備於既定之方向(X方向)具有約10 mm之長度，且沿與X方向正交之Y方向延伸之包含Cu之Cu板。而且，於Cu板之X方向之大致中央部，使於X方向上具有既定之長度之溝槽部311c(參照圖10)以沿Y方向延伸之方式形成。又，準備於X方向上具有與溝槽部311c大致相同之寬度，且沿Y方向延伸之包含Al之Al板。而且，於將Al板配置於沿Cu板之Y方向延伸之溝槽部311c之狀態下，將Cu板與Al板進行輥軋(輥軋接合)。其後，藉由使Cu板與Al板擴散退火，如圖10所示，藉由形成於接合區域313中接合有包含Cu之基材層311與包含Al之光反射層312之包層構造，而形成包含包覆材之散熱基板用材料500。
而且，以沿切割線500a之方式沿X方向切割散熱基板用材料500。藉此，如圖11所示，形成複數個散熱基板301。此後，對各個散熱基板301之除接合區域313與周邊部316a及316b以外之區域進行壓印。藉此，以夾持接合區域313與周邊部316a及316b之方式形成階差部315a及315b，並且形成包括接合區域313、周邊部316a及316b之厚板部與薄板部314。
而且，如圖8所示，藉由鍍覆處理於薄板部314之既定之位置形成鍍覆層16，並且藉由壓製加工於散熱基板301形成凹口部10a。其後，藉由嵌入成形而形成基台3及反射部6，並且以沿基台3之方式對薄板部314進行彎曲加工。其後，將LED元件2安裝於散熱基板301上，並且連接Au導線5a及5b。而且，藉由配置密封樹脂7，形成1個LED模組300。最後，使用焊錫101a及101b將LED模組300連接於印刷基板102上。藉此，製造連接於圖8所示之印刷基板102之LED模組300。
再者，第2實施形態之變形例之其他效果與上述第2實施形態相同。
再者，應考慮此次所揭示之實施形態於全部方面均為例示，而並非限制者。本發明之範圍並非由上述實施形態之說明而是由申請專利範圍表示，進而包含與申請專利範圍均等之意思及範圍內之所有變更。
例如，於上述第1及第2實施形態中，表示將光反射層12(312)配置於基材層11(311)之外表面11b(311b)上之接合區域13(313)之一部分之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，亦可將光反射層12(312)配置於基材層11(311)之外表面11b(311b)上之整個面。又，亦可將光反射層12(312)配置於基材層11(311)之接合區域13(313)之全部。
又，於上述第1及第2實施形態中，表示基材層11(311)包含純度約為99.9%以上之Cu，並且光反射層12(312)包含純度約為99%以上之Al之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，亦能夠以包含Cu-2.30Fe-0.10Zn-0.03P之C19400(美國銅業發展協會(CDA，Copper Development Association)標準)等包含Cu之純度約為99.9%以下之Cu合金之方式構成基材層11(311)。又，亦可以包含Al之純度約為99%以下之Al合金之方式構成光反射層12(312)。
又，於上述第1實施形態中，表示使接合有基材層11與光反射層12之接合區域13之厚度t1大於薄板部14之厚度t2之例，並且於上述第2實施形態中，表示使包含接合有基材層311與光反射層312之接合區域313之厚板部之厚度大於薄板部314之厚度之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，亦可使散熱基板1(301)之整體之厚度為大致相同之厚度。藉此，無需對散熱基板1(301)進行用以使厚度不同之加工，故而可使製造工程簡化。此時，散熱基板1(301)亦可不 進行彎曲加工。
又，於上述第1實施形態中，表示使薄板部14之厚度t2為約0.1 mm之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，薄板部14之厚度t2亦可不為約0.1 mm。再者，薄板部14之厚度t2較佳為約0.05 mm以上且約0.5 mm以下，並且小於基材層11之接合區域13之厚度t1。
又，於上述第1實施形態中，表示將光反射層12之厚度t3設為約10 μm，並且將基材層11之厚度t4設為約0.49 mm之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，光反射層12之厚度t3亦可不為約10 μm，基材層11之厚度t4亦可不為約0.49 mm。再者，光反射層12之厚度t3較佳為約1 μm以上且約50 μm以下，更佳為約1 μm以上且約10 μm以下。由此，藉由使光反射層12之厚度t3充分小，可將熱迅速傳遞至較光反射層12散熱性優異之基材層11。又，基材層11之厚度t4較佳為約0.1 mm以上且約3 mm以下。進而，基材層11之厚度t4較佳為光反射層12之厚度t3之10倍以上。
又，於上述第1實施形態中，表示於接合區域13中，基材層11與光反射層12以於Y方向上具有約5 mm之寬度W1，並且於X方向上具有約5 mm之長度L1之方式形成之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，於接合區域13中，基材層11與光反射層12能夠以於Y方向具有約2 mm 以上且約5 mm以下之寬度W1之方式形成，亦能夠以於X方向上具有約5 mm以上且10 mm以下之長度L1之方式形成。
又，於上述第2實施形態中，表示以於X方向上具有約3 mm之長度L2之方式形成光反射層312之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，亦能夠以於X方向上具有約2 mm以上且約3 mm以下之長度L2之方式形成光反射層312。
又，於上述第2實施形態中，表示藉由將光反射層312埋入於溝槽部311c，使接合區域313中之光反射層312之上表面312a與接合區域313周邊之區域中之基材層311之外表面311b連接為大致平面狀之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，亦可藉由階差使光反射層312之上表面312a與基材層311之外表面311b連接。此時，由於使光反射層312之上表面312a位於基材層311之外表面311b下方，可使熱自光反射層312之X方向之兩側面之整個面傳遞至基材層311，故而較佳。
又，上述第1及第2實施形態中，表示基台3及反射部6包含氧化鋁(Al2O3)之例，但本發明並不限定於此。例如基台3及反射部6亦能夠以包含氮化鋁(AlN)之方式構成。
又，於上述第2實施形態中，表示於在沿Cu板之Y方向延伸之複數個溝槽部311c之各者上配置有具有與溝槽部311c大致相同之寬度之Al板之狀態下，將Cu板與Al輥軋 形成散熱基板用材400之例，並且於上述第2實施形態之變形例中，表示於沿Cu板之Y方向延伸之溝槽部311c配置具有與溝槽部311c大致相同之寬度之Al板之狀態下，將Cu板與Al板輥軋形成散熱基板用材500之例，但本發明並不限定於此。於本發明中，於將Al板配置於未形成有溝槽之Cu板之表面上之大致整個面之狀態下，藉由將Cu板與Al板輥軋，於包含Cu之基材層之外表面上之大致整個面形成接合包含Al之光反射層之包覆材。其後，藉由機械性地或者化學性地去除接合於基材層之外表面上之大致整個面之光反射層中之除LED元件之周邊以外之區域之光反射層，亦可形成上述第2實施形態及上述第2實施形態之變形例之散熱基板用材400(500)。
又，於上述第1及第2實施形態中，對將散熱基板1(301)使用於包括LED元件2之LED模組100(300)中之例進行表示，但本發明並不限定於此。例如亦可將散熱基板1(301)使用於出射雷射光之雷射元件模組。
1、301‧‧‧散熱基板
2‧‧‧LED元件
3‧‧‧基台
3a‧‧‧基台之上表面
3b‧‧‧基台之兩側面
3c‧‧‧基台之下表面
4‧‧‧黏著構件
5a、5b‧‧‧Au導線
6‧‧‧反射部
7‧‧‧密封樹脂
10a、10b‧‧‧凹口部
11、311‧‧‧基材層
11a‧‧‧基材層之內表面
11b、311b‧‧‧基材層之外表面
12、312‧‧‧光反射層
12a、312a‧‧‧光反射層之上表面
12b、312b‧‧‧光反射層之下表面
13、313‧‧‧接合區域
14、314‧‧‧薄板部
15a、15b、315a、315b‧‧‧階差部
16‧‧‧鍍覆層
16a‧‧‧Ni層
16b‧‧‧Pd層
16c‧‧‧Au層
100、300‧‧‧LED模組
101a、101b‧‧‧焊錫
102‧‧‧印刷基板
102a、102b‧‧‧Cu佈線
200、400、500‧‧‧散熱基板用材料
200a、500a‧‧‧切割線
201‧‧‧連接部分
311c‧‧‧溝槽部
316a、316b‧‧‧周邊部
L1、L2、L3‧‧‧長度
W1‧‧‧寬度
t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7‧‧‧厚度
圖1係表示本發明之第1實施形態之LED模組之構成之平面圖。
圖2係沿圖1之600-600線之剖面圖。
圖3係表示本發明之第1實施形態之散熱基板之光反射部及階差部周邊之剖面圖。
圖4係沿圖2之610-610線之剖面圖。
圖5係用以說明本發明之第1實施形態之LED模組之製造步驟之立體圖。
圖6係用以說明本發明之第1實施形態之LED模組之製造步驟之立體圖。
圖7係用以說明本發明之第1實施形態之LED模組之製造步驟之平面圖。
圖8係表示本發明之第2實施形態之LED模組之構成之剖面圖。
圖9係用以說明本發明之第2實施形態之LED模組之製造步驟之立體圖。
圖10係用以說明本發明之第2實施形態之變形例之LED模組之製造步驟之立體圖。
圖11係用以說明本發明之第2實施形態之變形例之LED模組之製造步驟之立體圖。
1‧‧‧散熱基板
2‧‧‧LED元件
3‧‧‧基台
3a‧‧‧基台之上表面
3b‧‧‧基台之兩側面
3c‧‧‧基台之下表面
4‧‧‧黏著構件
5a、5b‧‧‧Au導線
6‧‧‧反射部
7‧‧‧密封樹脂
10a、10b‧‧‧凹口部
11‧‧‧基材層
11a‧‧‧基材層之內表面
11b‧‧‧基材層之外表面
12‧‧‧光反射層
12a‧‧‧光反射層之上表面
12b‧‧‧光反射層之下表面
13‧‧‧接合區域
14‧‧‧薄板部
15a、15b‧‧‧階差部
100‧‧‧LED模組
101a、101b‧‧‧焊錫
102‧‧‧印刷基板
102a、102b‧‧‧Cu佈線

Claims (20)

  1. 一種發光元件用基板，其包括：於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層、以及包含Cu或者Cu合金之基材層；上述基材層具有可與上述光反射層接合之接合區域；上述光反射層係對上述基材層之上述接合區域之全部或者一部分壓接接合。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光元件用基板，其中，上述光反射層係形成於設置於上述基材層之至少一部分之上述接合區域。
  3. 如申請專利範圍第1項之發光元件用基板，其中，上述基材層進而包括突出部，該突出部以自上述接合區域突出之方式設置有具有上述接合區域之上述光反射層與上述基材層之合計厚度以下之厚度的部分。
  4. 如申請專利範圍第3項之發光元件用基板，其中，上述突出部至少形成於彎曲加工之區域中。
  5. 如申請專利範圍第3項之發光元件用基板，其中，於上述基材層之上述接合區域與上述突出部之間形成有階差部。
  6. 如申請專利範圍第3項之發光元件用基板，其中，於上述基材層之上述突出部之表面之至少一部分形成有鍍覆層，該鍍覆層包含對焊錫之潤濕性較包含Cu或者Cu 合金之上述基材層更良好之材料。
  7. 如申請專利範圍第6項之發光元件用基板，其中，上述具有包層構造之發光元件用基板本體係以自配置有上述發光元件之側之相反側覆蓋支持上述發光元件用基板本體之基台之上表面、側面及下表面之方式彎折；上述鍍覆層係設置於覆蓋上述基台之下表面之上述發光元件用基板本體之下部、及覆蓋上述基台之側面之上述發光元件用基板本體之側部。
  8. 如申請專利範圍第3項之發光元件用基板，其中，上述基材層之上述接合區域之厚度大於上述基材層之上述突出部之厚度。
  9. 如申請專利範圍第1項之發光元件用基板，其中，上述基材層之上述接合區域之厚度大於上述光反射層之厚度。
  10. 如申請專利範圍第9項之發光元件用基板，其中，上述基材層之上述接合區域之厚度為上述光反射層之厚度之10倍以上。
  11. 如申請專利範圍第10項之發光元件用基板，其中，上述基材層之上述接合區域之厚度為0.1 mm以上且3 mm以下，上述光反射層之厚度為1 μm以上且50 μm以下。
  12. 如申請專利範圍第11項之發光元件用基板，其中，上述光反射層之厚度為1 μm以上且10 μm以下。
  13. 如申請專利範圍第1項之發光元件用基板，其中，接合有上述光反射層之上述接合區域至少形成於以包圍上述發光元件之方式形成之反射部所包圍之區域中。
  14. 如申請專利範圍第5項之發光元件用基板，其中，上述具有包層構造之發光元件用基板本體係以自配置有上述發光元件之側之相反側覆蓋支持上述發光元件用基板本體之基台之上表面、側面及下表面之方式彎折；上述階差部係形成於上述基材層之配置有上述發光元件之側之上述表面，並且上述基材層之與配置有上述發光元件之側為相反側之表面係形成為平面狀。
  15. 如申請專利範圍第1項之發光元件用基板，其中，上述光反射層係埋入於上述基材層中；埋入於上述基材層之上述光反射層之上述表面與位於上述接合區域之周圍之上述基材層之表面係連接為平面狀。
  16. 一種基板用材料，其係包含成為複數個發光元件用基板之部分者；上述複數個發光元件用基板之各者包括：於表面配置有發光元件之包含Al或者Al合金之光反射層、以及包含Cu或者Cu合金之基材層，上述基材層具有可與上述光反射層接合之接合區域，上述光反射層係對上述基材層之上述接合區域之全部或者一部分壓接接合；成為上述複數個發光元件用基板之部分係構成為可各自 分離。
  17. 一種發光模組，其包括：發光元件；發光元件用基板，其包含於表面配置有上述發光元件且包含Al或者Al合金之光反射層、以及包含Cu或者Cu合金之基材層，上述基材層具有可與上述光反射層接合之接合區域，上述光反射層對上述基材層之上述接合區域之全部或者一部分壓接接合；以及基台，其以上述基材層之與上述光反射層為相反側沿表面之方式配置。
  18. 如申請專利範圍第17項之發光模組，其中，上述光反射層係形成於設置於上述基材層之至少一部分之上述接合區域。
  19. 如申請專利範圍第17項之發光模組，其中，上述基材層進而包括突出部，該突出部係至少形成於彎曲加工之區域，且以自上述接合區域突出之方式設置有具有上述接合區域之上述光反射層與上述基材層之合計厚度以下之厚度的部分；上述基材層之突出部係於以覆蓋上述基台之側面及下表面之方式彎曲加工之狀態下配置於上述基台。
  20. 如申請專利範圍第19項之發光模組，其中，於上述基材層之上述接合區域與上述突出部之間形成有階差部。
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