JP6679799B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光素子(以下、LED)を内蔵する発光装置に関する。
図10には従来のLEDモジュールの一例を示している(特許文献1参照)。図10に示すLEDモジュールXは、基板91と、基板91に設けられた金属電極92,93、金属電極92,93と導通するLEDチップ94、ワイヤ95、およびこれらを覆う封止樹脂96を備えている。基板91は、たとえばガラスエポキシ樹脂製である。金属電極92,93は、基板91の両端縁に離間配置されており、それぞれが基板91の表面から側面を経て裏面にわたる領域を覆っている。金属電極92の基板91の表面を覆う部分にはLEDチップ94が搭載されている。金属電極93の基板91の表面を覆う部分にはワイヤ95の一端が固定されている。ワイヤ95の他端はLEDチップ94に接続されている。このLEDモジュールXは、たとえば照明装置に内蔵されている回路基板97に組み込まれて使用される。図10に示すように、金属電極92,93の基板91の裏面側を覆う部分は、回路基板97に設けられた配線98に接続されている。LEDモジュールXを回路基板97に設置する際には、たとえば金属電極92,93と配線98との間にはんだ材料を挟んでリフロー炉で加熱する工程が行われる。
封止樹脂96は、LEDチップ94およびワイヤ95を保護するためのものであり、LEDチップ94からの光に対して透光性を有するエポキシ樹脂製である。封止樹脂96は、金属電極92,93の基板91の表面側の部分を覆うように形成されている。金属電極92,93の表面には導電性を高めるためにしばしば金製のメッキ層が設けられている。しかしながら、エポキシ樹脂と金とが接着されにくいため以下のような問題が生じることがあり得る。上述したように、LEDモジュールXを回路基板97に設置する際には加熱処理が行われる。このとき封止樹脂96は熱変形するが、エポキシ樹脂と金メッキ層とが強固に接着されていないため、封止樹脂96と金属電極92,93とが剥離してしまうことがある。このような事態になると、LEDチップ94が点灯しなくなることも起こりえる。
特開2009−289441号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より信頼性の高いLEDモジュールを提供することをその課題とする。
本発明によって提供されるLEDモジュールは、基板と、上記基板に支持されるLEDチップと、上記基板に設置され、上記LEDチップが搭載される搭載部を有する金属配線と、上記LEDチップおよび上記金属配線を覆う封止樹脂と、を備えたLEDモジュールであって、上記搭載部を露出させるように上記金属配線を覆う被覆部材を備えており、上記封止樹脂は上記被覆部材を覆っていることを特徴とする。
好ましい実施の形態において、上記被覆部材は、上記基板の厚み方向視において、上記LEDチップを囲むように形成された開口部を有している。
たとえば、上記搭載部は、上記基板の厚み方向視において矩形状であり、上記開口部は、上記基板の厚み方向視において円形である。
一例では、上記被覆部材が上記搭載部の一部を覆っている。
好ましい実施の形態においては、上記金属配線は、上記搭載部と離間するワイヤボンディング部を有しており、上記LEDチップと上記ワイヤボンディング部とを接続するワイヤを備えており、上記被覆部材は、上記ワイヤボンディング部を露出させるように上記金属配線を覆っている。
好ましい実施の形態においては、上記被覆部材は、上記ワイヤが延びる方向において上記搭載部に近付くように凹む凹部を有しており、上記基板の厚み方向視において上記凹部は上記ワイヤボンディング部と重なる位置に設けられている。
好ましい実施の形態においては、上記金属配線は、上記搭載部を含む第1の金属端子と、上記ワイヤボンディング部を含む第2の金属端子とを備えており、上記第1の金属端子は、第1の方向における上記基板の一方の端縁を覆うように形成されており、上記第2の金属端子は、上記第1の方向における上記基板の他方の端縁を覆うように形成されており、上記封止樹脂は、上記第1の方向において上記基板よりも短くなっている。
好ましい実施の形態においては、上記基板は上記第1の方向の両端に上記第1の方向に凹む1対の凹部を有しており、上記金属配線は上記1対の凹部を覆っており、上記封止樹脂は、上記1対の凹部を露出させるように形成されている。
好ましい実施の形態においては、上記第1の方向における上記被覆部材の一方の端縁と、上記封止樹脂の一方の端縁とが上記第1の方向において同一の位置にある。
好ましい実施の形態においては、上記第1の方向における上記被覆部材の一方の端縁は、上記封止樹脂の一方の端縁よりも上記第1の方向における一方側に位置している。
好ましい実施の形態においては、上記第1の方向における上記被覆部材の他方の端縁と、上記封止樹脂の他方の端縁とが上記第1の方向において同一の位置にある。
好ましい実施の形態においては、上記第1の方向における上記被覆部材の他方の端縁は、上記封止樹脂の他方の端縁よりも上記第1の方向における他方側に位置している。
好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂は上記第1の方向と直交する第2の方向において上記基板の全幅を覆うように形成されており、上記被覆部材の上記第2の方向における両端は上記基板の第2の方向における両端と上記第2の方向において同一の位置にある。
本発明のより好ましい実施の形態においては、上記基板は第1の方向において上記封止樹脂よりも長く形成されており、上記封止樹脂の上記第1の方向における一方の側面は、上記基板の厚み方向において上記基板から遠い位置ほど上記第1の方向における他方側に位置するように傾斜している。
たとえば、上記一方の側面は、上記基板の厚み方向に対して6°以上傾斜する斜面を含んでいる。
別の実施形態では、上記一方の側面は、上記封止樹脂の上記厚み方向において上記基板から遠い方の端面と連結される曲面を有している。
好ましくは、上記封止樹脂の上記第1の方向における他方の側面は、上記基板の厚み方向において上記基板から遠い位置ほど上記第1の方向における一方側に位置するように傾斜している。
たとえば、上記他方の側面は、上記基板の厚み方向に対して6°以上傾斜する斜面を含んでいる。
別の実施形態では、上記他方の側面は、上記封止樹脂の上記厚み方向において上記基板から遠い方の端面と連結される曲面を有している。
本発明のより好ましい実施の形態においては、上記被覆部材は、上記被覆部材と上記金属配線との密着強度および上記被覆部材と上記封止樹脂との密着強度が、上記金属配線と上記封止樹脂との密着強度よりも強くなる材質からなる。
たとえば、上記金属配線は、金製のメッキ層を有している。
たとえば、上記被覆部材は、樹脂製である。
たとえば、上記被覆部材は、白色である。
たとえば、上記被覆部材は、上記基板の厚み方向において1μm以上10μm以下の厚みを有する。
このような構成によれば、金属配線と封止樹脂との間に被覆部材が挟まれることになり、金属配線と封止樹脂とが接着されにくい問題の改善を図ることができる。さらに、本発明のより好ましい実施の形態によれば、上記LEDモジュールを製造する際に、金型を用いて封止樹脂を形成した後に封止樹脂を金型から引き抜きやすくなる。このことは、上記封止樹脂と上記基板との間にかかる力を低減し、上記金属配線と上記封止樹脂とが剥離するのを予防するのに適している。従って、本発明によって提供されるLEDモジュールはより信頼性の高いものとなる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第1実施形態に基づくLEDモジュールを示す平面図である。 図1のII−II線に沿う断面図である。 図1に示すLEDモジュールの封止樹脂を省略した平面図である。 本発明の第2実施形態に基づくLEDモジュールの封止樹脂を省略した平面図である。 本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールの断面図である。 本発明の第4実施形態に基づくLEDモジュールの断面図である。 本発明の第5実施形態に基づくLEDモジュールの断面図である。 本発明の第6実施形態に基づくLEDモジュールの封止樹脂を省略した平面図である。 本発明の第7実施形態に基づくLEDモジュールの封止樹脂を省略した平面図である。 従来のLEDモジュールの一例を示す断面図である。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1〜図3は、本発明の第1実施形態に基づくLEDモジュールを示している。図1〜図3に示すLEDモジュールA1は、基板1と、金属配線2と、LEDチップ3と、封止樹脂4と、ワイヤ5と、被覆部材6とを備えている。なお、図3はLEDモジュールA1の内部を示すために封止樹脂4を省略したものである。図1〜図3に示すx,y,z方向は互いに直交する方向であり、z方向は基板1の厚み方向となっている。以降の説明では、基板1の図2におけるz方向上側の面を表面とし、下側の面を裏面とし、x方向における両端の面を側面とする。
基板1は、たとえばガラスエポキシ樹脂製であり、図3に示すようにz方向視においてx方向に長い長矩形状となっている。基板1のx方向における両端部には、x方向に凹む1対の凹部1aが設けられている。基板1は、たとえば基板材料を切断して製造されるものである。製造工程において、上記の基板材料には多数のスルーホールが形成される。凹部1aは、基板材料に形成されたスルーホールが切断されて形成されたものである。
金属配線2は、金属電極21と金属電極22とを備えている。金属電極21および金属電極22は、基板1のx方向における両端縁に離間配置されており、それぞれが基板1の表面から側面を経て裏面にわたる領域を覆っている。なお、本実施形態では金属電極21および金属電極22は基板1の側面のうち凹部1aのみを覆っている。金属電極21および金属電極22の基板1の裏面側の領域は、従来例の説明で示したのと同様にLEDモジュールA1を所望の回路基板に実装するのに用いられる。
図3に示すように、金属電極21は基板1の図中左端部をy方向における全幅に渡って覆う領域と、この領域からy方向図中右方に突出する細帯部211と、細帯部211のy方向図中右端に連結された搭載部212とを備えている。図3に示す例では、搭載部212はz方向視正方形となっている。搭載部212の一辺の長さは、LEDチップ3の一辺の長さよりも長く、基板1のy方向における幅よりも短くなっている。細帯部211は、y方向における幅が搭載部212の一辺の長さよりも短くなるように形成されている。
図3に示すように、金属電極22は基板1の図中右端部をy方向における全幅に渡って覆う領域と、この領域からy方向図中左方に突出する細帯部221とを備えている。図3に示す例では、細帯部221はy方向における幅が搭載部212の一辺の長さよりも短くなっている。この細帯部221には、ワイヤ5の図3中右端が接続されている。細帯部221の、被覆部材6に覆われていない部分が本発明におけるワイヤボンディング部に相当する。
図2に示す例では省略しているが、金属配線2は複数の金属層が積層されたものである。複数の金属層のうち最表面の金属層は金からなるものである。このような金属配線2は、上述の基板材料にメッキ処理を施し、不要な部分をエッチングすることにより形成することができる。この際、基板材料に設けられたスルーホールの内周面を覆うようにメッキ処理を施すことで金属配線2が凹部1aを覆う構造を容易に実現することができる。
LEDチップ3は、たとえばpn型の半導体素子であり、可視光あるいは赤外光を発光可能に構成されている。LEDチップ3の図2中下方の面に形成されたn側電極が図示しない銀ペーストを介して搭載部212に導通している。LEDチップ3の図2中上方の面に形成されたp側電極は、ワイヤ5を介して細帯部221と導通している。
封止樹脂4は、LEDチップ3およびワイヤ5を保護するためのものであり、LEDチップ3からの光に対して透光性を有するたとえばエポキシ樹脂である。封止樹脂4のx方向長さは、基板1のx方向長さよりも短くなっている。封止樹脂4のy方向における長さは基板1のy方向における長さと同じとなっている。図1に示すように、封止樹脂4のx方向における図中左端4aは基板1の左側の凹部1aよりも右側に位置しており、右端4bは右側の凹部1aよりも左側に位置している。図2に示すように、封止樹脂4のx方向における図中左方の側面41は、z方向における上方ほどx方向右方に位置する斜面となっている。側面41はz方向に対して6°以上傾斜している。封止樹脂4のx方向における図中右方の側面42は、z方向における上方ほどx方向左方に位置する斜面となっている。側面42はz方向に対して6°以上傾斜している。このような封止樹脂4は、トランスファーモールド法により形成することができる。トランスファーモールド法では、上記基板材料を金型に設置して、金型に液化した樹脂を充填する工程と、樹脂が硬化した後に金型と上記基板材料とを引き離す工程を行う。
ワイヤ5は金製であり、たとえば市販されているワイヤボンディング用キャピラリを用いて形成される。
被覆部材6は、図2に示すように、金属配線2を覆い、かつ、封止樹脂4に覆われている。被覆部材6は、被覆部材6と金属配線2との密着強度および被覆部材6と封止樹脂4との密着強度が、金属配線2と封止樹脂4との密着強度よりも強くなる材質からなる。たとえば、被覆部材6は、z方向における厚みが1μm〜10μmの樹脂製の膜であるのが望ましい。このような樹脂膜として、たとえばエッチング処理の際に用いられるレジストを用いることができる。また、はんだ付けを行う際に用いられるソルダーレジストを用いてもよい。被覆部材6として白色のレジストを用いると、被覆部材6がLEDチップ3からの光を反射しやすくなる。このため、被覆部材6として白色レジストを用いると、LEDモジュールA1がz方向に出射する光量を増やす効果が期待できる。
図3に示す例では、被覆部材6は、少なくともLEDチップ3がダイボンディングされる領域およびワイヤ5がボンディングされる領域以外の領域に形成されている。被覆部材6は、x方向において離間する第1の被覆部材61および第2の被覆部材62によって構成されている。図3に示すように、第1の被覆部材61は、z方向視においてy方向に長く延びる長矩形状に形成されている。第1の被覆部材61のy方向における長さは基板1のy方向における長さよりも短くなっている。第1の被覆部材61のx方向右端部は細帯部211の一部を覆っている。図2に示すように、第1の被覆部材61のx方向図中左端61aは、封止樹脂4のx方向図中左端4aとx方向において同じ位置にある。図3に示すように、第2の被覆部材62は、z方向視においてy方向に長く延びる長矩形状に形成されている。第2の被覆部材62のy方向における長さは基板1のy方向における長さよりも短くなっている。第2の被覆部材62のx方向左端部は細帯部221の一部を覆っている。図2に示すように、第2の被覆部材62のx方向図中右端62aは、封止樹脂4のx方向図中右端4bとx方向において同じ位置にある。また、第1の被覆部材61は金属配線2の金属電極21の図2中上面のみならず基板1の表面も同時に覆うように形成されている。第2の被覆部材62は、金属配線2の金属電極22の図2中上面のみならず基板1の表面も同時に覆うように形成されている。
次に、LEDモジュールA1の作用について説明する。
上述したLEDモジュールA1では、金属配線2と封止樹脂4との間に被覆部材6が設けられている。従来例の説明でも記載したように、金属配線2の表面に金製の層が設けられている場合、導電性に優れる一方で金属配線2と封止樹脂4とが接着されにくい問題がある。LEDモジュールA1では、金属配線2と封止樹脂4との間に被覆部材6を挟むことにより、上記の問題の解消を図っている。このためLEDモジュールA1は信頼性の向上を図りやすい構成となっている。
さらにLEDモジュールA1では、封止樹脂4の側面41,42が斜面となっている。このことは、トランスファーモールド法において樹脂が硬化した後に金型を基板材料から引き離す際に、封止樹脂4が金型に引っ掛かるのを防ぐのに適している。封止樹脂4が金型に引っ掛かる場合、より長い時間封止樹脂4と基板1とを引き離す方向に力を加えることになり、金属配線2と封止樹脂4との剥離を誘発する危険性が増す。このような問題を防止できるため、LEDモジュールA1は信頼性の向上を図りやすい構成である。
なお、図3に示す例では、被覆部材6のy方向における長さは基板1のy方向における長さよりも短くなっているが、被覆部材6のy方向における長さは基板1のy方向における長さと同じであっても構わない。
また、上記の実施形態では、被覆部材6は封止樹脂4の外にはみだしていないが、被覆部材6が封止樹脂4の外側にはみだしていても構わない。
図4〜図9は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。
図4は、本発明の第2実施形態に基づくLEDモジュールA2を示している。図4に示すLEDモジュールA2は、被覆部材6の形状がLEDモジュールA1の場合と異なっており、その他の構成はLEDモジュールA1と同様となっている。図4は封止樹脂4を省略した平面図である。
本実施形態の被覆部材6は図4に示すように、z方向視において基板1の両端部を除く大部分を覆うように形成されている。さらに被覆部材6は搭載部212の一部を露出させる開口部63と、細帯部221の一部を露出させる凹部64とを備えている。
LEDモジュールA2の被覆部材6は、開口部63および凹部64が設けられている部分以外ではy方向における全長に渡って基板1を覆っている。被覆部材6のx方向における両端65,66は図示していない封止樹脂4のx方向における両端(図1の4a,4b参照)と重なっているのが望ましい。なお、封止樹脂4の外側に被覆部材6がはみ出していても構わない。
図4に示す例では、開口部63はz方向視円形であり、搭載部212の四隅は被覆部材6に覆われている。開口部63の大きさはLEDチップ3が設置できる面積であればよく、適宜変更可能である。
図4に示す例では凹部64は、被覆部材6のx方向における図中右端66からx方向図中左方に凹むように形成されている。凹部64は、ワイヤ5をボンディングするのに必要な領域だけ細帯部221を露出させることができればよく、その形状は適宜変更可能である。
また、被覆部材6は、基板1よりもLEDチップ3により出射される光の反射率が大きいことが好ましい。図4に示すように基板1の表面は被覆部材6によって覆われており、反射率が比較的大きな被覆部材6を採用することにより、覆わない場合よりも光の取り出し効率を向上させることができる。逆に、被覆部材6の反射率が基板1よりも小さい場合、たとえば図1に示す場合のように基板1の表面を覆う面積が小さくなるようにするか、または、図9に示す場合のように被覆部材6は金属配線2の上面のみを覆うように形成することが好ましい。
図5は、本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールA3を示している。図5に示すLEDモジュールA3では、封止樹脂4の角が丸くなっており、その他の構成はLEDモジュールA1と同様となっている。
本実施形態では、封止樹脂4の側面41,42とz方向図5中上面との間に曲面43,44が設けられている。このような曲面43,44を設けることで、封止樹脂4を金型から引き抜く際の抵抗をさらに低減する効果を期待することができる。
図6は、本発明の第4実施形態に基づくLEDモジュールA4を示している。図6に示すLEDモジュールA4では、被覆部材6が封止樹脂4からはみ出すように形成されており、その他の構成はLEDモジュールA3と同様となっている。
図6に示すように、第1の被覆部材61の図中左端61aは封止樹脂4の図中左端4aよりもx方向において図中左側に位置している。図6に示す例では、第1の被覆部材61の左端61aは、金属配線2の図中左端まで達している。なお、第1の被覆部材61の左端61aが封止樹脂4の左端4aと金属配線2の図中左端との間に位置するようにしてもよい。
第2の被覆部材62の図6中右端62aは封止樹脂4の図6中右端4bよりもx方向において図6中右側に位置している。図6に示す例では、第2の被覆部材62の右端62aは、金属配線2の図中右端まで達している。なお、第2の被覆部材62の右端62aが封止樹脂4の右端4bと金属配線2の図中右端との間に位置するようにしてもよい。
図7は、本発明の第5実施形態に基づくLEDモジュールA5を示している。図7に示すLEDモジュールA5では、被覆部材6が封止樹脂4の内側に入り込むように形成されており、その他の構成はLEDモジュールA3と同様となっている。
図7に示すように、第1の被覆部材61の図中左端61aは封止樹脂4の図中左端4aよりもx方向において図中右側に位置している。第2の被覆部材62の図7中右端62aは封止樹脂4の図7中右端4bよりもx方向において図6中左側に位置している。
図8は、本発明の第6実施形態に基づくLEDモジュールA6を示している。図8に示すLEDモジュールA6では、凹部64の代わりにz方向視円形の開口部67が形成されている。LEDモジュールA6のその他の構成はLEDモジュールA2と同様である。
このようにすると、被覆部材6は金属配線2をより広く覆うことになり、封止樹脂4の剥がれをより一層抑制することができる。
図9は、本発明の第7実施形態に基づくLEDモジュールA7を示している。図9に示すLEDモジュールA7では、被覆部材6が金属配線2の上面のみを覆うように形成されている。LEDモジュールA7のその他の構成はLEDモジュールA1と同様である。前述したように、このような構成は被覆部材6の反射率が基板1よりも小さい場合に有効である。
本発明に係るLEDモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るLEDモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
たとえば、上記実施形態ではダイボンディングおよびワイヤボンディングをした例を説明したが、左右の電極にそれぞれワイヤボンディング部を設け、LEDチップと2つのワイヤボンディングにより接続する形態にも適用できる。また、左右の電極にフリップチップ接続をする形態にも適用可能である。いずれにせよ、LEDチップと金属配線との接続部分は除いて被覆部材が形成される。
A1〜A7 LEDモジュール
x (第1の)方向
y (第2の)方向
z (厚み)方向
1 基板
1a 凹部
2 金属配線
21 (第1の)金属電極
22 (第2の)金属電極
211 細帯部
212 搭載部
221 細帯部
3 LEDチップ
4 封止樹脂
41,42 側面
43,44 曲面
5 ワイヤ
6 被覆部材
61 第1の被覆部材
62 第2の被覆部材
63 開口部
64 凹部
67 開口部

Claims (7)

  1. 第1方向の一方側を向く第1主面を有する基板と、
    前記第1主面上に互いに離間して形成された第1金属電極および第2金属電極を備える金属配線と、
    前記第2金属電極上に搭載され且つ前記第1金属電極に電気的に接続された発光素子と、
    前記第1主面および前記第1金属電極上に形成された絶縁性の第1被覆部材と、
    前記第1被覆部材と離間し、且つ前記第1主面上および前記第2金属電極上に形成された絶縁性の第2被覆部材と、
    前記発光素子および前記第1金属電極に接続されたワイヤと、
    前記発光素子および前記ワイヤを覆い且つ前記第1主面、前記第1金属電極、前記第2金属電極、前記第1被覆部材および前記第2被覆部材上に形成された樹脂部と、を備え、
    前記第1被覆部材は、前記第1方向と直角であって前記第1金属電極および前記第2金属電極が離間する方向である第2方向において、前記ワイヤよりも前記第2金属電極とは反対側に位置しており、
    前記第2方向において前記第1被覆部材が前記樹脂部に覆われた部分の最大長さは、前記第1被覆部材が前記樹脂部から露出する部分の最大長さよりも長く、
    前記第1主面は、前記第1被覆部材と前記第2被覆部材との間において前記第1方向および第2方向と直角である第3方向の両端に到達する部分であって前記樹脂部と接する部分を有する、発光装置。
  2. 前記第2被覆部材は、前記第2方向において、前記発光素子よりも前記第1金属電極とは反対側に位置している、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記基板は、前記第3方向一方側を向く第1側面と、前記第3方向他方側を向く第2側面とを有し、
    前記樹脂部は、前記第3方向一方側を向く樹脂部第1側面と、前記第3方向他方側を向く樹脂部第2側面と、を有し、
    前記第1側面は、前記樹脂部第1側面と面一であり、
    前記第2側面は、前記樹脂部第2側面と面一である、請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記樹脂部は、前記第2方向の一方側を向く樹脂部第3側面と、前記第2方向の他方側を向く樹脂部第4側面と、を有し、
    前記樹脂部第3側面および前記樹脂部第4側面は、第1方向において前記基板に近づくにつれて前記第1方向視において前記発光素子から遠ざかるように傾斜している、請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記樹脂部は、前記第1方向の一方側を向く樹脂部主面と、前記樹脂部主面と前記樹脂部第3側面との間に介在する樹脂部第1曲面と、前記樹脂部主面と前記樹脂部第4側面との間に介在する樹脂部第2曲面と、を有する、請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記基板は、前記第1方向の他方側を向く第2主面を有し、
    前記第1金属電極は、前記第2主面上に形成された部分を有し、
    前記第2金属電極は、前記第2主面上において前記第1金属電極から離間して形成された部分を有し、
    前記第1方向視において、前記第1金属電極および前記第2金属電極のうち前記第2主面上に形成された部分は、前記樹脂部と重なる、請求項1ないし5のいずれかに記載の発光装置。
  7. 前記発光素子は、前記基板の前記第2方向における中央に配置されている、請求項1ないし6のいずれかに記載の発光素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08321634A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP3065509B2 (ja) * 1995-06-02 2000-07-17 スタンレー電気株式会社 表面実装型発光ダイオード
JP3871820B2 (ja) * 1998-10-23 2007-01-24 ローム株式会社 半導体発光素子
JP3751464B2 (ja) * 1999-03-24 2006-03-01 ローム株式会社 チップ型発光装置
JP2001223285A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Rohm Co Ltd チップ型半導体装置及びその製造方法
JP2002280479A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
JP2003023183A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Stanley Electric Co Ltd 面実装型ledランプ
JP2003051620A (ja) * 2001-08-08 2003-02-21 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP3924481B2 (ja) * 2002-03-08 2007-06-06 ローム株式会社 半導体チップを使用した半導体装置
CN1489224A (zh) * 2003-09-02 2004-04-14 陈洪花 高亮度超薄光半导体器件
US20060186428A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Tan Kheng L Light emitting device with enhanced encapsulant adhesion using siloxane material and method for fabricating the device
JP4989867B2 (ja) * 2005-08-26 2012-08-01 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
JP5200394B2 (ja) * 2007-03-05 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP2009140713A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Kenwood Corp イルミネーションユニット、及びオーディオ機器
JP5121544B2 (ja) * 2008-04-11 2013-01-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN101587933B (zh) * 2009-07-07 2010-12-08 苏州晶方半导体科技股份有限公司 发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法

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