JP2011077164A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、ダイパッドと導電性接着材との接着性を向上しつつ、双方の界面への水分の吸水経路を遮断することができ、ダイパッドと導電性接着材との導通不良を防止することができる、電気的特性に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１において、絶縁性基板２と、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上に配設されたダイパッド３１と、ダイパッド３１の上面３１Ａ及び側面３１Ｓに配設され、ダイパッド３１の側面３１Ｓの周の絶縁性基板２の第１の表面２Ａに達する導電性接着材４と、ダイパッド３１の上面３１Ａに導電性接着材４を介在し一方の主電極５１に電気的かつ機械的に接続された発光素子５と、ダイパッド３１、導電性接着材４及び発光素子５を被覆し、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上に配設された光透過性樹脂７とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光装置に関し、特に絶縁性基板上のダイパッドに発光素子を搭載し、この発光素子を光透過性樹脂により被覆した半導体発光装置に関する。

消費電力が小さく、寿命が長く、薄型化に適した発光表示装置が知られている。例えば、下記特許文献１には、中央部に穴を有する電極パッド部を絶縁性基板上に形成し、この穴内に導電性ペースト材を介して固体発光素子を埋め込むとともに、この固体発光素子を電極パッド部に電気的に接続する発光表示装置が開示されている。固体発光素子には半導体チップとして製作された発光ダイオードが使用されている。固体発光素子並びに電極パッド部は透光性の樹脂からなる外囲封止部によって被覆されている。

特開平１１−０８７７７５号公報

しかしながら、前述の特許文献１に開示された発光表示装置においては、以下の点について配慮がなされていなかった。

発光表示装置において、電極パッド部には金属が使用され、導電性ペースト材には金属粒子を含む樹脂系接着材が使用され、電極パッド部と導電性ペースト材とは有機材と無機材との接着構造になっている。発光表示装置は半田を用いて配線基板等に実装されるが、この実装の際に半田リフロー工程が行われ、発光表示装置全体に熱衝撃が生じる。特に、この熱衝撃は無機材と有機材との接着性が弱い界面にポップコーン現象と称される剥離を生じさせる。更に、電極パッド部と導電性ペースト材との界面が剥離された部分に外囲封止部の外部の水分が吸水された場合には、熱衝撃によって水分が気化し膨張し、界面の剥離が助長されてしまう。このような電極パッド部と導電性ペースト材との界面の剥離は、電気的な導通不良を生じるので、発光表示装置の電気的特性に影響を与える。

本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、ダイパッドと導電性接着材との接着性を向上しつつ、ダイパッドと導電性接着材との界面への水分の吸水経路を遮断することにより、ダイパッドと導電性接着材との導通不良を防止し、電気的特性に優れた半導体発光装置を提供することである。

上記課題を解決するために、本発明の実施例に係る第１の特徴は、半導体発光装置において、絶縁性基板と、絶縁性基板の第１の表面上に配設されたダイパッドと、ダイパッドの上面及び側面に配設され、ダイパッドの側面の周囲において絶縁性基板の第１の表面に達する導電性接着材と、ダイパッドの上面に導電性接着材を介在し一方の主電極に電気的かつ機械的に接続された発光素子と、ダイパッド、導電性接着材及び発光素子を被覆し、絶縁性基板の第１の表面上に配設された光透過性樹脂とを備える。

実施例に係る第２の特徴は、第１の特徴に係る半導体発光装置において、絶縁性基板の第１の表面上のダイパッドから離れた領域に配設された第１の外部端子と、絶縁性基板の第１の表面上に配設され、ダイパッドと第１の外部端子とを電気的に接続し、光透過性樹脂により被覆された金属配線とを更に備え、導電性接着材は、金属配線の上面及び側面にも配設され、金属配線の側面の周囲において絶縁性基板の第１の表面に達することである。

実施例に係る第３の特徴は、第１の特徴に係る半導体発光装置において、ダイパッド直下の絶縁性基板の内部に配設され、ダイパッドに一端が電気的に接続されるとともに、第１の表面からそれに対向する第２の表面に達する第１の接続孔配線と、絶縁性基板の第２の表面上に配設され、第１の接続孔配線の他端に電気的に接続される第１の外部端子とを更に備えることである。

実施例に係る第４の特徴は、第１の特徴乃至第３の特徴に係るいずれかの半導体発光装置において、絶縁性基板の第１の表面上のダイパッド及び第１の外部端子から離れた領域に配設され、光透過性樹脂により被覆されたボンディングパッドと、発光素子の他方の主電極とボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、絶縁性基板の第１の表面上のダイパッド、第１の外部端子及びボンディングパッドから離れた領域に配設され、ボンディングパッドに電気的に接続される第２の外部端子とを更に備え、導電性接着材は、ボンディングパッドの上面及び側面にも配設され、ボンディングパッドの側面の周囲において絶縁性基板の第１の表面に達することである。

実施例に係る第５の特徴は、第１の特徴に係る半導体発光装置において、絶縁性基板の第１の表面上のダイパッドから離れた領域に配設され、光透過性樹脂により被覆されたボンディングパッドと、発光素子の他方の主電極とボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、ダイパッド直下の絶縁性基板の内部に配設され、ダイパッドに一端が電気的に接続されるとともに、第１の表面からそれに対向する第２の表面に達する第１の接続孔配線と、絶縁性基板の第２の表面上に配設され、第１の接続孔配線の他端に電気的に接続される第１の外部端子と、ボンディングパッド直下の絶縁性基板の内部に配設され、ボンディングパッドに一端が電気的に接続されるとともに、第２の表面に達する第２の接続孔配線と、絶縁性基板の第１の外部端子から離れた領域において第２の表面上に配設され、第２の接続孔配線の他端に電気的に接続される第２の外部端子と、絶縁性基板の第２の表面上において第１の外部端子と第２の外部端子との間に配設された絶縁性のレジスト層とを更に備える。

本発明によれば、ダイパッドと導電性接着材との接着性を向上しつつ、ダイパッドと導電性接着材との界面への水分の吸水経路を遮断することができ、ダイパッドと導電性接着材との導通不良を防止し、電気的特性に優れた半導体発光装置を提供することができる。

本発明の実施例１に係る半導体発光装置の断面図である。 図１に示す半導体発光装置の平面図である。 本発明の実施例２に係る半導体発光装置の断面図である。 図３に示す半導体発光装置の平面図である。 本発明の実施例３に係る半導体発光装置の断面図である。 図５に示す半導体発光装置の平面図である。 図５及び図６に示す半導体発光装置の裏面図である。 本発明の実施例４に係る半導体発光装置の断面図である。 図８に示す半導体発光装置の平面図である。

次に、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

また、以下に示す実施例はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

（実施例１）
本発明の実施例１は、発光素子として発光ダイオードが使用される半導体発光装置に本発明を適用した例を説明するものである。

［半導体発光装置のデバイス構造］
図１及び図２に示すように、実施例１に係る半導体発光装置１は、絶縁性基板２と、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上に配設されたダイパッド３１と、ダイパッド３１の上面３１Ａ及び側面３１Ｓに配設され、ダイパッド３１の側面３１Ｓの周囲において絶縁性基板１の第１の表面２Ａに達する導電性接着材４と、ダイパッド３１の上面３１Ａに導電性接着材４を介在し一方の主電極５１に電気的かつ機械的に接続された発光素子５と、ダイパッド３１、導電性接着材４及び発光素子５を被覆し、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上に配設された光透過性樹脂７とを備えている。

絶縁性基板２は半導体発光装置のベースとなる基材であり、この絶縁性基板２には例えばガラスエポキシ基板が使用される。この絶縁性基板２Ａの第１の表面２Ａは、図１中、上側表面である。また、絶縁性基板２Ａの第１の表面２Ａに対向する、図１中、下側表面は、第２の表面（裏面又は実装面）２Ｂである。

ダイパッド３１は、発光素子５の平面形状に対して一回り大きく、少なくともダイボンディングの際のアライメント余裕寸法を加味したサイズの平面形状により構成されている。ダイパッド３１の平面形状は、実施例１において正方形形状であるが、この形状に限定されるものではない。ダイパッド３１は発光素子５の一方の主電極５１に電源を供給するので、導電性を有する材料により構成されている。例えば、ダイパッド３１には、無機材である、Ｃｕ箔と、このＣｕ箔上に積層されたＮｉ−Ａｕ膜と、このＮｉ−Ａｕ膜上に積層されたＡｕ膜との積層膜により形成されている。ダイパッド３１の最下層であるＣｕ箔は、配線或いは電極としての母材であり、電気的抵抗が小さく、熱伝導性に優れている。最上層のＡｕ膜はワイヤ６との接合性を向上するために形成されている。中間層のＮｉ−Ａｕ膜は、最下層のＣｕ箔を保護するとともに、このＣｕ箔と最上層のＡｕ膜との接合性を向上するために形成されている。ダイパッド３１は、金属により形成されているので、無機材である。

絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上において、ダイパッド３１に隣り合って離れた領域、図１中及び図２中、中央右側には、ボンディングパッド３２が配設されている。このボンディングパッド３２は発光素子５の他方の主電極５２にここではワイヤ６を通して電気的に接続されている。ボンディングパッド３２は、ダイパッド３１の平面形状に対して一回り小さく、少なくともワイヤボンディングの際のアライメント余裕寸法を加味したサイズの平面形状により構成されている。ボンディングパッド３２の平面形状は、実施例１において正方形形状であるが、この形状に限定されるものではない。ボンディングパッド３２は、ここでは例えばワイヤ６にＡｕワイヤが使用されるので、ボンダビリティを向上するために、前述のダイパッド３１と同様の積層膜により構成されている。ボンディングパッド３２はダイパッド３１と同様に光透過性樹脂７により被覆されている。

絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上において、ダイパッド３１から離れた領域、図１中及び図２中、左側には第１の外部端子３３が配設されている。この第１の外部端子３３は、実施例１において、絶縁性基板２の第１の表面２Ａから側面に渡り第２の表面２Ｂまで延伸され、半導体発光装置１を実装する際の端子として使用されている。絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上において、ダイパッド３１と第１の外部端子３３との間には金属配線３４が配設され、この金属配線３４はダイパッド３１と第１の外部端子３３との間を電気的に接続している。第１の外部端子３１及び金属配線３４は、例えばダイパッド３１の最下層と中間層とを積層した積層膜により構成され、第１の外部端子３３、金属配線３４及びダイパッド３１は一体に構成されている。

同様に、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上において、ダイパッド３１、ボンディングパッド３２及び第１の外部端子３３から離れた領域、図１中及び図２中、右側には第２の外部端子３５が配設されている。この第２の外部端子３５は、実施例１において、絶縁性基板２の第１の表面２Ａから側面に渡り第２の表面２Ｂまで延伸され、半導体発光装置１を実装する際の端子として使用されている。絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上において、ボンディングパッド３２と第２の外部端子３５との間には金属配線３６が配設され、この金属配線３６はボンディングパッド３２と第２の外部端子３５との間を電気的に接続している。第２の外部端子３５及び金属配線３６は、例えばダイパッド３１の最下層と中間層とを積層した積層膜により構成され、第２の外部端子３５、金属配線３６及びボンディングパッド３２は一体に構成されている。

導電性接着材４は、ダイパッド３１と発光素子５の第１の主電極５１とを電気的に接続するとともに、機械的に接合（接着）する。導電性接着材４には、例えば金属粒子を含む樹脂系接着材が使用される。実施例１において、特にこれに限定されるものではないが、導電性接着材４には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ｐ−アミノフェノール型エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、イミダゾール及びその誘導体、ジシアンジアミド及びその誘電体を含む樹脂系接着剤にＡｇ粒子を分散させた導電性接着材が使用される。

導電性接着材４は、基本的にはダイパッド３１に発光素子５を電気的かつ機械的に取り付ける機能を有するが、ここではダイパッド３１の露出する表面を被覆するとともに、絶縁性基板１の第１の表面２Ａに達するまで配設されている。すなわち、導電性接着材４は有機材であり、導電性接着材４とダイパッド３１との接着性は弱いので、導電性接着材４をダイパッド３１の上面３１Ａ及び側面３１Ｓの広範囲に渡って配設し、接着面積を増加することによって、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の接着性を向上することができる。更に、導電性接着材４をそのまま絶縁性基板２の第１の表面２Ａまで重複させ、導電性接着材４と絶縁性基板２とを有機材同士で接着させることにより、ダイパッド３１と導電性接着材４との接着性を向上しつつ、ダイパッド３１を導電性接着材４により締め付け保持することができる。特に、ダイパッド３１の周囲において、導電性接着材４と絶縁性基板２との間が完全に接着されるので、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面への水分の浸入経路を遮断することができる。

導電性接着材４は、半導体発光装置１の製造プロセスにおいて、塗布法或いは滴下塗布法により形成され、その使用量が若干増加するものの、一回の工程により形成することができる。つまり、本来の製造プロセスの工程に組み込まれている導電性接着材４の塗布工程或いは滴下塗布工程を用いて、特に工程数を増加せずに、導電性接着材４を形成することができる。

発光素子５は実施例１において半導体発光ダイオードである。図１中、簡略化して示してあるが、発光素子５は、発光素子本体５０と、この発光素子本体５０のダイパッド３１側の裏面全域に配設された一方の主電極５１と、発光素子本体５０の裏面に対向する表面（主面）に配設された他方の主電極５２とを備えた半導体チップである。発光素子本体５０は、例えば青色発光素子の場合には、サファイア基板若しくはシリコン基板とその表面上に積層されたＩｎＧａＮ系半導体層とを有する。また、発光素子本体５０は、例えば赤色発光素子の場合には、ＡｌＮ基板若しくはサファイア基板とその表面上に積層されたＡｌＧａＩｎＰ系半導体層とを有する。一方の主電極５１、他方の主電極５２のそれぞれの少なくとも最上層には例えばＡｕ層が配設されている。

発光素子５はダイパッド３１の上面３１Ａ上に導電性接着材４を介して搭載され、発光素子５の一方の主電極５１とダイパッド３１とは前述のように導電性接着材４によって電気的に接続されかつ機械的に接合されている。発光素子５の他方の主電極５２はワイヤ６を通してボンディングパッド３２に電気的に接続されている。

光透過性樹脂７は、発光素子５、ダイパッド３１、ボンディングパッド３２、ワイヤ６、金属配線３４及び３６を被覆し、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上に配設されている。光透過性樹脂７には例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂を実用的に使用することができる。光透過性樹脂７は例えばトランスファーモールド法により成形される。

［半導体発光装置の特徴］
このように構成される実施例１に係る半導体発光装置１においては、ダイパッド３１の上面３１Ａ及び側面３１Ｓを被覆しダイパッド３１の周囲の絶縁性基板２の第１の表面２Ａまで達する導電性接着材４を備えたので、接着面積を増加してダイパッド３１と導電性接着材４との接着性を向上しつつ、導電性接着材４と絶縁性基板２との有機材同士の接着領域を形成してダイパッド３１と導電性接着材４との界面への水分の吸水経路を遮断することができる。従って、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離に伴う双方の導通不良を防止することができ、電気的特性に優れた半導体発光装置１を実現することができる。

更に、実施例１に係る半導体発光装置１の製造プロセスにおいては、導電性接着材４の塗布領域を拡張するだけで、新たに工程を追加することなく、電気的特性に優れた半導体発光装置１を製作することができる。

（実施例２）
本発明の実施例２は、前述の実施例１に係る半導体発光装置１において、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離をより一層防止した例を説明するものである。

［半導体発光装置の構造］
図３及び図４に示すように、実施例２に係る半導体発光装置１は、実施例１に係る半導体発光装置１において、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ上のダイパッド３１と第１の外部端子３３とを接続する金属配線３４の上面３４Ａ及び側面３４Ｓを含み、金属配線３４の側面３４Ｓの周囲の絶縁性基板２の第１の表面２Ａに達する導電性接着材４を備えている。勿論、導電性接着材４は、ダイパッド３１の上面３１Ａ及び側面３１Ｓを含み、ダイパッド３１の側面３１Ｓの周囲の絶縁性基板２の第１の表面２Ａに達する。

金属配線３４は前述の通り無機材であり、金属配線３４と有機材である光透過性樹脂７との接着力は弱い。金属配線３４を導電性接着材４により被覆することによって、金属配線３４と導電性接着材４との接着面積を増加しつつ、金属配線３４の側面３４Ｓの周囲の絶縁性基板２と導電性接着材４とを有機材同士として強固に接着することができる。すなわち、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離には直接関与しないが、例えば半田リフロー等の実装工程によって、金属配線３４と光透過性樹脂７との界面の剥離がダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離を助長し、又その界面への水分の吸水経路を生成するので、このような現象を防止することができる。

なお、金属配線３４を被覆する導電性接着材４は、ダイパッド３１を被覆する導電性接着材４と同一のもので、製造プロセスにおいて同一工程により形成されている。また、図示しないが、金属配線３６も金属配線３４と同様に導電性接着材４により被覆することができる。

［半導体発光装置の特徴］
このように構成される実施例２に係る半導体発光装置１においては、実施例１に係る半導体発光装置１により得られる作用効果に加えて、金属配線３４の上面３４Ａ及び側面３４Ｓを被覆し金属配線３４の周囲の絶縁性基板２の第１の表面２Ａまで達する導電性接着材４を備えたので、金属配線３４と光透過性樹脂７との接着性を向上しつつ、金属配線３４と光透過性樹脂７との界面に発生する水分の吸水経路を遮断することができる。従って、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離に伴う双方の導通不良をより一層防止することができ、電気的特性に優れた半導体発光装置１を実現することができる。

更に、実施例２に係る半導体発光装置１の製造プロセスにおいては、導電性接着材４の塗布領域を拡張するだけで、新たに工程を追加することなく、電気的特性に優れた半導体発光装置１を製作することができる。

（実施例３）
本発明の実施例３は、前述の実施例１に係る半導体発光装置１において、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離をより一層防止した例を説明するものである。

［半導体発光装置の構造］
図５及び図６に示すように、実施例３に係る半導体発光装置１は、実施例１に係る半導体発光装置１において、ダイパッド３１直下の絶縁性基板２の内部に配設され、ダイパッド３１に一端が電気的に接続されるとともに、第１の表面２Ａからそれに対向する第２の表面２Ｂに達する第１の接続孔配線（ビアホール配線又はスルーホール配線）３７と、絶縁性基板２の第２の表面２Ｂ上に配設され、第１の接続孔配線３７の他端に電気的に接続される第１の外部端子３３と、ボンディングパッド３２直下の絶縁性基板２の内部に配設され、ボンディングパッド３２に一端が電気的に接続されるとともに、第２の表面２Ｂに達する第２の接続孔配線（ビアホール配線又はスルーホール配線）３８と、絶縁性基板２の第１の外部端子３３から離れた領域において第２の表面２Ｂ上に配設され、第２の接続孔配線３８の他端に電気的に接続される第２の外部端子３５とを備えている。更に、図５及び図７に示すように、実施例３に係る半導体発光装置１は、絶縁性基板２の第２の表面２Ｂ上において第１の外部端子３３と第２の外部端子３５との間に配設された絶縁性のレジスト層８を備えている。

第１の接続孔配線３７は、基本的に実施例２に係る半導体発光装置１の金属配線３４に相当し、ダイパッド３１と第１の外部端子３３との電気的な接続を行う配線である。第１の接続孔配線３７は絶縁性基板２のダイパッド３１と重複する領域内に配設された第１の接続孔（ビアホール又はスルーホール）２１内に埋設され、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ側に配設された光透光性樹脂７から離間されるとともに接着部自体存在しない構造を有する。第１の接続孔配線３７には例えばめっき法を用いて形成されたＣｕ配線が使用される。

第２の接続孔配線３８は、同様に実施例２に係る半導体発光装置１の金属配線３６に相当し、ボンディングパッド３２と第２の外部端子３５との電気的な接続を行う配線である。第２の接続孔配線３８は絶縁性基板２のボンディングパッド３２と重複する領域内に配設された第２の接続孔（ビアホール又はスルーホール）２２内に埋設され、絶縁性基板２の第１の表面２Ａ側に配設された光透過性樹脂７から離間されるとともに接着部自体存在しない構造を有する。第２の接続孔配線３８は第１の接続孔配線３７と同一方法を用いて同一材料により形成される。

レジスト層８には例えばソルダーレジスト膜を実用的に使用することができる。ダイパッド３１直下に第１の接続孔配線３７、ボンディングパッド３２直下に第２の接続孔配線３８を配設した関係で、絶縁性基板２の第２の表面２Ｂ上において第１の外部端子３３と第２の外部端子３５との離間距離が近づくので、半導体発光装置１を半田を用いて実装した際に、第１の外部端子３３と第２の外部端子３５とが半田を通して短絡することを防止する目的において、レジスト層８が配設されている。

［半導体発光装置の特徴］
このように構成される実施例３に係る半導体発光装置１においては、実施例１に係る半導体発光装置１により得られる作用効果に加えて、ダイパッド３１直下の絶縁性基板２に第１の接続孔配線３７を備え、ボンディングパッド３２直下の絶縁性基板２に第２の接続孔配線３８を備えたので、第１の接続孔配線３７及び第２の接続孔配線３８と光透過性樹脂７との界面の剥離を根本的に皆無にすることができ、その界面に発生する水分の吸水経路を根本的に皆無にすることができる。従って、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離に伴う双方の導通不良をより一層防止することができ、電気的特性に優れた半導体発光装置１を実現することができる。

（実施例４）
本発明の実施例４は、前述の実施例３に係る半導体発光装置１において、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離をより一層防止した例を説明するものである。

［半導体発光装置の構造］
図８及び図９に示すように、実施例４に係る半導体発光装置１は、前述の実施例３に係る半導体発光装置１において、導電性接着材は、ボンディングパッド３２の上面３２Ａ及び側面３２Ｓに配設され、ボンディングパッド３２の側面３２Ｓの周囲の絶縁性基板２の第１の表面２Ａに達する導電性接着材４Ｂを備えている。ボンディングパッド３２は前述の通り無機材であり、ボンディングパッド３２と有機材である光透過性樹脂７との接着力は弱い。ボンディングパッド３２を導電性接着材４Ｂにより被覆することによって、ボンディングパッド３２と導電性接着材４Ｂとの接着面積を増加しつつ、ボンディングパッド３２の側面３２Ｓの周囲の絶縁性基板２と導電性接着材４Ｂとを有機材同士として強固に接着することができる。すなわち、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離には直接関与しないが、例えば半田リフロー等の実装工程によって、ボンディングパッド３２と光透過性樹脂７との界面の剥離があまり離間寸法がないダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離を助長し、又その界面への水分の吸水経路を生成するので、このような現象を防止することができる。また、ワイヤ６と光透過性樹脂７との界面への吸水経路も遮断することができる。

なお、ボンディングパッド３２を被覆する導電性接着材４Ｂは、ダイパッド３１を被覆する導電性接着材４と同一のもので、製造プロセスにおいて同一工程内（塗布工程内又は滴下塗布工程内）により形成されている。

［半導体発光装置の特徴］
このように構成される実施例４に係る半導体発光装置１においては、実施例３に係る半導体発光装置１により得られる作用効果に加えて、ボンディングパッド３２の上面３２Ａ及び側面３２Ｓを被覆しボンディングパッド３２の周囲の絶縁性基板２の第１の表面２Ａまで達する導電性接着材４Ｂを備えたので、ボンディングパッド３２と光透過性樹脂７との接着性を向上しつつ、ボンディングパッド３２と光透過性樹脂７との界面に発生する水分の吸水経路を遮断することができる。従って、ダイパッド３１と導電性接着材４との界面の剥離に伴う双方の導通不良をより一層防止することができ、電気的特性に優れた半導体発光装置１を実現することができる。

（その他の実施例）
上記のように、本発明を実施例１乃至実施例４によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。

本発明においては、ダイパッドと導電性接着材との接着性を向上しつつ、ダイパッドと導電性接着材との界面への水分の吸水経路を遮断することができ、ダイパッドと導電性接着材との導通不良を防止することができる、電気的特性に優れた半導体発光装置に広く適用することができる。

１…半導体発光装置
２…絶縁性基板
２Ａ…第１の表面
２Ｂ…第２の表面
２１…第１の接続孔
２２…第２の接続孔
３１…ダイパッド
３２…ボンディングパッド
３３…第１の外部端子
３４、３６…金属配線
３５…第２の外部端子
３７…第１の接続孔配線
３８…第２の接続孔配線
４、４Ｂ…導電性接着材
５…発光素子
５１…一方の主電極
５２…他方の主電極
６…ワイヤ
７…光透過性樹脂
８…レジスト層

Claims (5)

1. 絶縁性基板と、
   前記絶縁性基板の第１の表面上に配設されたダイパッドと、
   前記ダイパッドの上面及び側面に配設され、前記ダイパッドの前記側面の周囲において前記絶縁性基板の第１の表面に達する導電性接着材と、
   前記ダイパッドの上面に前記導電性接着材を介在し一方の主電極に電気的かつ機械的に接続された発光素子と、
   前記ダイパッド、前記導電性接着材及び前記発光素子を被覆し、前記絶縁性基板の前記第１の表面上に配設された光透過性樹脂と、
   を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記絶縁性基板の前記第１の表面上において前記ダイパッドから離れた領域に配設された第１の外部端子と、
   前記絶縁性基板の前記第１の表面上に配設され、前記ダイパッドと前記第１の外部端子とを電気的に接続し、前記光透過性樹脂により被覆された金属配線と、を更に備え、
   前記導電性接着材は、前記金属配線の上面及び側面にも配設され、前記金属配線の前記側面の周囲において前記絶縁性基板の前記第１の表面に達することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記ダイパッド直下の前記絶縁性基板の内部に配設され、前記ダイパッドに一端が電気的に接続されるとともに、前記第１の表面からそれに対向する第２の表面に達する第１の接続孔配線と、
   前記絶縁性基板の前記第２の表面上に配設され、前記第１の接続孔配線の他端に電気的に接続される第１の外部端子と、
   を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
4. 前記絶縁性基板の前記第１の表面上において前記ダイパッド及び前記第１の外部端子から離れた領域に配設され、前記光透過性樹脂により被覆されたボンディングパッドと、
   前記発光素子の他方の主電極と前記ボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、
   前記絶縁性基板の前記第１の表面上において前記ダイパッド、前記第１の外部端子及び前記ボンディングパッドから離れた領域に配設され、前記ボンディングパッドに電気的に接続される第２の外部端子と、を更に備え、
   前記導電性接着材は、前記ボンディングパッドの上面及び側面にも配設され、前記ボンディングパッドの前記側面の周囲において前記絶縁性基板の前記第１の表面に達することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体発光装置。
5. 前記絶縁性基板の前記第１の表面上において前記ダイパッドから離れた領域に配設され、前記光透過性樹脂により被覆されたボンディングパッドと、
   前記発光素子の他方の主電極と前記ボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、
   前記ダイパッド直下の前記絶縁性基板の内部に配設され、前記ダイパッドに一端が電気的に接続されるとともに、前記第１の表面からそれに対向する第２の表面に達する第１の接続孔配線と、
   前記絶縁性基板の前記第２の表面上に配設され、前記第１の接続孔配線の他端に電気的に接続される第１の外部端子と、
   前記ボンディングパッド直下の前記絶縁性基板の内部に配設され、前記ボンディングパッドに一端が電気的に接続されるとともに、前記第２の表面に達する第２の接続孔配線と、
   前記絶縁性基板の前記第１の外部端子から離れた領域において前記第２の表面上に配設され、前記第２の接続孔配線の他端に電気的に接続される第２の外部端子と、
   前記絶縁性基板の前記第２の表面上において前記第１の外部端子と前記第２の外部端子との間に配設された絶縁性のレジスト層と、
   を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。