CN102034915A - 半导体发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供如下的半导体发光装置：能够提高芯片座与导电性粘接材料的粘接性，并且，遮断针对双方的边界面的水分的吸水路径，能够防止芯片座和导电性粘接材料的导通不良，且电气特性优良。在半导体发光装置(1)中具有：绝缘性基板(2)；芯片座(31)，其配设于绝缘性基板(2)的第1表面(2A)上；导电性粘接材料(4)，其配设于芯片座(31)的上表面(31A)和侧面(31S)，到达芯片座(31)的侧面(31S)的周围的绝缘性基板(2)的第1表面(2A)；发光元件(5)，其在芯片座(31)的上表面(31A)经由导电性粘接材料(4)与一个主电极(51)电气且机械连接；以及光透过性树脂(7)，其覆盖芯片座(31)、导电性粘接材料(4)和发光元件(5)，配设于绝缘性基板(2)的第1表面(2A)上。

Description

半导体发光装置
技术领域
本发明涉及半导体发光装置，特别涉及在绝缘性基板上的芯片座(die pad)搭载发光元件、并通过光透过性树脂覆盖该发光元件的半导体发光装置。
背景技术
公知有消耗电力小、寿命长、薄型化优良的发光显示装置。例如，在下述专利文献1中公开了如下的发光显示装置：在绝缘性基板上形成中央部有孔的电极衬垫部，隔着导电性膏材料将固体发光元件嵌入该孔内，并且，使该固体发光元件与电极衬垫部电连接。固体发光元件使用作为半导体芯片来制造的发光二极管。通过由透光性树脂构成的外围密封部来覆盖固体发光元件和电极衬垫部。
【专利文献1】日本特开平11-087775号公报
但是，在所述专利文献1所公开的发光显示装置中，没有考虑以下方面。
在发光显示装置中，电极衬垫部使用金属，导电性膏材料使用包含金属粒子的树脂系粘接材料，电极衬垫部和导电性膏材料成为有机材料和无机材料的粘接结构。发光显示装置使用焊锡装配在布线基板等上，但是，在该装配时进行焊锡回流焊工序，在发光显示装置整体中产生热冲击。特别地，该热冲击使无机材料和有机材料的粘接性弱的边界面产生被称为爆米花现象的剥离。进而，在电极衬垫部和导电性膏材料的边界面被剥离的部分吸收了外围密封部外部的水分的情况下，由于热冲击使水分气化膨胀，助长了边界面的剥离。这种电极衬垫部和导电性膏材料的边界面的剥离产生电导通不良，所以，对发光显示装置的电气特性造成影响。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而完成的。因此，本发明提供如下的半导体发光装置：提高芯片座和导电性粘接材料的粘接性，并且，遮断针对芯片座和导电性粘接材料的边界面的水分的吸水路径，由此，防止芯片座和导电性粘接材料的导通不良，且电气特性优良。
为了解决上述课题，本发明的实施例的第1特征在于，半导体发光装置具有：绝缘性基板；芯片座，其配设于绝缘性基板的第1表面上；导电性粘接材料，其配设于芯片座的上表面和侧面，在芯片座的侧面的周围到达绝缘性基板的第1表面；发光元件，其在芯片座的上表面经由导电性粘接材料与一个主电极电气地且机械地连接；以及光透过性树脂，其覆盖芯片座、导电性粘接材料和发光元件，配设于绝缘性基板的第1表面上。
实施例的第2特征在于，在第1特征的半导体发光装置中，该半导体发光装置还具有：第1外部端子，其配设于绝缘性基板的第1表面上的与芯片座分开的区域；以及金属布线，其配设于绝缘性基板的第1表面上，将芯片座和第1外部端子电连接，由光透过性树脂覆盖，导电性粘接材料还配设于金属布线的上表面和侧面，在金属布线的侧面的周围到达绝缘性基板的第1表面。
实施例的第3特征在于，在第1特征的半导体发光装置中，该半导体发光装置还具有：第1连接孔布线，其配设于芯片座正下方的绝缘性基板的内部，一端与芯片座电连接，并且，从第1表面到达与其对置的第2表面；以及第1外部端子，其配设于绝缘性基板的第2表面上，与第1连接孔布线的另一端电连接。
实施例的第4特征在于，在第1特征～第3特征的任一个半导体发光装置中，该半导体发光装置还具有：焊盘，其配设于绝缘性基板的第1表面上的与芯片座和第1外部端子分开的区域，由光透过性树脂覆盖；线，其将发光元件的另一个主电极和焊盘电连接；以及第2外部端子，其配设于绝缘性基板的第1表面上的与芯片座、第1外部端子和焊盘分开的区域，并与焊盘电连接，导电性粘接材料还配设于焊盘的上表面和侧面，在焊盘的侧面的周围到达绝缘性基板的第1表面。
实施例的第5特征在于，在第1特征的半导体发光装置中，该半导体发光装置还具有：焊盘，其配设于绝缘性基板的第1表面上的与芯片座分开的区域，由光透过性树脂覆盖；线，其将发光元件的另一个主电极和焊盘电连接；第1连接孔布线，其配设于芯片座正下方的绝缘性基板的内部，一端与芯片座电连接，并且，从第1表面到达与其对置的第2表面；第1外部端子，其配设于绝缘性基板的第2表面上，与第1连接孔布线的另一端电连接；第2连接孔布线，其配设于焊盘正下方的绝缘性基板的内部，一端与焊盘电连接，并且到达第2表面；第2外部端子，其在绝缘性基板的与第1外部端子分开的区域中配设于第2表面上，与第2连接孔布线的另一端电连接；以及绝缘性的抗蚀剂层，其在绝缘性基板的第2表面上配属于第1外部端子与第2外部端子之间。
根据本发明，能够提供如下的半导体发光装置：能够提高芯片座和导电性粘接材料的粘接性，并且，遮断针对芯片座和导电性粘接材料的边界面的水分的吸水路径，防止芯片座和导电性粘接材料的导通不良，且电气特性优良。
附图说明
图1是本发明的实施例1的半导体发光装置的剖面图。
图2是图1所示的半导体发光装置的平面图。
图3是本发明的实施例2的半导体发光装置的剖面图。
图4是图3所示的半导体发光装置的平面图。
图5是本发明的实施例3的半导体发光装置的剖面图。
图6是图5所示的半导体发光装置的平面图。
图7是图5和图6所示的半导体发光装置的背面图。
图8是本发明的实施例4的半导体发光装置的剖面图。
图9是图8所示的半导体发光装置的平面图。
标号说明
1：半导体发光装置；2：绝缘性基板；2A：第1表面；2B：第2表面；21：第1连接孔；22：第2连接孔；31：芯片座；32：焊盘；33：第1外部端子；34、36：金属布线；35：第2外部端子；37：第1连接孔布线；38：第2连接孔布线；4、4B：导电性粘接材料；5：发光元件；51：一个主电极；52：另一个主电极；6：线；7：光透过性树脂；8：抗蚀剂层。
具体实施方式
接着，参照附图说明本发明的实施例。在以下的附图的记载中，对相同或类似的部分标注相同或类似的标号。但是，附图是示意性的，现实情况不同。并且，有时在附图彼此之间包含彼此的尺寸关系和比率不同的部分。
并且，以下所示的实施例例示了用于使本发明的技术思想具体化的装置和方法，本发明的技术思想不是将各结构部件的配置等特定为下述情况。本发明的技术思想能够在权利要求范围内施加各种变更。
(实施例1)
本发明的实施例1说明在使用发光二极管作为发光元件的半导体发光装置中应用本发明的例子。
[半导体发光装置的器件结构]
如图1和图2所示，实施例1的半导体发光装置1具有：绝缘性基板2；芯片座31，其配设于绝缘性基板2的第1表面2A上；导电性粘接材料4，其配设于芯片座31的上表面31A和侧面31S，在芯片座31的侧面31S的周围到达绝缘性基板1的第1表面2A；发光元件5，其在芯片座31的上表面31A经由导电性粘接材料4与一个主电极51电气地且机械地连接；以及光透过性树脂7，其覆盖芯片座31、导电性粘接材料4和发光元件5，配设于绝缘性基板2的第1表面2A上。
绝缘性基板2是作为半导体发光装置的基体的基础材料，该绝缘性基板2例如使用玻璃环氧基板。该绝缘性基板2的第1表面2A是图1中的上侧表面。并且，绝缘性基板2的与第1表面2A对置的图1中的下侧表面是第2表面(背面或装配面)2B。
芯片座31比发光元件5的平面形状大一圈，至少由考虑了芯片焊接时的对准富余尺寸后的尺寸的平面形状构成。在实施例1中，芯片座31的平面形状是正方形形状，但是，不限于该形状。芯片座31向发光元件5的一个主电极51供给电源，所以，由具有导电性的材料构成。例如，芯片座31由无机材料即Cu箔、在该Cu箔上层叠的Ni-Au膜、在该Ni-Au膜上层叠的Au膜的层叠膜形成。芯片座31的最下层即Cu箔是作为布线或电极的原材料，电阻小，热传导性优良。最上层的Au膜是为了提高与线6的接合性而形成的。中间层的Ni-Au膜是为了保护最下层的Cu箔、并提高该Cu箔和最上层的Au膜的接合性而形成的。芯片座31由金属形成，所以是无机材料。
在绝缘性基板2的第1表面2A上，在与芯片座31相邻并分开的区域即图1中和图2中的中央右侧配设有焊盘32。这里，该焊盘32通过线6与发光元件5的另一个主电极52电连接。焊盘32比芯片座31的平面形状小一圈，至少由考虑了线焊接时的对准富余尺寸后的尺寸的平面形状构成。在实施例1中，焊盘32的平面形状是正方形形状，但是，不限于该形状。这里，例如线6使用Au线，所以，为了提高接合性，焊盘32由与所述芯片座31相同的层叠膜构成。焊盘32与芯片座31同样由光透过性树脂7覆盖。
在绝缘性基板2的第1表面2A上，在与芯片座31分开的区域即图1中和图2中的左侧配设有第1外部端子33。在实施例1中，该第1外部端子33从绝缘性基板2的第1表面2A经过侧面延伸到第2表面2B，作为装配半导体发光装置1时的端子使用。在绝缘性基板2的第1表面2A上，在芯片座31与第1外部端子33之间配设有金属布线34，该金属布线34将芯片座31与第1外部端子33之间电连接。第1外部端子33和金属布线34例如由层叠了芯片座31的最下层和中间层后的层叠膜构成，第1外部端子33、金属布线34和芯片座31一体构成。
同样，在绝缘性基板2的第1表面2A上，在与芯片座31、焊盘32和第1外部端子33分开的区域即图1中和图2中的右侧配设有第2外部端子35。在实施例1中，该第2外部端子35从绝缘性基板2的第1表面2A经过侧面延伸到第2表面2B，作为装配半导体发光装置1时的端子使用。在绝缘性基板2的第1表面2A上，在焊盘32和第2外部端子35之间配设有金属布线36，该金属布线36使焊盘32和第2外部端子35之间电连接。第2外部端子35和金属布线36例如由层叠了芯片座31的最下层和中间层后的层叠膜构成，第2外部端子35、金属布线36和焊盘32一体构成。
导电性粘接材料4使芯片座31和发光元件5的第1主电极51电连接，并且机械地接合(粘接)。导电性粘接材料4例如使用包含金属粒子的树脂系粘接材料。在实施例1中，不特别限定于此，但是，导电性粘接材料4例如使用在包含双酚A型环氧树脂、对氨基苯酚环氧树脂、变性环氧树脂、咪唑及其衍生物、双氰胺及其衍生物在内的树脂系粘接剂中分散Ag粒子后的导电性粘接材料。
导电性粘接材料4基本上具有将发光元件5电气地且机械地安装于芯片座31的功能，但是，这里，配设成覆盖芯片座31露出的表面、且到达绝缘性基板1的第1表面2A。即，导电性粘接材料4是有机材料，导电性粘接材料4和芯片座31的粘接性弱，所以，将导电性粘接材料4配设于芯片座31的上表面31A和侧面31S的宽范围内，增加粘接面积，由此，能够提高芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的粘接性。进而，使导电性粘接材料4直接重复到绝缘性基板2的第1表面2A，利用有机材料彼此来粘接导电性粘接材料4和绝缘性基板2，由此，能够提高芯片座31和导电性粘接材料4的粘接性，并且，通过导电性粘接材料4来紧固保持芯片座31。特别地，在芯片座31周围，导电性粘接材料4和绝缘性基板2之间完全粘接，所以，能够遮断针对芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的水分的浸入路径。
在半导体发光装置1的制造工艺中，导电性粘接材料4通过涂布法或滴下涂布法来形成，虽然稍微增加了其使用量，但是，能够通过一次工序来形成。即，使用在本来的制造工艺的工序中组入的导电性粘接材料4的涂布工序或滴下涂布工序，没有特别增加工序数，就能够形成导电性粘接材料4。
在实施例1中，发光元件5是半导体发光二极管。图1中简化示出，但是，发光元件5是半导体芯片，其具有发光元件主体50、配设于该发光元件主体50的芯片座31侧的背面整个区域的一个主电极51、以及配设于与发光元件主体50的背面对置的表面(主面)的另一个主电极52。例如在青色发光元件的情况下，发光元件主体50具有蓝宝石基板或硅基板以及在其表面上层叠的InGaN系半导体层。并且，例如在红色发光元件的情况下，发光元件主体50具有AlN基板或蓝宝石基板以及在其表面上层叠的AlGaInP系半导体层。在一个主电极51、另一个主电极52各自的至少最上层例如配设有Au层。
发光元件5隔着导电性粘接材料4搭载于芯片座31的上表面31A上，如上所述，发光元件5的一个主电极51和芯片座31通过导电性粘接材料4电连接且机械接合。发光元件5的另一个主电极52通过线6与焊盘32电连接。
光透过性树脂7覆盖发光元件5、芯片座31、焊盘32、线6、金属布线34和36，配设于绝缘性基板2的第1表面2A上。在实用性方面，光透过性树脂7例如能够使用环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、尿烷树脂等树脂。光透过性树脂7例如通过传递模塑法成形。
[半导体发光装置的特征]
在这样构成的实施例1的半导体发光装置1中，具有如下的导电性粘接材料4：覆盖芯片座31的上表面31A和侧面31S、且到达芯片座31的周围的绝缘性基板2的第1表面2A，所以，能够增加粘接面积，提高芯片座31和导电性粘接材料4的粘接性，并且，形成导电性粘接材料4和绝缘性基板2的有机材料彼此的粘接区域，遮断针对芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的水分的吸水路径。因此，能够防止伴随芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离的双方的导通不良，能够实现电气特性优良的半导体发光装置1。
进而，在实施例1的半导体发光装置1的制作工艺中，仅扩展导电性粘接材料4的涂布区域，不用新追加工序，能够制造电气特性优良的半导体发光装置1。
(实施例2)
本发明的实施例2说明如下的例子：在所述实施例1的半导体发光装置1中，进一步防止了芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离。
[半导体发光装置的结构]
如图3和图4所示，实施例2的半导体发光装置1在实施例1的半导体发光装置1中具有如下的导电性粘接材料4：包含对绝缘性基板2的第1表面2A上的芯片座31和第1外部端子33进行连接的金属布线34的上表面34A和侧面34S，到达金属布线34的侧面34S的周围的绝缘性基板2的第1表面2A。当然，导电性粘接材料4包含芯片座31的上表面31A和侧面31S，到达芯片座31的侧面31S的周围的绝缘性基板2的第1表面2A。
如上所述，金属布线34是无机材料，金属布线34和有机材料即光透过性树脂7的粘接力弱。通过导电性粘接材料4来覆盖金属布线34，由此，能够增加金属布线34和导电性粘接材料4的粘接面积，并且，将金属布线34的侧面34S的周围的绝缘性基板2和导电性粘接材料4作为有机材料彼此进行牢固地粘接。即，与芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离没有直接关系，但是，例如通过焊锡回流焊等装配工序，金属布线34和光透过性树脂7的边界面的剥离助长了芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离，并且生成针对该边界面的水分的吸水路径，所以，能够防止这种现象。
另外，覆盖金属布线34的导电性粘接材料4与覆盖芯片座31的导电性粘接材料4相同，在制造工艺中通过同一工序形成。并且，虽然没有图示，但是，金属布线36与金属布线34同样，也能够通过导电性粘接材料4覆盖。
[半导体发光装置的特征]
在这样构成的实施例2的半导体发光装置1中，除了通过实施例1的半导体发光装置1得到的作用效果以外，由于具有如下的导电性粘接材料4：覆盖金属布线34的上表面34A和侧面34S，并到达金属布线34的周围的绝缘性基板2的第1表面2A，所以，能够提高金属布线34和光透过性树脂7的粘接性，并且，遮断在金属布线34和光透过性树脂7的边界面产生的水分的吸水路径。因此，能够进一步防止伴随芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离的双方的导通不良，能够实现电气特性优良的半导体发光装置1。
进而，在实施例2的半导体发光装置1的制作工艺中，仅扩展导电性粘接材料4的涂布区域，不用新追加工序，能够制造电气特性优良的半导体发光装置1。
(实施例3)
本发明的实施例3说明如下的例子：在所述实施例1的半导体发光装置1中，进一步防止了芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离。
[半导体发光装置的结构]
如图5和图6所示，实施例3的半导体发光装置1在实施例1的半导体发光装置1中具有：第1连接孔布线(通路孔布线或穿通孔布线)37，其配设于芯片座31正下方的绝缘性基板2的内部，一端与芯片座31电连接，并且，从第1表面2A到达与其对置的第2表面2B；第1外部端子33，其配设于绝缘性基板2的第2表面2B上，与第1连接孔布线37的另一端电连接；第2连接孔布线(通路孔布线或穿通孔布线)38，其配设于焊盘32正下方的绝缘性基板2的内部，一端与焊盘32电连接，并且到达第2表面2B；以及第2外部端子35，其在绝缘性基板2的与第1外部端子33分开的区域中，配设于第2表面2B上，与第2连接孔布线38的另一端电连接。进而，如图5和图7所示，实施例3的半导体发光装置1具有绝缘性的抗蚀剂层8，该抗蚀剂层8在绝缘性基板2的第2表面2B上，配设于第1外部端子33与第2外部端子35之间。
第1连接孔布线37基本上相当于实施例2的半导体发光装置1的金属布线34，是进行芯片座31和第1外部端子33的电连接的布线。第1连接孔布线37具有如下结构：嵌入设置于在绝缘性基板2的与芯片座31重复的区域内配设的第1连接孔(通路孔或穿通孔)21内，从配设于绝缘性基板2的第1表面2A侧的光透过性树脂7分开，并且粘接部本身不存在。第1连接孔布线37例如使用利用电镀法形成的Cu布线。
第2连接孔布线38同样相当于实施例2的半导体发光装置1的金属布线36，是进行焊盘32和第2外部端子35的电连接的布线。第2连接孔布线38具有如下结构：嵌入设置于在绝缘性基板2的与焊盘32重复的区域内配设的第2连接孔(通路孔或穿通孔)22内，从配设于绝缘性基板2的第1表面2A侧的光透过性树脂7分开，并且粘接部本身不存在。第2连接孔布线38使用与第1连接孔布线37相同的方法、通过相同材料形成。
在实用性方面，抗蚀剂层8例如能够使用焊锡抗蚀剂膜。由于在芯片座31正下方配设了第1连接孔布线37、在焊盘32正下方配设了第2连接孔布线38的关系，在绝缘性基板2的第2表面2B上，第1外部端子33和第2外部端子35的分开距离近，所以，在使用焊锡装配半导体发光装置1时，在防止第1外部端子33和第2外部端子35通过焊锡而短路的目的中，配设了抗蚀剂层8。
[半导体发光装置的特征]
在这样构成的实施例3的半导体发光装置1中，除了通过实施例1的半导体发光装置1得到的作用效果以外，在芯片座31正下方的绝缘性基板2具有第1连接孔布线37，在焊盘32正下方的绝缘性基板2具有第2连接孔布线38所以，能够根本性地消除第1连接孔布线37和第2连接孔布线38与光透过性树脂7的边界面的剥离，能够根本性地消除在该边界面产生的水分的吸水路径。因此，能够进一步防止伴随芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离的双方的导通不良，能够实现电气特性优良的半导体发光装置1。
(实施例4)
本发明的实施例4说明如下的例子：在所述实施例3的半导体发光装置1中，进一步防止了芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离。
[半导体发光装置的结构]
如图8和图9所示，实施例4的半导体发光装置1在所述实施例3的半导体发光装置1中，关于导电性粘接材料，具有如下的导电性粘接材料4B：配设于焊盘32的上表面32A和侧面32S，到达焊盘32的侧面32S的周围的绝缘性基板2的第1表面2A。如上所述，焊盘32是无机材料，焊盘32和有机材料即光透过性树脂7的粘接力弱。通过导电性粘接材料4B来覆盖焊盘32，由此，能够增加焊盘32和导电性粘接材料4B的粘接面积，并且，将焊盘32的侧面32S的周围的绝缘性基板2和导电性粘接材料4B作为有机材料彼此进行牢固地粘接。即，与芯片座31和导电性粘接材料4的边界面的剥离没有直接关系，但是，例如通过焊锡回流焊等装配工序，焊盘32和光透过性树脂7的边界面的剥离助长了分开尺寸不太大的芯片座31与导电性粘接材料4的边界面的剥离，并且生成针对该边界面的水分的吸水路径，所以，能够防止这种现象。并且，还能够遮断针对线6和光透过性树脂7的边界面的吸水路径。
另外，覆盖焊盘32的导电性粘接材料4B与覆盖芯片座31的导电性粘接材料4相同，在制造工艺中在同一工序内(涂布工序内或滴下涂布工序内)形成。
[半导体发光装置的特征]
在这样构成的实施例4的半导体发光装置1中，除了通过实施例3的半导体发光装置1得到的作用效果以外，由于具有如下的导电性粘接材料4B：覆盖焊盘32的上表面32A和侧面32S，并到达焊盘32的周围的绝缘性基板2的第1表面2A，所以，能够提高焊盘32和光透过性树脂7的粘接性，并且，遮断在焊盘32和光透过性树脂7的边界面产生的水分的吸水路径。因此，能够进一步防止伴随芯片座31与导电性粘接材料4的边界面的剥离的双方的导通不良，能够实现电气特性优良的半导体发光装置1。
(其他实施例)
如上所述，通过实施例1～实施例4记载了本发明，但是，成为该公开的一部分的论述和附图不限定本发明。本发明能够应用于各种代替实施方式、实施例和运用技术。
【产业上的可利用性】
在本发明中，能够广泛应用于如下的半导体发光装置：能够提高芯片座和导电性粘接材料的粘接性，并且，遮断针对芯片座和导电性粘接材料的边界面的水分的吸水路径，防止芯片座和导电性粘接材料的导通不良，且电气特性优良。

Claims (5)

1.一种半导体发光装置，其特征在于，该半导体发光装置具有：
绝缘性基板；
芯片座，其配设于所述绝缘性基板的第1表面上；
导电性粘接材料，其配设于所述芯片座的上表面和侧面，且在所述芯片座的所述侧面的周围到达所述绝缘性基板的第1表面；
发光元件，其在所述芯片座的上表面经由所述导电性粘接材料与一个主电极电气地且机械地连接；以及
光透过性树脂，其覆盖所述芯片座、所述导电性粘接材料和所述发光元件，配设于所述绝缘性基板的所述第1表面上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
该半导体发光装置还具有：
第1外部端子，其在所述绝缘性基板的所述第1表面上配设于与所述芯片座分开的区域；以及
金属布线，其配设于所述绝缘性基板的所述第1表面上，将所述芯片座和所述第1外部端子电连接，且被所述光透过性树脂所覆盖，
所述导电性粘接材料还配设于所述金属布线的上表面和侧面上，且在所述金属布线的所述侧面的周围到达所述绝缘性基板的所述第1表面。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
该半导体发光装置还具有：
第1连接孔布线，其配设于所述芯片座正下方的所述绝缘性基板的内部，一端与所述芯片座电连接，并且，从所述第1表面到达与其对置的第2表面；以及
第1外部端子，其配设于所述绝缘性基板的所述第2表面上，且与所述第1连接孔布线的另一端电连接。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
该半导体发光装置还具有：
焊盘，其在所述绝缘性基板的所述第1表面上配设于与所述芯片座和所述第1外部端子分开的区域，且被所述光透过性树脂所覆盖；
线，其将所述发光元件的另一个主电极和所述焊盘电连接；以及
第2外部端子，其在所述绝缘性基板的所述第1表面上配设于与所述芯片座、所述第1外部端子和所述焊盘分开的区域，且与所述焊盘电连接，
所述导电性粘接材料还配设于所述焊盘的上表面和侧面上，在所述焊盘的所述侧面的周围到达所述绝缘性基板的所述第1表面。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
该半导体发光装置还具有：
焊盘，其在所述绝缘性基板的所述第1表面上配设于与所述芯片座分开的区域，且被所述光透过性树脂所覆盖；
线，其将所述发光元件的另一个主电极和所述焊盘电连接；
第1连接孔布线，其配设于所述芯片座正下方的所述绝缘性基板的内部，一端与所述芯片座电连接，并且，从所述第1表面到达与其对置的第2表面；
第1外部端子，其配设于所述绝缘性基板的所述第2表面上，且与所述第1连接孔布线的另一端电连接；
第2连接孔布线，其配设于所述焊盘正下方的所述绝缘性基板的内部，一端与所述焊盘电连接，并且到达所述第2表面；
第2外部端子，其在所述绝缘性基板的与所述第1外部端子分开的区域中配设于所述第2表面上，且与所述第2连接孔布线的另一端电连接；以及
绝缘性抗蚀剂层，其在所述绝缘性基板的所述第2表面上配设于所述第1外部端子与所述第2外部端子之间。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014192328A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Kyocera Chemical Corp 光半導体装置
JP6171613B2 (ja) * 2013-06-21 2017-08-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
CN106663658B (zh) * 2015-02-18 2020-01-10 富士电机株式会社 半导体集成电路
JP7029223B2 (ja) * 2016-07-13 2022-03-03 ローム株式会社 半導体発光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174201A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Rohm Co Ltd Ｌｅｄチップの実装方法、およびｌｅｄチップの実装構造
US20090114937A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 Kazuki Kawakubo Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3356069B2 (ja) * 1998-07-29 2002-12-09 松下電器産業株式会社 チップ型発光装置
JP2004200410A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2009071013A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174201A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Rohm Co Ltd Ｌｅｄチップの実装方法、およびｌｅｄチップの実装構造
US20090114937A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 Kazuki Kawakubo Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method

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