CN101036239B - 芯片部件型发光器件及其使用的布线基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供具有多个发光元件、能够使高的光输出转换效率更好的芯片部件型发光器件及其使用的布线基板。绝缘基板内部搭载了多个发光二极管30、30...的芯片部件型发光器件，具有底基板10及其上面层叠粘接的反射基板20。底基板上形成贯通孔11，其里面形成厚金属薄膜的散热板12，其内周及其底部形成反射膜13，还形成布线图案14、14...。反射基板20上形成直径比底基板的贯通孔大的贯通孔21，其内周形成反射膜22。该反射基板设置粘接在底基板中、布线图案的一部分从该贯通孔中露出的位置上，设置的多个发光二极管与底基板上的布线图案连接安装。

Description

芯片部件型发光器件及其使用的布线基板
技术领域
本发明涉及基板内部搭载多个发光元件的、可以作为各种显示面板、液晶显示装置的背光灯、照明装置等的光源来使用的芯片部件型发光器件及其使用的布线基板。 
背景技术
以往，以芯片部件型LED为代表的芯片部件型发光器件，作为显示面板、液晶显示装置的背光灯、照明装置等的光源使用。并且，上述芯片部件型发光器件，伴随着近几年平板用途的扩大，其适用范围也变广。伴随着上述用途的扩大，芯片部件发光器件需要增大元件自身的发光量，并且需要增大相对于耗电的发光量，换言之，需要提高转换成光的转换效率，而且，需要适合量产，因此，需要能够低价制造的芯片部件型发光器件的结构。 
以往的芯片部件型发光器件，如以下专利文献1～3所示，一般是使用下述布线基板来制造：在绝缘基板的一部分上形成贯通孔或者有锥面的孔，并且在其表面上形成进行电连接的布线图案。即，在安装在上述布线基板贯通孔底面上的由金属薄板构成的散热板上，搭载如发光二极管等的1个发光元件，然后通过引线键合，将元件的电极连接在上述布线图案上，完成芯片部件型发光元件。 
专利文献1：专利第3137823号公报 
专利文献2：特开2000-223752号公报 
专利文献3：特开2003-31850号公报 
发明内容
但是上述以往技术中的芯片部件型发光器件的安装结构，对于各基板，是只搭载1个如发光二极管等发光元件的结构，因此，如上述，其结构不适用于与各元件的发光量增大相对应的、在其内部搭载多个发光元件的结构。 
即，上述专利文献1所述的结构中，安装在贯通孔里面的金属薄板与布线图案连接，由此，其内部搭载的发光二极管中的一侧的电极与该金属薄板连接，另一侧的电极，例如通过引线键合等，与形成在布线基板一部分上的其他的连接布线图案连接。但是，形成在该布线基板一部分上的其他的连接布线图案的结构，不适用于安装在贯通孔里面的金属薄板上搭载多个发光二极管的情况。 
另外，上述专利文献1所述的结构中，通过引线键合等使内部搭载的发光二极管的另一侧电极与形成在布线基板一部分上的连接布线图案连接，然后，用透明树脂填充内部搭载了发光二极管的贯通孔，形成光学元件。但是，发光二极管的电极与布线图案连接的引线键合，从上述布线基板上方突出来，因此，妨碍之后在贯通孔中填充透明树脂的工序，无法准确地填充透明树脂。并且，上述专利文献1中还在布线基板上而增设了发射箱板，围住内部搭载了发光二极管的贯通孔。但是，上述结构中，在布线基板上设置了多个发光元件后，难以正确安装该反射箱板，并且发光二极管所发射的一部分光从上述布线基板与反射箱板的接合部分泄露出来，因此，光的转换效率降低。特别是上述贯通孔内搭载了多个发光二极管时，这种现象更为严重。 
另外，上述专利文献2及3所述的结构中，形成在绝缘性基板上的贯通孔里面安装了作为散热板的金属薄板，其表面设置了发光二极管，但与上述专利文献1不同，发光二极管的电极的电连接，在与形成在上述基板表面的布线图案之间进行。但是，这种结构不适用于安装在贯通孔里面的金属薄板上搭载多个发光二极管的结构。即，专利文献2及3所述的结构也有上述同样的问题点。 
因此，本发明是鉴于上述以往技术中的问题点发明的，具体来说，其目的在于，提供一种芯片部件型发光器件及其使用的布线基板，是内部搭载了多个发光元件的芯片部件型发光器件，能够提高光转换效率，并且适用于量产，因此能够低成本地制造。 
为了达到上述目的，根据本发明，提供一种芯片部件型发光器件或者布线基板，该布线基板具有搭载所容纳的发光元件的底基板和层叠粘接在上述底基板上面的反射基板； 
上述底基板的一部分上形成有将发光元件搭载在内部的非贯通孔，并且该底基板的上端周边部分上形成有用于将上述发光元件电连接的布线图案，并且上述非贯通孔的底面上形成有厚度比形成上述布线图案的金属薄膜厚的散热导体； 
上述反射基板不阻塞形成在上述底基板上的非贯通孔，而是形成有直径大于上述非贯通孔的贯通孔，其内周表面上形成有由金属薄膜构成的反射膜，并且在上述底基板的非贯通孔的上端周边部分形成有当该反射基板设置在上述底基板上时从该反射基板的贯通孔的底面露出的布线图案的一部分即发光元件连接区， 
上述底基板及层叠粘接在其上面的上述反射基板的端面上还形成有贯通上述两个基板的多个贯通孔，搭载发光元件后，沿着上述两个基板的贯通孔的大致中心位置切断，并且在该贯通孔的内周形成分别与形成在上述底基板的贯通孔的周边部分上的上述布线图案的一部 分即发光元件连接区电连接的导体层，具有使上述发光元件与外部连接的端子电极， 
在底基板的非贯通孔的底部搭载有多个发光元件，并且在该底基板的上面，在反射基板的贯通孔的内部即没有被反射基板覆盖的部分上，形成用于在与该多个发光元件之间通过引线键合进行布线的所述布线图案，使其包围上述底基板的非贯通孔。 
为了达到上述目的，根据本发明，提供一种布线基板，用于在绝缘基板内部容纳·搭载发光元件，其特征在于： 
具有搭载所容纳的发光元件的底基板和层叠粘接在上述底基板上面的反射基板； 
上述底基板的一部分上形成有将发光元件搭载在内部的非贯通孔，并且该底基板的上端周边部分上形成有用于将上述发光元件电连接的布线图案，并且上述非贯通孔的底面上形成有厚度比形成上述布线图案的金属薄膜厚的散热导体； 
上述反射基板不阻塞形成在上述底基板上的非贯通孔，而是形成有直径大于上述非贯通孔的贯通孔，其内周表面上形成有由金属薄膜构成的反射膜，并且在上述底基板的非贯通孔的上端周边部分上形成有当该反射基板设置在上述底基板上时从该反射基板的贯通孔的底面露出的布线图案的一部分即发光元件连接区， 
上述底基板及层叠粘接在其上面的上述反射基板的端面上还形成有贯通上述两个基板的多个贯通孔，搭载发光元件后，沿着上述两个基板的贯通孔的大致中心位置切断，并且在该贯通孔的内周形成分别与形成在上述底基板的贯通孔的周边部分上的上述布线图案的一部分即发光元件连接区电连接的导体层，具有使上述发光元件与外部连接的端子电极， 
在底基板的非贯通孔的底部搭载有多个发光元件，并且在该底基板的上面，在反射基板的贯通孔的内部即没有被反射基板覆盖的部分上，形成用于在与该多个发光元件之间通过引线键合进行布线的所述布线图案，使其包围上述底基板的非贯通孔。 
根据本发明，上述芯片部件型发光器件或者布线基板中，上述反射基板的贯通孔的内周表面或者上述底基板非贯通孔的内周表面上的由金属薄膜构成的反射膜，优选由对白色光反射效率好的银、镍、铝中任一种金属薄膜形成。 
根据本发明，优选上述芯片部件型发光器件或者布线基板中，上述底基板及层叠粘接在其上面的上述反射基板的端面上还形成有贯通上述两个基板的多个贯通孔，搭载发光元件后，沿着上述两个基板的贯通孔的大致中心位置切断，并且在该贯通孔的内周形成分别与形成 在上述底基板的贯通孔的周边部分上的上述布线图案的一部分(发光元件连接区)电连接的导体层，具有使上述发光元件与外部连接的端子电极。 
根据本发明，优选上述布线基板的端子电极中，贯通上述底基板及层叠粘接在其上面的上述反射基板这两个基板的贯通孔的上述反射基板的上端面或者上述底基板的下端面中的任意一处形成有用封堵部件封口的非贯通孔，搭载发光元件后，沿着上述两个基板的非贯通孔的大致中心位置切断，作为端子电极。 
根据本发明，优选形成在层叠粘接在上述底基板上面的反射基板上的贯通孔内周的反射面是上端面比该底基板底面大的锥形，其锥度为90°～120°。 
如上述，根据本发明，能够提供转换效率更高的光输出的芯片部件型发光器件及其使用的布线基板。 
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施方式。 
首先，图1表示本发明一个实施方式的芯片部件型发光器件及其使用的布线基板。该芯片部件型发光器件及其使用的布线基板，如图所示，外形是大致正方形的板状，基本上由底基板10、层叠粘接在该底基板上的反射基板20、多个发光元件如本例中是8个发光二极管30、30...构成。作为多个发光元件的8个发光二极管30、30...，设置在上述底基板10大致中央上形成的贯通孔11的里(底)面上，在形成散热板的厚金属薄膜12表面上按规定位置排列设置。而且，形成在该底基板10上的贯通孔11的内周面及上述金属薄膜12的表面上，如银等金属薄膜构成的反射膜13形成为一体，后面将详细说明。 
另外，附图2只表示构成上述芯片部件型发光器件及其使用的布线基板的底基板10，如图所示，上述底基板10上面，为了使上述多个发光二极管30、30...与未图示的外部驱动电路电连接，将布线图案14、14...等间隔地设置在上述贯通孔11周边，围住上述贯通孔11，其制造工序将在后面详细说明。图1中，符号15、15...表示使多个发光二极管30、30...与上述布线图案14、14...间电连接的、如通过引线键合进行布线的引线。 
另外，层叠粘接在上述底基板10上面的反射基板20的大致中央部分上也形成贯通孔21，该贯通孔21的内周面上也形成了如银等金属薄膜构成的反射膜22，其制造工序将在后面详细说明。该贯通孔21的直径比形成在上述底基板10上的贯通孔11的直径大，因此，如上述图1所示，在该反射基板20层叠粘接在上述底基板10上的状态下，形成在上述底基板上的布线图案14、14...的一部分，更具体地来说是形成在底基板10的贯通孔11周边部分上的布线图案的一部分通过该贯通孔21露出来。即，在底基板10上面层叠粘接了反射基板20的基板上设置多个发光二极管30、30...，然后如上述，通过引线键合等，与形成在上述底基板10上面的布线图案14、14...之间电连接。所以，与上述布线图案14、14...间电连接的引线15、15...，在上述层叠粘接的2个基板(底基板10及反射基板20)内部，即，引线15不从反射基板20上面突出，也能够连接。 
如上述图1所示，构成芯片部件型发光器件及其使用的布线基板的底基板10和反射基板20的各端面上形成有多个(本例中为8×2＝16个)的端面电极40、40...。即，由这些端面电极40、40...将该芯片部件型发光器件搭载在如母板等其他基板上时，能够实现与形成在基板上的布线图案间的电连接。 
下面参照附图3～图5说明上面已经说明了详细结构的芯片部件型发光器件及其使用的布线基板中、将底基板10层叠粘接在反射基板20上而构成的基板的制造方法。 
附图3表示上述底基板10的制造方法，该图中表示了底基板10的制造过程中各阶段的剖面结构。 
首先，准备如环氧树脂等绝缘材料构成的厚度约0.3mm的中心基材300，其一个面(图例中的上面)上粘接了厚度约18μm的铜箔310，另一面(图例中的下面)粘接了厚度约25μm的粘接片320[图3(a)]。接着，在上述准备的基材300表面上，上述贯通孔11(参照上述图1)的位置上如利用NC开设如本例中 
Figure S05834260X20070410D000051
3.1左右的孔[图3(b)]。然后，在上述基材300的下面，即与粘接了铜箔310的面相反的面上粘接比上述铜箔310厚、厚度约70μm的铜箔330[图3(c)]。接着，在形成端面电极40、40...(参照上述图1)的位置上，开设如 
Figure S05834260X20070410D000052
0.6左右的孔[图3(d)]，并在整体上实施厚度约20μm的铜镀层340[图3(e)]。 
接着，在上述基材300的上面，即与上述反射基板20的接合(粘接)面上，例如利用蚀刻，除去上述铜箔310，由此形成规定电路图 案14[图3(f)]。然后从形成的规定电路图案上方粘接事先在规定位置上形成了开口部的粘接片350[图3(g)]，由此得到上述底基板10。由上述得到的底基板10的一例，如上述图2所示。 
附图4表示上述反射基板20的制造方法，该图中，表示上述反射基板20的制造过程中各阶段的剖面结构。 
首先，准备如环氧树脂等绝缘材料构成的厚度约0.3mm的中心基材400，其两面粘接了厚度约25μm的粘接片410、420[图4(a)]。接着，在上述基材400的表面上的上述贯通孔21(参照上述图1)的位置上如利用NC开设 
Figure S05834260X20070410D000061
5.0左右的孔，并且在形成上述端面电极40、40...的位置上，开设如 
Figure S05834260X20070410D000062
0.6左右的孔[图4(b)]。然后，在上述基材400表(上)面粘接事先在上述贯通孔21位置上开设了 
Figure S05834260X20070410D000063
5.0左右的孔的铜箔430，并在其背(下)面粘接事先在上述贯通孔21和上述端面电极40的位置上开设了 
Figure S05834260X20070410D000064
5.0左右的孔的铜箔440[图4(c)]，然后整体实施厚度约20μm的铜镀层450[图4(d)]，并利用蚀刻除去形成在上述基材300表(上)面的铜箔430，形成规定图案[图4(e)]，得到上述反射基板20。 
接着，参照图5说明将上面得到的反射基板20层叠粘接在底基板10上的工序。这里，层叠粘接制成的反射基板20与底基板10，由其制造过程中各阶段的剖面结构来表示。 
首先，将由上述图4(e)得到的反射基板20层叠在由上述图3(g)得到的底基板10上[图5(a)]。即，在粘接在上述底基板10上面的粘接片350上层叠粘接反射基板20。接着，利用蚀刻等除去上述层叠粘接在底基板10下面的厚度约70μm的铜箔330，形成芯片部件型发光器件的焊锡面电路[图5(b)]。然后在整体上实施厚度约5μm的镍(Ni)层和厚度约0.3μm的金(Au)层构成的贵金属镀层510[图5(c)]。接着在底基板10的整个下面粘接遮蔽胶带520[图5(d)]，在其整体实施约0.3μm厚的银(Ag)层530[图5(e)]。然后剥离贴在上述底基板10整个下面的遮蔽胶带[图5(f)]，制成将底基板10层叠粘接在反射基板20上的基板。然后，在上述底基板10的贯通孔 11内，将多个发光二极管设置在其里(底)面的散热板12上，进行布线，得到芯片部件型发光器件。由于上述工序中同时制造多个器件，所以使用表面积大的基板，将多个基板制成一体。并且，上述图5(f)中的点划线表示在上述基板内安装多个发光二极管完成芯片部件型发光器件后、用于分离切断每个芯片部件的切断线。 
根据由上述制造工序得到的芯片部件型发光器件的布线基板，如附图6所示，在构成上述基板的底基板10的大致中央部分上形成的贯通孔11的里(底)面上所设置的散热板(金属薄膜)12上，通过传热性高的模塑树脂材料60，将上述多个发光二极管30、30...固定在规定位置上。然后通过引线键合等进行布线。这时，如上述图1所示，与发光二极管之间实施布线的布线图案14、14...形成作为在层叠成2层的基板的下侧基板的上述底基板10的表(上)面，并且这些布线图案14、14...的一部分从粘接在其上面的反射基板20表面上开设的贯通孔21中露出，多个发光二极管30、30...的各电极，通过引线键合与布线图案14、14...间进行布线。该图6中，被布线的引线由符号15表示。 
由此，通过上述结构，在上述多个发光二极管30、30...的电极与布线图案14、14...之间布线的引线15没有从上述芯片部件型发光器件基板的表(上)面、即反射基板20的表(上)面突出来，能够安装在基板内部。即，根据芯片部件型发光器件的上述结构，发光二极管30、30...搭载在基板上之后，不需要为了保护其布线部分而在其上部填充透明树脂。 
换言之，如上述图6所示，在发光二极管30、30...安装在基板内部的状态下，作为芯片部件型发光器件，可以作为如显示面板、液晶显示装置的背光灯、照明装置等的光源使用。而且，如上述，因为能够搭载多个发光二极管30、30...，所以能够得到高的光输出，并且不需要在发光二极管30上面填充透明树脂，所以能够得到元件发出的光不被该透明树脂吸收、转换效率更高的芯片部件型发光器件。并且，由上述发光二极管30上面不需要填充透明树脂，所以元件内部的发热 不会因在其上面填充的该树脂而影响向周围扩散，或者说不会因停滞在该树脂内部而导致发光二极管温度上升。 
另外，如上述图6所示，在构成上述布线基板的底基板10上一体地形成了反射基板20，并且，在底基板10上开设的贯通孔11的底面及其内周面和在反射基板20上开设的贯通孔21的内周面上，如上述，其正个面都实施了由镍(Ni)层和金(Au)层构成的贵金属镀层510，并且其表面上还形成了由银(Ag)层530(厚度约1μm)构成的反射膜13、22。因此，设置在底基板10的贯通孔11内部的多个发光二极管30、30...射出的光，被这些反射膜13、22反射，不会泄露到外部，从反射基板20上开设的贯通孔21的上部引出。即，能够以很好的转换效率获得多个发光元件的高的光输出。 
附图7表示上述芯片部件型发光器件及其使用的布线基板的变形例。如图所示，根据本变形例，上述芯片部件型发光元件的结构中，在其反射基板20的表(上)面安装如玻璃和树脂等透明板状部件70，并且，与该板状部件70的一部分一体地形成如用于扩散光的透镜等所谓的光学元件。即，根据上述结构，与上述实施例一样，发光元件的散热性好，并且能够以很好的转换效率获得多个发光元件的高的光输出，并且其输出光是扩散后射出的，因此尤其适用于作为显示面板、液晶显示装置的背光灯、照明装置等光源使用的芯片部件型发光器件。并且，根据上述结构，由板状部件70，能够防止因器件外部的异物侵入贯通孔11、21内部而导致如引线15间短路或破损，因此能够防止发光元件30的破坏。 
附图8表示上述芯片部件型发光器件及其使用的布线基板的其他变形例。如图示，根据此变形例，在上述底基板10及反射基板20上开设的贯通孔11、21内部填充透明树脂，使其内部搭载的多个发光二极管30、30...及其布线用的引线15浸渍并固化，并且将其外周面例如形成为凸状，由此，将所谓的光学元件形成为一体。而且根据上述结构，能够以很好的转换效率获得多个发光元件的高的光输出，并且其输出光是扩散后输出，尤其适用于作为显示面板、液晶显示装置的 背光灯、照明装置等光源使用的芯片部件型发光器件。并且，对于器件外部的异物侵入，能够安全保护引线和发光二极管30。 
上述图7或图8所示的变形例中，例如在上述底基板10上开设的贯通孔11、21内部设置的多个发光二极管30、30...为蓝色发光二极管时，在安装在反射基板20表(上)面的透明板状部件70或者贯通孔11、21内部填充的透明树脂80中混入将蓝色光转换为白色光的部件后，能够容易得到可获得白色光的芯片部件型发光器件，而白色光的芯片部件型发光器件最适合作为显示面板、液晶显示装置的背光灯、照明装置等的光源。上述部件例如有在环氧树脂中混入微细二氧化硅、YAG荧光体而形成的物质。 
另外，上述芯片部件型发光器件及其使用的布线基板中，根据上述底基板10和反射基板20层叠后构成的基板各端面上形成的端面电极40、40的结构，由于其上端面由半圆形的导体层41密封，所以填充上述透明树脂80时，即使从贯通孔11、21泄漏到外部，也不会到其电极面，能够可靠地得到端面电极40、40。 
附图9表示上述底基板10上开设的贯通孔11内部，在其里(底)面设置的散热板(金属薄膜)12表面上，多个发光二极管的排列的其他例子。即，上述实施例中，作为一例，是将8个发光二极管30、30...分别设置为4行2列。但是，本发明并不限定于上述例子，如该图所示，也可以沿着上述贯通孔11的内周面设置。或者这8个发光二极管，例如作为1个块30′供给时，如附图10所示，在上述贯通孔11内部，设置在其散热板(金属薄膜)12表面的大致中央部分。并且还可以用其他方法来排列。 
图2表示上述芯片部件型发光器件及其使用的布线基板中，形成在其底基板10上面的多个布线图案13、13...的一例。如图所示，该实施例中，相邻的布线图案14、14电连接。具体说来，与相邻的一对发光二极管的“+”、“-”电极连接的布线图案是按“+”“+”“-”“-”的顺序排列的。并且根据上述布线图案13、13...的排列，设置在基板内的多个发光二极管30、30...通过引线键合等与布线图案14、14...间电连接后，即使布线后的引线15、15之间互相接近或者接触，也由于是相同极性，所以能够避免短路的发生。
上述各种实施例中，在上述底基板10及反射基板20上开设的贯通孔11、21是圆形的，但本发明并不限定于此，也可以是椭圆形或者方形。这时也能够得到上述同样的效果。另外，上述实施例中，在上述底基板10及反射基板20上开设的贯通孔11、21与其内周面垂直地形成，这一点上，本发明也并不限定于此，例如在基材上形成贯通孔11、21时[参照上述图3(b)或者图4(b)]，通过使用如锥柄麻花钻等，可以使其内周面倾斜。 
上述说明中，上述结构的芯片部件型发光器件及其使用的布线基板中，设置在其底基板10的贯通孔11内部的多个发光元件，作为一例，是用8个发光二极管30、30...来说明的。但是本发明并不限定于此，可以是2个或者2个以上的个数(例如最好是4个、6个、9个、10个等)，另外，发光元件并不限定于上述发光二极管，也可以是其他半导体发光元件，本领域技术人员应该明白。另外，设置在上述底基板10的贯通孔11内部的多个发光元件可以由作为光的三原色的红色、绿色、蓝色的发光二极管构成。这时，通过组合上述三色的发光二极管设置在上述底基板10的贯通孔11内，能够得到白色光，或者组合2种或2种以上，也能够得到期望色调的光。 
附图说明
[图1]表示本发明一个实施方式的芯片部件型发光器件及其使用的布线基板结构的扩大立体图。 
[图2]表示构成上述芯片部件型发光器件及其使用的布线基板的底基板结构的扩大立体图。 
[图3(a)～(g)]用于表示上述底基板的制造方法的工序图，表示其制造过程中各阶段的剖面结构。 
[图4(a)～(e)]用于表示上述反射基板的制造方法的工序图，表示其制造过程中各阶段的剖面结构。 
[图5(a)～(f)]表示上述反射基板层叠粘接在上述底基板上面的基板的制造方法的工序图，表示其制造过程中各阶段的剖面结构。 
[图6]表示上述方法得到的基板上搭载多个光学元件构成芯片部件型发光器件的结构的剖面图。 
[图7]表示上述芯片部件型发光器件及其使用的布线基板变形例的结构的剖面图。 
[图8]表示上述芯片部件型发光器件及其使用的布线基板其他变形例的结构的剖面图。 
[图9]表示上述芯片部件型发光器件中发光元件排列的其他例子的剖面图。 
[图10]表示上述芯片部件型发光器件中发光元件排列的其他例子的剖面图。 
符号说明 
10底基板 
11贯通孔 
12散热板(厚金属薄膜) 
13反射膜 
14布线图案 
15布线用引线 
20反射基板 
21贯通孔 
22反射膜 
30发光二极管 
40端面电极 

Claims (8)

1.一种芯片部件型发光器件，在绝缘基板内部容纳·搭载了发光元件，其特征在于：
该绝缘基板具有搭载所容纳的发光元件的底基板和层叠粘接在上述底基板上面的反射基板；
上述底基板的一部分上形成有将发光元件搭载在内部的非贯通孔，并且该底基板的上端周边部分上形成有用于将上述发光元件电连接的布线图案，并且上述非贯通孔的底面上形成有厚度比形成上述布线图案的金属薄膜厚的散热导体；
上述反射基板不阻塞形成在上述底基板上的非贯通孔，而是形成有直径大于上述非贯通孔的贯通孔，其内周表面上形成有由金属薄膜构成的反射膜，并且在上述底基板的非贯通孔的上端周边部分形成有当该反射基板设置在上述底基板上时从该反射基板的贯通孔的底面露出的布线图案的一部分即发光元件连接区，
上述底基板及层叠粘接在其上面的上述反射基板的端面上还形成有贯通上述两个基板的多个贯通孔，搭载发光元件后，沿着上述两个基板的贯通孔的大致中心位置切断，并且在该贯通孔的内周形成分别与形成在上述底基板的贯通孔的周边部分上的上述布线图案的一部分即发光元件连接区电连接的导体层，具有使上述发光元件与外部连接的端子电极，
在底基板的非贯通孔的底部搭载有多个发光元件，并且在该底基板的上面，在反射基板的贯通孔的内部即没有被反射基板覆盖的部分上，形成用于在与该多个发光元件之间通过引线键合进行布线的所述布线图案，使其包围上述底基板的非贯通孔。
2.根据权利要求1所述的芯片部件型发光器件，其特征在于：上述反射基板的贯通孔的内周表面或者上述底基板非贯通孔的内周表面上的由金属薄膜构成的反射膜，由对白色光反射效率好的银、镍、铝中任一种金属薄膜形成。
3.根据权利要求1所述的芯片部件型发光器件，其特征在于：上述端子电极中，贯通上述底基板及层叠粘接在其上面的上述反射基板这两个基板的贯通孔的上述反射基板的上端面或者上述底基板的下端面中的任意一处形成有用封堵部件封口的非贯通孔，搭载发光元件后，沿着上述两个基板的非贯通孔的大致中心位置切断，作为端子电极。
4.根据权利要求1所述的芯片部件型发光器件，其特征在于：形成在层叠粘接在上述底基板上面的反射基板上的贯通孔内周的反射面是上端面比该贯穿孔底面大的锥形，其锥度为90°～120°。
5.一种布线基板，用于在绝缘基板内部容纳·搭载发光元件，其特征在于：
具有搭载所容纳的发光元件的底基板和层叠粘接在上述底基板上面的反射基板；
上述底基板的一部分上形成有将发光元件搭载在内部的非贯通孔，并且该底基板的上端周边部分上形成有用于将上述发光元件电连接的布线图案，并且上述非贯通孔的底面上形成有厚度比形成上述布线图案的金属薄膜厚的散热导体；
上述反射基板不阻塞形成在上述底基板上的非贯通孔，而是形成有直径大于上述非贯通孔的贯通孔，其内周表面上形成有由金属薄膜构成的反射膜，并且在上述底基板的非贯通孔的上端周边部分上形成有当该反射基板设置在上述底基板上时从该反射基板的贯通孔的底面露出的布线图案的一部分即发光元件连接区，
上述底基板及层叠粘接在其上面的上述反射基板的端面上还形成有贯通上述两个基板的多个贯通孔，搭载发光元件后，沿着上述两个基板的贯通孔的大致中心位置切断，并且在该贯通孔的内周形成分别与形成在上述底基板的贯通孔的周边部分上的上述布线图案的一部分即发光元件连接区电连接的导体层，具有使上述发光元件与外部连接的端子电极，
在底基板的非贯通孔的底部搭载有多个发光元件，并且在该底基板的上面，在反射基板的贯通孔的内部即没有被反射基板覆盖的部分上，形成用于在与该多个发光元件之间通过引线键合进行布线的所述布线图案，使其包围上述底基板的非贯通孔。
6.根据权利要求5所述的布线基板，其特征在于：上述反射基板的贯通孔的内周表面或者上述底基板的非贯通孔的内周表面上的由金属薄膜构成的反射膜，由对白色光反射效率好的银、镍、铝中任一种金属薄膜形成。
7.根据权利要求5所述的布线基板，其特征在于：上述端子电极中，贯通上述底基板及层叠粘接在其上面的上述反射基板这两个基板的贯通孔的上述反射基板的上端面或者上述底基板的下端面中的任意一处形成有用封堵部件封口的非贯通孔，搭载发光元件后，沿着上述两个基板的非贯通孔的大致中心位置切断，作为端子电极。
8.根据权利要求5所述的布线基板，其特征在于：形成在层叠粘接在上述底基板上面的反射基板上的贯通孔的内周的反射面是上端面比该贯穿孔底面大的锥形，其锥度为90°～120°。
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