JP4453004B2 - 発光素子搭載用の配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板内部に発光素子を搭載し、各種の表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照明装置などの光源として利用することの可能なチップ部品型発光装置にするため発光素子搭載用の配線基板に関する。

従来、チップ部品型のＬＥＤに代表されるチップ部品型発光装置は、表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照明装置などの光源として利用されている。なお、かかるチップ部品型発光装置は、近年におけるフラットパネルの用途の拡大に伴って、その適用される用途が更に広がってきている。かかる用途の拡大に伴い、発光素子搭載用の配線基板は、素子自体の発光量の増大と共に、消費電力に対する発光量の増大、換言すれば、光への変換効率の向上が求められており、そして、更には、特に、大量生産に適しており、もって、比較的安価に製造することの可能なチップ部品型発光装置とする発光素子搭載用の配線基板構造が強く求められている。

なお、従来におけるかかるチップ部品型発光装置は、例えば、以下の特許文献１〜２に示すように、一般に、絶縁基板の一部に、貫通穴、又は、テーパ面を備えた穴を形成すると共に、その表面に電気的接続を行うための配線パターンを形成した配線基板を利用して製造されていた。即ち、例えば、発光ダイオード等の１個の発光素子を、上記配線基板の貫通穴の底面に取り付けた金属薄板からなる放熱板の上に搭載し、その後、素子の電極を上記配線パターンにワイヤボンディングにより接続してチップ部品型発光装置として完成する。
特許第３１３７８２３号公報 特開２０００−２２３７５２号公報

しかしながら、上述した従来技術になるチップ部品型発光装置の実装構造は、各基板に対して、例えば発光ダイオード等の発光素子を、ただ１個を搭載する構造であり、そのため、上述したように、各素子の発光量の増大に対応し、複数の発光素子をその内部に搭載するに適した構造の配線基板とはなっていない。

即ち、上記特許文献１により知られる構造では、貫通穴の裏面に取り付けた金属薄板を配線パターンに接続し、もって、その内部に搭載する発光ダイオードの一方の電極を当該金属薄板に接続すると共に、その他方の電極を、例えば、ワイヤボンディングなどにより、やはり配線基板の一部に形成した他の接続配線パターンに接続する。しかしながら、この配線基板の一部に形成した他の接続配線パターンは、複数の発光ダイオードを、貫通穴の裏面に取り付けた金属薄板上に搭載した場合に適した構造の配線基板とはなっていない。

また、貫通穴の内部に搭載する発光ダイオードの他方の電極をワイヤボンディングなどによって配線基板の一部に形成した接続配線パターンに接続し、その後、発光ダイオードを内部に搭載した貫通穴に透明樹脂を充填して光学素子を形成する。しかしながら、発光ダイオードの電極と配線パターンとを接続するワイヤボンディングが、上記配線基板の上方に突出してしまい、そのため、その後の貫通穴に透明樹脂を充填するプロセスにおいて障害となり、透明樹脂の充填が正確に行うことが出来ない。更に、上記特許文献１は、その内部に発光ダイオードを搭載した貫通穴を取り囲んで、配線基板の上面に反射ケース板を添設する構造を開示している。しかしながら、かかる構造では、配線基板上に複数の発光素子を配置した後に、当該反射ケース板を正確に取り付けることは難しく、更には、発光ダイオードから出射される光の一部が、上記配線基板と反射ケース板との接合部から漏れ出てしまい、そのため、光の変換効率が低下してしまう。特に、複数の発光ダイオードを上記貫通穴内に搭載した場合には、なおさらである。

なお、上記特許文献２により知られる構造では、絶縁性基板に形成した貫通穴の裏面には放熱板となる金属薄板を取り付け、その表面に発光ダイオードを配置するが、上記特許文献１とは異なり、発光ダイオードの電極の電気的接続を、上記基板の表面に形成した配線パターンとの間で行う。しかしながら、なお、その構造から、複数の発光ダイオードを、貫通穴の裏面に取り付けた金属薄板上に搭載するに適した構造とはなってはいない。即ち、やはり、これら特許文献２により知られる構造でも、上述したと同様の問題点があった。

そこで、本発明は、上述した従来技術における問題点に鑑みて成されたものであり、具体的には、特に、その配線基板の内部に複数の発光素子を収納・搭載するための配線基板であって、光変換効率の向上を図ることが可能であり、更には、大量生産に適していることから比較的安価に製造することの可能な構造の発光素子を搭載するための配線基板を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明によれば、発光素子を絶縁基板の内部に収納・搭載するための配線基板であって、収納する発光素子を搭載するベース基板と、前記ベース基板の上面に積層接着したリフレクター基板とを備えており、前記ベース基板は、その一部に発光素子を搭載する穴内部の底面に取り付けた金属導体で閉口し上方に開口した非貫通穴が形成されると共に、この非貫通穴の内周表面には金属薄膜からなる反射膜が形成され、かつ、そのベース基板の非貫通穴の上端周辺部には前記の発光素子を電気的に接続するための配線パターンが形成されており、更に、前記非貫通穴の底面には、前記配線パターンを形成する金属薄膜より厚さの厚い金属導体で放熱板（放熱導体）が形成されており、前記リフレクター基板は、前記ベース基板に形成された非貫通穴と同心又はわずかに偏心して、前記非貫通穴よりも径の大きな貫通穴が形成されており、その内周表面には金属薄膜からなる反射膜が形成されると共に、当該リフレクター基板を前記ベース基板の上面に配置した際、その貫通穴を介して、前記ベース基板の非貫通穴の上端周辺部に形成された配線パターンの一部が露出する位置に積層接着され、前記ベース基板とその上面に積層接着した前記リフレクター基板の端面には、前記発光素子を外部に接続するための端子電極を備えており、この端子電極は、前記ベース基板とリフレクタ基板を貫通して貫通穴が複数形成され、前記貫通穴の上端面が樹脂侵入の阻止材で閉口されて下方に開口した非貫通穴が形成され、発光素子を搭載した後、前記両基板の非貫通穴の略中心に沿って切断されて形成されると共に、当該非貫通穴の内周には、前記ベース基板の貫通穴の周辺部に形成された前記配線パターンと、それぞれ、電気的に接続された導体層が形成されてなる配線基板が提供されている。前記樹脂侵入の阻止材は金属導体などの導電性導体でも、絶縁被膜などの非導電性材料でも良い。

また、本発明では、前記請求項１に記載した配線基板において、前記ベース基板の非貫通穴の内部底面に形成された前記放熱板（放熱導体）の表面には、更に、金属薄膜からなる反射膜が、前記リフレクター基板の貫通穴の内周表面に形成された金属薄膜からなる反射膜と一体（同一物質）に形成されている配線基板が好ましい。
但し、ベース基板とリフレクター基板の内周表面に形成された反射膜は電気的な導通性はなくて良い。さらに、ベース基板の板厚が極薄（約０．２ｍｍ以下）の場合は反射膜の形成はやめて良い。

また、本発明は、前記に記載した配線基板において、互いに隣接する一対の発光素子の「＋」及び「−」の電極に接続される配線パターンが、それぞれ、「＋」「＋」「−」「−」の順に交互に配列され、前記ベース基板の非貫通穴の上端周辺部に等間隔に配置されて形成されている配線基板である。

上述したように、本発明によれば、高い光出力をより変換効率よく得ることが可能なチップ部品型発光装置にするため発光素子搭載用の配線基板が提供されるという優れた効果を発揮する。

本発明では、複数の発光素子を配線基板の内部に収納・搭載するに適した構造であり、複数の発光ダイオードを上記貫通穴内に搭載した場合でも光変換効率の向上を図ることが可能であり、更には、大量生産に適していることから比較的安価に製造することの可能な構造の発光素子を搭載するための配線基板を提供することが可能である。

以下、本発明の配線基板に発光素子を搭載しチップ部品型発光装置にする実施の形態について、添付の図面を参照しながら、詳細に説明する。
まず、図１は、本発明の一実施の形態になるチップ部品型発光装置を示す。このチップ部品型発光装置は、図からも明らかなように、外形を略正方形の板状に形成されており、基本的には、ベース基板１０と、このベース基板の上面に積層接着したリフレクター基板２０と、そして、複数の発光素子、例えば、本例では、８個の発光ダイオード３０、３０…とによって構成されている。
なお、ベース基板１０の発光素子を搭載する穴内部の底面に取り付けた金属導体で閉口した非貫通穴１１である。
そして、搭載する複数の発光素子である、８個の発光ダイオード３０、３０…は、上記ベース基板１０の略中央に形成された非貫通穴１１の底面に設けられて金属導体である放熱板を形成する厚い金属薄膜１２の表面上に、所定の位置に並べられて配置されている。なお、このベース基板１０に形成された非貫通穴１１の内周面及び上記金属薄膜１２の表面には、後にも詳細に説明するが、例えば、銀などの金属薄膜からなる反射膜１３が、一体に形成されている。

また、添付の図２には、上記チップ部品型発光装置を構成するベース基板１０だけを取り出して示しており、この図からも明らかなように、上記ベース基板１０の上面には、その製造工程については後に詳細に説明するが、上記複数の発光ダイオード３０、３０…を図示しない外部（例えばマーザーボード）の駆動回路と電気的に接続するための、所謂、配線パターン１４、１４…が、上記ベース基板１０の非貫通穴１１を取り囲むように、それぞれ、その周辺部に等間隔に配置されて形成されている。この非貫通穴１１の底面には金属導体である放熱板を形成する厚い金属薄膜１２の表面上に、銀、ニッケル、金などの金属薄膜からなる反射膜１３が、一体に形成されている。
そして、図１において、符号１５、１５…は、これら複数の発光ダイオード３０、３０…を上記配線パターン１４、１４…との間で電気的に接続するための、例えば、ワイヤボンディングにより配線された配線用ワイヤ１５を示している。

一方、上記ベース基板１０の上面に積層接着したリフレクター基板２０にも、やはり、その略中央部に貫通穴２１が形成されており、この貫通穴２１の内周面にも、やはり後にその製造工程を詳細に説明するが、例えば、銀などの金属薄膜からなる反射膜２２が形成されている。なお、この貫通穴２１は、上記ベース基板１０に形成された非貫通穴１１の径よりも大きく、そのため、上記図１から明らかなように、このリフレクター基板２０を上記ベース基板１０の上面に 積層接着した状態で、その貫通穴２１を介して、上記ベース基板１０の上面に形成した配線パターン１４、１４…の一部が、より具体的には、ベース基板１０の非貫通穴１１の周辺部に形成された配線パターンの一部が露出している。

即ち、ベース基板１０の上面にリフレクター基板２０を積層接着した基板に複数の発光ダイオード３０、３０…を配置し、その後、上述したように、例えば、ワイヤボンディングなどにより、上記ベース基板１０の上面に形成された配線パターン１４、１４…との間で、電気的に接続することが出来る。そのため、上記配線パターン１４、１４…との間で電気的に接続するための配線用ワイヤ１５、１５…を、上記積層接着した二枚の基板（ベース基板１０及びリフレクター基板２０）の内部において、即ち、配線用ワイヤ１５を、リフレクター基板２０の上面から突出させることなく、接続することが可能となる。

更に、上記の図１からも明らかなように、チップ部品型発光装置を構成するベース基板１０とリフレクター基板２０との各端面には、複数（本例では、８×２＝１６個）の端面電極４０、４０…が形成されている。即ち、これら端面電極４０、４０…により、当該チップ部品型発光装置を、例えば、マザーボードなどの他の基板上に搭載した際、マザーボードなどの基板上に形成された配線パターンと間の電気的な接続を図ることが出来る。

続いて、上記にその詳細構造を説明したチップ部品型発光装置、特に、ベース基板１０の非貫通穴１１の上にリフレクター基板２０を重ねて、非貫通穴１１と同心又はわずかに偏心して、ベース基板１０の非貫通穴１１よりも径の大きなリフレクター基板２０の貫通穴２１を上に重ねて積層接着してなる配線基板の製造方法について、以下、添付の図３〜図５を参照しながら説明する。

なお、添付の図３は、上記したベース基板１０の製造方法を示しており、この図では、ベース基板１０の製造過程の各段階における断面構造を示す。

まず、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁材からなる、厚さが約０．３ｍｍのコア基材３００を用意し、その一方の面（図の例では上面）には、厚さが約１８μｍの銅箔３１０を付着すると共に、他方の面（図の例では下面）には、厚さが約２５μｍの接着シート３２０を張る（図３（ａ））。次に、上記で用意した基材３００の表面には、所定の位置に、例えば、ＮＣ穴明機により、そして本例では、φ３．１程度の貫通穴１１Ａを開ける（図３（ｂ））。その後、上記基材３００の下面、即ち、銅箔３１０を付着した面とは反対の面には、上記銅箔３１０よりも厚い、例えば、厚さが約７０μｍの銅箔３３０を接着して（図３（ｃ））、この銅箔３３０で閉口した非貫通穴１１とする。

その後、端面電極４０、４０…（上記図１を参照）を形成する位置に、例えば、φ０．６程度の穴を開け（図３（ｄ））、更に、その全体に、厚さ約２０μｍの銅めっき層３４０を施す（図３（ｅ））。

続いて、上記基材３００の上面、即ち、上記リフレクター基板２０との積層接着面に、例えばエッチングによって上記の不要の銅箔３１０を除去することにより、所定の回路パターン１４を形成する（図３（ｆ））。その後、形成した所定の回路パターン１４の上から、予め所定の位置に開口部を形成した接着シート３５０を接着し（図３（ｇ））、もって、上記ベース基板１０を得る。なお、上記により得られたベース基板１０の一例が、上記の図２に示されている。

次に、添付の図４には、上記リフレクター基板２０の製造方法を示しており、この図でも、やはり、上記リフレクター基板２０の製造過程の各段階における断面構造を示している。

まず、やはり、エポキシ樹脂等の絶縁材からなる、厚さが約０．３ｍｍのコア基材４００を用意し、その両面に、厚さが約２５μｍの接着シート４１０、４２０を付着する（図４（ａ））。続いて、上記基材４００の所定箇所には、上記貫通穴２１（上記図１を参照）の位置に、例えば、ＮＣにより、φ５．０程度の穴を開けると同時に、上記端面電極４０、４０…を形成する位置にも、φ０．６程度の穴を開ける（図４（ｂ））。そして、上記基材４００の表（上）面には、予め上記貫通穴２１の位置にφ５．０程度の穴を開けた銅箔４３０を、但し上記端面電極４０、４０…を形成する位置は銅箔４３０で閉口させる。一方、その裏（下）面には、予め上記貫通穴２１と上記端面電極４０の位置にφ５．０程度の穴を開けた銅箔４４０を接着する（図４（ｃ））。その後、その全体に、厚さ約２０μｍの銅めっき層４５０を施し（図４（ｄ））、更に、上記基材３００の表（上）面に形成された銅箔４３０や銅めっき層４５０をエッチングによって除去し、所定のパターンを形成し（図４（ｅ））、上記リフレクター基板２０を得る。

次に、上記により得られたリフレクター基板２０をベース基板１０上に積層して接着する工程について、図５を参照して説明する。なお、ここでも、積層接着して製造されるリフレクター基板２０とベース基板１０とが、その製造過程における各段階での断面構造により示されている。

まず、上記図４（ｅ）で得られたリフレクター基板２０を、上記図３（ｇ）で得られたベース基板１０上に積層する（図５（ａ））。即ち、上記ベース基板１０の上面に接着された接着シート３５０の上に、リフレクター基板２０を積層して接着する。この積層接着は発光素子搭載用のベース基板１０の非貫通穴１１と、リフレクター基板２０の貫通穴２１とは同心とするか、わずかに偏心させて積層接着しても良い。

続いて、上記積層接着したベース基板１０の下面に接着された厚さが約７０μｍの銅箔３３０を、やはり、エッチングなどによって除去し、チップ部品型発光装置の半田付け面の回路を形成する（図５（ｂ））。その後、その全体に、例えば、厚さ約５μｍのニッケル（Ｎｉ）層と厚さ約０．３μｍの金（Ａｕ）層とからなる貴金属めっき層５１０を施す（図５（ｃ））。更に、ベース基板１０の下面全体にマスキングテープ５２０を貼り（図５（ｄ））、その全体に、銀（Ａｇ）層５３０を、約０．３μｍの厚さで施す（図５（ｅ））。その後、上記ベース基板１０の下面全体に貼ったマスキングテープを剥離し（図５（ｆ））、もって、ベース基板１０をリフレクター基板２０上に積層接着してなる基板を完成する。

その後、更に、上記ベース基板１０の非貫通穴１１内において、複数の発光ダイオードを、その裏（底）面に設けられた放熱板１２上に配置し、配線を行ってチップ部品型発光装置を得る。なお、以上に述べた工程では、多数のチップ部品型発光装置を同時に製作するため、その表面積の大きな基板を用い、多数の基板を一体として大盤で作成する。そして、上記図５（ｆ）における一点鎖線は、上記の一体として繋がっている多数の基板内に複数の発光ダイオードを実装した後、個々のチップ部品型発光装置として分離切断するための切断線を示している。

なお、上述した製造工程により得られたチップ部品型発光装置の配線基板によれば、添付の図６にも示すように、上記基板を構成するベース基板１０の略中央部に形成した非貫通穴１１の底面に設けられた放熱板（金属薄膜）１２の上に、電熱性の高いモールド樹脂材６０を介して、上記複数の発光ダイオード３０、３０…を所定の位置に固定する。その後、例えば、ワイヤボンディングにより配線が行われる。その際、上記図１からも明らかなように、発光ダイオードとの間で配線を施す配線パターン１４、１４…が、二層に積層された基板の下方の基板である上記ベース基板１０の表（上）面に形成されており、かつ、これら配線パターン１４、１４…の一部が、その上に接着されたリフレクター基板２０の表面に開口された貫通穴２１を介して露出されており、複数の発光ダイオード３０、３０…の各々の電極は、これら配線パターン１４、１４…との間でワイヤボンディングによって配線が行われる。なお、この図６においても、配線されたワイヤが符号１５により示されている。このワイヤ１５は通常１個の発光ダイオード３０から２本（＋,−）が個々の配線パターン１４と接続される。

このように、上記の構成によれば、上記複数の発光ダイオード３０、３０…の電極と配線パターン１４、１４…との間に配線されたワイヤ１５は、上記チップ部品型発光装置の基板の表(上)面、即ち、リフレクター基板２０の表(上)面から外部へ突出することなく、基板内部に実装することが可能となる。すなわち、チップ部品型発光装置のかかる構成によれば、発光ダイオード３０、３０…を基板上に搭載した後に、その配線部を保護するために、その上部に透明樹脂を充填する必要もない。

換言すれば、上記図６に示すように、発光ダイオード３０、３０…を基板内部に実装した状態で、チップ部品型発光装置として、例えば、表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照明装置などの光源として利用することが出来る。
なお、上述したように複数の発光ダイオード３０、３０…を搭載可能であることから、高い光出力が得られると共に、このように、発光ダイオード３０の上面に透明樹脂を充填する必要がないことから、素子から出射した光が当該透明樹脂によってその一部が吸収されることも乱反射することもなく、より変換効率の高いチップ部品型発光装置を得ることが出来る。加えて、上述した発光ダイオード３０の上面に透明樹脂を充填する必要がないことによれば、素子内部での発熱が、その上面に充填された当該樹脂により周囲へ拡散されることから妨害され、又は、当該樹脂内部に篭ってしまい、発光ダイオードの温度を上昇してしまう事態を回避することが出来る。

また、上記図６にも示すように、上記基板を構成するベース基板１０の上にはリフレクター基板２０が一体に形成されており、加えて、ベース基板１０の上方に開口し下方は金属導体で閉口した非貫通穴１１の底面及びその内周面、そして、リフレクター基板２０に開口した貫通穴２１の内周面には、上述したように、その全面にわたって、ニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層とからなる貴金属めっき層５１０が施され、更に、その表面には銀（Ａｇ）層５３０（厚さ約０．３μｍ）からなる反射膜１３、２２が形成されている。このことから、ベース基板１０の非貫通穴１１の内部に設けられた複数の発光ダイオード３０、３０…から出射した光は、これら反射膜１３、２２によって反射され、外部に漏出することなく、リフレクター基板２０に開口した貫通穴２１の上部から導出される。即ち、複数の発光素子による高い光出力を、変換効率良く得ることが可能となる。

また、上記のチップ部品型発光装置、特に、上記ベース基板１０とリフレクター基板２０とを積層してなる配線基板の各端面に形成された端面電極４０、４０の構造によれば、その上端面を金属の導体層で閉止されていることから、上記透明な封止樹脂を充填する際、発光素子を搭載する非貫通穴１１＋貫通穴２１から外部へ漏れ出しても、その電極面にまで及ぶことがなく、確実に、信頼性の高い端面電極４０、４０を得ることが出来る。

更に、添付の図１は、上記ベース基板１０に形成した非貫通穴１１の内部において、その底面に設けられた放熱板（金属薄膜）１２の表面に、複数配置される発光ダイオードの配列について、その一例として、８個の発光ダイオード３０、３０…が、それぞれ、４行２列に配置されている。しかしながら、本発明は、上記の例に限定されるものではない。

加えて、上記図２には、上記チップ部品型発光装置において、そのベース基板１０の上面に形成された複数の配線パターン１３、１３…の一例が示されている。この図からも明らかなように、この実施例では、互いに隣接する配線パターン１４、１４が電気的に接続されている。より具体的には、それぞれ、互いに隣接する一対の発光ダイオードの「＋」及び「−」の電極に接続される配線パターンが、「＋」「＋」「−」「−」の順に配列されていることを意味する。なお、かかる配線パターン１３、１３…の配列によれば、基板内に配置した複数の発光ダイオード３０、３０…をワイヤボンディングなどによって配線パターン１４、１４…との間で電気的に接続した際、その後、配線された配線ワイヤ１５、１５同士が互いに近接し、又は、接触しても、同極性であることから、短絡の発生から回避することが可能となるという効果を発揮する。

なお、以上に種々述べた実施例においては、上記ベース基板１０及びリフレクター基板２０に上方に開口し組み合わされた非貫通穴（１１＋２１）は、円形であるとして説明したが、しかしながら、本発明はそれにのみ限定されるものではなく、これを、例えば、楕円形や方形に形成することも可能である。なお、その場合にも、上記と同様の効果が得られることは明らかであろう。また、上記の実施例においては、上記ベース基板１０及びリフレクター基板２０に開口し組み合わされた非貫通穴（１１＋２１）は、その内周面を垂直に形成するものとして説明したが、これについても、やはり、本発明はそれにのみ限定されるものではなく、例えば、基材に非貫通穴（１１＋２１）を形成する際（上記図３（ｂ）又は図４（ｂ）を参照）、例えば、テーパードリル等を利用することにより、その内周面を傾斜して形成することも可能である。

また、上記の説明では、上記の構成になるチップ部品型発光装置、特に、そのベース基板１０の非貫通穴１１の内部に配置される複数の発光素子を、その一例として、８個の発光ダイオード３０、３０…として説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されることなく、２個又はそれ以上の個数（例えば、好ましくは、４個、６個、９語、１０個等）でもよい。

本発明の配線基板に発光素子を搭載したチップ部品型発光装置の構成を示す拡大斜視図である。 上記チップ部品型発光装置を構成するベース基板の構造を示す拡大斜視図である。 上記ベース基板の製造方法を示すための工程図であり、その製造過程の各段階における断面構造を示す。 上記リフレクター基板の製造方法を示すための工程図であり、その製造過程の各段階における断面構造を示す。 上記ベース基板の上面に上記リフレクター基板を積層接着して基板を製造する方法を示す工程図であり、その製造過程の各段階における断面構造を示す。 上記により得られた配線基板に複数の発光素子を搭載してなるチップ部品型発光装置の構造を示す断面図である。

符号の説明

１０ ベース基板、 １１ 非貫通穴、 １２ 放熱板（厚い金属薄膜）
１３ 反射膜、 １４ 配線パターン、 １５ 配線用ワイヤ、
２０ リフレクター基板、 ２１ 貫通穴、 ２２ 反射膜、
３０ 発光ダイオード、 ４０ 端面電極。

Claims (3)

1. 発光素子を絶縁基板の内部に収納・搭載するための配線基板であって、収納する発光素子を搭載するベース基板と、前記ベース基板の上面に積層接着したリフレクター基板とを備えており、
   前記ベース基板は、その一部に発光素子を内部に搭載する穴内部の底面に取り付けた金属導体で閉口され上方に開口した非貫通穴が形成されると共に、このベース基板の上端周辺部には前記の発光素子を電気的に接続するための配線パターンが形成されており、更に、前記非貫通穴の底面には、前記配線パターンを形成する金属薄膜より厚さの厚い放熱導体が形成されており、
   前記リフレクター基板は、前記ベース基板に形成された非貫通穴と同心、又はわずかに偏心し、前記非貫通穴よりも径の大きな貫通穴が形成されており、その内周表面には金属薄膜からなる反射膜が形成されると共に、当該リフレクター基板を前記ベース基板の上面に配置した際、その貫通穴を介して、前記ベース基板の非貫通穴の上端周辺部に形成された配線パターンの一部が露出する位置に積層接着され、
   前記ベース基板とその上面に積層接着した前記リフレクター基板の端面には、前記発光素子を外部に接続するための端子電極を備えており、
   この端子電極は、前記ベース基板とリフレクタ基板を貫通して貫通穴が複数形成され、前記貫通穴の上端面が樹脂侵入の阻止材で閉口されて下方に開口した非貫通穴が形成され、発光素子を搭載した後、前記両基板の非貫通穴の略中心に沿って切断されて形成されると共に、当該非貫通穴の内周には、前記ベース基板の貫通穴の周辺部に形成された前記配線パターンと、それぞれ、電気的に接続された導体層が形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記請求項１に記載した配線基板において、前記ベース基板の非貫通穴の底面に形成された前記放熱導体の表面、及び内周表面には金属薄膜からなる反射膜が、前記貫通穴の内周表面に形成された金属薄膜からなる反射膜と一体に形成されていることを特徴とする配線基板。
3. 前記請求項１または２に記載した配線基板において、互いに隣接する一対の発光素子の「＋」及び「−」の電極に接続される配線パターンが、それぞれ、「＋」「＋」「−」「−」の順に交互に配列され、前記ベース基板の非貫通穴の上端周辺部に等間隔に配置されて形成されていることを特徴とする配線基板。

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