TWI420711B - 發光二極體封裝及其製作方法 - Google Patents

Description

發光二極體封裝及其製作方法

本發明係關於一種發光二極體封裝及其製作方法，尤指一種將發光二極體設置於基板之凹槽內之發光二極體封裝及其製作方法。

發光二極體(light emitting diode,LED)元件，由於具有壽命長、體積小與耗電量低等優點，已逐漸取代傳統螢光燈管或鎢絲燈泡，而廣泛地應用在照明、液晶顯示器的背光模組、各式電子產品與交通號誌等方面。

以封裝型式而言，目前發光二極體的封裝結構主要以表面黏著型(surface mount device,SMD)發光二極體封裝結構為主流。然而，由於習知表面黏著型發光二極體封裝結構所使用的基板係為平面基板，而發光二極體係設置於平面基板的平坦表面，因此導致習知發光二極體封裝的厚度較厚，而不符合目前對於電子元件輕、薄、短、小的需求。

本發明之目的之一在於提供一種發光二極體封裝及其製作方法，以縮減發光二極體封裝的整體厚度。

本發明之一實施例提供一種一種發光二極體封裝的製作方法，包括下列步驟。提供一基板，該基板包括一絕緣基材及設置於該絕緣基材上的一上導電層及一下導電層，該基板上包括有複數個元件區。圖案化各該元件區中之該上導電層及該下導電層，以形成電性分離之一第一導線區及一第二導線區，並於各該第一導線區之該上導電層內分別形成一開口，其中該等開口部分暴露出該絕緣基材。去除位於各該第一導線區中曝露之該絕緣基材而形成一凹槽。電性連接該各該第一導線區之該圖案化上導電層及該圖案化下導電層以形成一第一導線。電性連接該各該第二導線區之該圖案化上導電層及該圖案化下導電層以形成一第二導線。將複數個發光二極體分別設置於各該凹槽內，並使各該發光二極體之一第一電極與各該第一導線電性連接，以及使各該發光二極體之一第二電極與各該第二導線電性連接。在該基板上形成一封膠層封裝該等發光二極體。切割該基板，而形成複數個發光二極體封裝。

依據上述，在另一實施例中，其中各該凹槽曝露出各該第一導線區中的部分該下導電層。

依據上述，在另一實施例中，其中形成該第一導線的步驟包括在各該凹槽中形成一上導電圖案，該上導電圖案電性連接該各該第一導線區之該圖案化上導電層及該圖案化下導電層。

依據上述，在另一實施例中，其中該上導電圖案位於各該發光二極體與該下導電層之間。

依據上述，在另一實施例中，其中該上導電圖案係以係與該凹槽以共形方式形成。

依據上述，在另一實施例中，其中形成該第二導線的步驟包括去除位於各該第二導線區中曝露之該絕緣基材而形成一孔洞並曝露出各該第二導線區中的部分該上導電層，以及在各該孔洞中形成一下導電圖案，該下導電圖案電性連接該各該第二導線區之該圖案化上導電層及該圖案化下導電層。

依據上述，在另一實施例中，其中該等孔洞係利用雷射鑽孔方式形成。

依據上述，在另一實施例中，其中各該孔洞係分別位於各該第二導線區之一邊緣的一中央區。

依據上述，在另一實施例中，其中圖案化各該元件區中之該上導電層及該下導電層的步驟係利用蝕刻方式進行。

依據上述，在另一實施例中，其中該等凹槽係利用雷射鑽孔方式形成。

依據上述，在另一實施例中，更包括於位於各該第二導線區之該上導電層的表面形成一識別標記。

依據上述，在另一實施例中，更包括於位於各該第二導線區之該上導電層的表面形成一識別標記，其中該識別標記位於該孔洞的上方。

依據上述，在另一實施例中，更包括於各該元件區中形成一下防銲絕緣層，部分覆蓋該第一導線之一下表面。

依據上述，在另一實施例中，更包括進行下列步驟。去除各該元件區之四個角落區之該下導電層、該絕緣基材與該上導電層，以於各該元件區之四個角落區分別形成一孔洞。於各該元件區之四個角落區之該上導電層上分別形成一上防銲絕緣層，並使各該上防銲絕緣層覆蓋相對應之該孔洞。於各該孔洞之一側壁上形成一導電圖案，分別電性連接對應於各該孔洞旁之該上導電層與該下導電層，以於各該第一導線區形成一第一導線，以及於各該第二導線區形成一第二導線。

依據上述，在另一實施例中，其中各該導電圖案另覆蓋各該凹槽之側壁以及各該凹槽所暴露出之該下導電層。

依據上述，在另一實施例中，其中該等導電圖案與該等凹槽係以共形方式形成。

依據上述，在另一實施例中，其中該等孔洞係利用機械鑽孔方式形成。

依據上述，在另一實施例中，其中該導電圖案係利用電鍍方式形成。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的同一側，該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第二導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的不同一側，該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。

本發明提供一種發光二極體封裝，包括一第一導線，一絕緣層自該第一導線之一側向延伸。一第二導線設置於該絕緣層上，並且延伸於該絕緣層之一上表面及一下表面上，其中該第二導線與該第一導線之間電性分離。一發光二極體設置該第一導線上，其中該發光二極體的一第一電極與該第一導線電性連接，且其一第二電極與該第二導線電性連接。一封膠層封裝該發光二極體。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一導線之一側面夾置部分該絕緣層。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一導線上形成有一凹槽，且該發光二極體係設置於該凹槽內。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一導線包含一上導電圖案與一下導電層，該上導電圖案形成該凹槽並與該下導電層電性連接。

依據上述，在另一實施例中，更包括至少一識別標記，設置於位於該第二導線上。

依據上述，在另一實施例中，更包括一防銲絕緣層，設置於該絕緣層之該下表面並覆蓋部分該第一導線之一下表面。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的同一側，該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第二導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的不同一側，該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中該凹槽係為一封閉型凹槽。

本發明之一實施例提供一種發光二極體封裝。該發光二極體封裝包括一絕緣基材、一第一導線、一第二導線、複數個上防銲絕緣層、一發光二極體與一封膠層。絕緣基材具有一凹槽，以及複數個孔洞分別位於絕緣基材之角落區。第一導線部分覆蓋絕緣基材之一上表面與一下表面以及覆蓋部分孔洞之側壁。第二導線部分覆蓋絕緣基材之上表面與下表面以及覆蓋部分孔洞之側壁，且第一導線與第二導線電性分離。上防銲絕緣層分別部分覆蓋第一導線之一上表面並對應部分孔洞，以及覆蓋第二導線之一上表面並對應部分孔洞。發光二極體設置於凹槽內，發光二極體之一第一電極與第一導線電性連接，且發光二極體之一第二電極與第二導線電性連接。封膠層封裝發光二極體。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一導線另覆蓋該凹槽之側壁。

依據上述，在另一實施例中，另包括一下防銲絕緣層，部分覆蓋該第一導線之一下表面。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的同一側，該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線與該第二導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的不同一側，該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。

本發明之一實施例提供一種發光二極體封裝的製作方法，包括下列步驟。提供一基板，該基板包括一絕緣基材以及設置於該絕緣基材上的一上導電層與一下導電層，且該基板包括有複數個元件區。圖案化該上導電層及該下導電層，以分別於各該元件區內形成電性分離之一第一導線區、一第二導線區與一第三導線區，並於各該第一導線區之該上導電層內分別形成一開口，其中該等開口部分暴露出該絕緣基材。去除該上導電層之該等開口所暴露出之該絕緣基材，以分別於各該第一導線區內之該絕緣基材內形成一凹槽。去除各該元件區之四個角落區之該下導電層與該絕緣基材，以於各該元件區之四個角落區分別形成一孔洞，其中各該孔洞部分暴露出該上導電層。於各該元件區之周邊之該上導電層上分別形成一上防銲絕緣層。於各該孔洞之一側壁上形成一導電圖案，分別電性連接對應於各該孔洞暴露出之該上導電層以及各該孔洞旁之該下導電層，以於各該第一導線區形成一第一導線，於各該第二導線區形成一第二導線，以及於各該第三導線區形成一第三導線。於各該凹槽內設置一第一發光二極體與一第二發光元件，並使各該第一發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，使各該第一發光二極體之一第二電極與該第二導線電性連接，使各該第二發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，以及使各該第二發光二極體之一第二電極與該第三導線電性連接。在該基板上形成一封膠層封裝該等發光二極體。沿著相鄰之該等元件區之間切割該基板，以形成複數個發光二極體封裝。

依據上述，在另一實施例中，其中各該凹槽曝露出各該第一導線區內的部分該下導電層。

依據上述，在另一實施例中，其中各該導電圖案另覆蓋各該凹槽之側壁以及各該凹槽所暴露出之該下導電層。

依據上述，在另一實施例中，其中該等導電圖案係以共形方式形成。

依據上述，在另一實施例中，其中圖案化該上導電層及該下導電層之步驟係利用蝕刻方式達成。

依據上述，在另一實施例中，其中該絕緣基材之該等凹槽係利用雷射鑽孔方式形成。

依據上述，在另一實施例中，其中該等孔洞係利用雷射鑽孔方式形成。

依據上述，在另一實施例中，其中該導電圖案係利用電鍍方式形成。

依據上述，在另一實施例中，另包括於各該元件區之該第一導線區內的該下導電層上形成一下防銲絕緣層。

依據上述，在另一實施例中，其中各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第一發光二極體的同一側，且各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第二導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第二發光二極體的同一側，且各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第三導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第一發光二極體的不同一側，各該第一發光二極體之該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第二發光二極體的不同一側，各該第二發光二極體之該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第三導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中各該上防銲絕緣層係分別環繞各該元件區。

本發明之一實施例提供一種發光二極體封裝。該發光二極體封裝包括一絕緣基材、一第一導線、一第二導線、一第三導線、複數個上防銲絕緣層、一第一發光二極體與一第二發光二極體，以及一封膠層。絕緣基材具有一凹槽，以及複數個孔洞分別位於該絕緣基材之角落區。第一導線部分覆蓋該絕緣基材之一上表面與一下表面以及覆蓋部分該等孔洞之側壁。第二導線部分覆蓋該絕緣基材之該上表面與該下表面以及覆蓋部分該等孔洞之側壁。第三導線部分覆蓋該絕緣基材之該上表面與該下表面以及覆蓋部分該等孔洞之側壁，其中該第一導線、該第二導線與該第三導線電性分離。上防銲絕緣層分別位於各該元件區之周邊之該上導電層上。第一發光二極體與第二發光二極體設置於該凹槽內，其中該第一發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，該第一發光二極體之一第二電極與該第二導線電性連接，該第二發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，該第二發光二極體之一第二電極與該第三導線電性連接。封膠層封裝該第一發光二極體與該第二發光二極體。

依據上述，在另一實施例中，其中該第一導線另覆蓋該凹槽之側壁。

依據上述，在另一實施例中，另包括一下防銲絕緣層，部分覆蓋該第一導線之一下表面。

依據上述，在另一實施例中，其中各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第一發光二極體的同一側，且各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第二導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第二發光二極體的同一側，且各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第三導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第一發光二極體的不同一側，各該第一發光二極體之該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第二發光二極體的不同一側，各該第二發光二極體之該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第三導線電性連接。

依據上述，在另一實施例中，其中各該上防銲絕緣層係分別環繞各該元件區。

依據上述，在另一實施例中，另包括一下防銲絕緣層，設置於各該元件區之該第一導線區內的該下導電層上。

在本發明之發光二極體封裝中，發光二極體係設置於基板之凹槽內，因此可大幅縮減發光二極體封裝的整體厚度。

為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。

請參考第1圖至第9圖。第1圖至第9圖繪示了本發明第一較佳實施例之發光二極體封裝的製作方法的示意圖，其中為彰顯本發明之發光二極體封裝之製作方法的特徵，第1圖、第3圖、第5圖與第7圖以上視示意型式繪示，第2圖、第4圖、第6圖與第8圖以剖面示意型式繪示，第9圖則以外觀示意型式繪示。如第1圖與第2圖所示，首先提供一基板10。在本實施例中，基板10係為一印刷電路板，但不以此為限而可為其它類型之基板。基板10包括一絕緣基材(絕緣層)12、一上導電層14設置於絕緣基材12之上表面，以及一下導電層16設置於絕緣基材12之下表面，其中絕緣基材12可為各式絕緣材料例如玻璃纖維(glass fiber)或樹脂，且上導電層14與下導電層16可為各式導電材料例如銅箔，但不以此為限。此外，基板10上定義有複數條切割道18與複數個元件區20，其中各元件區20包括一第一導線區201、一第二導線區202與一隔離區203。接著，去除位於各元件區20之第一導線區201內的部分上導電層14及隔離區203內之上導電層14，以及一併去除位於各元件區20之第二導線區202內的部分下導電層16及隔離區203內之下導電層16，以分別於第一導線區201形成一第一導線22的一部分以及於第二導線區202形成一第二導線24的一部分，以及於各第一導線區201之上導電層14內分別形成一開口，其中開口部分暴露出絕緣基材12。在本實施例中，上述圖案化上導電層14與圖案化下導電層16的步驟係以蝕刻方式進行，但不以此為限。

如第3圖與第4圖所示，接著去除位於各元件區20之第一導線區201中露出上表面的絕緣基材12以形成一凹槽26，並一併去除位於各元件區20之第二導線區202中露出下表面的絕緣基材12，以分別於各第二導線區202內形成一孔洞28，其中凹槽26曝露出位於第一導線區201之下導電層16，且孔洞28曝露出位於第二導線區202之上導電層14。在本實施例中，凹槽26係為發光二極體的設置空間，藉由此凹陷設計可使發光二極體不致太過於突出絕緣基材12之上表面，而可縮減發光二極體之封裝結構的厚度，且孔洞28係位於第二導線區202之邊緣的中央區，如第3圖所示。在本實施中，絕緣基材12的凹槽26與孔洞28係以雷射鑽孔方式形成，但不以此為限。值得說明的是，在本實施例中，位於同一列之各第一導線區201的凹槽26係為彼此連通而形成一溝渠，藉此各凹槽26之兩相側無側壁而可增加出光角度，但並不以此為限。舉例而言，各第一導線區201的凹槽26亦可分別為一彼此不連通的封閉型凹槽。此外，凹槽26的側壁亦不限於為垂直側壁，而可視出光角度與光型的設計不同或製程不同而具有傾斜側壁。

如第5圖與第6圖所示，隨後於絕緣基材12之各凹槽26內分別形成一上導電圖案30，其中各上導電圖案30覆蓋各凹槽26之側壁並與凹槽26以共形方式形成，使得在各第一導線區201中，各上導電圖案30分別與各上導電層14以及各凹槽26曝露出之下導電層16電性連接，藉此上導電圖案30、上導電層14與下導電層16形成第一導線22，因而使得在第一導線22的一側面的上導電層14與下導電層16夾置部分絕緣基材12。換言之，絕緣基材12係自第一導線22之側向延伸。此外，並一併於各孔洞28內分別形成一下導電圖案32，其中各下導電圖案32與位於各第二導線區202中之下導電層16以及各孔洞28曝露出之上導電層14電性連接。由於凹槽26係貫穿絕緣基材12，因此在各第一導線區201中，可使位於絕緣基材12之上表面的上導電層14藉由上導電圖案30電性連接至位於絕緣基材12之下表面的下導電層16，以利於後續作對外電性連接。此外，覆蓋於凹槽26之側壁的上導電圖案30另具有反射作用，可增加發光的利用率。孔洞28亦係貫穿絕緣基材12，因此在各第二導線區202中，可使位於絕緣基材12之上表面的上導電層14藉由下導電圖案32電性連接至位於絕緣基材12之下表面的下導電層16，以利於後續作對外電性連接。在本實施例中，上導電圖案30與下導電圖案32的材質可為各式導電材料，且其可為單一導電層或複合導電層。例如在本實施例中，上導電圖案30與下導電圖案32的材料可為由鎳與銀兩層金屬所構成的複合導電層，並可利用電鍍方式形成，但不以此為限。此外，於形成上導電圖案30與下導電圖案32之後，可選擇性地於位於各第二導線區202之上導電層14的表面並位於孔洞28的上方形成一識別標記34，藉此區別第一導線22與第二導線24，以及形成一下防銲絕緣層36，係覆蓋於各第一導線區201之下導電層16的部分表面以及隔離區203之絕緣基材12之下表面，亦即部分覆蓋第一導線22之下表面，以降低發光二極體封裝完成後於裝配於電子裝置時之迴焊製程中發生短路的風險。值得說明的是，於形成下防銲絕緣層36之前可先將對應下防銲絕緣層36的下導電層16的厚度作適度縮減，藉此當下防銲絕緣層36形成後可與相鄰的下導電層16大體上形成一平坦表面，而有利於後續將發光二極體封裝銲接於另一電子裝置的基板上(圖未示)。

如第7圖與第8圖所示，提供複數個發光二極體38，其中各發光二極體38包括一第一電極381與一第二電極382。隨後，將各發光二極體38固定於各凹槽26內之第一導線22上，並使各發光二極體38之第一電極381與對應之各第一導線22電性連接，以及使各發光二極體38之第二電極382與對應之各第二導線24電性連接。在本實施例中，發光二極體38之第一電極381與第二電極382係分別位於發光二極體38不同一側之兩相對表面，第一電極381係設置於第一導線22之表面並與第一導線22直接電性連接，而第二電極382則係利用一銲線40電性連接至第二導線24，但不以此為限。接著，在整個基板10上包括於發光二極體38上形成一封膠層42，將發光二極體38包覆並封裝，並沿切割道18對基板10進行切割，以形成複數個發光二極體封裝44，如第9圖所示。

本發明之發光二極體封裝之製作方法並不以上述實施例所教導的方法為限，而可具有其它實施樣態。請參考第10圖。第10圖繪示了本發明一第二較佳實施例之發光二極體封裝的製作方法的示意圖。為了便於比較各實施例之相異處及簡化說明，本實施例與前述實施例使用相同符號標注相同元件，且僅針對與前述實施例不同之步驟進行說明，至於相同之方法步驟請參考第1圖至第9圖。本實施例與前述實施例之差異在於發光二極體的型式與電性連接方式。如第10圖所示，在本實施例中，發光二極體38之第一電極381與第二電極382係位於發光二極體38之同一側的表面上，且發光二極體38之第一電極381藉由一銲線40與第一導線22電性連接，而發光二極體38之第二電極382藉由另一銲線40與第二導線24電性連接。

請參考第11圖至第17圖。第11圖至第17圖繪示了本發明之第三較佳實施例之發光二極體封裝的製作方法的示意圖。為彰顯本發明之發光二極體封裝之製作方法的特徵，第11圖與第13圖以上視示意型式繪示，第12A-12B圖、第14圖至第16圖以剖線示意型式繪示，第17圖則以外觀示意型式繪示，其中第12B圖為沿第11圖之A-A’剖面線繪示之剖面示意圖、第14圖為沿第13圖之B-B’剖面線繪示之剖面示意圖。如第11圖與第12A-12B圖所示，首先提供一基板50。在本實施例及下文所述之其它實施例中，基板係為例如一印刷電路板，但不以此為限，而可為其它類型之基板。基板50包括一絕緣基材52、一上導電層54設置於絕緣基材52之上表面，以及一下導電層56設置於絕緣基材52之下表面，其中絕緣基材52可為各式絕緣材料例如玻璃纖維或樹脂等，且上導電層54與下導電層56可視電性需求為各式導電材料例如銅，但不以此為限。此外，基板50上定義有複數條切割道58與複數個元件區60。接著，圖案化上導電層54及下導電層56，以分別於各元件區60內形成電性分離之一第一導線區601及一第二導線區602。上導電層54在圖案化製程後會分別於各第一導線區601內形成一開口54A，部分暴露出絕緣基材52。在本實施例中，圖案化上導電層54及下導電層56之步驟係利用蝕刻方式達成，但不以此為限。接著，去除上導電層54之開口54A所暴露出之絕緣基材52，以分別於各第一導線區601內之絕緣基材52內形成一凹槽52A。在本實施例中，絕緣基材52之凹槽52A係利用雷射鑽孔方式形成，且凹槽52A可貫穿絕緣基材52而暴露出部分的下導電層56，但並不以此為限。例如，絕緣基材52之凹槽52A亦可利用其它方式加以形成，且凹槽52A亦可不貫穿絕緣基材52。此外，由上視方向觀之，凹槽52A可為一封閉型凹槽，但不以此為限。凹槽52A的形狀可為矩形，但不以此為限而可為其它各種形狀；再者，凹槽52A的側壁亦可為垂直側壁、向內傾斜或向外傾斜的側壁，或是具有弧度之側壁。

如第13圖與第14圖所示，接著去除各元件區60之四個角落區之下導電層56、絕緣基材52與上導電層54，以分別於各元件區60的四個角落形成一貫穿基板50的孔洞66。在本實施例中，孔洞66係利用機械鑽孔方式形成，但孔洞66並不限於以機械鑽孔方式形成。接著，於各元件區60之四個角落區之上導電層54上分別形成一上防銲絕緣層62，並使各上防銲絕緣層62覆蓋相對應之孔洞66，以及於各元件區60之第一導線區601內的下導電層56上形成一下防銲絕緣層64。在本實施例中，上防銲絕緣層62為一圓形圖案，但不以此為限，例如上防銲絕緣層62亦可為其它形狀之圖案，例如矩形圖案、菱形圖案或其它幾何圖案。此外，上防銲絕緣層62除了具有避免短路的作用外，更可具有避免於切割製程後上導電層的切割面產生毛邊現象，而可增加發光二極體封裝的可靠度。

如第15圖所示，隨後於各孔洞66之一側壁上形成一導電圖案68，分別電性連接對應於各孔洞66旁之上導電層54與下導電層56，以於各第一導線區601形成一第一導線70，以及於各第二導線區602形成一第二導線72，其中第一導線70係由第一導線區601內之上導電層54、下導電層56與導電圖案68所共同形成，而第二導線72則係由第二導線區602內之上導電層54、下導電層56與導電圖案68所共同形成，且第一導線70與第二導線72電性分離。此外，在本實施例中，第一導線70之上導電層54、下導電層56與導電圖案68係在凹槽52A以及兩個孔洞66所在的三個位置電性連接，而第二導線72之上導電層54、下導電層56與導電圖案68則係在另外兩個孔洞66所在的兩個位置電性連接。另外，導電圖案68的材質可為各式導電材料，且其可為單一導電層或複合導電層。例如在本實施例中，導電圖案68的材料可為由鎳與銀兩層金屬所構成的複合導電層。此外，導電圖案68可利用例如電鍍方式形成，且導電圖案68除了形成於孔洞66之側壁外，亦可一併形成於各凹槽52A之側壁、各凹槽52A所暴露出之下導電層56，以及任何暴露出之上導電層54與下導電層56的表面。此外，導電圖案68較佳係以共形方式形成，亦即導電圖案68大體上具有均勻的厚度，藉此可使凹槽52A的底部仍可維持平坦，而有利於後續發光二極體的設置，而不會因凹槽52A的底部不平坦而影響發光二極體的出光方向。舉例而言，在導電圖案68的材料中不添加例如光澤劑的狀況下，即可使導電圖案68具有較佳的共形性。

如第16圖所示，隨後於各凹槽52A內至少設置一發光二極體74，並使各發光二極體74之一第一電極741與對應之第一導線70電性連接，以及使各發光二極體74之一第二電極742與對應之第二導線72電性連接。在本實施例中，發光二極體74之第一電極741與第二電極742係位於發光二極體74的同一側，且第一電極741與第二電極742係分別藉由銲線761、762與第一導線70以及第二導線72電性連接，但發光二極體74與第一導線70以及第二導線72的電性連接方式並不以此為限。接著，在基板50上形成一封膠層78封裝發光二極體74。

接著進行一切割製程，沿著相鄰之元件區60之間的切割道58(如第11圖所示)切割基板50，以形成發光二極體封裝80，如第17圖所示。

請再參考第18圖。第18圖繪示了本發明之第四較佳實施例之發光二極體封裝的示意圖，其中為簡化說明並便於比較各實施例的相異處，本實施例與前述第三實施例使用相同的符號標注相同的元件，並僅針對不同處加以說明，而不再對製程方法作重覆贅述。本實施例之發光二極體與第一導線以及第二導線的電性連接方式與前述第三實施例有所不同。如第18圖所示，本實施例之發光二極體封裝90的第一電極741與第二電極742係位於發光二極體74的不同一側，其中第一電極741係直接與凹槽52A內之第一導線70電性連接，而第二電極742則係藉由銲線762與第二導線72電性連接。

請參考第19圖至第26圖。第19圖至第26圖繪示了本發明之第五較佳實施例之發光二極體封裝的製作方法的示意圖。為彰顯本發明之發光二極體封裝之製作方法的特徵，第19圖、第21圖與第24圖以上視示意型式繪示，第20A-20B圖、第22圖、第23圖與第25圖以剖面示意型式繪示，第26圖則以外觀示意型式繪示，其中第20B圖為沿第19圖之C-C’剖面線繪示之剖面示意圖、第22圖為沿第21圖之D-D’剖面線繪示之剖面示意圖、第25圖為沿第24圖之E-E’剖面線繪示之剖面示意圖。如第19圖與第20A-20B圖所示，首先提供一基板100。基板100包括一絕緣基材102、一上導電層104設置於絕緣基材102之上表面，以及一下導電層106設置於絕緣基材102之下表面。此外，基板100上定義有複數條切割道108與複數個元件區110。接著，圖案化上導電層104及下導電層106，以分別於各元件區110內形成電性分離之一第一導線區1101、一第二導線區1102與一第三導線區1103。上導電層104在圖案化製程後會分別於各第一導線區1101內形成一開口104A，部分暴露出絕緣基材102。在本實施例中，圖案化上導電層104及下導電層106之步驟係利用蝕刻方式達成，但不以此為限。接著，去除上導電層104之開口104A所暴露出之絕緣基材102，以分別於各第一導線區1101內之絕緣基材102內形成一凹槽102A。在本實施例中，絕緣基材102之凹槽102A係利用雷射鑽孔方式形成，且凹槽102A可貫穿絕緣基材102而暴露出部分的下導電層106，但並不以此為限。例如，絕緣基材102之凹槽102A亦可利用其它方式加以形成，且凹槽102A亦可不貫穿絕緣基材102。此外，由上視方向觀之，凹槽102A的形狀為矩形，但不以此為限而可為其它各種形狀；再者，凹槽102A的側壁亦可為垂直側壁、向內傾斜或向外傾斜的側壁，或是具有弧度之側壁。

如第21圖與第22圖所示，接著去除各元件區110之四個角落區之下導電層106與絕緣基材102，以分別於各元件區110的四個角落形成一孔洞116，其中各孔洞116分別部分暴露出上導電層104。在本實施例中，孔洞116係利用雷射鑽孔方式形成，但不以此為限。接著，於各元件區110之周邊之上導電層104上分別形成一上防銲絕緣層112，以及於各元件區110之第一導線區1101內的下導電層106上形成一下防銲絕緣層114。在本實施例中，各上防銲絕緣層112係分別環繞各元件區110，但上防銲絕緣層112的位置與形狀並不以此為限。

如第23圖所示，隨後於各孔洞116之一側壁上形成一導電圖案118，分別電性連接對應於各孔洞116暴露出之上導電層104以及各孔洞116旁之下導電層106，以於各第一導線區1101形成一第一導線120、於各第二導線區1102形成一第二導線122以及於各第三導線區1103(第23圖未示)形成一第三導線124(第23圖未示)，其中第一導線120係由第一導線區1101內之上導電層104、下導電層106與導電圖案118所共同形成，第二導線122則係由第二導線區1102內之上導電層104、下導電層106與導電圖案118所共同形成，第三導線124則係由第三導線區1103內之上導電層104、下導電層106與導電圖案118所共同形成，且第一導線120、第二導線122與第三導線124三者電性分離。導電圖案118的材質可為各式導電材料，且其可為單一導電層或複合導電層。例如在本實施例中，導電圖案118的材料可為由鎳與銀兩層金屬所構成的複合導電層。此外，導電圖案118可利用例如電鍍方式形成，因此導電圖案118除了形成於孔洞116之側壁外，亦可一併形成於各凹槽102A之側壁、各凹槽102A所暴露出之下導電層106，以及任何暴露出之上導電層104與下導電層106的表面。此外，導電圖案118較佳係與凹槽102A以共形方式形成，亦即導電圖案118大體上具有均勻的厚度，藉此可使凹槽102A的底部仍可維持平坦，而有利於後續發光二極體的設置，而不會因凹槽102A的底部不平坦而影響發光二極體的出光方向。舉例而言，在導電圖案118的材料中仍不添加例如光澤劑的狀況下，即可使導電圖案118具有較佳的共形性。

如第24圖與第25圖所示，隨後於各凹槽102A內設置一第一發光二極體130與一第二發光二極體132，並使各第一發光二極體130之一第一電極1301與第一導線120電性連接，使各第一發光二極體130之一第二電極1302與第二導線122電性連接，使各第二發光二極體132之一第一電極1321與第一導線120電性連接，以及使各第二發光二極體132之一第二電極1322與第三導線124電性連接。在本實施例中，第一電極1301與第二電極1302係位於第一發光二極體130的同一側，且第一電極1301與第二電極1302係分別藉由銲線1341、1342與第一導線120以及第二導線122電性連接；第一電極1321與第二電極1322係位於第二發光二極體132的同一側，且第一電極1321與第二電極1322係分別藉由銲線1361、1362與第一導線120以及第三導線124電性連接。接著，在基板100上形成一封膠層138(第24圖未示)封裝第一發光二極體130與第二發光二極體132。

接著進行一切割製程，沿著相鄰之元件區110之間的切割道108(如第19圖所示)切割基板100，以形成發光二極體封裝140，如第26圖所示。

請再參考第27圖。第27圖繪示了本發明之第六較佳實施例之發光二極體封裝的示意圖，其中為簡化說明並便於比較各實施例的相異處，本實施例與前述第五實施例使用相同的符號標注相同的元件，並僅針對不同處加以說明，而不再對製作方法作重覆贅述。本實施例之第一發光二極體與第一導線以及第二導線的電性連接方式以及第二發光二極體與第一導線以及第三導線的電性連接方式與前述第三實施例有所不同。如第27圖所示，在本實施例中，發光二極體封裝150的第一發光二極體130的第一電極1301與第二電極1302係位於第一發光二極體130的不同一側，其中第一電極1301係直接與凹槽102A內之第一導線120電性連接，而第二電極1302則係藉由銲線1342與第二導線122電性連接；此外，第二發光二極體132的第一電極1321與第二電極1322係位於第二發光二極體132的不同一側，其中第一電極1321係直接與凹槽102A內之第一導線120電性連接，而第二電極1322則係藉由銲線1362與第三導線124電性連接。

綜上所述，本發明之發光二極體封裝將發光二極體設置於基板之凹槽內，可有效縮減發光二極體封裝的整體厚度。此外，導電圖案係以共形方式形成於凹槽的底部與側壁，因此可保持平坦性而確保設置於其上的發光二極體封裝的發光方向。再者，藉由調整凹槽的形狀或側壁角度可以改變出光角度與光型，進而增加發光二極體的應用範圍。另外，基板的孔洞除了提供上導電層與下導電層的連接途徑之外，更可在後續進行表面黏著(surface mount)的迴焊製程時作為銲錫的緩衝空間，而有效提升表面黏著製程的良率。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10．．．基板

12．．．絕緣基材

14．．．上導電層

16．．．下導電層

18．．．切割道

20．．．元件區

201．．．第一導線區

202．．．第二導線區

203．．．隔離區

22．．．第一導線

24．．．第二導線

26．．．凹槽

28．．．孔洞

30．．．上導電圖案

32．．．下導電圖案

34．．．識別標記

36．．．下防銲絕緣層

38．．．發光二極體

381．．．第一電極

382．．．第二電極

40．．．銲線

42．．．封膠層

44．．．發光二極體封裝

50．．．基板

52．．．絕緣基材

52A．．．凹槽

54．．．上導電層

54A．．．開口

56．．．下導電層

58．．．切割道

60．．．元件區

601．．．第一導線區

602．．．第二導線區

62．．．上防銲絕緣層

64．．．下防銲絕緣層

66．．．孔洞

68．．．導電圖案

70．．．第一導線

72．．．第二導線

74．．．發光二極體

741．．．第一電極

742．．．第二電極

761、762．．．銲線

78．．．封膠層

80．．．發光二極體封裝

90．．．發光二極體封裝

100．．．基板

102．．．絕緣基材

102A．．．凹槽

104．．．上導電層

104A．．．開口

106．．．下導電層

108．．．切割道

110．．．元件區

1101．．．第一導線區

1102．．．第二導線區

1103．．．第三導線區

112．．．上防銲絕緣層

114．．．下防銲絕緣層

116．．．孔洞

118．．．導電圖案

120．．．第一導線

122．．．第二導線

124．．．第三導線

130．．．第一發光二極體

1301．．．第一電極

1302．．．第二電極

132．．．第二發光二極體

1321．．．第一電極

1322．．．第二電極

1341、1342．．．銲線

1361、1362．．．銲線

138．．．封膠層

140．．．發光二極體封裝

150．．．發光二極體封裝

第1圖至第9圖繪示了本發明第一較佳實施例之發光二極體封裝之製作方法的示意圖。

第10圖繪示了本發明第二較佳實施例之發光二極體封裝之製作方法的示意圖。

第11圖至第17圖繪示了本發明之第三較佳實施例之發光二極體封裝的製作方法的示意圖。

第18圖繪示了本發明之第四較佳實施例之發光二極體封裝的示意圖。

第19圖至第26圖繪示了本發明之第五較佳實施例之發光二極體封裝的製作方法的示意圖。

第27圖繪示了本發明之第六較佳實施例之發光二極體封裝的示意圖。

12．．．絕緣基材

16．．．下導電層

22．．．第一導線

24．．．第二導線

26．．．凹槽

28．．．孔洞

34．．．識別標記

36．．．下防銲絕緣層

38．．．發光二極體

382．．．第二電極

40．．．銲線

42．．．封膠層

44．．．發光二極體封裝

Claims (57)

1. 一種發光二極體封裝的製作方法，包括：提供一基板，該基板包括一絕緣基材及設置於該絕緣基材上的一上導電層及一下導電層，該基板上包括有複數個元件區；圖案化各該元件區中之該上導電層及該下導電層，以形成電性分離之一第一導線區及一第二導線區，並於各該第一導線區之該上導電層內分別形成一開口，其中該等開口部分暴露出該絕緣基材；去除位於各該第一導線區中之該上導電層之該開口所曝露之該絕緣基材而形成一凹槽；電性連接該各該第一導線區之該圖案化上導電層及該圖案化下導電層以形成一第一導線；電性連接該各該第二導線區之該圖案化上導電層及該圖案化下導電層以形成一第二導線；將複數個發光二極體分別設置於各該凹槽內，並使各該發光二極體之一第一電極與各該第一導線電性連接，以及使各該發光二極體之一第二電極與各該第二導線電性連接；在該基板上形成一封膠層封裝該等發光二極體；以及切割該基板，而形成複數個發光二極體封裝。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該凹槽曝露出各該第一導線區中的部分該下導電層。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中形成該第一導線的步驟包括在各該凹槽中形成一上導電圖案，該上導電圖案電性連接該各該第一導線區之該圖案化上導電層及該圖案化下導電層。
4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該上導電圖案位於各該發光二極體與該下導電層之間。
5. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該上導電圖案係以係與該凹槽以共形(conformal)方式形成。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中形成該第二導線的步驟包括：去除位於各該第二導線區中該圖案化下導電層曝露之該絕緣基材而形成一孔洞並曝露出各該第二導線區中的部分該上導電層；以及在各該孔洞中形成一下導電圖案，該下導電圖案電性連接該各該第二導線區之該圖案化上導電層及該圖案化下導電層。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該等孔洞係利用雷射鑽孔方式形成。
8. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該孔洞係分別位於各該第二導線區之一邊緣的一中央區。
9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中圖案化各該元件區中之該上導電層及該下導電層的步驟係利用蝕刻方式進行。
10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該等凹槽係利用雷射鑽孔方式形成。
11. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，更包括於位於各該第二導線區之該上導電層的表面形成一識別標記。
12. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝的製作方法，更包括於位於各該第二導線區之該上導電層的表面形成一識別標記，其中該識別標記位於該孔洞的上方。
13. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，更包括於各該元件區中形成一下防銲絕緣層，部分覆蓋該第一導線之一下表面。
14. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，更 包括：去除各該元件區之四個角落區之該下導電層、該絕緣基材與該上導電層，以於各該元件區之四個角落區分別形成一孔洞；於各該元件區之四個角落區之該上導電層上分別形成一上防銲絕緣層，並使各該上防銲絕緣層覆蓋相對應之該孔洞；以及於各該孔洞之一側壁上形成一導電圖案，分別電性連接對應於各該孔洞旁之該上導電層與該下導電層，以於各該第一導線區形成一第一導線，以及於各該第二導線區形成一第二導線。
15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該導電圖案另覆蓋各該凹槽之側壁以及各該凹槽所暴露出之該下導電層。
16. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該等導電圖案與該等凹槽係以共形方式形成。
17. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該等孔洞係利用機械鑽孔方式形成。
18. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該導電圖案係利用電鍍方式形成。
19. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的同一側，該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第二導線電性連接。
20. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的不同一側，該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。
21. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該凹槽係為一封閉型凹槽。
22. 一種發光二極體封裝，包括：一第一導線；一絕緣層，自該第一導線之一側向延伸；一第二導線，設置於該絕緣層上並延伸於該絕緣層之一上表面及一下表面上，其中該第二導線與該第一導線電性分離；一發光二極體，設置在該第一導線上，該發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，且該發光二極體之一第二電極與該第二導線電性連接；以及一封膠層，封裝該發光二極體。
23. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體封裝，其中該第一導線之一側面夾置部分該絕緣層。
24. 如申請專利範圍第23項所述之發光二極體封裝，其中該第一導線上形成有一凹槽，且該發光二極體係設置於該凹槽內。
25. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體封裝，其中該第一導線包含一上導電圖案與一下導電層，該上導電圖案形成該凹槽並與該下導電層電性連接。
26. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體封裝，更包括至少一識別標記，設置於位於該第二導線上。
27. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體封裝，更包括一防銲絕緣層，設置於該絕緣層之該下表面並覆蓋部分該第一導線之一下表面。
28. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體封裝，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的同一側，該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第二導線電性連接。
29. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體封裝，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的不同一側，該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。
30. 一種發光二極體封裝，包括：一絕緣基材，其具有一凹槽，以及複數個孔洞分別位於該絕緣基材之角落區；一第一導線，部分覆蓋該絕緣基材之一上表面與一下表面以及覆蓋部分該等孔洞之側壁；一第二導線，部分覆蓋該絕緣基材之該上表面與該下表面以及覆蓋部分該等孔洞之側壁，且該第一導線與該第二導線電性分離；複數個上防銲絕緣層，分別部分覆蓋該第一導線之一上表面並對應部分該孔洞，以及覆蓋該第二導線之一上表面並對應部分該孔洞；一發光二極體，設置於該凹槽內，該發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，且該發光二極體之一第二電極與該第二導線電性連接；以及一封膠層，封裝該發光二極體。
31. 如請求項30所述之發光二極體封裝，其中該第一導線另覆蓋該凹槽之側壁。
32. 如請求項30所述之發光二極體封裝，另包括一下防銲絕緣層，部分覆蓋該第一導線之一下表面。
33. 如請求項30所述之發光二極體封裝，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的同一側，該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線與該第二導線電性連接。
34. 如請求項30所述之發光二極體封裝，其中該第一電極與該第二電極位於該發光二極體的不同一側，該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。
35. 一種發光二極體封裝的製作方法，包括：提供一基板，該基板包括一絕緣基材以及設置於該絕緣基材上的一上導電層與一下導電層，且該基板包括有複數個元件區；圖案化該上導電層及該下導電層，以分別於各該元件區內形成電性分離之一第一導線區、一第二導線區與一第三導線區，並於各該第一導線區之該上導電層內分別形成一開口，其中該等開口部分暴露出該絕緣基材；去除該上導電層之該等開口所暴露出之該絕緣基材，以分別於各該第一導線區內之該絕緣基材內形成一凹槽； 去除各該元件區之四個角落區之該下導電層與該絕緣基材，以於各該元件區之四個角落區分別形成一孔洞，其中各該孔洞部分暴露出該上導電層；於各該元件區之周邊之該上導電層上分別形成一上防銲絕緣層；於各該孔洞之一側壁上形成一導電圖案，分別電性連接對應於各該孔洞暴露出之該上導電層以及各該孔洞旁之該下導電層，以於各該第一導線區形成一第一導線，於各該第二導線區形成一第二導線，以及於各該第三導線區形成一第三導線；於各該凹槽內設置一第一發光二極體與一第二發光元件，並使各該第一發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，使各該第一發光二極體之一第二電極與該第二導線電性連接，使各該第二發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，以及使各該第二發光二極體之一第二電極與該第三導線電性連接；在該基板上形成一封膠層封裝該等發光二極體；以及沿著相鄰之該等元件區之間切割該基板，以形成複數個發光二極體封裝。
36. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該凹槽曝露出各該第一導線區內的部分該下導電層。
37. 如申請專利範圍第36項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該導電圖案另覆蓋各該凹槽之側壁以及各該凹槽所暴露出之該下導電層。
38. 如申請專利範圍第37項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該等導電圖案係以共形(conformal)方式形成。
39. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中圖案化該上導電層及該下導電層之步驟係利用蝕刻方式達成。
40. 如申請專利範圍第36項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該絕緣基材之該等凹槽係利用雷射鑽孔方式形成。
41. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該等孔洞係利用雷射鑽孔方式形成。
42. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中該導電圖案係利用電鍍方式形成。
43. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，另包括於各該元件區之該第一導線區內的該下導電層上形成一下防銲絕緣層。
44. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第一發光二極體的同一側，且各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第二導線電性連接。
45. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第二發光二極體的同一側，且各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第三導線電性連接。
46. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第一發光二極體的不同一側，各該第一發光二極體之該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。
47. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第二發光二極體的不同一側，各該第二發光二極體之該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第三導線電性連接。
48. 如申請專利範圍第35項所述之發光二極體封裝的製作方法，其中各該上防銲絕緣層係分別環繞各該元件區。
49. 一種發光二極體封裝，包括：一絕緣基材，其具有一凹槽，以及複數個孔洞分別位於該絕緣基材之角落區；一第一導線，部分覆蓋該絕緣基材之一上表面與一下表面以及覆蓋部分該等孔洞之側壁；一第二導線，部分覆蓋該絕緣基材之該上表面與該下表面以及覆蓋部分該等孔洞之側壁；一第三導線，部分覆蓋該絕緣基材之該上表面與該下表面以及覆蓋部分該等孔洞之側壁，其中該第一導線、該第二導線與該第三導線電性分離；複數個上防銲絕緣層，分別位於各該元件區之周邊之該上導電層上；一第一發光二極體與一第二發光二極體，設置於該凹槽內，該第一發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，該第一發光二極體之一第二電極與該第二導線電性連接，該第二發光二極體之一第一電極與該第一導線電性連接，該第二發光二極體之一第二電極與該第三導線電性連接；以及一封膠層，封裝該第一發光二極體與該第二發光二極體。
50. 如請求項49所述之發光二極體封裝，其中該第一導線另覆蓋該凹槽之側壁。
51. 如請求項49所述之發光二極體封裝，另包括一下防銲絕緣層，部分覆蓋該第一導線之一下表面。
52. 如請求項49所述之發光二極體封裝，其中各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第一發光二極體的同一側，且各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第二導線電性連接。
53. 如請求項49所述之發光二極體封裝，其中各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第二發光二極體的同一側，且各該第二發光二極體之該第一電極與該第二電極係分別藉由銲線與該第一導線以及該第三導線電性連接。
54. 如請求項49所述之發光二極體封裝，其中各該第一發光二極體之該第一電極與該第二電極位於該第一發光二極體的不同一側，各該第一發光二極體之該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第二導線電性連接。
55. 如請求項49所述之發光二極體封裝，其中各該第二發光二極體 之該第一電極與該第二電極位於該第二發光二極體的不同一側，各該第二發光二極體之該第一電極係直接與該凹槽內之該第一導線電性連接，該第二電極係藉由一銲線與該第三導線電性連接。
56. 如請求項49所述之發光二極體封裝，其中各該上防銲絕緣層係分別環繞各該元件區。
57. 如請求項49所述之發光二極體封裝，另包括一下防銲絕緣層，設置於各該元件區之該第一導線區內的該下導電層上。