CN112271173A - 双层基板及光源装置 - Google Patents
双层基板及光源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112271173A CN112271173A CN202011040131.4A CN202011040131A CN112271173A CN 112271173 A CN112271173 A CN 112271173A CN 202011040131 A CN202011040131 A CN 202011040131A CN 112271173 A CN112271173 A CN 112271173A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating plate
- conductive
- light emitting
- lower insulating
- double
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 22
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了一种双层基板及光源装置，双层基板由上绝缘板和下绝缘基板构成，可采用成熟的工艺单独在上绝缘板上预先埋设导热件以及在下绝缘上埋设导电体，实现简单、制作效率及良品率高，成本低；另外，相对同等厚度的单层PCB板，导热件的高度只有单层PCB板中将发光芯片产生的热量导出的导热件的高度的一半甚至可以做到更小，因此可以大幅度减少散热路径，散热性能更好；另外，相对应的上导电连接部和中导电连接部通过导电胶层形成电连接，既能提升相对应的上导电连接部和中导电连接部之间导电连接的可靠性，又能提升上绝缘板和下绝缘板之间贴合的紧密性，从而可提升二者之间的气密性，进而提升其防护性能。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种双层基板及光源装置。
背景技术
随着发光二极管LED在背光领域以及照明领域等各领域的深入应用，对发光LED的要求也日益增高。目前，LED在应用过程中存在以下瓶颈：
采用单颗LED芯片制得的单颗LED的发光亮度不够高，不能较好的满足高亮度显示的需求；
LED一般都采用LED支架结合LED芯片进行封装制得，成本高居不下，且由于使用了LED支架，导致LED的尺寸较大，不能满足轻薄化、超窄黑边的需求；
如果要省略LED支架，而直接将LED芯片设置于单层PCB上，又存在技术跨度大，现有工艺制作存在技术难度大，散热性能差，良品率低，成本高的问题。
因此，如何提供一种既能提升LED的发光亮度，又利于减小其尺寸，且同时能采用成熟工艺就能制得的LED光源装置，是目前亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明提供的一种用于双层基板及光源装置，解决如何既能提升LED的发光亮度，又利于减小其尺寸，且同时能采用成熟工艺就能制得散热性能好、且成本低的LED光源装置的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种双层基板，包括：层叠在一起的上绝缘板、下绝缘板；
所述上绝缘板的正面上设有阵列分布的多个发光区域，以及设于各发光区域内的第一导电层，每一发光区域内的第一导电层包括用于分别与至少两颗发光芯片的正、负电极连接的电极焊接部，所述上绝缘板的背面设有与所述各电极焊接部相对应的上导电连接部，所述上绝缘板内还埋设有将各相对应的所述电极焊接部和上导电连接部电连接的导热件；
所述下绝缘板的正面上设有分别与所述各上导电连接部相对应的中导电连接部，背面上设有分别与所述各中导电连接部相对应的下导电连接部，所述下绝缘板内还埋设有将相对应的各所述中导电连接部和下导电连接部电连接的导电体；
所述双层基板还包括设置于所述上导电连接部和/或中导电连接部上的柔性导电层，所述上绝缘板的背面和下绝缘板的正面贴合后，相对应的所述上导电连接部和中导电连接部通过所述柔性导电层形成电连接。
可选地，所述双层基板还包括设置于所述上绝缘板的背面且位于所述上导电连接部之外的区域的粘接层，和/或设置于所述下绝缘板的正面且位于所述中导电连接部之外的区域的粘接层，所述上绝缘板的背面和下绝缘板的正面贴合后，通过所述粘接层粘接在一起。
可选地，所述上绝缘板和下绝缘板的厚度为0.05毫米至0.3毫米。
可选地，所述上绝缘板和下绝缘板的厚度相等。
可选地，所述下绝缘板上设有将相对应的所述各上导电连接部和中导电连接部连通的通孔，所述导电体为在所述通孔侧壁形成的导电层，或在所述通孔内形成的、将所述通孔填充满的导电柱。
可选地，所述通孔的孔径大于所述导热件的直径。
可选地，所述通孔的孔径为0.3mm-0.7mm，所述导热件的直径为0.05mm-0.2mm。
可选地，所述上绝缘板和下绝缘板层叠后，所述导热件与所述通孔之间无重叠。
可选地，所述上导电连接部、中导电连接部、下导电连接部设置有材质相同的导电层。
可选地，所述上绝缘板设置有上定位件，所述下绝缘板上设置有与所述上定位件相对应的下定件，将所述上绝缘板和所述下绝缘板对位贴合以层叠设置时，通过所述上定件和第下位件实现对位。
可选地，发光区域内的至少一个所述电极焊接部供至少两颗发光芯片的其中一个电极电连接，和/或所述发光区域内的至少两个所述电极焊接部与对应的一个所述上导电连接部电连接。
可选地，对应的所述上导电连接部与所述中导电连接部之间至少部分重叠，或对应的所述上导电连接部与所述中导电连接部之间无重叠，所述双层基板还包括填充于所述上导电连接部与所述中导电连接部之间的间隙内，以将二者电连接的柔性导电层。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种光源装置，包括多颗发光芯片、多个壳体、多个封装体以及如上所述的双层基板，一个所述壳体对应一个所述发光区域，所述壳体设置于所述上绝缘板的正面上将对应的所述发光区域围合在内，所述多颗发光芯片分别设置于所述壳体内的发光区域上并与对应的电极焊接部形成电连接，所述多个封装体分别设置于所述壳体内将所述发光芯片覆盖。
有益效果
本发明提供了一种用于双层基板及光源装置，双层基板可用于作为制作光源装置的PCB板，其包括层叠在一起的上绝缘板、下绝缘板；上绝缘板的正面每个发光区域内可至少设置两颗发光芯片，以及分别与至少两颗发光芯片的正、负电极连接的电极焊接部，上绝缘板的背面设有与各电极焊接部相对应的上导电连接部，上绝缘板内还埋设有将各相对应的电极焊接部和上导电连接部电连接的导热件；下绝缘板的正面上设有分别与各上导电连接部相对应的中导电连接部，背面上设有分别与各中导电连接部相对应的下导电连接部，下绝缘板内还埋设有将相对应的各中导电连接部和下导电连接部电连接的导电体；其中，上导电连接部和/或中导电连接部上还设有柔性导电层，上绝缘板的背面和下绝缘板的正面贴合后，相对应的上导电连接部和中导电连接部通过柔性导电层形成电连接；
本发明提供的双层基板上的发光区域可供设置至少两颗发光芯片，由此制得的光源装置相对现有单颗LED芯片制得的灯珠，可以成倍的提升其发光亮度，从而更好满足的背光领域或照明领域的高亮度需求；同时且由于可直接使用双层基板代替LED支架和电路板，可使得灯间混光距离更为缩小，提升混光效率；更利于轻薄化以及减小显示黑边尺寸；
本发明提供的双层基板由上绝缘板和下绝缘板构成，可采用成熟的工艺单独在上绝缘板上预先埋设导热件以及在下绝缘上埋设导电体，实现简单、制作效率及良品率高，成本低；另外，相对同等厚度的单层PCB板，导热件的高度只有单层PCB板中将发光芯片产生的热量导出的导热件的高度的一半甚至可以做到更小，因此可以大幅度减少散热路径，散热性能更好；
另外，本发明中的上导电连接部和/或中导电连接部上还设有柔性导电层，上绝缘板的背面和下绝缘板的正面贴合后，相对应的上导电连接部和中导电连接部通过柔性导电层形成电连接，既能提升相对应的上导电连接部和中导电连接部之间导电连接的可靠性，又能提升上绝缘板和下绝缘板之间贴合的紧密性，从而可提升由此制得的光源装置的气密性，进而提升其防护性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的双层基板结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的双层基板结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的双层基板结构示意图三；
图4为本发明实施例提供的上绝缘板正面结构示意图一；
图5为本发明实施例提供的上绝缘板正面结构示意图二；
图6为本发明实施例提供的上绝缘板正面结构示意图三；
图7为本发明实施例提供的上绝缘板背面结构示意图一；
图8为本发明实施例提供的上绝缘板背面结构示意图二；
图9为本发明实施例提供的下绝缘板正面结构示意图一；
图10为本发明实施例提供的下绝缘板正面结构示意图二；
图11为本发明实施例提供的下绝缘板背面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的上绝缘板背面结构示意图三；
图13为本发明实施例提供的上绝缘板背面结构示意图四；
图14为本发明实施例提供的发光区域G1剖视图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本发明实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本实施例提供的双层基板具有实现简单、制作效率及良品率高，成本低，散热路径短，气密性好等优点。为了便于理解，本实施例下面对本实施例提供的双层基板进行示例性的说明。
本实施例所示的双层基板包括层叠在一起的上绝缘板、下绝缘板，其中，上绝缘板层叠于下绝缘板之上。本实施例中的上绝缘板和下绝缘板所采用的材质可以灵活选用，例如可以为但不限于各种制作PCB板的绝缘基材材质。且应当理解的是，本实施例中的上绝缘板和下绝缘的材质可以相同，也可根据需求设置为不同。且本实施例中上绝缘板和下绝缘板的厚度可以设置为相同，也可根据需求设置为不同，具体可根据应用需求灵活设定，在此不再赘述。
在本实施例中，上绝缘板的正面上设有阵列分布的多个发光区域，每一个发光区域用于设置至少两个发光芯片，从而使得利用该双层基板制得的光源装置具有更高的亮度。应当理解的是，本实施例中各个发光区域内设置的发光芯片的颗数可以相同，也可不同，或者一部分发光区域内设置的发光芯片的颗数可以相同，一部分发光区域内设置的发光芯片的颗数可以不同。另外，应当理解的是，本实施例中的至少一个发光区域内并不限于仅设置发光芯片，还可根据需求设置其他的电子元器件，例如可以设置但不限于限流电阻、保护二极管、电容、电感或控制芯片等电子器件。
在本实施例中，上绝缘板的正面上还包括设于各发光区域内的第一导电层，每一发光区域内的第一导电层包括用于分别与至少两颗发光芯片的正、负电极连接的电极焊接部，上绝缘板的背面设有与各电极焊接部相对应的上导电连接部，上绝缘板内还埋设有将各相对应的电极焊接部和上导电连接部电连接的导热件。应当理解的是，本实施例中各发光区域内的电极焊接部的具体分布以及设置的具体个数，可以根据发光区域内待设置的发光芯片的个数，以及各发光芯片之间的电连接关系灵活设置，例如：
在一种示例中，当发光区域内设置两颗发光芯片，且两个发光芯片并联时，在该发光区域内最少可以仅设置两个电极焊接部，其中一个电极焊接部与两颗发光芯片的正电极焊接，另一个电极焊接部与两颗发光芯片的负电极焊接。
在又一种示例中，当发光区域内设置两颗发光芯片，且两个发光芯片串联时，在该发光区域内最少可以仅设置三个电极焊接部，其中一个电极焊接部分别与两颗发光芯片的正、负电极焊接，另外两个电极焊接部分别与两颗发光芯片对应的正电极和负电极焊接。在本示例中，也可设置四个电极焊接部，每两个电极焊接部分别与各自对应的一颗发光芯片的正、负电极连接，其中两个分别与不同发光芯片的正电极和负电极连接的电极焊接部可与对应的一个上导电连接部电连接，从而也可实现两颗发光芯片的电连接。
在又一种示例中，当发光区域内设置两颗发光芯片，且两个发光芯片相互独立无电连接关系，在该发光区域内最少可以仅设置四个电极焊接部，每两个电极焊接部分别与各自对应的一颗发光芯片的正、负电极连接。
应当理解的是，当发光区域内设置的发光芯片的颗数大于两颗时，对应的电极焊接部的设置方式以此类推，在此不再赘述。
本实施例中在上绝缘板背面设置的上导电连接部的位置分布以及个数，可根据上绝缘板正面设置的电极焊接部的位置分布、个数以及上导电连接部与上导电连接部之间的具体电连接关系灵活设置。
本实施例中在上绝缘板内，在各相对应的电极焊接部和上导电连接部之间还预先埋设有导热件，该导热件既具有良好的导热性能，有具有良好的导电性能。应当理解的是，任意能达到上述目的的材质都是用于形成本实施例中的到热件。例如，一种示例中，导热件可以采用但不限于金属材质，例如可以采用金、银、铜中的至少一种。
应当理解的是，本实施例中在上绝缘板内埋设导热件的方式可以灵活选用，本实施例对此不做限制。可以在制得上绝缘板后，在上绝缘板上相应位置处开设贯穿上绝缘板正面和背面的通孔，然后在该通孔内埋设导热件，其中该通孔的形状和孔径大小可以根据需求灵活设置，例如可以设置为圆形孔、方形孔、三角形孔、椭圆形孔，也可设置为非规则形状的孔，在此不在赘述，其中在该通孔内埋设的导热件填充满该通孔。在另一些示例中，也可在形成上绝缘板过程中在相应位置处埋设贯穿该上绝缘板的正面和背面的导热件。
应当理解的是，本实施例中在上绝缘板背面设置的各上导电连接部，可以为在上绝缘板背面上，与导热件露出于上绝缘板背面的一端电连接的导电部，也可直接为导热件露出于上绝缘板背面的一端。具体可根据应用场景灵活选用设定，在此不做限制。
在本实施例的一些示例中，各发光区域之间可以相互独立没有任何电连接关系，也可根据需求将各发光区域(也可根据需求选择其中的一部分发光区域)采用串联、并联或串、并联结合的方式进行电连接。此时，可以在上绝缘板上的正面上，在各发光区域之间设置将相应的发光区域电连接的金属层，也可称之为发光区域电连接部。这种设置方式可以直接在一个双层基板上实现相应发光区域之间的电连接，而不需要额外设置相应的电路，集成度和制作效率高，可进一步降低成本。
本实施例中的下绝缘板的正面上设有分别与各上导电连接部相对应的中导电连接部，背面上设有分别与各中导电连接部相对应的下导电连接部，下绝缘板内还埋设有将相对应的各中导电连接部和下导电连接部电连接的导电体。
本实施例中在下绝缘板正面设置的中导电连接部的位置分布以及个数，可根据上绝缘板背面设置的上导电连接部的位置分布、个数以及上导电连接部与中导电连接部之间的具体电连接关系灵活设置。相应的，本实施例中在下绝缘板背面设置的下导电连接部的位置分布以及个数，可根据下绝缘板正面设置的中导电连接部的位置分布、个数以及中电极焊接部与下导电连接部之间的具体电连接关系灵活设置。
应当理解的是，本实施例中在下绝缘板内埋设导电体的方式可以灵活选用，本实施例对此不做限制。可以在制得下绝缘板后，在下绝缘板上相应位置处开设贯穿下绝缘板正面和背面的通孔，然后在该通孔内埋设导电体，其中该通孔的形状和孔径大小也可以根据需求灵活设置，例如可以设置为圆形孔、方形孔、三角形孔、椭圆形孔，也可设置为非规则形状的孔，在此不在赘述。其中在该通孔内埋设的导电体可填充满该通孔形成导电柱，也可将该通孔的至少一部分内壁覆盖形成导电层，导电层未将该通孔填充满，此时该通孔剩余的空间可在后续焊接过程中用于容纳焊料，从而形成内缩式焊盘，以占用更小的空间，更利于缩小相邻发光芯片之间的间距，提升混光效果。在另一些示例中，也可在形成下绝缘板过程中在相应位置处埋设贯穿该下绝缘板的正面和背面的导电体。本实施例中的到电体可以采用导电性能良好的各种导电材质，例如也可采用但不限于金、银、铜中的至少一种。
可选地，在本实施例中，可以设置形成导电体的通孔的孔径大于上绝缘板上形成的导热件的直径。且可选的，在一些示例中，对于上绝缘板上导热件的位置于下基板上形成导电体的通孔的位置可以部分重叠，也可完全错开(也即二者之间无重叠，此时上绝缘板和下绝缘板层叠后，导热件与该通孔之间无重叠)。这种部分重叠或完全错开的设置方式，在上绝缘板和下绝缘板层叠设置组成双层基板后，可以提升得到的双层基板的综合强度，从而进一步提升其可靠性。
如上分析所示，本实施例中，下绝缘板上设置的用于形成导电体的通孔可大于上绝缘板上形成的导热件的直径。例如，一些应用示例中，下绝缘板上设置的用于形成导电体的通孔的孔径可为但不限于0.3mm-0.7mm，上绝缘板上形成的导热件的直径可为但不限于0.05mm-0.2mm。
在本实施例中，双层基板还包括设置于上导电连接部和/或中导电连接部上的柔性导电层，上绝缘板的背面和下绝缘板的正面贴合后，相对应的上导电连接部和中导电连接部通过柔性导电层形成电连接；该柔性导电层的设置，可以使得相对应的上导电连接部和中导电连接部之间形成紧密的连接，从而保证二者之间电连接的可靠性。应当理解的是，该柔性导电层可以为但不限于导电胶层。
应当理解的是，本实施例中的电极焊接部、上导电连接部、中导电连接部和下导电连接部中的至少两个的材质和结构可以相同，也可根据需求设置为不同。例如，一种示例中，电极焊接部和下导电连接部的材质和结构可以相同；另一示例中，上导电连接部和中导电连接部的材质和结构可以相同。以上示例仅仅是本实施例的所列举的两种设置示例，具体可根据实际需求灵活设置，在此对其不做任何限制。
在本实施例中上绝缘板和下绝缘板对位层叠连接在一起后即可形成双层基板。其中，上绝缘板和下绝缘板对位层叠连接的方式也可灵设置。例如：
在一些示例中，可以在上绝缘板和下绝缘板上的相应位置设置对应的卡扣结构，二者可通过卡口结构固定连接在一起形成双层基板。
在另一些示例中，双层基板还包括设置于上绝缘板的背面且位于上导电连接部之外的区域的粘接层，和/或设置于下绝缘板的正面且位于中导电连接部之外的区域的粘接层，该粘接层具有良好的粘结性和绝缘性；上绝缘板的背面和下绝缘板的正面对位贴合后，通可过该粘接层粘接在一起。同时该粘接层的设置可进一步提升双层基板的气密性，且实现简单，成本低，效率高，通用性好。
当然，在又一些示例中，还可结合上述示例中的卡扣结构和粘接层一起实现上绝缘板和下绝缘板对位层叠连接。且应当理解的是，上述几种示例仅仅是作为上绝缘板和下绝缘板对位层叠连接的几种实现方式的列举，二者的连接方式并不限于上述示例的方式。
可选地，在本实施例中，为了实现上绝缘板和下绝缘板之间的准确对位连接，可在上绝缘板设置有上定位件，下绝缘板上设置有与上定位件相对应的下定件，将上绝缘板和下绝缘板对位贴合以层叠设置时，通过上定件和第下位件实现对位，从而可使得相对应的上导电连接部与中导电连接部形成准确的对位贴合实现电连接。
在本示例的一些示例中，对应的上导电连接部与中导电连接部之间至少部分重叠，该至少部分重叠包括二者之间只有一部分重叠，或二者之间完全重叠。二者之间完全重叠时，包括二者的形状、大小完全一致并完全重叠，也包括其中一个面积大，另一个面积小，面积小的完全落入面积大的范围内。
在本示例的另一些示例中，对应的上导电连接部与中导电连接部之间也可无重叠，在本示例中，双层基板还包括填充于上导电连接部与中导电连接部之间的间隙内，以将二者电连接的柔性导电填充层；且应当理解的是，该柔性导电填充层也可为但不限于导电胶，且该导电胶并不限于仅填充在上导电连接部与中导电连接部之间的间隙内，也可将对应的上导电连接部与中导电连接部至少部分覆盖，以进一步提升上绝缘板和下绝缘板贴合之后的气密性。
为了便于进一步理解，本实施例下面结合附图对本实施例所提供的双层基板进行示例说明。
请参见图1所示，该图所示的双层基板看到的是双层基板的正面(也即上绝缘板的正面)，该双层基板由为绝缘材质的上绝缘板10和下绝缘板20层叠构成。其中，在上绝缘板10上设置有多个发光区域，该多个发光区域可呈阵列分布。例如参见图1所示的发光区域G1和发光区域G2，其中各发光区域内待设置的发光芯片(例如可以包括但不限于LED芯片)的颗数，以及发光区域内待各发光芯片之间的电连接关系可以相同，也可不同。例如一种示例中，上绝缘板10上的发光区域可以都按照图1中所示的G1或G2划分，也可根据需求同时按照G1和G2进行灵活的划分，当然还可采用其他的方式灵活的划分。
参见上述分析所示，在本实施例的一些示例中，上绝缘板10正面上的至少一部分发光区域之间可以根据需求形成电连接，也可相互之间独立无电连接关系。例如，一种示例请参见图2所示，当对于需要电连接的发光区域，还可在上绝缘板10的正面上设置相应的发光区域电连接部4，从而将相应的至少两个发光区域串联、并联或串并联结合。这样可以省去额外在外部设置将相应的发光区域电连接的电路，集成度更高，效果更好且成本更低。
参见图1所示，在本示例中，各发光区域内设置有第一导电层，第一导电层包括分布于各发光区域内的电极焊接部13。其中各发光区域内的电极焊接部13的具体位置分布以及个数可以根据发光区域内待设置的发光芯片的颗数，以及发光芯片之间的电连接关系灵活设置。例如，参见图1所示的示例，在发光区域G1内设有依次排列的四个电极焊接部13，发光区域G1内可设置2颗发光芯片，2颗发光芯片的两个电极可分别与对应的电极焊接部13电连接。当两颗发光芯片之间需要串联时，中间的两个电极焊接部13可共用一个在上绝缘板背面设置的上导电连接部。又例如，参见图1所示的示例，在发光区域G2内设有依次排列的八个电极焊接部13，发光区域G2内可设置4颗发光芯片，4颗发光芯片的两个电极可分别与对应的电极焊接部13电连接。4颗发光芯片之间可以无电连接关系，也可根据需求设置为串联、并联或串并联结合，此时可对对应于发光区域G2内的电极焊接部13的上电连接根据具体的电连接关系进行对应的设置。
参见图1所示，在本实施例中，为了保证上绝缘板10和下绝缘板20之间对位贴合的准确性，本实施例中在上绝缘板10的四个角落分别设置有上对位孔15。参见图3所示，在下绝缘板20的四个角落对应的位置分别设置有下对位孔25，在将上绝缘板10和下绝缘板20之间对位贴合时，可以通过设置的上对位孔15和下对位孔25实现准确的对位。当然，在一些示例中，上对位孔或下对位孔也可替换为相应的对位凸起，既能实现准确对位，同时又能在一定程度上实现上绝缘板10和下绝缘板20的扣接，进而可提升二者之间的结合强度。
当然，在本实施例的一些示例中，还可根据需求对双层基板进行剪切以得到小的双层基板。可选地，为了保证剪切的准确性，可以在上绝缘板的相应位置设置剪切标记，参见图1所示的剪切标记16，可根据剪切标记基于应用需求对双层基板以行为单位，或以列为单位，或以发光区域为单位进行灵活的剪切得到相应的小的双层基板。当然，该剪切动作也可在双层基板上完成发光芯片的封装之后再执行。当然，应当理解的时，该剪切标记也可设置在下绝缘板20的背面上，或在上绝缘板10和下绝缘板20上同时设置。
请参见图3所示，该图所示为双层基板的背面(也即下绝缘板20的背面)，图3所示的示例中，在下绝缘板上对应开设有通孔(本示例称之为第二通孔21)，在第二通孔21侧壁形成有导电层22，导电层22用于将下绝缘板20的正面和背面上相对应的中导电连接部和下导电连接部24电连接。本示例中的第二通孔21为圆形，当然也可为其他形状，在此不再赘述。
为了便于更好的理解，本示例下面对双层基板拆分后的上绝缘板和下绝缘板进行示例说明。
请参见图4至图5所示，本示例中通过在上绝缘板10上的各发光区域内的相应位置开设第一通孔11，第一通孔11贯穿上绝缘板10的正面和背面，在第一通孔内形成具有导电性能的导热件12，导热件12填充满通孔并贯穿上绝缘板10的正面和背面。参见图5所示，在各发光区域内对应的位置形成电极焊接部13，各电极焊接部13与对应的导热件12电连接。
请参见图7所示，在一种示例中，在上绝缘板10的背面相对应的位置形成上导电连接部14，上导电连接部14与各自对应的导热件12电连接。
请参见图8所示，在本实施例的另一示例中，可直接将上绝缘板10的背面上，导热件12露出的一端作为上导电连接部14。
请参见图9至图10所示，本示例中通过在下绝缘板20的正面上，根据上绝缘板10上的上导电连接部14的分布对应设置第二通孔21，并在各第二通孔21的侧壁上形成导电层22，以及在下绝缘板20的正面上的相应位置形成中导电连接部23。以及参见图11所示，在下绝缘板20的背面上的相应位置形成与中导电连接部23对应的下导电连接部24。相对应的中导电连接部23和下导电连接部24通过图10中所示的导电层22形成电连接。本示例中，上绝缘板和下绝缘板的厚度为0.05mm至0.3mm。使得二者叠加后的厚度与现有单层PCB板的厚度相当，从而可保证利用该双层基板制得的光源装置的轻薄化。
请参见图12所示，在本示例中，可在上绝缘板10的各上导电连接部14上覆盖导电胶层18，当然，也可选择在下绝缘板20的正面上的各中导电连接部23上覆盖导电胶层，或同时在上绝缘板10的各上导电连接部14上和下绝缘板20的正面上的各中导电连接部23上覆盖导电胶层18，从而保证上绝缘板10和下绝缘板20贴合后，相对应的中导电连接部23和上导电连接部14之间能形成可靠的电连接，避免工艺上不可控性导致上导电连接部14与导电连接部23之间未形成电连接的情况发生，提升连接的可靠性。
请参见图12所示，在本示例中，可在上绝缘板10的背面上的各导电胶层18之外的区域设置粘附胶17，当然，也可选择在下绝缘板20的正面上的各中导电连接部23之外的区域或中导电连接部23覆盖有导电胶层之外的区域设置粘附胶17，或同时在绝缘板10的背面上的各导电胶层18之外的区域和下绝缘板20的正面上的各中导电连接部23之外的区域或中导电连接部23覆盖有导电胶层之外的区域设置粘附胶17，从而保证上绝缘板10和下绝缘板20的机密粘合，保证上绝缘板10和下绝缘板20之间连接的可靠性，以及二者之间粘合之后的气密性。
为了更好的理解，本示例下面以图1中G1发光区域的剖视图做进一步说明，请参见图14所示。上绝缘板10与下绝缘板20之间通过粘附胶17粘合在一起形成双层基板。发光区域内的电极焊接部13通过导热件12与对应的上导电连接部(本示例中为导热件12位于上绝缘板10背面的一端)和中导电连接部23电连接，中导电连接部23同通过第二通孔21侧壁上形成的导电层22与下导电连接部24电连接。在本示例中，发光区域G1内的中间的两个电极焊接部13电连接到一个中导电连接部24上，从而可使得设置于发光区域G1内的两颗发光芯片实现串联。当然，发光芯片也可通过直接与电极焊接部和上导电连接部电连接实现相应的串联或并联。也即，在本示例中，发光区域内的至少一个电极焊接部可供至少两颗发光芯片的其中一个电极电连接，和/或发光区域内的至少两个电极焊接部与对应的一个上导电连接部电连接；从而实现该至少两颗发光芯片的串联、并联或串并联结合。
本示例还提供了一种光源装置，包括多颗发光芯片、多个壳体、多个封装体以及如上各示例所示的双层基板，一个壳体对应至少一个发光区域，壳体设置于上绝缘板的正面上将对应的发光区域围合在内，多颗发光芯片分别设置于壳体内的发光区域上并与对应的电极焊接部形成电连接，多个封装体分别设置于壳体内将所述发光芯片覆盖。其中，一个壳体内可设置一个发光区域，此时壳体以单个发光区域为单位进行围合；一个壳体内也可设置多个发光区域，此时壳体以多个发光区域为单位进行围合，且应当理解的是，各壳体内围合的发光区域的个数可以相同，也不同，或者部分相同，部分不同，具体都可根据应用需求灵活设定。
在本实施例的一些示例中，壳体可以通过但不限于反射胶层构成。
在本实施例的一些示例中，封装体可以为透明胶层，也可为发光转换层，或为透明胶层与发光转换层的结合。其中发光转换层可以包括但不限于荧光及胶层和量子点薄膜中的至少一种。
本实施例所提供的光源装置可广泛的应用于背光领域、照明领域等，相对现有单颗LED芯片制得的灯珠，可以成倍的提升其发光亮度，从而更好满足的背光领域或照明领域的高亮度需求；同时且由于可直接使用双层基板代替LED支架和电路板，可使得灯间混光距离更为缩小，提升混光效率；更利于轻薄化以及减小显示黑边尺寸；且在制作过程中可采用成熟的工艺单独在上绝缘板上预先埋设导热件以及在下绝缘上埋设导电体，实现简单、制作效率及良品率高，成本低，更利于推广使用；另外，相对同等厚度的单层PCB板，导热件的高度只有单层PCB板中将发光芯片产生的热量导出的导热件的高度的一半甚至可以做到更小，因此可以大幅度减少散热路径，散热性能更好；
另外，光源装置的上导电连接部和中导电连接部通过柔性导电层形成电连接，既能提升相对应的上导电连接部和中导电连接部之间导电连接的可靠性，又能提升上绝缘板和下绝缘板之间贴合的紧密性，从而可提升由此制得的光源装置的气密性，进而提升其防护性能。
以上内容是结合具体的实施方式对本发明实施例所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种双层基板，其特征在于，包括：层叠在一起的上绝缘板、下绝缘板；
所述上绝缘板的正面上设有阵列分布的多个发光区域，以及设于各发光区域内的第一导电层，每一发光区域内的第一导电层包括用于分别与至少两颗发光芯片的正、负电极连接的电极焊接部，所述上绝缘板的背面设有与所述各电极焊接部相对应的上导电连接部，所述上绝缘板内还埋设有将各相对应的所述电极焊接部和上导电连接部电连接的导热件；
所述下绝缘板的正面上设有分别与所述各上导电连接部相对应的中导电连接部，背面上设有分别与所述各中导电连接部相对应的下导电连接部，所述下绝缘板内还埋设有将相对应的各所述中导电连接部和下导电连接部电连接的导电体；
所述双层基板还包括设置于所述上导电连接部和/或中导电连接部上的柔性导电层，所述上绝缘板的背面和下绝缘板的正面贴合后，相对应的所述上导电连接部和中导电连接部通过所述柔性导电层形成电连接。
2.如权利要求1所述的双层基板，其特征在于，所述双层基板还包括设置于所述上绝缘板的背面且位于所述上导电连接部之外的区域的粘接层，和/或设置于所述下绝缘板的正面且位于所述中导电连接部之外的区域的粘接层，所述上绝缘板的背面和下绝缘板的正面贴合后，通过所述粘接层粘接在一起。
3.如权利要求1所述的双层基板，其特征在于，所述上绝缘板和下绝缘板的厚度为0.05毫米至0.3毫米。
4.如权利要求1所述的双层基板，其特征在于，所述上绝缘板和下绝缘板的厚度相等。
5.如权利要求1-4任一项所述的双层基板，其特征在于，所述下绝缘板上设有将相对应的所述各上导电连接部和中导电连接部连通的通孔，所述导电体为在所述通孔侧壁形成的导电层，或在所述通孔内形成的、将所述通孔填充满的导电柱。
6.如权利要求1-4任一项所述的双层基板，其特征在于，所述通孔的孔径大于所述导热件的直径。
7.如权利要求6所述的双层基板，其特征在于，所述通孔的孔径为0.3mm-0.7mm，所述导热件的直径为0.05mm-0.2mm。
8.如权利要求6所述的双层基板，其特征在于，所述上绝缘板和下绝缘板层叠后，所述导热件与所述通孔之间无重叠。
9.如权利要求1-4任一项所述的双层基板，其特征在于，所述上导电连接部、中导电连接部、下导电连接部设置有材质相同的导电层。
10.如权利要求1-4任一项所述的双层基板，其特征在于，所述上绝缘板设置有上定位件，所述下绝缘板上设置有与所述上定位件相对应的下定件，将所述上绝缘板和所述下绝缘板对位贴合以层叠设置时，通过所述上定件和第下位件实现对位。
11.如权利要求1-4任一项所述的双层基板，其特征在于，发光区域内的至少一个所述电极焊接部供至少两颗发光芯片的其中一个电极电连接，和/或所述发光区域内的至少两个所述电极焊接部与对应的一个所述上导电连接部电连接。
12.如权利要求1-4任一项所述的双层基板，其特征在于，对应的所述上导电连接部与所述中导电连接部之间至少部分重叠，或对应的所述上导电连接部与所述中导电连接部之间无重叠，所述双层基板还包括填充于所述上导电连接部与所述中导电连接部之间的间隙内，以将二者电连接的柔性导电层。
13.一种光源装置，其特征在于，包括多颗发光芯片、多个壳体、多个封装体以及如权利要求1-12任一项所述的双层基板，一个壳体对应至少一个所述发光区域，所述壳体设置于所述上绝缘板的正面上将对应的所述发光区域围合在内，所述多颗发光芯片分别设置于所述壳体内的发光区域上并与对应的电极焊接部形成电连接，所述多个封装体分别设置于所述壳体内将所述发光芯片覆盖。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011040131.4A CN112271173A (zh) | 2020-09-28 | 2020-09-28 | 双层基板及光源装置 |
| PCT/CN2021/119458 WO2022057937A1 (zh) | 2020-09-21 | 2021-09-18 | 基板、 led 光源组件及其制作方法 |
| EP21868759.8A EP4216275A1 (en) | 2020-09-21 | 2021-09-18 | Substrate, and led light source assembly and manufacturing method therefor |
| US18/027,223 US20230411574A1 (en) | 2020-09-21 | 2021-09-18 | Substrate, led light source assembly and manufacturing methods therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011040131.4A CN112271173A (zh) | 2020-09-28 | 2020-09-28 | 双层基板及光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112271173A true CN112271173A (zh) | 2021-01-26 |
Family
ID=74349434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011040131.4A Pending CN112271173A (zh) | 2020-09-21 | 2020-09-28 | 双层基板及光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112271173A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022057937A1 (zh) * | 2020-09-21 | 2022-03-24 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 基板、 led 光源组件及其制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120056217A1 (en) * | 2009-07-03 | 2012-03-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
| CN104752585A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 日亚化学工业株式会社 | 集合基板、发光装置及发光元件的检查方法 |
| CN213716897U (zh) * | 2020-09-28 | 2021-07-16 | 惠州市聚飞光电有限公司 | 双层基板及光源装置 |
-
2020
- 2020-09-28 CN CN202011040131.4A patent/CN112271173A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120056217A1 (en) * | 2009-07-03 | 2012-03-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
| CN104752585A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 日亚化学工业株式会社 | 集合基板、发光装置及发光元件的检查方法 |
| CN213716897U (zh) * | 2020-09-28 | 2021-07-16 | 惠州市聚飞光电有限公司 | 双层基板及光源装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022057937A1 (zh) * | 2020-09-21 | 2022-03-24 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 基板、 led 光源组件及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11777068B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
| US7279723B2 (en) | LED lamp | |
| JP4305896B2 (ja) | 高輝度発光装置及びその製造方法 | |
| JP5197874B2 (ja) | 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法 | |
| CN100435362C (zh) | 发光二极管 | |
| US8872198B2 (en) | Luminaire and light-emitting apparatus with light-emitting device | |
| US8338851B2 (en) | Multi-layer LED array engine | |
| CN103311402B (zh) | 发光二极管封装以及承载板 | |
| JP2012532441A (ja) | 発光ダイオードパッケージ | |
| JP2005158957A (ja) | 発光装置 | |
| US11605765B2 (en) | LED module | |
| CN213546315U (zh) | 一种发光单元 | |
| JP2014165190A (ja) | 発光装置の積層体 | |
| CN112133815A (zh) | Led支架、灯珠、导电基座、发光单元模组及装置 | |
| CN213716897U (zh) | 双层基板及光源装置 | |
| WO2013027568A1 (ja) | 発光装置 | |
| CN112271173A (zh) | 双层基板及光源装置 | |
| US20230317889A1 (en) | Led support, lamp bead and manufacturing method thereof, conductive base, and light-emitting unit module | |
| CN213546352U (zh) | Led支架、灯珠、导电基座、发光单元模组及装置 | |
| CN212907792U (zh) | Led支架、发光单元、发光单元模组及显示装置 | |
| CN102214587B (zh) | 制作多层式阵列型发光二极管的方法 | |
| CN213546351U (zh) | Led及其支架、引线组件、led模组及发光装置 | |
| TWI420711B (zh) | 發光二極體封裝及其製作方法 | |
| KR101856217B1 (ko) | 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
| CN114864786A (zh) | 一种微发光二极管显示结构及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |