CN104752585A - 集合基板、发光装置及发光元件的检查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种在搭载有多个发光元件的状态下，在切断成各个发光装置之前，个别地点亮发光元件，可实现个别地测定发光元件的色调的集合基板。集合基板具有：绝缘体(9)，其具有表面及背面；一对第一及第二表面配线(11、12)，其在绝缘体(9)的表面排列多个；一对第一及第二背面配线，其在绝缘体9的背面排列多个；第一内层配线，其从第二表面配线(12)及第二背面配线分离，且与第一表面配线(11)及第一背面配线连接，在绝缘体(9)的内部沿第一方向延长；第二内层配线，其从第一表面配线(11)及第一背面配线分离，且与第二表面配线(12)及第二背面配线连接，在绝缘体(9)的内部具有沿第二方向延长的部位。

Description

集合基板、发光装置及发光元件的检查方法
技术领域
本发明涉及集合基板、发光装置及发光元件的检查方法。
背景技术
通常，使用了发光二极管(LED)等发光元件的发光装置由发光元件及保护元件等电子零件和配置它们的基板构成。另外，为了保护发光元件及保护元件等且使发光元件发出规定的颜色，有时也将含有荧光体的透光性树脂包覆于发光元件上而构成。
因此，在片状地形成发光元件后，在具备配线或端子等的基板上搭载发光元件。在此使用的基板中，将成为一对配线或端子的导电部件与多个发光装置对应并作为连续图案而设于表面、内部及/或背面。搭载有发光元件的基板最终按照每个发光元件或每特定数量的多个发光元件切断，作为发光装置完成。
而且，得到的发光装置个别地进行点亮确认、色调的调整。
另一方面，在专利文献1中提案有在最终将发光装置产品化之前的状态下未点亮或辉度不均的发光装置的检查方法及检查构造等。
专利文献1：(日本)特开2003－78170号公报
但是，在此提案的检查构造、具备该检查构造的基板是为了检查而另外设置的构造，在发光二极管的芯片化中，如果不经由将发光元件在一次保存用的基板之间转印并在该基板上形成通孔而在发光元件的电极上形成延长配线等非常繁杂的工序而在基板上搭载检查构造和发光元件，则不能实施检查方法。
这种状况下，要求如下方法，即，不经由特别的工序就可以在简便且简易地对发光装置形成用的集合基板搭载多个发光元件的状态下，在切断成各个发光装置之前，个别地点亮发光元件并个别地测定发光元件的色调。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而设立的，其目的在于提供一种在搭载有多个发光元件的状态下，在切断成各个发光装置之前，个别地点亮发光元件，可实现个别地测定发光元件的色调的集合基板、使用该集合基板的发光装置及检查方法。
本发明包括如下方面。
(1)一种集合基板，其具备：绝缘体，其具有表面及背面；一对第一及第二表面配线，其在该绝缘体的表面排列有多个；一对第一及第二背面配线，其在所述绝缘体的背面排列有多个；至少一个第一内层配线，其从所述第二表面配线及所述第二背面配线分离，且与所述第一表面配线及所述第一背面配线连接，在所述绝缘体的内部沿第一方向延长；至少一个第二内层配线，其从所述第一表面配线及所述第一背面配线分离，且与所述第二表面配线及所述第二背面配线连接，在所述绝缘体的内部具有沿与所述第一方向不同的第二方向延长的部位。
(2)一种发光装置，其具备基板、搭载于该基板表面的发光元件、覆盖该发光元件的荧光体层，所述基板包括配置于表面的一对第一及第二表面配线、配置于背面的一对第一及第二背面配线、在内部具有与第一表面配线及第一背面配线连接的第一内层配线以及与第二表面配线及第二背面配线连接的第二内层配线的绝缘体，其中，所述绝缘体在包含相对的两边的一对端面上分别露出所述第一内层配线，且在包含相对的另一两边的一对端面上分别露出所述第二内层配线。
(3)一种发光元件的检查方法，其包括如下的工序：在上述的集合基板的所述一对第一及第二表面配线上分别连接多个发光元件；点亮所述发光元件而检查该发光元件的特性。
根据本发明，能够提供一种集合基板，在搭载有多个发光元件的状态下，在切断成各个发光装置之前，个别地点亮发光元件，可实现个别地测定发光元件的色调。还能够提供一种使用该集合基板的发光装置及简便的检查方法。
附图说明
图1A是表示本发明的集合基板的一例的概略立体图；
图1B是图1A的A－A'线的局部剖面图；
图1C是表示图1A的集合基板的表面的平面图；
图1D是表示图1A的集合基板的内层配线的平面图；
图1E是表示图1A的集合基板的背面的平面图；
图1F是仅表示图1A的集合基板中的导电部件(省略厚度)的概略立体图；
图1G是图1A的集合基板的电配线图；
图2A是表示本发明集合基板的另一例的内层配线的平面图；
图2B是表示图2A的集合基板的背面的平面图；
图3A是表示本发明集合基板的又一例的层构造的局部剖面图；
图3B是表示图3A的集合基板的内层配线的一部分的平面图；
图3C是表示图3A的集合基板的内层配线的另一部分的平面图；
图4是表示本发明集合基板的再一例的层构造的局部剖面图；
图5A是表示本发明发光装置的一例的概略剖面图；
图5B是表示本发明发光装置中的基板和发光元件的位置关系的概略平面图；
图6A是表示本发明发光装置的其他例的概略剖面图；
图6B是表示图6A的发光装置的一例的概略立体图；
图7A是表示本发明发光装置的其他例的概略剖面图；
图7B是表示本发明发光装置的其他例的概略剖面图。
具体实施方式
在本申请中，为了明确说明，有时放大各附图表示的部件的大小及位置关系等。在以下的说明中，相同的名称、标记表示相同或同质的部件，并适当省略详细说明。
〔集合基板〕
本发明的集合基板包含具有表面及背面的绝缘体、表面配线、背面配线、内层配线。在本申请中，有时将这些配线总称为导电部件。该集合基板能够用于搭载多个半导体元件等电子元件，特别是对用于搭载发光元件是有效的。因此，为了有效地搭载电子元件，优选具备可对多个电子元件规则地配线的配线构造，例如在第一方向和第二方向上可规则地配线的配线构造，特别是更优选具备在行列方向上可规则地配线的配线构造。
在此，第一方向也可以是任一方向，但优选为与二维的x轴相当的方向(例如，行方向)。第二方向只要是与第一方向相同的方向即可，但优选为与二维的y轴相当的方向(例如，列方向)。
(绝缘体)
绝缘体只要是具有绝缘性的材料，就没有特别限定，例如，可使用氧化铝、氮化铝等陶瓷基板、玻璃基板、环氧玻璃基板、纸苯酚基板、纸环氧基板、玻璃复合基板、低温同时烧成陶瓷(LTCC)基板、热塑性树脂、热固性树脂等形成。
绝缘体的形状没有特别限定，但优选外形具备上述的表面及背面，且表面及/或背面平坦。作为基体的形状，例如优选为矩形平板状。
绝缘体的厚度及大小没有特别限定，可以根据要搭载的电子元件的大小及数量等适当调整，相当于集合基体的厚度大小。例如，可举出总厚度为0.3mm～1.0mm左右，大小为50mm×50mm～100mm×100mm左右。
绝缘体在集合基板上一体成形，但也可以在其制造过程中作为层而成形，且将它们层叠两层以上，最终成为一体，构成集合基板。
集合基板也可以在使用陶瓷基板作为绝缘体的情况下，通过所谓的逐次烧成法(post firing)、同时烧成法(co－firing)、利用双方的方法等任一方法进行制造。逐次烧成法是指在预先烧成的大径的陶瓷板上形成导电部件的方法。另一方面，同时烧成法是指同时进行陶瓷板和导电部件的烧成的方法。特别是为了得到尺寸精度较高的集合基板，优选采用逐次烧成法。在通过逐次烧成法形成导电部件的情况下，能够通过使用光刻技术的剥离引起的真空蒸镀法或溅射法等形成微细的图案。
根据同时烧成法，由于陶瓷板和导电部件的紧密贴合性提高并进行烧成，故而具有抑制制造成本的优点。
导电部中，也可以在通过同时烧成法形成嵌入基体的部分后，通过逐次烧成法形成在表面及背面露出的部分。由此，即使在将导电部件埋入绝缘体内部的情况下，也能够确保尺寸精度并抑制制造成本。
(导电部件)
导电部件用于将发光元件和外部电源电连接，对发光元件施加来自外部电源的电压。导电部件可利用具有导电性的材料形成，例如可使用Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)、W(钨)等金属或合金的单层膜或层叠膜。在绝缘体一面露出的导电部件中的一部分能够用于释放来自电子元件的热。导电部件的厚度没有特别限定，也可以全部具有同一厚度，也可以是局部不同的厚度。例如，可举出1μm～100μm左右。
(表面配线及背面配线)
表面配线是在绝缘体的表面排列有多个的一对第一及第二表面配线。一对第一及第二表面配线优选在行列方向上规则地排列。
背面配线是在绝缘体背面排列有多个的一对第一及第二背面配线。一对第一及第二背面配线优选在行列方向上规则地排列。
表面配线及背面配线只要分别为第一及第二这一对即可，但第一及/或第二表面及/或背面配线也可以在一对中分离成两个以上。
(内层配线)
第一内层配线及第二内层配线配置在绝缘体的内部。
第一内层配线从第二表面配线及第二背面配线分离，即，非电连接，且与第一表面配线及第一背面配线连接。第二内层配线从第一表面配线及上述第一背面配线分离，且与第二表面配线及第二背面配线连接。
第一内层配线在绝缘体的内部沿第一方向延长，第二内层配线具有沿第二方向延长的部位。
在此，沿第一方向延长是指，从第一内层配线的一端向另一端的延长方向只要是第一方向即可，不仅第一内层配线的全部部位沿第一方向延长，而且，其一部分中，即使沿着与第一方向不同的方向延长，其一部分只要与沿第一方向延长的部位连结即可。作为与第一方向不同的方向，也可以是任一方向，可举出与二维的x轴及y轴方向不同的方向、三维的各种方向等。特别优选为相对于第一方向及第二方向成三维的方向。
第一内层配线及第二内层配线只要分别配置至少1条即可，但优选排列有两条以上。特别优选第一内层配线朝向行方向或列方向各自分开而延长有多条。第二内层配线优选朝向列方向或行方向各自分开而延长有多条。但是，二者以不接触的方式分开配置。
例如，第一内层配线优选使朝向行方向延长的配线沿列方向排列多条且相互分开排列。第二内层配线优选使具有朝向列方向延长的部位的配线沿行方向排列多条且相互分开排列。但是，在第一内层配线及第二内层配线沿相同的面方向延长的情况下，为了使二者不交叉，优选任一内层配线以跨过另一内层配线的形状(三维形状)延长。
这样，第一内层配线以如下方式构成，即，不仅连接第一表面配线和与第一表面配线对应的第一背面配线，而且还连接沿第一方向排列的第一表面配线彼此及第一背面配线彼此，进而连接第一表面配线和第一背面配线。
第二内层配线以如下方式构成，即，不仅连接第二表面配线和与第二表面配线对应的第二背面配线，而且与第一内层配线分开，并经由第二表面配线及/或第二背面配线连接沿第二方向排列的第二表面配线及第二背面配线。
(焊盘及散热部件)
优选在绝缘体的背面进一步具备排列多个的第一及第二背面焊盘。这些焊盘优选与第一内层配线及第二内层配线分别对应而配置在例如沿第一方向及第二方向排列的背面配线的一端或两端。即，第一背面焊盘相对于一对背面配线优选配置在第一方向的一端或两端，第二背面焊盘相对于一对背面配线优选配置在第二方向的一端或两端。优选第一背面焊盘利用第一内层配线与第一背面配线连接，第二背面焊盘利用第二内层配线与第二背面配线连接。
第一及第二背面焊盘的大小没有特别限定，例如从与一个背面配线对应的大小来看，优选与一对第一及第二背面配线的外形对应的大小程度。
第一内层配线及第二内层配线优选在两端分别具备宽幅的区域。这些宽幅的区域优选分别配置在沿第一方向排列的第一内层配线的一端或两端、沿第二方向排列的第二内层配线的一端或两端。
宽幅的区域的大小没有特别限定，能够配置成与背面焊盘对应的大小、位置等。
第一内层配线及第二内层配线的任一方也可以局部地分叉。在该情况下，例如第一内层配线或第二内层配线优选在与跨过行方向或列方向上相互邻接的一对第一及第二表面配线的区域对应的区域分叉。通过这种分叉，能够形成以分叉的部位为散热部件且与发光元件和外部电源的电连接无关的配线，能够确保集合基板自身的散热性。特别是，通过分叉而增大导电部件那样散热性较好的材料的面积，由此能够更进一步确保集合基板本身的散热性。其结果，在使用该集合基板形成发光装置的情况下，能够得到散热性良好且高寿命的发光装置。
另外，绝缘体除了在其背面具备一对第一背面配线或第二背面配线之外，还具备第三背面配线。该第三背面配线能够作为散热部件而发挥作用。特别是通过将该第三背面配线与上述的内层配线的分叉的部位连接，能够进一步提高绝缘体的散热性。此外，能够通过与内层配线和背面配线的连接相同的方法连接内层配线的分叉的部位和第三背面配线。
(导电部件的层构造)
这些导电部件可以由例如层构造构成。例如，第一及第二表面配线优选由第一导电层构成。第一及第二背面配线优选由第八导电层构成。
第一内层配线优选由沿第一方向延长的第二导电层、从该第二导电层向第一导电层延长的第三导电层、从第二导电层向第八导电层延长的第四导电层构成。
第二内层配线优选由沿第二方向延长的第五导电层、从该第五导电层向第一导电层延长的第六导电层、从第五导电层向第八导电层延长的第七导电层构成。
特别是第三导电层、第四导电层、第六导电层及第七导电层优选沿着上述三维的z方向延长。但是，其方向允许±10度左右的倾斜。
根据这些构成，犹豫能够在集合基板上将构成正负一对配线等的导电部件分开配线，在将多个发光元件搭载于集合基板且各发光元件的一对电极分别与一对第一及第二表面配线连接的情况下，能够在使各发光元件搭载于集合基板的状态下点亮。其结果，能够对发光元件进行个别地特性检查，例如，能够进行色调的调整等。特别是在第一内层配线分别分开且多条及/或第二内层配线分别分开而配置多条的情况下，能够只点亮特定位置的发光元件，特别是在近年来的小型/薄型的发光元件及发光装置中，能够可靠且简便地分别进行特性检查。
另外，在进行了这种点亮等特性检查之后，如后所述，通过只分割发光元件搭载集合基板，能够完成作为最终成品的发光装置，能够更简便地制造发光装置。
这些各导电层优选例如形成于上述绝缘体的层上。例如，在将绝缘体设为两层以上的层叠构造而形成的情况下，绝缘体优选具有将第一导电层、第二导电层、第五导电层及第八导电层的一层以上配置在其表面或背面，且在其内部具备第三导电层、第四导电层、第六导电层及第七导电层的一层以上的层。
例如，绝缘体优选具有：
(1)将第一导电层配置于其表面或背面的层；
(2)将第二导电层配置于其表面或背面的层；
(3)将第五导电层配置于其表面或背面的层；
(4)将第二导电层及第五导电层配置于其表面或背面的层；
(5)将第一导电层配置于其表面或背面且将第二导电层配置于其背面或表面的层；
(6)将第一导电层配置于其表面或背面且将第五导电层配置于其背面或表面的层；
(7)将第一导电层配置于其表面或背面且将第二导电层及第五导电层配置于其表面或背面的层；
(8)将第八导电层配置于其表面或背面的层；
(9)将第八导电层配置于其表面或背面且将第二导电层配置于其背面或表面的层；
(10)将第八导电层配置于其表面或背面且将第五导电层配置于其背面或表面的层；
(11)将第八导电层配置于其表面或背面且将第二导电层及第五导电层配置于其表面或背面的层；
(12)将第二导电层配置于其表面或背面且将第五导电层配置于其背面或表面的层的一层以上。
这些(1)～(12)的层也可以是同时满足
(13)在其内部具备第三导电层的层；
(14)在其内部具备第六导电层的层；
(15)在其内部具备第三导电层及第六导电层的层；
(16)在其内部具备第四导电层的层；
(17)在其内部具备第七导电层的层；
(18)在其内部具备第四导电层及第七导电层的层；
(19)在其内部具备第三导电层及第七导电层的层；
(20)在其内部具备第四导电层及第六导电层的层的一层以上的层。
例如，在由两层的层叠构造形成绝缘体的情况下，更优选绝缘体具备上述(1)、上述(4)、上述(7)、上述(15)或上述(18)。进一步优选同时具备上述(1)和(4)。更优选同时具备上述(1)、(4)和(15)。或者优选具备上述(8)，更优选同时具备上述(8)和上述(4)，且同时具备上述(8)和上述(18)，进一步优选同时具备上述(1)和(8)，更优选同时具备上述(8)和(18)或同时具备上述(1)、(8)和(18)。
其中，优选同时具备上述(1)和(15)的层和同时具备上述(8)及(18)的层的双层构造的绝缘体。更优选该双层构造的绝缘体满足上述(7)或(11)。即，第二导电层及第五导电层也可以形成于一面具有第一导电层的层和一面具有第八导电层的层的任一另一面上。
此外，第二导电层和第五导电层、第三导电层和第六导电层、第四导电层和第七导电层也可以不分别利用通过相同的成膜工序得到的层而形成，但优选分别由相同的层形成。
例如，在将绝缘体由三层的层叠构造形成的情况下，绝缘体优选具备上述(1)、(2)、(3)或(8)，优选具备上述(13)、(14)或(15)，优选具备上述(16)、(17)或(18)。更优选同时具备上述(1)和(2)，同时具备上述(1)和(3)，同时具备上述(8)和(2)或同时具备上述(8)和(3)，进一步优选同时具备上述(1)、(2)和(15)或同时具备上述(1)、(3)和(15)，还优选同时具备上述(8)、(2)和(18)，同时具备上述(8)、(3)和(18)，同时具备上述(1)、(8)、(15)和(18)。
特别优选为同时具备上述(5)和(15)的层、同时具备上述(12)和(15)的层、同时具备上述(10)和(18)的层的三层构造或同时具备上述(6)和(15)的层、同时具备上述(12)和(19)的层、同时具备上述(11)和(18)的层的三层构造的绝缘体。特别是更优选同时具备上述(1)、(8)、(15)、(18)和(20)的层、同时具备上述(1)、(8)、(15)、(18)和(19)的层。但是，该三层构造的绝缘体中，第二导电层也可以形成于一面具有第一导电层的层、一面具有第八导电层的层、一面具有第五导电层的层的任一另一面上。或者第五导电层也可以形成于一面具有第一导电层的层、一面具有第八导电层的层、一面具有第二导电层的层的任一另一面上。
此外，第三导电层和第六导电层及/或第四导电层和第七导电层的全部或一部分也可以由相同层形成，也可以分别由不同的层形成。
具有上述构成的集合基板具有与xyz的三维构造对应的简单的配线构造，故而不经由特别的工序就能够简便且简易地制造，且能够实现集合基板的薄膜化。
〔发光装置〕
发光装置通过如下构成，即，将多个发光元件分别搭载于上述集合基板的一对第一及第二表面配线(以下，有时称为表面配线)上，并将各发光元件的一对电极分别经由接合部件与一对第一及第二表面配线连接的部件按照每个发光元件或每多个发光元件进行分割。
因此，一个发光装置包含分割集合基板而构成的基板和搭载于该基板表面的发光元件，进而具备使发光元件与基板表面连接的接合部件。发光装置优选还具备覆盖发光元件的荧光体层，更优选还具备配置于发光元件周围的反射层。
这里的基板优选为上述绝缘体在其端面且在两个部位露出第一内层配线，且在两个部位露出第二内层配线的结构。通常，发光装置的平面形状为四边形，优选为在包含相对的两边的一对端面上分别露出第一内层配线，且在包含相对的另外两边的一对端面上分别露出第二内层配线。
另外，第一内层配线及第二内层配线也可以在绝缘体端面中的绝缘体的厚度方向上不同的位置或相同的位置露出。
第一内层配线及第二内层配线的任一方也可以局部分叉。在该情况下，例如，第一内层配线或第二内层配线优选在与跨过行方向或列方向上相互邻接的一对第一及第二表面配线的区域对应的区域分叉。通过这种分叉，如后所述，能够将分叉的部位形成为与发光元件和外部电源的电连接无关的配线，能够确保集合基板自身的散热性。特别是，通过增大导电部件那样散热性较好的材料的面积，能够进一步确保集合基板自身的散热性。其结果，在使用该集合基板形成发光装置的情况下，能够得到散热性良好且高寿命的发光装置。
另外，绝缘体(基板)除了在其背面具备一对第一背面配线或第二背面配线之外，也可以具备第三背面配线。该第三背面配线能够作为散热部件发挥作用。特别是通过使该第三背面配线与上述内层配线的分叉的部位连接，能够进一步提高绝缘体的散热性。将这里的内层配线的分叉的部位称为第三内层配线。该第三内层配线优选在基板端面中的第二内层配线的露出部附近，例如在绝缘体的厚度方向上相同的位置露出。由此，能够增加与外部的接触面积并能够有助于散热性的进一步提高。
通过这种构成，在上述那样将发光元件搭载于集合基板的状态下，能够使每个发光元件不产生短路而进行通电，故而能够点亮每个发光元件。由此，能够进行特性检查且能够对呈现不适当的色调等的发光元件个别地追加调整工序。其结果，能够高质量地维持得到的发光装置的特性，能够提高由一个集合基板得到的发光装置的成品率。
(发光元件)
作为发光元件，优选使用发光二极管。例如，可举出在基板上利用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等氮化物半导体、III－V族化合物半导体、II－VI族化合物半导体等各种半导体形成包含发光层的层叠构造的发光元件。作为发光元件的基板，可举出蓝宝石等绝缘性基板、SiC、GaN、GaAs等导电性基板等。但是，发光元件最终也可以不具有这些基板。
在发光元件的基板为绝缘性的情况下，为了使用后述的电沉积法等形成荧光体层，有时在基板的表面暂时需要导电性的层。该导电性的层也可以在形成后述的反射层的工序之前除去，但优选通过氧化等设为绝缘性。由此，能够形成与后述的荧光体层具有良好的粘接性的透光性的层。在氧化的情况下，优选通过氧化可改质成透光性，或改质成具有较高的透光性的部件。导电性及/或透光性的层例如可使用Mg、Al、Si、Zr、Zn、Pb等。
在发光元件的基板为导电性的情况下，为了防止将反射层形成于发光元件上，也可以在形成后述的荧光体层之后，在形成于发光元件上的荧光体层上使用具有透光性且绝缘性的材料形成包覆膜。作为包覆膜，可利用例如AlxOy(1＜x，1＜y)、SiOx(1＜x)等氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、硅树脂那样的有机物等形成。
(接合部件)
接合部件用于将发光元件安装到基板上。发光元件也可以面向上安装于基板上，但优选倒装片安装。接合部件例如为了使发光元件与例如基板的表面配线接合，而以至少夹设在发光元件的电极和表面配线之间的方式配置。作为接合部件，使用能够使发光元件和表面配线导通的材料。例如可使用锡－铋系、锡－铜系、锡－银系、金－锡系等焊锡、银、金、钯等导电性膏、凸块、各向异性导电材、低熔点金属等钎焊材料等。
(荧光体层)
荧光体层将来自发光元件的光转换成不同的波长。例如，荧光体层也可以转换成比来自发光元件的光短的波长，但从光取出效率的观点来看，优选转换成长波长。荧光体层至少配置于发光元件的上面及侧面和在基板的上面配置发光元件的区域的周围露出的表面配线的表面。通过利用荧光体层覆盖发光元件的上面及侧面，能够暂时在荧光体层侧取出从发光元件向上方及横向射出的光，故而能够减少发光元件内的光的吸收。
作为形成荧光体层的荧光体，例如可举出锰激活氟化物络合物荧光体〔A2MF6：Mn(A为选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4的一种以上；M为选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr的一种以上)、例如K2SiF6：Mn(KSF)、KSNAF(K2Si1 －xNaxAlxF6：Mn)、K2TiF6：Mn(KTF)等〕、Eu、Ce等主要利用镧系元素激活的氮化物系荧光体、氮氧化硅系荧光体，更具体地，可举出Eu激活的α或β塞隆型荧光体、各种碱土金属氮化硅荧光体、Eu等镧系元素、Mn等主要被过渡金属系元素激活的碱土金属卤素磷灰石、碱土的卤代硅酸盐、碱土金属硅酸盐、碱土金属硼酸卤、碱土金属铝酸盐、碱土金属硅酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属硫代酸盐、碱土金属氮化硅、日耳曼酸盐等荧光体、Ce等主要被镧系元素激活的稀土铝酸盐、稀土硅酸盐或Eu等主要被镧系元素激活的有机或有机络合物等荧光体。
荧光体的形状没有特别限定，但优选为例如球形或与球形类似的形状，更优选具有0.1μm～100μm左右，特别优选具有1μm～10μm的平均粒径。
荧光体层通常在将发光元件安装于基板上之后，形成在包含发光元件的上面和在发光元件的周围露出的表面配线(即，第一表面配线和第二表面配线的表面)的部位。
荧光体层可以使用电沉积法、静电涂装法、溅射法、蒸镀法、浇注封装法、印刷法、喷雾法等形成。溅射法、蒸镀法、沉降法能够不使用粘合剂而使荧光体层附着在发光元件及基体上整体。浇注封装法、印刷法、喷雾法通过使用在透光性部件中分散的荧光体，能够选择性地附着荧光体。这里的透光性部件能够利用可透过发光元件的峰值波长的60％以上、70％以上、80％以上的材料而形成，能够从以下所示的热固性树脂、热塑性树脂等适当选择。
荧光体层特别优选利用电沉积法、静电涂装法形成。
电沉积法、静电涂装法中，通过在意图形成荧光体层的部位配置具有导电性的材料，能够使荧光体选择性地附着于该部位。根据这些方法，能够在希望的部位形成均匀厚度的荧光体层。
电沉积法中，荧光体层在例如包含荧光体的溶液(电镀用的浴液)中配置载置有发光元件的基体。接着，通过在溶液中的电泳，使荧光体粒子堆积在基体的表面配线及发光元件的表面而形成。
静电涂装法中，在气相中含有荧光体且在荧光体上配置基体，在气相中，使荧光体粒子堆积于基体的表面配线及发光元件的表面，从而能够形成荧光体层。
在发光元件的表面设为导电性材料的情况下，通过对发光元件自身施加电压，能够使带电的荧光体粒子电泳并堆积在发光元件上。
另外，如在蓝宝石等绝缘性基板上层叠半导体而成的发光元件那样，在发光元件的表面具有非导电性的部位的情况下，在发光元件的非导电性的部位设有导电性的层之后，对该导电性的层施加电压，由此能够使带电的荧光体粒子电泳并经由导电性的层而堆积在绝缘性基板上。
荧光体层的厚度也可以根据配置的部位而不同。例如配置于第一表面配线上的荧光体层的厚度和配置于第二表面配线上的荧光体层的厚度也可以不同。
在具有上述配线构造的集合基板上，可以对第一表面配线和第二表面配线施加不同的电位。由此，能够在第一表面配线和第二表面配线形成不同厚度的荧光体层。特别是通过在任一表面配线上保持比另一方高的正电位，能够不在保持较高的正电位一方的表面配线上形成荧光体层。换而言之，能够只在第一或第二任一表面配线上形成荧光体层。
例如，如图5B所示，通过使一表面配线、在此为第二表面配线12，位于俯视看成矩形的发光元件67的四边中的三边附近，能够使荧光体不易附着在发光元件67附近的表面配线上。
在将发光装置设为暖色系那样的色温度较低的发光色的情况下，需要大量的荧光体。因此，在利用静电涂装的荧光体的形成方法中，有时增厚至将形成于发光元件附近的表面配线上的荧光体层的上面形成到接近发光元件上面的位置的程度。但是，为了形成为点光源那样的颜色不均较少的发光装置，优选只将发光元件由荧光体层覆盖，且优选在发光元件周围的表面配线上不形成或尽可能薄地形成荧光体层。在具有上述那样的配线构造的情况下，能够只对与特定位置的配线或发光元件对应的位置赋予导电性并进行涂装。由此，能够有效地防止荧光体层向不希望区域的附着。
荧光体层的厚度能够根据荧光体粒子的堆积条件及时间而适当调整。覆盖发光元件的荧光体层优选以大致均匀的厚度形成。荧光体层优选具有0.01μm～100μm左右的厚度。
导电性的层在形成反射层之前除去或改质成绝缘性。例如，可举出(1)在形成导电性的层后，含有使导电性的层的材料选择性地溶解在电镀用的浴液中的材料，(2)在形成荧光体层后，在溶解液中浸渍溶解导电性的层，(3)在形成荧光体层后，通过例如氧化处理等改质成绝缘性等方法。在上述(1)及(2)的情况下，通过浸渍于盐酸、硫酸等酸性浴液、氢氧化钠、氨等碱性浴液中，而溶解包覆层。作为此时的导电性的层的材料，可使用Al、Zn等。在上述(3)的情况下，不仅向绝缘性改质，还优选改质成透光性或改质成具有较高的透光性的部件。作为此时的导电性的层的材料，可举出Mg、Al、Si、Zr、Pb等。导电性的层的厚度只要是可以进行上述处理的厚度即可，例如可以设为10nm～1000nm。
在发光元件的基板为导电性的情况下，防止反射层形成于发光元件上，因此，也可以在形成荧光体层之后，在形成于发光元件上的荧光体层上，使用具有透光性且绝缘性的材料形成包覆膜。作为此时的包覆膜的材料，例如可以使用AlxOy(1＜x，1＜y)、SiOx(1＜x)等氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺或有机硅树脂那样的有机物等。
(反射层)
反射层覆盖形成于第一及第二表面配线上的荧光体层，起到抑制光取出效率降低的作用。
构成反射层的反射材料优选为能够有效地反射从发光元件射出的光及利用荧光体层进行了波长转换的光的材料，更优选为能够反射其峰值波长中的80％以上，进一步90％以上的材料。
反射层优选为从发光元件射出的光及利用荧光体层进行了波长转换的光不易透过、吸收的材料。另外，优选为绝缘性的材料。
作为反射材料，没有特别限定，但通过使用可反射光的材料，例如SiO2、TiO2、ZrO2、BaSO4、MgO等粉末，能够有效地反射光。这些材料也可以单独或组合两种以上而使用。通常，这些材料与热固性树脂、热塑性树脂等混合使用，具体而言，优选与环氧树脂组合物、硅树脂组合物、硅改性环氧树脂等改性环氧树脂组合物；环氧改性硅树脂等改性硅树脂组合物；混合硅树脂；聚酰亚胺树脂组合物、改性聚酰亚胺树脂组合物；聚邻苯二甲酰胺(PPA)；聚碳酸酯树脂；聚苯硫醚(PPS)；液晶聚合物(LCP)；ABS树脂；苯酚树脂；丙烯酸树脂；PBT树脂等树脂混合使用。
如上所述，在通过电沉积法等形成荧光体层的情况下，在露出于发光装置表面(即，与电镀用浴液接触)的导电性的部位，例如，在露出于发光元件周围的表面配线的表面附着荧光体粒子。对此，反射层以覆盖在露出于发光元件周围的表面配线上形成的荧光体层的方式形成。由此，能够降低由于从配置于发光元件表面的荧光体射出的光被设于发光元件周围的表面配线上的荧光体层吸收而产生的光损失。另外，能够利用反射层遮断从形成于表面配线上的荧光体层射出的光，能够使发光装置接近点光源。
另外，在通过电沉积法等形成荧光体层的情况下，设于半导体层的下面和基体的上面之间的空隙部分有时不能由荧光体粒子充分覆盖。通过在设于表面配线上的荧光体层上形成反射层，能够利用反射层覆盖该空隙的周围。其结果，能够防止发光元件的光从上述的空隙漏出。
反射层优选覆盖形成于表面配线上的荧光体层的整个表面。由此，能够更有效地发挥上述效果。
反射层优选设为例如1μm～100μm左右的厚度。反射层特别优选以将反射层的上面配置在发光元件的半导体层下面之上的方式形成。由此，能够防止发光元件的光从上述空隙漏出。另外，能够利用反射层遮断从包含发光层的半导体层的侧面射出的较强的光，能够减少颜色不均。
反射层优选将其上面配置在发光元件的上面之下。由此，能够使向发光元件的侧面方向射出的光不被反射层遮断而取出到外部。另外，能够将从发光层的侧面射出的较强的光经由荧光体层向外部取出。进而，能够减少发光元件周围的表面配线、设于其上的荧光体层引起的光吸收。
为了在发光元件的上面之下配置反射层，优选尽可能薄地配置形成于表面配线上的荧光体层。如上所述，即使在需要大量荧光体的情况下也能够减薄表面配线上的荧光体层的厚度的观点如上所述。
〔发光元件的检查方法〕
首先，在上述集合基板的一对第一及第二表面配线上分别连接多个发光元件。
然后，点亮发光元件，检查每个发光元件的特性。
这里的发光元件的特性是指，在集合基板的状态下，通过对一对第一及第二表面配线或一对第一及第二背面配线施加正负电压，能够点亮发光元件。因此，能够检查以有无点亮为主的各种发光元件的特性。
特别是在集合基板具备沿行列方向规则地排列多个的一对第一及第二表面配线，且具备朝向行方向或列方向分别分开地延长多条的第一内层配线，还具备向列方向或行方向分别分开地延长多条的第二内层配线的情况下，能够以行、列、任意数的一部分、仅一个单位点亮发光元件，因此，能够检查辉度、明亮度、色调等更详细的特性。
例如，在集合基板上安装了发光元件后，形成覆盖发光元件的荧光体层时，通过点亮每个发光元件，能够测定荧光体层的光的色调。因此，在通过该色调的测定(个别色调检查)，荧光体层的形成不充分的情况下，能够进一步执行仅对特定的发光元件追加追加的荧光体层的工序。由此，能够将全部的发光元件调整成适当的色调，能够提高成品率。
这里的荧光体层的形成也可以使用上述荧光体层的制造方法的任一种，但优选通过电沉积法或静电涂装而形成。由此，能够在任意部位简便且高精度地形成。在该情况下，也可以在发光元件的表面和发光元件周围的第一及第二表面配线表面形成荧光体层，但也可以仅在多个发光元件中的一部分或一个的表面和发光元件周围的第一及第二表面配线表面形成。在后者的情况下，能够得到在一个集合基板上具备不同的荧光体层的发光装置。
追加的荧光体层的追加也可以利用上述荧光体层的制造方法的任一种，但优选通过包含荧光体的溶液的喷射分配涂敷来进行。这是由于，能够对一个发光元件简易且简便地追加荧光体层。
追加的荧光体层的厚度可举出例如5μm～100μm。
此外，在进行喷射分配涂敷之前，例如，如图7B所示，优选在荧光体层65及/或后述的反射层66之上形成透光性树脂层(图7B中，70)。在该情况下，荧光体层、透光性树脂层、追加的荧光体层按照该顺序层叠在发光元件的上面。通过这样形成透光性树脂，能够提高荧光体层及反射层的粘接性。特别是在通过电沉积而形成荧光体层或反射层的情况等，这些层相对于例如喷射分配等引起的较高的风压脆弱的情况下，能够可靠地避免这些层的变形或剥离。在上述的荧光体层或反射层相对于风压等具有较高的持久性的情况下，也可以不设置透光性树脂层。在该情况下，与设置透光性树脂层的情况相比，发光元件上方的树脂层的界面减少一层，因此，在光取出效率的方面是有利的。
如图7B所示，透光性树脂层70也可以包覆荧光体层65或反射层66的整体，也可以仅包覆一部分。另外，如图7A所示，未必形成追加的荧光体层65a，为了保护荧光体层65及反射层66，也可以仅形成透光性树脂层70。
如图7A及B所示，追加的荧光体层、任意形成的透光性树脂层优选以上面突出的方式形成。由此，能够减少在透光性树脂层或追加的荧光体层的表面全反射的来自发光元件的光的比例，能够提高光取出效率。
另外，作为追加的荧光体层、任意形成的透光性树脂层的另一方式，上面也可以平坦。在该情况下，可以减薄包覆发光元件的追加的荧光体层或透光性树脂层相对于高度方向的厚度，故而能够形成抑制照明降低的发光装置。
透光性树脂层能够从上述的热固性树脂、热塑性树脂中选择而形成。在此，透光性是指，将来自发光元件的光透过60％以上，另外优选透过70％、80％或90％以上。
透光性树脂层例如能够使用浇注封装法、印刷法、喷雾法等形成。
在形成透光性树脂层的情况下，其厚度可举出例如5μm～100μm。透光性树脂层的厚度优选比追加的荧光体层的厚度薄。
另外，也可以在形成荧光体层之后，检查发光元件的特性之前或之后，在发光元件的周围进而形成反射层。这里的反射层优选通过电沉积法或静电涂装而形成在发光元件的表面和发光元件周围的第一及第二表面配线表面上的荧光体层上。由此，能够限制光的反射，故而能够将从发光元件射出的光及由荧光体层进行了波长变化的光进一步调整成希望的色调。
以下，基于附图对本发明的集合基板、发光装置及发光元件的检查方法的实施方式进行具体地说明。
实施方式1：集合基板
如图1A所示，该实施方式的集合基板10具备由氧化铝陶瓷构成的绝缘体9、由Au构成的表面配线、背面配线和内层配线。集合基板10在一个发光元件的搭载区域9a内配置有一对各配线，且按照行列方向(例如，3×3)具备多个该单位。
如图1A～图1F所示，绝缘体9具有上层A及下层B的两层构造。
在绝缘体9的上层A的表面Aa配置有表面配线。表面配线具备行列状地排列有多个的一对第一表面配线11及第二表面配线12。第一表面配线11及第二表面配线12由第一导电层1构成。
在绝缘体9的下层B的背面Bb配置有背面配线。背面配线具备与第一表面配线11及第二表面配线12分别对应地排列多个的一对第一背面配线21及第二背面配线22。第一背面配线21及第二背面配线22由第八导电层8构成。
在从绝缘体9的上层A的表面Aa到下层B的背面Bb之间排列有第一内层配线31和第二内层配线32。
第一内层配线31由例如向行方向延长的第二导电层2、从该第二导电层2向第一导电层1延长的第三导电层3、从第二导电层2向第八导电层8延长的第四导电层4构成。根据该构造，第一内层配线31将第一表面配线11和第一背面配线21连接，且从第二表面配线12及第二背面配线22分离。第一内层配线31中，第二导电层2相互分开成例如三条，且向作为第一方向的行方向(图1A中，x)延长。
第二内层配线32由例如向作为第二方向的列方向(图1A中，y)延长的第五导电层5、从该第五导电层5向第一导电层1延长的第六导电层6、从第五导电层5向第八导电层8延长的第七导电层7构成。根据该构造，经由第二表面配线12及/或第二背面配线22将第二表面配线12和第二背面配线22连接，且从第一表面配线11及第一背面配线21分离。第二内层配线32中，第五导电层5将例如具有向列方向延长的部位的配线相互分开成例如三条而进行延长。此外，第五导电层5为了不与构成第一内层配线31的导电层交叉、接触，在下层B的表面Ba中的一部分以避开第二导电层2的方式分断。
第二导电层2和第五导电层5作为在同一成膜工序中形成的层配置于例如下层B的表面Ba上。
第三导电层3和第六导电层6以埋设通孔的方式，作为在同一成膜工序中形成的层配置于上层A的内部。
第四导电层4和第七导电层7以埋设通孔的方式，作为在同一成膜工序中形成的层配置于下层B的内部。
第三导电层3及第六导电层6与第一导电层1、第二导电层2、第五导电层5的连接位置、第四导电层4及第七导电层7与第二导电层2、第五导电层5、第八导电层8的连接位置例如图1C～1F所示地分别在一个发光元件的搭载区域9a内，分别在一处以上以最短距离连接。但是，构成第二表面配线12的第一导电层1和构成第二内层配线32的第五导电层5在一个发光元件的搭载区域9a内，在构成第一内层配线31的第二导电层2两侧一个部位一个部位地连接。
在绝缘体9的下层B的背面Bb上，在排列有一对第一背面配线21及第二背面配线22的区域即与一个发光元件的搭载区域9a对应的区域外周具备背面焊盘。
背面焊盘中，第一背面焊盘21a沿着该区域的列方向与区域数对应而排列两列，第二背面焊盘22a沿着该区域的行方向与区域数对应而排列两列。第一背面焊盘21a利用第一内层配线31与第一背面配线21连接，第二背面焊盘22a利用第二内层配线32与第二背面配线22连接。
此外，在一个发光元件的搭载区域9a的外周，即在与背面焊盘对应的位置，第二导电层2和第五导电层5的两侧变宽。该宽幅的区域31a、32a配置有与背面焊盘对应的数量。该宽幅的区域31a、32a利用第四导电层4及第七导电层7分别与背面焊盘连接。
这样构成的集合基板能够作为非常简单的发光元件搭载基板，如图1G所示地使正负配线不短路，且按照行列单位施加正负电源。
实施方式2：集合基板
该实施方式中的集合基板20如图2A所示，除了内层配线局部地分叉以外，实际上为与实施方式1的集合基板10相同的构造。
该集合基板20中，由在绝缘体9的上层A的表面Aa到下层B的背面Bb之间配置的第五导电层5形成的第二内层配线42为了跨过沿列方向延长的部位的一部分即第一内层配线41，在分断的一端部具有分叉部42b。换言之，为了跨过一个发光元件的搭载区域9a、在列方向上邻接的区域间，第二内层配线42的一部分分叉。
随着该第二内层配线42的分叉，如图2B所示，在与该分叉部42b对应的下层B的背面Bb，第二背面配线52、53分割成两个，一第二背面配线53利用第七导电层7与分叉部42b的端部连接，另一第二背面配线52利用第七导电层7与不是分叉部42b的第二内层配线42连接。
此外，在下层B的背面Bb上，为了增加第二背面配线52、53的占据面积，第一背面配线51的下层B的背面Bb中的占据面积缩小。此外，第二背面配线53若将集合基板在一个发光元件的搭载区域切断，则成为不与第一表面配线及第二表面配线连接的状态，而起到作为散热部件的作用。
根据这种构造，也起到与实施方式1的集合基板相同的作用，且发挥同样的效果。
实施方式3：集合基板
该实施方式的集合基板30如图3A所示，绝缘体具有上层A、中层C及下层B这三层。该集合基板30将各配线成对配置在一个发光元件的搭载区域内，且在行列方向(例如，3×3)上具备多个该单位。
与图1C同样地，在绝缘体的上层A的表面具备行列状地排列多个的一对第一表面配线61及第二表面配线62。第一表面配线61及第二表面配线16由第一导电层1构成。
与图1E同样地，在绝缘体的下层B的背面具备与第一表面配线61及第二表面配线62分别对应而排列多个的一对第一背面配线71及第二背面配线72。第一背面配线71及第二背面配线72由第八导电层8构成。
在绝缘体9的上层A的表面到下层B的背面之间排列有第一内层配线81和第二内层配线82。另外，在上层A及下层B之间配置有中层C。
第一内层配线81具备配置于上层A的背面和中层C的表面之间且向行方向延长的第二导电层2。另外，由从该第二导电层2向第一导电层1延长且配置于上层A内部的第三导电层3、从第二导电层2向第八导电层8延长且贯通中层C及下层B的内部的第四导电层4构成。根据该构造，第一内层配线81将第一表面配线61和第一背面配线71连接，且从第二表面配线62及第二背面配线72分离。
如图3B所示，第一内层配线81中，第二导电层2配置于例如中层C的表面Ca，且相互分开成三条，向作为第一方向的行方向延长。
在各第一内层配线81的两端分别配置有比其宽度更宽的区域81a。
第二内层配线82具备配置于中层C的背面和下层B的表面之间且向列方向延长的第五导电层5。另外，由从该第五导电层5向第一导电层1延长且贯通中层C及上层A的内部的第六导电层6、从第五导电层5向第八导电层8延长且配置于下层B内部的第七导电层7构成。根据该构造，第二内层配线82将第二表面配线62和第二背面配线72连接，且从第一表面配线61及第一背面配线71分离。
在各第二内层配线82的两端分别配置有比其宽度更宽的区域82a。
如图3C所示，第二内层配线82中，第五导电层5配置于例如下层B的表面Ba，且相互分开成三条，向作为第二方向的列方向延长。
下层B的背面中的背面焊盘、第二导电层及第五导电层的两端的宽幅区域实际上与集合基板10一样。另外，上述以外的构成实际上与实施方式1的集合基板10一样。
这样构成的集合基板能够作为非常简单的发光元件搭载基板，如图1G所示地使正负配线不短路，且按照行列单位施加正负电源。
实施方式4：集合基板
如图4所示，本实施方式的集合基板40在中层C的表面及背面将第二导电层2和第五导电层5反向层叠，随之，第三导电层3贯通中层C，第六导电层6只贯通上层A，第四导电层4只贯通下层B，第七导电层7贯通中层C，由此，构成第一内层配线91及第二内层配线92，除此以外，实施方式3的集合基板30及实施方式1的集合基板10实际上一样。
根据这种构成，也起到与实施方式1及3的集合基板相同的作用，且发挥相同的效果。
实施方式5：发光装置
该实施方式的发光装置60如图5A所示，具备由上述集合基板得到的基板68、发光元件67、荧光体层65、反射层66。
基板68为大致平板的俯视看为正方形，在其表面具有构成第一表面配线及第二表面配线的导电部件63b。另外，在其背面具有构成第一背面配线及第二背面配线的导电部件63c。
此外，如上所述，第一背面配线由第一内层配线连接，第二背面配线由第二内层配线连接。
第一内层配线及第二内层配线在基板68的厚度方向上的相同位置(高度)在其端面露出(参照图5A中63a及图6B中63a)。第一内层配线在包含一相对的两边的基板68的一对端面上露出，第二内层配线在包含另一相对的两边的基板68的一对端面上露出。
在基板68的第一表面配线及第二表面配线上，经由Sn－Ag－Cu倒装片安装有发光元件67。发光元件67在图5B所示的位置配置于基板68上。
在发光元件67的侧面及上面(与基板对向的面和相反侧的面)上，以薄膜状态形成有包覆层(Al膜)64，经由该包覆层64形成有荧光体层(含有YAG系的荧光体粒子(平均粒径为8μm))65。另外，荧光体层65也形成于在发光元件67的周边露出的导电部件63上。
另外，在发光元件67的周围、荧光体层65上形成有通过电沉积法附着SiO2粒子(平均粒径为0.2μm)的反射层66。
这种发光装置能够通过以下方法制造。
首先，准备上述的集合基板，在表面配线上经由接合部件(例如，焊锡)连接多个发光元件。
接着，以覆盖集合基板上的发光元件的方式形成荧光体层。荧光体层形成于包含在发光元件的周围露出的表面配线的部位。
例如，准备包含荧光体的溶液(电镀用的浴液)，在其中浸渍发光元件，对发光元件自身施加电压，由此，使带电的荧光体粒子电泳而堆积在发光元件上。此外，在发光元件的表面配置蓝宝石基板的情况下，也可以在其表面形成具有导电性的包覆层后，对该包覆层施加电压。
然后，在发光元件的周围形成反射层。反射层通过在例如包含构成反射层的反射材料的溶液中配置发光装置，并使溶液中带电的反射材料电泳，而能够经由荧光体层堆积在发光元件周围的导电部上。
最后，将集合基板按照搭载一个发光元件的区域进行分割，能够得到发光装置60。
此外，在上述的发光装置60中，也可以在形成反射层后，如图6A及6B所示地通过例如使用了透光性材料的浇注封装、压缩成形、传递成形等形成覆盖发光元件上部的凸形状的透镜69。
另外，上述的发光装置60中，为了保护荧光体层65及反射层66，也可以通过在这些层的整个表面上层叠透光性树脂层70而形成图7A所示的发光装置60a。此外，该透光性树脂层70的中央部分比其周边更厚地形成而具有凸型的形状。
通过形成这种工序的追加及构造，能够提高可得到的发光装置的可靠性。
实施方式6：发光元件的检查方法
如实施方式5中所示，在集合基板的一对第一及第二表面配线上分别连接多个发光元件。
由此，通过在集合基板的状态下施加电源，能够分别点亮发光元件。由此，作为集合基板整体，能够在一部分发光元件组中或每一个发光元件中检查发光元件的点亮特性等。
特别是在搭载于发光元件和集合基板之后，在如上所述地形成覆盖发光元件的荧光体层的情况下，通过逐一点亮发光元件，能够逐一测定荧光体层的附着程度即荧光体层引起的发光元件的色调。
由此，在荧光体层的附着程度较少的情况下，能够在搭载于集合基板的状态下通过例如包含荧光体的溶液的分配涂敷仅对该发光元件追加追加的荧光体层(图7B中，65a)。
其结果，能够制造集合基板的整体具有均匀特性的发光元件，且能够实现成品率的提高。
这种检查方法完成之后得到的发光装置在上述的发光装置60中追加追加的荧光体层65a(厚度：54μm)，成为图7B所示的发光装置60b。在该情况下，通过电沉积等形成荧光体层65及反射层66，由此，有时相对于成膜方法引起的风压较脆弱，因此，为了可靠地避免荧光体层65及反射层66的变形或剥离，在形成追加的荧光体层5a之前，形成由硅树脂构成的透光性树脂层70(厚度：36μm)。该透光性树脂层70的中央部分比其周边更厚地形成，具有凸型的形状，追加的荧光体层65a也为凸形状。
即，在发光装置60a中，透光性树脂层70及追加的荧光体层65a按照该顺序层叠在荧光体层65及反射层66的整个表面上。
通过形成为这种工序的追加及构造，能够高成品率地制造具有均匀特性的发光装置，且能够提高可得到的发光装置的可靠性。
或者，在形成荧光体层之后，在如上述地形成了反射层的情况下，进一步逐一点亮发光元件，由此，不仅可以逐一测定荧光体层的附着程度，而且可以逐一测定发光元件的辉度、明亮度等。
由此，在反射层的附着程度较少的情况下，能够在搭载于集合基板的状态下，通过例如包含反射层的溶液的分配涂敷仅对该发光元件追加反射层。
其结果，能够制造集合基板的整体具有均匀特性的发光元件，并且能够实现成品率的提高。
产业上的可利用性
本发明的集合基板能够用于搭载各种电气元件，例如半导体元件、发光元件等，能够用于分割成各个元件之前的集合状态下的动作、点亮熄灭等电气元件等检查。

Claims (18)

1.一种集合基板，其特征在于，具备：
绝缘体，其具有表面及背面；
一对第一及第二表面配线，其在该绝缘体的表面排列有多个；
一对第一及第二背面配线，其在所述绝缘体的背面排列有多个；
至少一个第一内层配线，其从所述第二表面配线及所述第二背面配线分离，且与所述第一表面配线及所述第一背面配线连接，在所述绝缘体的内部沿第一方向延长；
至少一个第二内层配线，其从所述第一表面配线及所述第一背面配线分离，且与所述第二表面配线及所述第二背面配线连接，在所述绝缘体的内部具有沿与所述第一方向不同的第二方向延长的部位。
2.如权利要求1所述的集合基板，其中，
所述排列多个的一对第一及第二表面配线沿行列方向规则地排列。
3.如权利要求1或2所述的集合基板，其中，
所述第一内层配线朝向行方向或列方向分别分开地延长多条，
所述第二内层配线朝向列方向或行方向分别分开地延长多条。
4.如权利要求1～3中任一项所述的集合基板，其中，
所述第一内层配线及第二内层配线的任一方部分地分叉。
5.如权利要求4所述的集合基板，其中，
所述第一内层配线或第二内层配线在与跨过行方向或列方向上相互邻接的一对第一及第二表面配线的区域对应的区域分叉。
6.如权利要求1～5中任一项所述的集合基板，其中，
在所述绝缘体的背面还具备排列多个的第一及第二背面焊盘，
所述第一背面焊盘利用第一内层配线与第一背面配线连接，
所述第二背面焊盘利用第二内层配线与第二背面配线连接。
7.如权利要求1～6中任一项所述的集合基板，其中，
所述第一及第二表面配线由第一导电层构成，
所述第一及第二背面配线由第八导电层构成，
所述第一内层配线由沿所述第一方向延长的第二导电层、从该第二导电层向所述第一导电层延长的第三导电层、从所述第二导电层向所述第八导电层延长的第四导电层构成，
所述第二内层配线由沿所述第二方向延长的第五导电层、从该第五导电层向所述第一导电层延长的第六导电层、从所述第五导电层向所述第八导电层延长的第七导电层构成。
8.如权利要求1～7中任一项所述的集合基板，其中，
所述绝缘体具有两层以上的层叠构造。
9.如权利要求1～8中任一项所述的集合基板，其中，
多个发光元件搭载于集合基板上，各发光元件将一对电极分别经由接合部件与所述一对第一及第二表面配线连接。
10.一种发光装置，其具备基板、搭载于该基板表面的发光元件、覆盖该发光元件的荧光体层，所述基板包括配置于表面的一对第一及第二表面配线、配置于背面的一对第一及第二背面配线、在内部具有与第一表面配线及第一背面配线连接的第一内层配线以及与第二表面配线及第二背面配线连接的第二内层配线的绝缘体，其中，
所述绝缘体在包含相对的两边的一对端面上分别露出所述第一内层配线，且在包含相对的另一两边的一对端面上分别露出所述第二内层配线。
11.如权利要求10所述的发光装置，其中，
所述第一内层配线及所述第二内层配线在所述绝缘体的厚度方向上的相同位置，在所述绝缘体的端面露出。
12.如权利要求10或11所述的发光装置，其中，
所述荧光体层包覆所述第一及第二表面配线，
配置于所述第一表面配线上的荧光体层的厚度和配置于所述第二表面配线上的荧光体层的厚度不同。
13.一种发光元件的检查方法，其包括如下的工序：
在权利要求1～9中任一项所述的集合基板的所述一对第一及第二表面配线上分别连接多个发光元件；
点亮所述发光元件而检查该发光元件的特性。
14.如权利要求13所述的发光元件的检查方法，其中，
点亮所述发光元件而检查该发光元件的特性的工序为只点亮所述发光元件的一部分或一个的工序。
15.如权利要求13或14所述的发光元件的检查方法，其中，
还包括形成覆盖所述发光元件的荧光体层的工序，
通过电沉积法或静电涂装在所述发光元件的表面和该发光元件周围的所述第一及第二表面配线表面形成所述荧光体层。
16.如权利要求13～15中任一项所述的发光元件的检查方法，其中，
点亮所述发光元件来检查该发光元件的特性的工序为个别地点亮所述发光元件，检查发光元件的色调的工序。
17.如权利要求16所述的发光元件的检查方法，其中，
还包括在个别色调检查所述发光元件后，仅对特定的发光元件追加荧光体层的工序。
18.如权利要求17所述的发光元件的检查方法，其中，
通过包含荧光体的溶液的分配涂敷进行仅对特定的发光元件追加荧光体层的工序。
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