CN107768360A - 发光装置 - Google Patents
发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107768360A CN107768360A CN201710722734.4A CN201710722734A CN107768360A CN 107768360 A CN107768360 A CN 107768360A CN 201710722734 A CN201710722734 A CN 201710722734A CN 107768360 A CN107768360 A CN 107768360A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- internal layer
- distribution
- insulator
- emitting component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 292
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 14
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020440 K2SiF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- RQLWXPCFUSHLNV-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Ca] Chemical compound [Cr].[Ca] RQLWXPCFUSHLNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical class [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000011378 shotcrete Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 sulphur Compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
- F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
- F21V19/0015—Fastening arrangements intended to retain light sources
- F21V19/0025—Fastening arrangements intended to retain light sources the fastening means engaging the conductors of the light source, i.e. providing simultaneous fastening of the light sources and their electric connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
- H05K1/0206—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate by printed thermal vias
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0187—Dielectric layers with regions of different dielectrics in the same layer, e.g. in a printed capacitor for locally changing the dielectric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/09636—Details of adjacent, not connected vias
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10674—Flip chip
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明的目的在于提供一种发光装置内的散热效果的偏离少的、并能够实现有效散热的发光装置。发光装置,具有:基板(17)、第一发光元件(1)、第二发光元件(2),基板(17)包括:具有表面以及背面的绝缘体(11);配置在所述绝缘体的表面的一对表面配线(12);配置在所述绝缘体的表面,与所述表面配线分离的连接配线(13);配置在所述绝缘体的背面的一对背面端子(14);贯通所述绝缘体,将所述表面配线(12)与所述背面端子(14)电连接的第一内层配线(15);与所述连接配线接触,并且与所述背面端子分离,埋设于所述绝缘体的一个以上的第二内层配线(16);第一发光元件跨过所述一对表面配线的一方与所述连接配线配置(1),第二发光元件(2)跨过所述一对表面配线的另一方与所述连接配线配置。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置。
背景技术
近年来,使用LED等高辉度的发光元件的发光装置用于投影仪等的光源,车载用的光源等。伴随发光元件的高辉度化,从发光元件产生的热增大,因此需要向发光装置外的快速散热。为了进行向发光装置外的快速散热,进行设置将载置发光元件的基板表面与基板背面连接起来的通孔等各种涉及(专利文献1~4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:(日本)特开2012-227230号公报
专利文献2:(日本)特开2012-151188号公报
专利文献3:(日本)特开2002-190672号公报
专利文献4:(日本)实用新型授权第3159040号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明的目的在于,提供一种能够实现发光装置内的散热效果的偏离少、有效散热的发光装置。
用于解决技术课题的技术方案
本发明的一实施方式包括以下发明。
一种发光装置,具有:
基板17、第一发光元件1、第二发光元件2,
基板17包括:
具有表面以及背面的绝缘体11;
配置在所述绝缘体的表面的一对表面配线12;
配置在所述绝缘体的表面,与所述表面配线分离的连接配线13;
配置在所述绝缘体的背面的一对背面端子14;
贯通所述绝缘体,将所述表面配线12与所述背面端子14电连接的第一内层配线15;
与所述连接配线接触,并且与所述背面端子分离,埋设于所述绝缘体的一个以上的第二内层配线16;
所述第一发光元件1跨过所述一对表面配线的一方与所述连接配线配置,
所述第二发光元件2跨过所述一对表面配线的另一方与所述连接配线配置。
发明的效果
利用本发明,能够提供一种发光装置内的散热效果的偏离少的发光装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的发光装置的概略俯视图(a),a-a’线剖视图(b),后视图(c)。
图2是表示本发明的实施方式2的发光装置的概略俯视图(a),b-b’线剖视图(b),后视图(c)。
图3是表示本发明的实施方式3的发光装置的概略俯视图(a),c-c’线剖视图(b),后视图(c)。
图4是表示本发明的实施方式4的发光装置的概略俯视图(a),d-d’线剖视图(b),后视图(c)。
图5是表示本发明的实施方式5的发光装置的概略俯视图(a),e-e’线剖视图(b),后视图(c)。
图6是表示本发明的实施方式6的发光装置的概略俯视图(a),f-f’线剖视图(b),后视图(c)。
图7是表示本发明的实施方式7的发光装置的概略俯视图(a),g-g’线剖视图(b),后视图(c)。
图8是表示本发明的实施方式8的发光装置的概略俯视图(a),h-h’线剖视图(b),后视图(c)。
图9是表示本发明的实施方式9的发光装置的概略俯视图(a),i-i’线剖视图(b),后视图(c)。
图10是表示本发明的实施方式10的发光装置的概略俯视图(a),j-j’线剖视图(b),后视图(c)。
图11是表示本发明的实施方式11的发光装置的概略俯视图(a),k-k’线剖视图(b),后视图(c)。
图12是表示本发明的实施方式12的发光装置的概略俯视图(a),l-l’线剖视图(b)。
图13是表示本发明的实施方式13的发光装置的概略俯视图(a),m-m’线剖视图(b),后视图(c)。
具体实施方式
在本公开中,各附图表示的部件的大小、位置关系等有时为了明确说明而夸张表示。在以下说明中,同一名称、附图标记表示相同或等同的部件,并适当省略详细说明。
〔发光装置〕
在本发明的实施方式的发光装置中,例如,如图1(a)到1(c)所示,具有基板17、配置在基板17上的第一发光元件1、第二发光元件2。第一发光元件1、第二发光元件2在基板17上上串联连接。
〔基板17〕
基板17具有:具有表面以及背面的绝缘体11;
配置在所述绝缘体的表面的一对表面配线12;
配置在所述绝缘体的表面,与所述表面配线分离的连接配线13;
配置在所述绝缘体的背面的一对背面端子14;
贯通所述绝缘体,将所述表面配线12与所述背面端子14电连接的第一内层配线15;
与所述连接配线接触,并且与所述背面端子分离,埋设于所述绝缘体的一个以上的第二内层配线16。
在本申请中,有时将上述配线以及端子总称为配线部件。
基板17能够用于将多个发光元件通过串联连接而搭载。
(绝缘体11)
绝缘体11能够使用例如,氧化铝、氮化铝等陶瓷、玻璃、玻璃环氧、酚醛树脂纸、环氧树脂纸、玻璃复合体、低温共烧陶瓷(LTCC)、热可塑性树脂、热硬化性树脂等。其中,优选使用耐热性以及抗老化特性优秀的陶瓷。
绝缘体11也可以是由一个绝缘体层构成的绝缘体11,也可以是将两个以上的绝缘体层层叠而成的层叠体。在绝缘体11为两个绝缘体层的层叠体的情况下,绝缘体11优选为多个陶瓷的层叠体。
绝缘体11的表面以及/或背面优选为平坦。例如,绝缘体11的外形为大致矩形的平板状。
绝缘体的厚度以及大小能够通过搭载的发光元件的大小以及数量等进行适当调整。例如,绝缘体的总厚度为0.1mm~1.0mm左右,大小为50mm×50mm~100mm×100mm左右。
(配线部件)
配线部件使发光元件与外部电源电连接,为了相对于发光元件施加来自外部电源的电压,或者为了放出来自发光元件的热。配线部件能够由具有导电性的材料形成,例如,能够使用Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)、W(钨)等金属或合金的单层膜或层叠膜。其中,基于散热性的观点,优选使用铜或铜合金。
配线部件能够利用该领域公知的方法,例如,溅射法,蒸镀法,镀覆等各种方法形成。这些配线部件能够根据部位或形状等,将这些方法组合而形成。
配线部件的厚度可以全部具有同一厚度,也可以局部地厚度不同。例如,1~300μm左右。
(表面配线12,连接配线13以及背面端子14)
表面配线12在绝缘体的表面配置多个。作为多个表面配线12,例如一对表面配线12a、12b。连接配线13在绝缘体的表面至少一个与表面配线分离配置。一对表面配线12a、12b以及连接配线13为了将发光元件排列配置,例如优选在一个方向上有规律地配置。
背面端子14是用于将发光装置10与外部电气连接的外部连接端子,并在作为发光装置10的背面的绝缘体的背面配置多个。作为多个背面端子14,例如一对背面端子14a、14b。一对背面端子14a、14b在俯视时,优选与一对表面配线12a、12b重合配置。由此,表面配线12与背面端子14的距离缩短,能够抑制后述第一内层配线15的长度。
表面配线以及背面端子分别至少具有两个正负对即可,但也可以在此之上(例如多对)。
连接配线作为用于串联连接发光元件的中转配线使用。一个基板具有的连接配线的数量能够根据搭载于基板上的发光元件的数量适当增减。
表面配线以及背面端子的平面形状例如能够根据发光元件的数量、发光装置的形状等适当设定。
(第一内层配线15以及第二内层配线16)
第一内层配线15以及第二内层配线16埋入绝缘体11,至少一部分在绝缘体的表面露出。
第一内层配线15贯通绝缘体11,与表面配线12、背面端子14接触,并分别电连接。
第二内层配线16与连接配线13接触,并且与背面端子14分离,并埋设于绝缘体11。
第二内层配线也可以是一个,优选为两个以上,能够根据发光元件的数量以及大小适当增减。第二内层配线优选在俯视时,有规律地配置,更优选在一个发光元件搭载的区域内的俯视中,相对于第一内层配线配置在大致对称的位置。
尤其是,第一内层配线以及/或第二内层配线在如后所述那样,发光元件搭载于基板的情况下,优选在俯视时与发光元件重合配置。利用这样的配置,能够使内层配线有效地引导从发光元件产生的热。
另外,第二内层配线优选在俯视时,与背面端子重合配置。利用如上所述的配置,能够使从发光元件产生的热经由第二内层配线有效地向背面端子引导。
第一内层配线以及第二内层配线的平面形状在考虑到散热性时,在不短路的范围内,优选具有更大的面积,能够根据表面配线、连接配线、背面端子等形状等,适当设定为圆形、椭圆形、多边形等。
在考虑更高的散热性时,其中,优选最大宽度为100~2000μm的圆形或椭圆形。通过成为这样的形状以及大小,例如,通过利用镀覆,能够有效并且高精度制造,能够谋求廉价并且轻量化。
或者,为了获得更高的散热性,例如,第一内层配线以及第二内层配线也可以具有与表面配线12以及连接配线13同程度的大小。
(散热端子28)
基板17也可以在绝缘体11的背面还具有散热端子28。例如,如图2B所示,散热端子28与背面端子14以及第一内层配线15分离地,即与发光元件电气绝缘地配置。散热端子28的形状、位置、大小等能够适当调整。散热端子28为了有效实现其功能,优选与第二内层配线在俯视时重合。由此,能够使与外部的接触面积增加,能够进一步谋求散热性的提高。另外,通过使散热端子28与发光元件以及背面端子电气绝缘,例如在将发光装置安装在金属制的安装基板上时,由于能够使散热端子在金属基板上不经由绝缘膜地接合,因此能够实现更高的散热。
(其他内层配线29、99)
基板17也可以还具有其他的内层配线。例如,如图2B所示,埋设于绝缘体21,与散热端子28接触,与第二内层配线26分离的第三内层配线29,如图9B所示,埋设于绝缘体91,与背面端子94接触,与第一内层配线95以及第二内层配线96分离的第四内层配线99。
第三内层配线以及第四内层配线的形状以及大小可以例举与第一内层配线以及第二内层配线同样。基板17通过适当具有第三、第四内层配线,能够实现发光装置内的散热效果的偏离少,能够有效实现散热。
(基板17的层构造)
基板17例如能够由层叠结构构成。例如,两层绝缘体层的层叠体即绝缘体;配置在其表背面的配线部件的四层结构、三层绝缘体层的层叠体即绝缘体;配置在其表背面的配线部件的五层结构,三层以上的绝缘体层的层叠体即绝缘体;配置在其表背面的配线部件的五层以上的结构等。基于基板的薄膜化以及内层配线的形成的效率等观点,绝缘体优选使用二或三层绝缘体层的层叠体。
在任一层叠结构中,第一内层配线贯通绝缘体,并在其表背面的两面从绝缘体露出。第二内层配线以及/或第三内层配线以及/或第四内层配线埋设在贯通构成绝缘体的至少1个绝缘体层的孔,在绝缘体的表背面的任一面从绝缘体露出。
〔发光元件1、2〕
发光装置具有:跨过一对表面配线的一方与连接配线配置的第一发光元件;跨过一对表面配线的另一方与连接配线配置的第二发光元件。即,多个发光元件在上述基板表面,串联连接地分别搭载在一对表面配线之间。在发光装置具有三个以上发光元件的情况下,基板17具有两个以上连接配线,第一发光元件与第二发光元件分别跨过其他的连接配线而载置。并且,跨过配置第一发光元件、第二发光元件的两个连接配线而载置有第三发光元件。通过增加如上所述的中转用的连接配线的数量,能够将三个以上的发光元件利用一对表面配线及其之间的连接配线直接连接。
发光元件优选在基板上倒装片安装。例如,经由接合部件,分别使第一发光元件的一个电极连接于一对表面配线的一方,另一个电极连接于连接配线,第二发光元件的一个电极连接于连接配线,另一个电极连接于一对表面配线的另一方。在搭载有三个以上发光元件的情况下,基板具有两个以上的连接配线13,在一对表面配线之间,第三、第四…发光元件跨过邻接的两个连接配线,分别经由接合部件连接。
发光元件优选在同一面侧具有一对电极。例如,第一发光元件具有的一对电极中的一个电极(例如,P电极)连接于表面配线的一个电极(例如阳极电极),另一个电极(例如,N电极)连接于连接配线。第二发光元件具有的一对电极中的一个电极(例如,P电极)连接于连接配线,另一个电极(例如N电极)连接于表面配线的另一个电极(例如,阴极电极)。在发光装置具有三个以上的发光元件的情况下,第三,第四…发光元件跨过配置在一个表面配线与另一个表面配线之间的两个以上的连接配线连接,在一个表面配线(例如,阳极电极)侧连接有发光元件的一个电极(例如,P电极),在另一个表面配线(例如,阴极电极)侧连接有发光元件的另一个电极(例如,N电极)。
即,在一个连接配线上连接有第一发光元件的另一个电极、第二发光元件的一个电极。例如,在发光元件所具有的一对电极中,在一个电极与另一个电极的面积大不相同的情况下,优选在俯视时,连接配线与第一发光元件重合的面积和第二发光元件与其连接配线重合的面积之间的差增大,并使配置于各个发光元件的正下的第二内层配线在俯视时,在具有更大连接面积的发光元件侧的正下配置更多。利用如上所述的配置,第二内层配线能够更有效地引导从多数配置这些第二内层内线的发光元件产生的热。
作为发光元件,例如能够使用公知的任意发光二极管芯片。例如,在基板上利用InN,AlN,GaN,InGaN,AlGaN,InGaAlN等氮化物半导体,III-V族化合物半导体,II-VI族化合物半导体等各种半导体,形成包含发光层的层叠结构。作为发光元件的基板,例如蓝宝石等绝缘性基板、SiC,GaN,GaAs等导电性基板等。另外,最终而言,发光元件也可以没有这些基板。另外,例如,在发光元件具有绝缘性基板的情况下,多个发光元件也可以利用共用的绝缘性基板连接。
(接合部件)
接合部件用于将发光元件安装于基板。发光元件优选在基板上倒装片安装。接合部件例如为了使发光元件接合在基板的表面配线上,至少夹装于发光元件的电极与表面配线之间地配置。作为接合部件,能够使用使发光元件与表面配线导通的材料。例如锡-铋类,锡-铜类,锡-银类,金-锡类等焊料,银、金、钯等导电性膏,凸点(バンプ),各向异性导电材料,低融点金属等焊料等。
(荧光体层)
发光装置优选还具有覆盖发光元件的荧光体层。
荧光体层将来自发光元件的光转换为不同的波长。例如,荧光体层可以将来自发光元件的光转换为更短波长,基于光提取效率的观点,优选转换为长波长。荧光体层配置为至少覆盖发光元件的上表面。发光元件通过利用荧光体层覆盖,而能够使从发光元件出射的光暂时向荧光体层侧提取,因此能够降低发光元件内的光的吸收。
作为形成荧光体层的荧光体,例如,在使用青色发光元件或紫外线发光元件的情况下,作为利用这些发光元件能够激发的荧光体,例举由铈激活的钇·铝·石榴石类荧光体(YAG:Ce),由铈激活的镥·铝·石榴石类荧光体(LAG:Ce),由铕以及/或铬激活的含氮硅铝酸钙类荧光体(CaO-Al2O3-SiO2:Eu),由铕激活的硅酸盐类荧光体((Sr,Ba)2SiO4:Eu),β塞隆荧光体,CASN类荧光体,SCASN类荧光体等氮化物类荧光体,KSF类荧光体(K2SiF6:Mn),硫化物类荧光体,量子点荧光体等。通过将这些荧光体、青色发光元件或紫外线发光元件进行组合,能够获得所期望的发光色的发光装置(例如白色类的发光装置)。
荧光体层通常在将发光元件安装在基板上后,形成于发光元件的上表面。
荧光体层也可以利用电沉积法、静电涂装法、灌封法、印刷法、喷射法等形成,也可以载置与发光元件的外形对应的板状或片状的荧光体层。
荧光体层的厚度能够通过荧光体粒子的堆积方法等适当调整。覆盖发光元件的荧光体层优选以大致均匀的厚度形成。荧光体层优选具有0.01μm~100μm左右的厚度。
(光反射层)
发光装置优选具有配置于发光元件的周围的光反射层。
作为光反射层,例举覆盖表面配线的上表面的部件或覆盖发光元件的侧面的部件等,具有提高光提取效率的作用。
构成光反射层的反射材料优选能够有效地反射从发光元件出射的光以及利用荧光体层改变波长后的光的材料,更优选能够使其峰值波长的80%以上,进一步地90%以上反射的材料。
光反射层优选为从发光元件出射的光以及利用荧光体层改变了波长后的光难以透过、吸收的材料。另外,优选为绝缘性的材料。
作为形成光反射层的材料,例如,通过使用SiO2,TiO2,ZrO2,BaSO4,MgO等粉末,能够有效地使光反射。这些材料也可以单独或组合使用两种以上。通常,这些材料优选混合在热硬化性树脂、热可塑性树脂等在该领域被使用的树脂中来使用。
在上述发光装置中,在荧光体层以及/或光反射层上,也可以通过使覆盖发光元件的上部的透镜等,例如通过使用了透光性的材料的灌封、压缩成形、转换成形等而形成。
以下,参照附图对本发明的发光装置的实施方式进行具体说明。
实施方式1
实施方式1的发光装置10如图1(a)~1(c)所示,具有:基板17、配置在基板17上的第一发光元件1和第二发光元件2。第一发光元件1,第二发光元件2通过串联连接而被搭载。
基板17具有:由陶瓷构成的两层绝缘体层11a、11b的层叠体即绝缘体11;配置在绝缘体11的表面的一对表面配线12a、12b以及连接配线13;配置在绝缘体11的背面的一对背面端子14a、14b;埋设于绝缘体11的第一内层配线15a、15b和多个第二内层配线16。
连接配线13在基板17的表面,与表面配线12a、12b分离,配置在一对表面配线12a、12b之间。
第一内层配线15贯通绝缘体11,将表面配线12a与背面端子14a电连接,第一内层配线15b贯通绝缘体11,将表面配线12b与背面端子14b电连接。
第二内层配线16与连接配线13接触,并且与背面端子14a、14b分离,而埋设在绝缘体11。第二内层配线16在两层绝缘体层11a、11b中的、埋入贯通位于表面侧的绝缘体层11a的孔。第二内层配线16为大致柱状体,上表面与连接配线13接触,侧面以及下表面与绝缘体11接触。
基板为大致平板,例如,俯视时具有2.8×2.8mm的大致正方形的外形。
这些表面配线12a、12b,连接配线13,背面端子14a、14b,第一内层配线15a、15b以及第二内层配线16都由铜形成。铜在导热性方面优秀,因此适于散热部件。
绝缘体层11a、11b分别具有100μm左右的厚度。表面配线12a、12b,连接配线13,背面端子14a、14b分别具有100μm左右的厚度。
第一内层配线15a、15b具有与绝缘体11同样的200μm左右的厚度,俯视形状为直径约200μm的大致圆形状。第一内层配线15a、15b在俯视时,分别在表面配线12a、12b的正下方,背面端子14a、14b的正上方配置。第一内层配线优选使发光装置10的热分布均匀地,以大致等间隔配置,例如,以4行1列配置。
第二内层配线16具有100μm的厚度,在俯视时,为直径200μm的大致圆形状。第二内层配线16在俯视时,在连接配线13的正下方,在背面端子14a、14b的正上方以等间隔,例如,4行2列配置。
第一,第二发光元件1、2具有例如1.0×1.0mm的大致同形状的外形,在同一面侧具有正负的一对电极,在表面配线12以及连接配线上倒装片安装。
第一发光元件1跨过一对表面配线12的一个表面配线12a和连接配线13配置,配置在第一内层配线15a的一个以上的正上方,第二内层配线16的一个以上的正上方。
第二发光元件2跨过一对表面配线12的另一个表面配线12b和连接配线13配置,配置在第一内层配线15b的一个以上的正上方,配置在第二内层配线16的一个以上的正上方。
这样,通过具有与连接配线接触的第二内层配线,能够将从发光元件产生的热的一部分从连接配线向第二内层配线传递,能够在发光元件内使的散热效果的偏离缓和。其结果是,利用更均匀的散热性,能够使发光元件整体的散热效果提高,能够抑制在发光元件中的热的偏离导致的发光元件的劣化。
尤其是,第一内层配线在俯视时与发光元件重合以及/或第二内层配线在俯视时与发光元件重合配置的情况下,保持多个发光元件串联连接的状态,不会发生短路等地,使来自发光元件的发热从基板的表面侧向背面侧以最短的散热路径释放,能够进一步提高上述效果。
实施方式2
实施方式2的发光装置20如图2(a)~2(c)所示,至少具有基板27、配置在基板27上的第一发光元件1和第二发光元件2。第一发光元件1,第二发光元件2以串联连接被搭载。
基板27除了两层绝缘体层21a、21b的层叠体即绝缘体21;一对表面配线22a、22b、连接配线23、一对背面端子24a、24b,第一内层配线25a、25b、第二内层配线26以外,在具有散热端子28、第三内层配线29方面与实施方式1的发光装置不同。
散热端子28配置在绝缘体21的背面,与背面端子24a、24b以及第二内层配线26分离。散热端子28在绝缘体21的背面配置在一对背面端子24a、24b之间。
第三内层配线29与散热端子28接触,与第二内层配线26分离,埋设于绝缘体21。第三内层配线在两层绝缘体层21a、21b中的、埋入贯通位于背面侧的绝缘体层21b的孔。第三内层配线29为大致柱状体,上面以及侧面与绝缘体21接触,下面与散热端子28接触。第三内层配线29在俯视时与第二内层配线26不重合。第二内层配线26和第三内层配线29贯通构成绝缘体21的两层绝缘体层中的、不同绝缘体层。
除此以外的结构与发光装置10实质相同。
利用以上结构,具有与发光装置10同样的效果。
尤其是,在绝缘体的背面侧具有散热端子,还具有与散热端子连接,与发光元件电气绝缘的第三内层配线,从而使从连接配线向第二内层配线传递的热通过这些第三内层配线以及散热端子,能够更容易地向背面侧释放,能够进一步提高散热性。
实施方式3
实施方式3的发光装置30如图3(a)~3(c)所示,至少具有基板37、配置在基板37上的第一发光元件1和第二发光元件2。第一发光元件1,第二发光元件2以串联连接被搭载。
基板37除了三层绝缘体层31a、31b、31c的层叠体即绝缘体31、一对表面配线32a、32b、连接配线33、一对背面端子34a、34b,第一内层配线35a、35b、第二内层配线36以外,具有散热端子38、第三内层配线39。
实施方式3的发光装置30在绝缘体31为三层绝缘体层的层叠体这一方面,与实施方式2的发光装置20不同。
第三内层配线39在俯视时,在散热端子38的大致中央以列状配置。第三内层配线39与散热端子38接触,与第二内层配线36分离,而埋设于绝缘体31。第三内层配线39在三层绝缘体层31a、31b、31c中的、埋入贯通位于最靠背面侧的绝缘体层31c的孔。
第三内层配线39a在俯视时,在第三内层配线39b的两侧以列状配置,并且与散热端子38接触。第三内层配线39与背面端子34a、34b,表面配线32a、32b以及第二内层配线36分离。即,第三内层配线39与第一发光元件1以及第二发光元件2电气绝缘。
在本实施方式中,在俯视时,除了与第二内层配线36不重合的第三内层配线39b以外,具有在俯视时与第二内层配线36重合的第三内层配线39a。另外,与第二内层配线36不重合的第三内层配线39b在三层绝缘体层31a、31b、31c中,从背面侧埋入贯通两层绝缘体层31b、31c的孔。
除此以外的结构与发光装置10、20实质相同。
利用以上结构,具有与发光装置10、20同样的效果。
尤其是,由于还具有比第二内层配线36长的第三内层配线39b以及/或配置在第二内层配线36的正下方的第三内层配线39a,因此能够进一步提高向背面侧的散热。
实施方式4
实施方式4的发光装置40如图4(a)~4(c)所示,至少具有基板47、配置在基板47上的第一发光元件1和第二发光元件2。第一发光元件1、第二发光元件2以串联连接被搭载。
基板47除了三层绝缘体层41a、41b、41c的层叠体即绝缘体41、一对表面配线42a、42b、连接配线43、一对背面端子44a、44b,第一内层配线45a、45b、第二内层配线46以外,具有散热端子48、第三内层配线49。
实施方式4的发光装置40在三层绝缘体层的正中的绝缘体层埋设有第二内层配线以及第三内层配线方面,与实施方式3的发光装置30不同。
第二内层配线46在三层绝缘体层41a、41b、41c中,从绝缘体41的表面侧埋入贯通两层绝缘体层41a、41b的孔。
第三内层配线49在三层绝缘体层41a、41b、41c中,埋入贯通位于绝缘体41的背面侧的两层绝缘体层41b、41c的孔。第三内层配线49在散热端子48的中央以列状配置并且与散热端子48接触。
除此以外的结构与发光装置10、30实质相同。
利用如上所述的结构,具有与发光装置10、30同样的效果。
尤其是,绝缘体41具有埋设第二内层配线46和第三内层配线49双方的绝缘体层,热容易从第二内层配线46向第三内层配线49传递,能够进一步提高向背面侧的散热。
实施方式5
实施方式5的发光装置50如图5(a)~5(c)所示,具有基板57配置在基板57上的第一发光元件1、第二发光元件2。第一发光元件1,第二发光元件2以串联连接被搭载。
基板57除了三层绝缘体层51a、51b、51c的层叠体即绝缘体51、一对表面配线52a、52b、连接配线53、一对背面端子54a、54b,第一内层配线55a、55b、第二内层配线56以外,具有散热端子58、第三内层配线59。
实施方式5的发光装置50在三层绝缘体层的正中的绝缘体层中没有埋设第二内层配线以及第三内层配线方面与实施方式3的发光装置30。
第二内层配线56在三层绝缘体层51a、51b、51c中,埋入贯通构成绝缘体51的表面的绝缘体层51a的孔。第二内层配线56包括以列状配置在包含第一发光元件1以及/或第二发光元件2的正下方的区域的第二内层配线56。
第三内层配线59在三层绝缘体层51a、51b、51c中,埋入贯通构成绝缘体51的背面的绝缘体层51c的孔。第三内层配线59与第二内层配线56分离,但在其正下方分别配置。即,第三内层配线59在俯视时与第二内层配线56重合。
除此以外的结构与发光装置10、30实质相同。
利用上述结构,具有与发光装置10、30同样的效果。
尤其是,通过使第二内层配线56和第三内层配线59在俯视时重合,能够进一步提高向背面侧的散热。另外,通过使层叠在构成绝缘体51的表面的绝缘体层51a和构成绝缘体51的背面的绝缘体层51c之间的绝缘体层51b的厚度比其他绝缘体层薄,能够缩短第二内层配线与第三内层配线的距离,能够进一步提高向背面侧的散热。
实施方式6
实施方式6的发光装置60如图6(a)~6(c)所示,具有基板67、配置在基板67上的第一发光元件1和第二发光元件2。第一发光元件1,第二发光元件2以串联连接被搭载。
基板67具有:两层绝缘体层61a、61b的层叠体即绝缘体61、一对表面配线62a、62b、连接配线63、一对背面端子64a、64b,第一内层配线65a、65b、第二内层配线66。
实施方式6的发光装置60在第一内层配线和第二内层配线在俯视时呈大致长方形状方面与实施方式1的发光装置10不同。
第一内层配线65a、65b分别在俯视时为200μm×1850μm的大致长方形状。第一内层配线65a、65b贯通绝缘体61,将表面配线62a、62b与背面端子64a、64b电连接。第一内层配线65a、65b在俯视时,分别在表面配线62a、62b的正下方,背面端子64a、64b的正上方配置一个。
第二内层配线66在俯视时为750×1850μm的大致长方形状。
第二内层配线66在两层绝缘体层61a、61b中,埋入贯通构成绝缘体61的表面的绝缘体层61a的孔。第二内层配线66在俯视时,都配置在连接配线13的正下方,其至少一部分配置在背面端子14a、14b的正上方。
除此以外的结构与发光装置10实质相同。
利用上述结构,具有与发光装置10同样的效果。
尤其是,通过增大与发光元件重合配置的第二内层配线的面积,能够进一步提高向背面侧的散热。
实施方式7
实施方式7的发光装置70如图7(a)~7(c)所示,具有基板77;配置在基板77上的第一发光元件1、第二发光元件2、第三发光元件3。第一发光元件1、第二发光元件2、第三发光元件3以串联连接被搭载。
基板77具有两层绝缘体层71a、71b的层叠体即绝缘体71、一对表面配线72a、72b、配置在一对表面配线72a、72b之间的多个连接配线73、一对背面端子74a、74b、第一内层配线75a、75b、第二内层配线76。
实施方式7的发光装置70在具有三个发光元件方面,以及具有两个用于将三个发光元件串联连接的连接配线方面与实施方式1的发光装置10不同。
第二内层配线76在两层绝缘体层71a、71b中,埋入贯通绝缘体71的表面侧的绝缘体层71a的孔。第二内层配线76的上表面与连接配线73接触,下表面与绝缘体71接触。第二内层配线76在俯视时,在连接配线73的正下方、背面端子74a、74b的正上方,以等间隔例如4行2列配置。
除此以外的结构与发光装置10实质相同。
利用上述结构,具有与发光装置10同样的效果。
实施方式8
实施方式8的发光装置80如图8(a)~8(c)所示,具有基板87;配置在基板87上的第一发光元件1、第二发光元件2、第三发光元件3。第一发光元件1、第二发光元件2、第三发光元件3以串联连接被搭载。
基板87除了两层绝缘体层81a、81b的层叠体即绝缘体81、一对表面配线82a、82b、连接配线83a、83b、一对背面端子84a、84b、第一内层配线85a、85b、第二内层配线86以外,具有散热端子88、第三内层配线89。
实施方式8的发光装置80在具有三个发光元件方面,并具有两个用于将三个发光元件串联连接的连接配线方面与实施方式2的发光装置20不同。
除此以外的结构与发光装置10、20实质相同。
利用上述结构,具有与发光装置10、20同样的效果。
尤其是,在绝缘体的背面侧具有散热端子,还具有与散热端子连接,并电气绝缘的第三内层配线,从而使从连接配线向第二内层配线传递的热通过这些第三内层配线以及散热端子,能够更容易地向背面侧释放,另外,能够抑制发光元件内的温度分布的偏离。
实施方式9
实施方式9的发光装置90如图9(a)~9(c)所示,具有基板97;配置在基板97上的第一发光元件1、第二发光元件2、第三发光元件3。第一发光元件1、第二发光元件2、第三发光元件3以串联连接被搭载。
基板97除了两层绝缘体层91a、91b的层叠体即绝缘体91、一对表面配线92a、92b、连接配线93a、93b、一对背面端子94a、94b,第一内层配线95a、95b、第二内层配线96a、96b以外,在具有第四内层配线99a、99b方面与实施方式7的发光装置70不同。
第四内层配线99a、99b在两层绝缘体层91a、91b中,埋入贯通位于背面侧的绝缘体层91b的孔。第四内层配线99a、99b分别与一对背面端子94a、94b接触,与第二内层配线96分离,埋设于绝缘体91。第四内层配线99a、99b在俯视时,在连接配线93a、93b的正下方,背面端子74a、74b的正上方,在第二内层配线96a、96b之间的各自位置以等间隔,例如4行1列配置。第四内层配线99为大致柱状体,上表面以及侧面与绝缘体91接触,下表面与背面端子94接触。
实施方式9的发光装置90在具有第四内层配线方面与实施方式7的发光装置70不同。
除此以外的结构与发光装置10、70实质相同。
尤其是,由于还具有与背面端子连接的第四内层配线,能够使从连接配线向第二内层配线传递的热通过这些第四内层配线,更容易向背面侧释放,另外,能够抑制发光元件内的温度分布的偏离。
实施方式10
实施方式10的发光装置10X如图10(a)~10(c)所示,具有基板17X、配置在基板17X上的第一发光元件1和第二发光元件2。第一发光元件1,第二发光元件2以串联连接被搭载。
基板17X具有:两层绝缘体层11Xa、11Xb的层叠体即绝缘体11X、邻接的一对表面配线12Xa、12Xb、邻接于这一对表面配线12Xa、12Xb的双方的连接配线13X、一对背面端子14Xa、14Xb,第一内层配线15Xa、15Xb、第二内层配线16Xa、16Xb。
实施方式10的发光装置10X在连接配线13X配置于一对表面配线12Xa、12Xb之间的方面与实施方式1的发光装置10不同。
在本实施方式中,一对表面配线12Xa、12Xb邻接配置,连接配线13X配置为与一对表面配线12Xa、12Xb的双方邻接。
第一内层配线15Xa、15Xb在俯视时,分别在表面配线12Xa、12Xb的正下方,背面端子14Xa、14Xb的正上方,以等间隔例如2行2列配置。
第二内层配线16Xa、16Xb在俯视时,在连接配线13X的正下方,背面端子14Xa、14Xb的正上方以等间隔例如2行4列配置。
除此以外的结构与发光装置10实质相同。
利用上述结构,具有与发光装置10同样的效果。
实施方式11
实施方式11的发光装置10Y如图11(a)~11(c)所示,具有基板17Y、配置在基板17Y上的第一发光元件和第二发光元件。第一发光元件1,第二发光元件2以串联连接被搭载。
基板17Y除了两层绝缘体层11Ya、11Yb的层叠体即绝缘体11Y、邻接的一对表面配线12Ya、12Yb、连接配线13Y、一对背面端子14Ya、14Yb,第一内层配线15Ya、15Yb、第二内层配线16Ya、16Yb以外,在具有散热端子18方面与实施方式10的发光装置10X不同。
散热端子18在绝缘体11b的背面,与邻接配置的一对背面端子14Ya、14Yb的双方邻接配置。
第二内层配线16Ya、16Yb在俯视时,与散热端子18重合配置。
连接配线13Y在俯视时,与散热端子18重合配置。
除此以外的结构,与发光装置10、10X实质相同。
利用上述结构,具有与发光装置10同样的效果。
尤其是,由于在绝缘体的背面侧具有散热端子,能够使从连接配线向第二内层配线传递的热通过散热端子,更容易地向背面侧释放,能够获得更均匀的散热性。
实施方式12
该实施方式的发光装置100如图12(a)~12(b)所示,具有上述发光装置10、荧光体层101、光反射层102。
从发光元件1向发光元件2的上表面配置有荧光体层(例如含有YAG类的荧光体粒子的层)101。
在第一发光元件1,第二发光元件2的侧面以及基板17的上表面,荧光体层101的侧面,配置有含有SiO2的粒子的光反射层102。
这样,发光装置能够使在发光元件内的散热效果的偏离缓和。利用更均匀的散热性,能够使发光元件整体的散热效果提高,成为能够防止热导致的发光元件的劣化的、高可靠性以及高品质的发光装置。
实施方式13
实施方式13的发光装置110如图13(a)~13(c)所示,至少具有基板117;配置在基板117上的第一发光元件1、第二发光元件2。第一发光元件1,第二发光元件2以串联连接被搭载。
基板117具有:两层绝缘体层111a、111b的层叠体即绝缘体111、一对表面配线112a、112b、连接配线113、一对背面端子114a、114b,第一内层配线115a、115b、第二内层配线116。
实施方式13的发光装置110中,在俯视时,连接配线113与第一发光元件1重合的面积和第二发光元件2与连接配线113重合的面积不同。即,第二发光元件2与连接配线113重合的面积一方比第一发光元件1与连接配线113重合的面积大。因此,分别配置在第一发光元件1与第二发光元件2的正下方的第一内层配线115a、115b的数量不同。即,在第一发光元件1正下方配置有四个第一内层配线115a,在第二发光元件2正下方配置有两个第一内层配线115b。进一步地,分别配置在第一发光元件1与第二发光元件2的正下方的第二内层配线116的数量不同。即,在第一发光元件1正下方配置有两个第二内层配线116,在第二发光元件2正下方配置有四个第二内层配线116。除此以外的结构与发光装置10实质相同。
利用上述结构,具有与发光装置10同样的效果。
尤其是,在俯视时,通过将在与连接配线113重合的面积大的第二发光元件2的正下方配置的第二内层配线116配置为,比在与连接配线113重合的面积比第二发光元件2小的第一发光元件1的正下方配置的第二内层配线116的数量多,能够更有效地使第二内层配线116引导从大量配置这些第二内层配线的发光元件产生的热。
工业实用性
本发明的发光装置能够用于显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背光光源、投影仪装置(特别是移动投影仪装置)、激光显示器、车载用光源等。
附图标记说明
1、2、3:发光元件
10、10X,10Y,20、30、40、50、60、70、80、90、100、110:发光装置
11、11X,11Y,21、31、41、51、61、71、81、91、111:绝缘体
11a、11b、11Xa、11Xb、11Ya、11Yb、21a、21b、31a、31b、31c、41a、41b、41c、51a、51b、51c、61a、61b、71a、71b、81a、81b、91a、91b、111a、111b:绝缘体层
12、12a、12b、12Xa、12Xb、12Ya、12Yb、22a、22b、32a、32b、42a、42b、52a、52b、62a、62b、72a、72b、82a、82b、92a、92b、112a、112b:表面配线
13、13X,13Y,23、33、43、53、63、73、83a、83b、93a、93b、113:连接配线
14、14a、14b、14Xa、14Xb、14Ya、14Yb、24a、24b、34a、34b、44a、44b、54a、54b、64a、64b、74a、74b、84a、84b、94a、94b、114a、114b:背面端子
15、15a、15b、15Xa、15Xb、15Ya、15Yb、25a、25b、35a、35b、45a、45b、55a、55b、65a、65b、75a、75b、85a、85b、95a、95b、115a、115b:第一内层配线
16、16Xa、16Xb、16Ya、16Yb、26、36、46、56、66、76、86、96、116:第二内层配线
17、17X,17Y,27、37、47、57、67、77、87、97、117:基板
28、38、48、58、88:散热端子
29、39、39a、39b、49、59、89:第三内层配线
99a、99b:第四内层配线
101:荧光体层
102:光反射层
Claims (10)
1.一种发光装置,其特征在于,具有:
基板、第一发光元件、第二发光元件,
所述基板包括:
具有表面以及背面的绝缘体;
配置在所述绝缘体的表面的一对表面配线;
配置在所述绝缘体的表面,与所述表面配线分离的连接配线;
配置在所述绝缘体的背面的一对背面端子;
贯通所述绝缘体,将所述表面配线与所述背面端子电连接的第一内层配线;
与所述连接配线接触,并且与所述背面端子分离,埋设于所述绝缘体的一个以上的第二内层配线;
所述第一发光元件跨过所述一对表面配线的一方与所述连接配线配置,
所述第二发光元件跨过所述一对表面配线的另一方与所述连接配线配置。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述第二内层配线在俯视时与所述第一发光元件以及所述第二发光元件重合配置。
3.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述第一内层配线在俯视时与所述第一发光元件以及所述第二发光元件重合配置。
4.如权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第二内层配线在俯视时与所述背面端子重合配置。
5.如权利要求1~4中任一项所述的发光装置,其特征在于,
还具有配置于所述绝缘体的背面,与所述背面端子以及所述第二内层配线分离的散热端子,
所述第二内层配线在俯视时与所述散热端子重合配置。
6.如权利要求5所述的发光装置,其特征在于,
还具有与所述散热端子接触,与所述第二内层配线分离,埋设于所述绝缘体的第三内层配线。
7.如权利要求1~6中任一项所述的发光装置,其特征在于,
具有多个所述连接配线,
还具有跨过邻接的两个连接配线配置的一个以上的发光元件,
分别与所述两个连接配线接触的第二内层配线在俯视时与所述发光元件重合配置。
8.如权利要求1~7中任一项所述的发光装置,其特征在于,
具有与所述背面端子接触,与所述第二内层配线分离,埋设于所述绝缘体的第四内层配线。
9.如权利要求1~8中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述绝缘体为陶瓷的层叠体。
10.如权利要求1~9中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述表面配线、连接配线、第一内层配线、背面端子以及/或第二内层配线由铜或铜合金构成。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016161820 | 2016-08-22 | ||
JP2016-161820 | 2016-08-22 | ||
JP2017-103517 | 2017-05-25 | ||
JP2017103517A JP6982232B2 (ja) | 2016-08-22 | 2017-05-25 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107768360A true CN107768360A (zh) | 2018-03-06 |
CN107768360B CN107768360B (zh) | 2023-05-02 |
Family
ID=59683449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710722734.4A Active CN107768360B (zh) | 2016-08-22 | 2017-08-22 | 发光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10283688B2 (zh) |
EP (1) | EP3288078B1 (zh) |
CN (1) | CN107768360B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11227985B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-01-18 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP7307874B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-07-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191045A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 配線基板 |
US20080291688A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting device module |
JP2011181576A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置 |
CN102308395A (zh) * | 2009-02-10 | 2012-01-04 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光装置 |
CN104393161A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-04 | 江阴长电先进封装有限公司 | 一种半导体器件的圆片级封装结构 |
US20150060920A1 (en) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring Substrate and Light Emitting Device |
US20150116965A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Qualcomm Incorporated | Embedded bridge structure in a substrate |
CN104752585A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 日亚化学工业株式会社 | 集合基板、发光装置及发光元件的检查方法 |
CN104779225A (zh) * | 2014-01-14 | 2015-07-15 | 新光电气工业株式会社 | 配线基板及其制造方法、以及半导体封装 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03159040A (ja) | 1989-11-17 | 1991-07-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 陰極線表示装置用陰極構体 |
JP2002190672A (ja) | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Hitachi Metals Ltd | ビルドアップコア基板、ビルドアップ配線基板、及びその製造方法 |
JP4057843B2 (ja) | 2002-05-28 | 2008-03-05 | 京セラ株式会社 | 多層回路基板 |
KR100593937B1 (ko) | 2005-03-30 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | Si기판을 이용한 LED 패키지 및 그 제조방법 |
KR101491138B1 (ko) * | 2007-12-12 | 2015-02-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈 |
US8796706B2 (en) * | 2009-07-03 | 2014-08-05 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package |
US8410371B2 (en) | 2009-09-08 | 2013-04-02 | Cree, Inc. | Electronic device submounts with thermally conductive vias and light emitting devices including the same |
JP3159040U (ja) | 2010-02-09 | 2010-05-06 | 有限会社ディアックス | カーボンナノチューブ放熱板 |
JP2012151188A (ja) | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Alps Electric Co Ltd | 多層配線基板 |
JP5770006B2 (ja) | 2011-04-15 | 2015-08-26 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
JP6230777B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2017-11-15 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、配線基板の製造方法、及び発光装置 |
CN104603932A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-05-06 | 松下知识产权经营株式会社 | 电子部件封装件及其制造方法 |
JP6102408B2 (ja) | 2013-03-27 | 2017-03-29 | 豊田合成株式会社 | 発光装置、及びその製造方法 |
US9595494B2 (en) | 2015-05-04 | 2017-03-14 | Qualcomm Incorporated | Semiconductor package with high density die to die connection and method of making the same |
-
2017
- 2017-08-18 US US15/680,984 patent/US10283688B2/en active Active
- 2017-08-21 EP EP17187037.1A patent/EP3288078B1/en active Active
- 2017-08-22 CN CN201710722734.4A patent/CN107768360B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191045A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 配線基板 |
US20080291688A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting device module |
CN102308395A (zh) * | 2009-02-10 | 2012-01-04 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光装置 |
JP2011181576A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置 |
US20150060920A1 (en) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring Substrate and Light Emitting Device |
US20150116965A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Qualcomm Incorporated | Embedded bridge structure in a substrate |
CN104752585A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 日亚化学工业株式会社 | 集合基板、发光装置及发光元件的检查方法 |
CN104779225A (zh) * | 2014-01-14 | 2015-07-15 | 新光电气工业株式会社 | 配线基板及其制造方法、以及半导体封装 |
CN104393161A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-04 | 江阴长电先进封装有限公司 | 一种半导体器件的圆片级封装结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10283688B2 (en) | 2019-05-07 |
EP3288078A1 (en) | 2018-02-28 |
CN107768360B (zh) | 2023-05-02 |
US20180053886A1 (en) | 2018-02-22 |
EP3288078B1 (en) | 2019-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7855389B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
EP1769541B1 (en) | Semiconductor light-emitting device, lighting module, lighting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device | |
KR101974354B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
US10069054B2 (en) | Wiring substrate and light emitting device | |
WO2010146783A1 (ja) | 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置 | |
US11508701B2 (en) | Light emitting device | |
CN104752585A (zh) | 集合基板、发光装置及发光元件的检查方法 | |
US8476667B2 (en) | Optoelectronic component | |
CN102148318B (zh) | 发光器件封装及其制造方法、以及照明系统 | |
JP2018163944A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
US9059381B2 (en) | Light emitting device having wavelength converting layer and method of fabricating the same | |
CN108417686A (zh) | 发光装置 | |
CN107768360A (zh) | 发光装置 | |
CN102047451B (zh) | 具有氮化镓基薄层半导体器件的led元件 | |
US20100065874A1 (en) | Light emitting device | |
JP4146450B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6982232B2 (ja) | 発光装置 | |
US11811009B2 (en) | Light emitting device with wiring enclosed by ceramic substrate | |
US11043475B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
JP5157357B2 (ja) | 発光装置用パッケージの集合構造体およびその製造方法、ならびに発光装置の製造方法 | |
JP2006253673A (ja) | 半導体発光素子及び発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |