KR101491138B1 - 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 예는 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 다이오드 모듈은 기판; 상기 기판의 제 1전극 패턴 및 제 2전극패턴에 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩; 상기 기판의 제 1전극패턴 및 제 2전극패턴 중 적어도 한 패턴과 연결된 비 전도성의 방열 비아를 포함한다.
LED, 모듈, 다층 기판, 방열 비아

Description

다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈{MULTI-LAYER BOARD AND LIGHT EMITTING DIODE MODULE HAVING THEREOF}
본 발명의 실시 예는 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈에 관한 것이다.
일반적으로 사용되고 있는 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube), 전계 광학적인 효과를 이용한 액정표시장치(Liquid Crystal Display :LCD), 가스방전을 이용한 플라즈마 표시소자(PDP : Plasma Display Panel) 및 전계 발광 효과를 이용한 EL 표시소자(ELD : Electro Luminescence Display) 등이 있으며, 그 중에서 액정표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이러한 액정표시장치는 최근에는 평판 표시장치로서의 역할을 충분히 수행할 수 있을 정도로 개발되어 랩탑형 컴퓨터의 모니터뿐만 아니라, 데스크탑형 컴퓨터의 모니터 및 대형 정보 표시장치등에 사용되고 있어 액정표시장치의 수요는 계속적으로 증가되고 있는 실정이다.
이와 같은 액정표시장치의 대부분은 외부에서 들어오는 광의 양을 조절하여 화상을 표시하는 수광성 장치이기 때문에 LCD 패널에 광을 조사하기 위한 별도의 광원 즉, 백라이트 유닛(Back Light Unit)이 반드시 필요하다.
최근에, 액정표시장치의 광원으로는 발광 다이오드를 이용하고 있으며, 다수개의 발광 다이오드는 모듈 기판에 배치되어, 에지 방식과 직하 방식으로 이용되고 있다.
본 발명의 실시 예는 비 전도성의 방열 비아를 갖는 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 다이오드 모듈은 기판; 상기 기판의 제 1전극 패턴 및 제 2전극패턴에 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩; 상기 기판의 제 1전극패턴 및 제 2전극패턴 중 적어도 한 패턴과 연결된 비 전도성의 방열 비아를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 다층 기판은 전극 패턴이 형성된 동박층; 상기 동박층 사이에 개재된 수지층; 상기 동박층의 전극패턴과 다른 동박층에 쓰루 홀 형태로 형성된 비 전도성의 방열 비아를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 다층 기판에 비 전도성의 방열 비아를 형성시켜 줌으로써, 회로 설계를 자유롭게 할 수 있으며, 효과적인 방열을 수행할 수 있다.
또한 발광 다이오드 칩에 의해 발생된 열을 방열 비아를 통해 기판 하부로 효과적으로 방열할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 발광 다이오드 모듈의 측 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 모듈(100)은 방열 비아(130,135)를 갖는 다층 기판(110), 발광 다이오드 칩(140)을 포함한다.
상기 다층 기판(110)은 수지층(111)과, 상기 수지층(111) 위/아래에 형성된 상부 동박층(112)과 하부 동박층(113)을 포함한다. 상기 상부 동박층(112)은 회로 패턴의 설계에 따라 제 1전극 패턴(112A)과 제 2전극 패턴(112B)로 구분될 수 있으며, 상기 하부 동박층(113)은 전극 구조로 이용될 수 있다. 또한 상기 동박층(112,113) 위에는 도금 공정을 통해 도금층이 더 형성될 수도 있으며, 이러한 동박층 위의 형성 물질에 대해 한정하지는 않는다.
상기 다층 기판(110)은 다수의 동박층(112,113)으로 이루어진 기판으로서, 예컨대, HTCC(High temperature co-fired ceramic) 혹은 LTCC(Low temperature co-fired ceramic)와 같은 세라믹 기판, 실리콘 기판, FR-4(FLAME RETARDANT-4) 기판 등을 포함하며, 이러한 기판 종류로 한정하지는 않는다.
상기 다층 기판(110)에는 적어도 하나의 방열 비아(130,135)를 포함한다. 상기 방열 비아(130,135)는 적어도 한 전극패턴(112A,112B)에 쓰루 홀 형태로 다수개가 배치될 수도 있다.
상기 다층 기판(110)은 상부 동박패턴(112A,112B)과 하부 동박층(113) 사이에 관통되는 비 전도성 비아 구조로서, 홀(131)과 상기 홀(131)에 충진된 전열체(132)로 이루어진다. 상기 홀(131)은 드릴 등으로 형성되며, 상기 전열체(132)는 비 전도성 특성을 갖고 열을 전달하는 수단으로서, 비 전도성 물질과 열 전도율이 좋은 물질이 혼합된 혼합물로 이루어질 수 있다. 상기 전열체(132)는 열 그리 스(Thermal grease) 또는 열 페이스트(Thermal past)와 같은 고분자 물질에 질화 알루미늄, 실리카, 알루미나, 금속 규소, 질화 붕소, 산화 아연 분막 등과 같은 열 전도율이 좋은 필러(filler)를 혼합한 물질로 이루어진다.
상기 제 1전극 패턴(112A)에는 발광 다이오드 칩(140)이 전도성 접착제에 의해 접착되고, 와이어(142)로 제 2전극 패턴(112B)에 연결된다. 이때 발광 다이오드 칩(140)의 제 1전극은 제 1전극 패턴(112A)에 연결되고, 제 2전극은 제 2전극 패턴(112B)에 연결된 구조이다.
이러한 발광 다이오드 칩(140)은 두 전극이 수직형으로 형성되며, 다수개가 다층 기판 위에 어레이 형태로 배치될 수도 있다.
이때 다층 기판(110)의 방열 비아(130,135)는 제 1전극 패턴(112A)과 제 2전극 패턴(112B)을 통해 발생되는 열을 하부 동박층(113)으로 전도하여 방열하게 된다. 이때 방열 비아(130,135)는 상기 제 1전극 패턴(112A)과 제 2전극 패턴(112B)을 동일한 하부 동박층(113)을 통해 방열하는 구조로서, 비 전도성이기 때문에 폐 회로의 문제가 발생되지 않게 된다.
또한 방열 비아(130)의 표면에 직접 발광 다이오드 칩(140)이 접착됨으로써, 발광 다이오드 칩(140)에서 발생되는 열을 최단 경로의 방열 비아(130)를 통해 하부 동박층(113)으로 방열시켜 줄 수 있다.
도 2는 제 2실시 예에 따른 발광 다이오드 모듈의 측 단면도이다. 이러한 제 2실시 예를 설명함에 있어서, 제 1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 2를 참조하면, 발광 다이오드 모듈(100A)의 다층 기판(110A)은 3층 이상의 동박층(112,113,114)과 그 사이에 수지층(111A,111B)이 적층된 구조이다.
상기 다층 기판(110A)의 상부 동박층(112)은 제 1 및 제 2전극 패턴(112A,112B)이 형성되며, 제 1 및 제 2전극 패턴(112A,112B)에는 발광 다이오드 칩(140A)이 와이어(142)로 각각 연결된다. 여기서, 발광 다이오드 칩(140A)은 전극이 수평 구조로 배치되어, 2개의 와이어(142)로 각 전극 패턴(112A,112B)에 연결된다. 실시 예에서는 수평 LED 칩(140A)이나 수직 LED 칩의 종류나 칩 개수 등에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제 1전극 패턴(112A)은 내부 동박층(114)과 비아 홀(115)로 연결됨으로써, 1차적으로 비아 홀(115)을 통해 열 전도를 수행하게 된다. 이때 비아 홀(115)은 전기 전도성 및 열 전도성이 좋은 금속 재질로 채워지며, 이러한 비아 홀, 비아, 쓰루 홀과 그 내부에 채워지는 금속 재질에 대해 한정하지는 않는다.
상기 내부 동박층(114)은 하부 동박층(113)에 방열 비아(130) 및 비아 홀(116)을 통해 연결된다. 여기서, 상기 내부 동박층(114)에서 하부 동박층(113)으로 방열하는 2차 방열 구조를 방열 비아(130)만 이용하거나, 방열 비아(130)와 비아 홀(116)의 혼합 구조로 이용할 수 있다. 또한 1차 방열 구조를 방열 비아 또는/및 비아 홀(116)을 이용한 구조로 이용할 수도 있다.
그리고 상부의 제 1 및 제 2전극 패턴(112A,112B)은 비아 홀(115,116)과 내부 동박층(114)을 거쳐 하부 동박층(113)의 제 1 및 제 2외부 전극(113A,113B)을 이용하여 외부에 연결될 수도 있다.
이러한 다층 기판(110A)은 다층 구조로 설계하고, 방열 비아(130)를 선택적으로 이용하여 방열을 효과적으로 수행할 수 있고, 방열 비아(130)의 형성 위치에 관계없이 회로 설계를 자유롭게 할 수 있다.
실시 예는 발광 다이오드를 탑재하는 다층 기판을 모듈화하는 구조로 설명하였으나, 방열 비아를 갖는 다층 기판 위에 다른 칩 부품(예: 메모리, IC 칩)을 적용하더라도, 효과적으로 방열할 수도 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 발광 다이오드 모듈을 나타낸 측 단면도.
도 2는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 발광 다이오드 모듈을 나타낸 측 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100,100A : 발광 다이오드 모듈 110,110A : 다층 기판
111,111A,111B : 수지층 112,113,114 : 동박층
115,116 : 비아 홀 112A,112B : 전극 패턴
130,135 : 방열 비아 131 : 홀
132 : 전열체

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판의 제1 면 상에 배치되고 서로 이격된 제1 및 제2 전극 패턴을 포함하는 제1 동박층;
    상기 기판의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면 상에 배치되는 제2 동박층;
    상기 제1 전극 패턴 상에 배치되는 발광 다이오드 칩; 및
    상기 제1 전극 패턴과 상기 제2 동박층 사이의 상기 기판에 형성되는 적어도 하나의 제1 비아를 포함하고,
    상기 발광 다이오드 칩의 하면은 상기 제1 전극 패턴의 상면과 면접촉하고 전기적으로 연결되고,
    상기 적어도 하나의 제1 비아는 상기 제1 동박층과 상기 제2 동박층을 관통하고, 상기 발광 다이오드 칩과 직접 연결되는 발광 다이오드 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩이 배치되는 전극 패턴의 면적은 적어도 상기 발광 다이오드 칩의 하면의 면적보다 큰 발광 다이오드 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 패턴은 상기 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 발광 다이오드 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 비아는 제1 전극 패턴 및 상기 제2 동박층 각각과 접촉하는 발광 다이오드 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 패턴과 상기 제2 동박층 사이의 상기 기판에 형성되는 제2 비아를 더 포함하고,
    상기 제2 비아는 상기 제1 동박층과 상기 제2 동박층을 관통하는 발광 다이오드 모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 비아 중 적어도 하나의 비아는 금속을 포함하고,
    상기 제1 전극 패턴과 연결되는 제1 비아의 수는 상기 제2 전극 패턴과 연결되는 제2 비아의 수보다 많은 발광 다이오드 모듈.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 비아 중 적어도 하나의 비아는 비 전도성 고분자 물질 및 열 전도성 필러를 포함하는 발광 다이오드 모듈.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 제1 전극을 포함하는 하부와 제2 전극을 포함하는 상부를 포함하고,
    상기 제1 전극의 하면은 상기 제1 전극 패턴과 면접촉하고,
    상기 제2 전극의 상면은 상기 제2 전극 패턴과 전기적으로 연결되는 발광 다이오드 모듈.
  10. 다수의 동박층;
    상기 다수의 동박층 사이에 배치되는 다수의 기판; 및
    상기 다수의 기판에 형성되는 다수의 비아를 포함하고,
    상기 다수의 비아는 전도성 비아 및 비 전도성 비아를 포함하고,
    상기 다수의 기판 중 최상의 기판의 상면에 배치되는 동박층은 서로 이격된 제1 및 제2 전극 패턴을 포함하고,
    상기 제1 전극 패턴 상에 배치되는 발광 다이오드 칩을 더 포함하고,
    상기 발광 다이오드 칩의 하면은 상기 제1 전극 패턴의 상면과 면접촉하고 전기적으로 연결되고,
    상기 다수의 비아는 상기 다수의 동박층을 관통하고, 상기 발광 다이오드 칩과 직접 연결되는 발광 다이오드 모듈.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩이 배치되는 전극 패턴의 면적은 적어도 상기 발광 다이오드 칩의 하면의 면적보다 큰 발광 다이오드 모듈.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 전극 패턴은 상기 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 발광 다이오드 모듈.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 비아는 인접하는 동박층과 접촉하는 발광 다이오드 모듈.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 전도성 비아는 금속을 포함하는 발광 다이오드 모듈.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 비 전도성 비아는 비 전도성 고분자 물질 및 열 전도성 필러를 포함하는 발광 다이오드 모듈.
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