JP4992532B2 - 放熱基板及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、PDP(プラズマディスプレイパネル)や車載用の電源回路等の作成、あるいは液晶テレビのバックライト(例えば高輝度の発光ダイオードの高密度実装)に用いられる放熱基板及びその製造方法に関するものである。
従来、PDPや車載用の電源等に使われる回路基板には、大電流、高放熱が要求されてきた。
図7(A)(B)は、共に従来の張り合わせによる放熱基板の断面図である。図7は従来の回路基板(いわゆるプリント配線板)を用いて、放熱性を高めた例に相当する。図7(A)は張り合わせる前、図7(B)は張り合わせた後である。図7(A)において、ガラスエポキシ樹脂等からなる基材2の表面には銅箔1がパターン状に形成されている。またスルーホール3の内壁にも銅箔1がめっき等の手法で形成されている。そしてこうした基板は、矢印7aが示すように、接着剤や放熱グリース等の樹脂5を介して金属板6に貼り付ける。図7(B)において、銅箔1が形成された基材2は、樹脂5によって金属板6に固定されている。そして銅箔1の表面には、半田8によって電子部品9が実装されている。そして電子部品9に発生した熱は、矢印7bが示すように、半田8から、基材2や樹脂5を介して金属板6に放熱される。しかし、こうした従来の張り合わせによる放熱基板では、基材2の熱伝導率が低いため、放熱効果が低かった。こうした課題に対して、基材2を省略する手法が、特許文献1等で提案されている。
図8(A)(B)は、共に従来の放熱基板の断面図である。図8(A)は放熱基板の断面図、図8(B)は部品実装跡の断面図である。図8(A)において、金属板6の表面には、樹脂5を介して所定パターンに形成された銅箔1が形成されている。図8(B)において、銅箔1の上には、半田8を介して電子部品9が実装されている。そして、電子部品9に発生した熱は、半田8や銅箔1から、樹脂5を介して、矢印7bに示すようにして、放熱用の金属板6に伝わる。
しかし、こうした銅箔1を用いた放熱基板は、高密度実装に対応できるが、放熱性を高めるには、樹脂5の厚みをより一層、薄くする必要がある。一方、樹脂5の厚みが薄くなった場合、樹脂5にピンホールが発生し、耐電圧特性に影響を与える場合がある。
特開平05−283831号公報
しかしながら、前記従来の構成では、銅箔から構成した配線パターンを用いた場合、微細化した配線パターンでは許容電流が低下してしまう課題を有していた。そのため許容電流を増加させるには配線パターンを微細化できなかった。
本発明では、上記の課題を解決するために、微細配線しながらも高放熱化や大電流対応が可能な放熱基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、無機フィラーが70重量%以上95重量%以下、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下である伝熱樹脂部と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部に埋め込まれたリードフレームと、からなる放熱部と、前記放熱部の上に絶縁樹脂部で固定したプリント基板部と、前記リードフレームと前記プリント基板部とを電気的に接続する低融点金属部と、からなる放熱基板である。
このような構成により、高密度実装と放熱が同時に要求される電子部品は、ファインパターン化が容易なプリント基板部に実装され、電子部品に発生した熱は、低融点金属部分を介して、リードフレームや伝熱樹脂部で放熱することになる。
更に電子部品への配線の一部をリードフレームとすることで、プリント配線板では対応できなかったような大電流(例えば1Aを超える。あるいは10A以上の大電流)にも対応させられる。
本発明の放熱基板及びその製造方法によって、各種電子部品の高密度実装と高放熱化の要求を満たすことができ、更に従来の銅箔パターンでは対応できなかった大電流化にも対応できる。
(実施の形態)
実施の形態として、本発明の放熱基板について図1を用いて説明する。図1は、実施の形態における放熱基板の斜視図及び断面図である。図1は、伝熱樹脂部と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部に埋め込まれたリードフレームと、からなる放熱部の上に、絶縁樹脂を用いてプリント基板部を固定し、更に前記リードフレームと前記プリント基板部とを電気的に接続する低融点金属部を有する放熱基板の一例を示すものである。
図1において、100は銅箔、110はスルーホール、120は銅めっき部、130は基材である。例えばガラスエポキシ樹脂等からなる基材130に形成されたスルーホール110の付近及び内壁には銅めっき部120を形成する。なお基材130には、スルーホール110(スルーホールは中身が空洞の層間接続部)やフィルドビア(フィルドビアは中身が銅やペースト等で詰まったスルーホールである。なお図1においてフィルドビアは図示していない)が形成されている。また基材130の少なくとも一面以上(あるいは1表面以上)、あるいはその内層に、銅箔100からなるパターンを1層以上形成している。そしてこうした部分がプリント配線板部分(詳細は図2等で後述する)を構成する。
また図1において、140は絶縁樹脂部、150はリードフレーム、160は伝熱樹脂部、170は低融点金属部である。そしてリードフレーム150は、伝熱樹脂部160に埋め込まれている。そしてリードフレーム150が埋め込まれた伝熱樹脂部160の表面に、前記基材130が、絶縁樹脂部140を一種の接着剤として貼り付ける。そして前記リードフレーム150の上に形成された、銅めっきされたスルーホール110の中に、低融点金属部170を充填することで、リードフレーム150と、スルーホール110や銅めっき部120、あるいは銅箔100と電気的に接続させる。そしてこうした部分が、放熱部(詳細は後述する図3や図4等で説明する)を構成する。
図1(A)に示すように、伝熱樹脂部160に、リードフレーム150を埋め込む。そして基材130上に形成した銅箔100は、絶縁樹脂部140によって、リードフレーム150から絶縁する。そして絶縁樹脂部140によって、基材130に固定された銅箔100や、基材130をリードフレーム150や伝熱樹脂部160に固定する。なお図1(A)には、スルーホール110や銅めっき部120を説明するために、低融点金属部170は図示していない。
図1(B)において、スルーホール110の側面やその付近に形成した銅めっき部120を利用して、低融点金属部170をスルーホール110の中に充填している。そして低融点金属部170は、リードフレーム150を濡らす。こうすることでリードフレーム150と銅めっき部120、あるいは銅箔100が電気的に接続する。なお銅めっき部120の一部を、銅箔100に重ねるように形成することで、実質的に同一の導体とできる。
なお低融点金属部170としては、例えば半田(鉛フリー半田を含む)を用いることができる。なお図1等に示すスルーホール110は、その内部に空間があるが、内部が詰まったフィルドビアと呼ばれるスルーホール110もスルーホール110の一形態とする。ここでフィルドビアとは、スルーホール110の内部が導電性ペーストやめっき銅で埋められたものであって、スルーホール110のバリエーションの一つである。なおフィルドビアの場合、低融点金属部170を、スルーホール110の内部に充填するのではなく、その下部(例えばフィルドビアとリードフレーム150の隙間部分)に充填することで、放熱効果(詳細は後述する図4(B)等で説明する)が得られる。またフィルドビアとすることで、スルーホール110を一種のサーマルビア(熱伝導用を目的としたスルーホール110の一形態)とすることもできる。
なお絶縁樹脂部140としては、接着剤(例えば熱硬化型のエポキシ樹脂)を用いることができる。あるいはプリント配線板の部材となるプリプレグ(例えば半硬化状態にある樹脂フィルム材料)、あるいは伝熱樹脂部160そのもの、あるいは伝熱樹脂部160を構成する樹脂成分を用いることができる。
なお絶縁樹脂部140の厚みは、0.05mm以上0.5mm以下(望ましくは0.3mm以下)が望ましい。厚みが0.05mm以下の場合、放熱部200やプリント基板部190の表面の凹凸(この凹凸は例えば銅箔100やソルダーレジストによって発生する。なおソルダーレジストは図示していない)の影響を吸収できない場合がある。またその厚みが0.5mmを超えると、低融点金属部170の厚みを厚くする必要があり、その分、配線抵抗や熱伝導に影響を与える場合がある。
なお図1(A)(B)において、伝熱樹脂部160の裏面側(基材130やスルーホール110からなるプリント配線板を形成していない側)に放熱用の金属板や放熱フィン(共に図示していない)を形成することで、伝熱樹脂部160の放熱性を高められる。
次に、図2を用いて、伝熱樹脂部160に埋め込まれたリードフレーム150について説明する。
図2は、実施の形態における放熱基板の内部構造を示す斜視図である。図2において、180は矢印である。図2において、基材130の少なくとも片面以上には、銅箔100からなるファインパターンが形成されている。そしてこの銅箔100の一部は、スルーホール110付近に形成された銅めっき部120と一体化している。図2より、リードフレーム150は1個の板状のものではなく、複雑な所定形状に加工されたものである。このように、リードフレーム150は、一種の回路パターンとしてプレス加工等で成型(あるいは打ち抜き)したものである。そしてこのリードフレーム150を、伝熱樹脂部160(図2において、伝熱樹脂部160は図示していない)に埋め込むことで、パターン状に加工したリードフレーム150を互いに絶縁した状態で、互いに熱伝導できるようにする。そしてリードフレーム150を伝熱樹脂部160に埋め込む(あるいはリードフレーム150の一面だけが伝熱樹脂部160から露出するようにする)。そして伝熱樹脂部160から露出したリードフレーム150の上に、スルーホール110に充填された低融点金属部170を接続する。なお図2における矢印180は、スルーホール110や銅箔100の形成された基材130と、予め所定形状に加工されたリードフレーム150と、が伝熱樹脂部160(伝熱樹脂部160は図示していない)や絶縁樹脂部140によって一体化する様子を示す。次に図3を用いて、放熱基板の製造方法の一例について説明する。
図3(A)〜(C)は、共に放熱基板の製造方法の一例を示す断面図である。図3において、190はプリント基板部、200は放熱部である。図3(A)に示すように、プリント基板部190は、スルーホール110の形成された基材130と、その表面に形成された銅箔100や銅めっき部120等から形成されている。そしてプリント基板部190の銅箔100を覆うようにして、絶縁樹脂部140が形成されている。また放熱部200は、所定形状に加工された複数のリードフレーム150が、伝熱樹脂部160の中に埋め込んだものである。そして、図3(A)の矢印180に示すように、プリント基板部190と放熱部200とを一体化する。
図3(B)は、プリント基板部190と放熱部200が一体化された後の断面図である。図3(B)において、絶縁樹脂部140は、一種の接着層となって、放熱部200とプリント基板部190を固定している。更に絶縁樹脂部140は、リードフレーム150と、銅箔100の間を絶縁する絶縁層の役割を有する。またスルーホール110の下部に、リードフレーム150が来るように、互いのパターン設計や位置合わせを行う。
なお、プリント基板部190と、放熱部200の隙間は0.5mm以下(望ましくは0.3mm以下、更に望ましくは0.1mm以下、更には0.05mm以下)が望ましい。0.5mmより厚い場合は、放熱効果に影響を与える可能性がある。またこの厚みは、プリント基板部190と放熱部200を固定する絶縁樹脂部140の厚みに相当する。この厚みは薄いほど、低融点金属部170を介した放熱効果は高いが、薄くなりすぎると、銅箔100とリードフレーム150の絶縁性に影響を与える可能性がある。そのため絶縁樹脂部140の厚みは5ミクロン以上(可能なれば10ミクロン以上)が望ましい。
また銅箔100の厚みは、0.01mm以上0.10mm以下、リードフレーム150の厚みは0.15mm以上1.00mm以下が望ましい。銅箔100の厚みが0.01mm未満の場合、特殊で高価となる。また銅箔100の厚みが0.10mmを超えると、ファインパターン化が難しい。またリードフレーム150の厚みが0.15mm未満の場合、取り扱いが難しい。またリードフレーム150の厚みが1.00mmを超えると、加工性に影響が出る。
またリードフレーム150の伝熱樹脂部160からの露出面と、前記伝熱樹脂部160の表面は、互いに±50ミクロン以内(望ましくは±30ミクロン以下、更には±20ミクロン以下)の同一平面上であることが望ましい。リードフレーム150と伝熱樹脂部160の表面の高さ(あるいはツラの高さ)が50ミクロンより大きい場合、絶縁樹脂部140による接続に影響を与える場合がある。またその厚みバラツキ分だけ絶縁樹脂部140が厚くなってしまうため、放熱性(あるいはスルーホールを通じた熱伝導)に影響を与える可能性がある。あるいはリードフレーム150や銅箔100の上に形成するソルダーレジストの薄層化にも影響を与える可能性がある。
図3(C)は、スルーホール110に低融点金属部170を充填した後の断面図である。図3(C)において、低融点金属部170としては、融点200℃以上400℃以下が望ましく、例えば一般の半田(高融点半田、鉛フリー半田も含む)を使うこともできる。ここで融点が200℃未満の場合、半田リフローに対応できない可能性がある。また融点が400℃を超えると、各種樹脂に影響を与える。こうして、スルーホール110の内壁に形成された銅めっき部120や銅箔100と、リードフレーム150とを低融点金属部170で接続する。このように低融点金属部170を用いることで、プリント基板部190と放熱部200を固定できる。例えば、絶縁樹脂部140として接着力に欠けるソルダーレジスト等を用いたとしても、低融点金属部170だけで、プリント基板部190と放熱部200を固定できる。
あるいは事前に用意したプリント基板部190と、事前に用意した放熱部200を、低融点金属部170によって固定すると同時に電気的にも接続できる。放熱部200とプリント基板部190の固定には、低融点金属部170と絶縁樹脂部140の両方を接着層とすることで、更に接合強度を高められる。低融点金属部170の量を多くすることで、図3(C)に示すように、低融点金属部170を、スルーホール110の上に凸状に盛り上げても良い。次に図4を用いて、放熱基板に部品実装する様子を説明する。
図4(A)(B)は、共に放熱基板に部品実装する様子を示す断面図である。図4(A)は部品実装する前の断面図、図4(B)は部品実装した後の断面図に相当する。図4において、210は電子部品であり、例えば放熱が要求されるパワーデバイス(例えばパワー系の半導体部品、あるいは高輝度発光ダイオード等)である。また220は外部電極であり、電子部品210の外壁に形成された半田実装部に相当する。そして、図4(A)に示すように、電子部品210を矢印180aに示すように、所定位置にセットする。その後、図4(B)に示すように、半田170によって、外部電極220を濡らす(あるいは半田170によるメニスカスを形成する)。こうした実装には、一般的なSMD(サーフェスマウントデバイス)と呼ばれる技術や手法が使える。
図4(B)における矢印180bは、電子部品210に発生した熱が伝わる方向を示す。高放熱を要求される電子部品210に発生した熱は、矢印180bが示すように、外部電極220から、半田170に伝わる。そして基材130に形成されたスルーホール110を介して、リードフレーム150に伝わる。そしてリードフレーム150に伝わった熱は、伝熱樹脂部160を介して、他のリードフレーム150、あるいは放熱フィン(図示していない)等に広がることになる。
なお、例えば(放熱部200の面積)>(プリント配線板190の面積)とすることができる。この場合、大面積の放熱部200の上で局所的にファインパターンが必要な部分に、絶縁樹脂部140を用いて小面積のプリント配線板190を固定する構成となる。
また(放熱部200の面積)>(プリント配線板190の面積)とすることができる。この場合、大面積のプリント配線板190において、局所的に放熱が必要な部分(あるいは大電流が必要な部分)に、絶縁樹脂部140を用いて小面積の放熱部200を固定することになる。
そして前記プリント配線板190の銅箔100からなる配線パターンと、放熱部200のリードフレーム150を、半田等の低融点金属部170で電気的に接続する。なおリードフレーム150と銅箔100を直接、低融点金属部170で接続しても良いが、プリント配線板190のスルーホール部分(例えば、スルーホール110で示した部分)とすることで、前記スルーホール部分(あるいはスルーホール110、あるいはフィルドビア)を、一種のサーマルビアとすることができ、その熱伝導効率を高められる。またスルーホール部分(あるいはスルーホール110部分やフィルドビア部分)は、プリント配線板190の内部に深く(例えば貫通して)食い込んでいるため、銅箔100部分よりも、ピール強度(引張り強度、あるいは剥離強度)が高いため、電子部品210より重たくなる放熱部200を、プリント配線板190に固定しても、特に電気的接続部分においてプリント配線板190側の負担とならない。なおフィルドビアは図示していない。
このようにして、(放熱部200の面積)>(プリント配線板190の面積)、あるいは(放熱部200の面積)<(プリント配線板190の面積)と、用途に応じて使い分けることができる。
なお図4(A)(B)において、伝熱樹脂部160の裏面側(基材130やスルーホール110からなるプリント配線板を形成していない側)に放熱用の金属板や放熱フィン(共に図示していない)を形成することで、伝熱樹脂部160の放熱性を高められる。
例えば市販のプリント配線板190に実装した発熱部品(例えば、パワー系の半導体やトランス等の発熱が課題となる電子部品210)を局所的に放熱する必要がある場合、従来は発熱部品の上に放熱用のフィン等を接着剤で貼り付けていた。しかし本実施の形態(例えば図4(A)(B))に示すようにこれら発熱部品を実装したプリント配線板190の裏面側に、リードフレーム150や伝熱樹脂部160からなる放熱部200を絶縁樹脂剤で固定し、プリント配線板の裏面側からも放熱することができ、その放熱効果を高めることができる。
またプリント配線板190単体では、1Aを超える大電流(例えば10〜50A等)には対応できないが、リードフレーム150を併用する(あるいはリードフレーム150部分に1Aを超える大電流を流す)ことで、大電流にも対応できる。またこの場合、プリント配線板190のスルーホール110部分を、フィルドビアとすることも効果的である。
なお図6(A)(B)において、電子部品210の上面(プリント配線板の逆側)に放熱用のフィン等を接着剤で固定することで、その放熱効果を高められることは言うまでもない(フィン等は図示していない)。このように電子部品210の上面に貼り付けたフィン(図示していない)と、電子部品210のプリント配線板190の逆面に固定した放熱部200の両面から、放熱を行う。なお放熱部200のプリント配線板190でない側に(例えば伝熱樹脂部160の表面)に、放熱用の金属板やフィン(共に図示していない)を固定しても良い。
図5(A)(B)は、共に放熱基板の斜視図であり、例えば(放熱部200の面積)>(プリント配線板190の面積)としたものである。図5において、230は点線である。図5(A)に示すように、放熱基板は、大きな放熱部200と、その上に固定された小さな島状のプリント基板部190から形成されている。そして一部の大型の電子部品210bは、放熱部200の上に直接、半田付け等で実装されている。このように放熱部200の表面に直接実装した電子部品210bに発生した熱は、矢印180aに示すように放熱する。電子部品210bは、リードフレーム150の配線ピッチでは対応できない高密度実装が要求される電子部品である。こうした電子部品210bは、高密度実装に対応できるプリント基板部190の上に実装する。そしてプリント基板部190の上に実装した電子部品210aに発生した熱は、矢印180bに示すように、スルーホール(図5(A)では図示していない)を介してリードフレーム150に放熱させる。なお図5(A)において、プリント基板部190には半田170等は図示していない。またこの放熱メカニズムは、図4で説明したものである。
図5(B)は、図5(A)におけるプリント基板部190の拡大斜視図である。図5(B)において、プリント基板部190の上に半田170を形成する。そしてこの半田170を利用して、電子部品210aを固定する。図5(B)における点線230は、これから実装しようとする電子部品210cの実装位置を示すものである。これから実装しようとする電子部品210cは、矢印180cに示すようにして、点線230に示す位置に固定し、半田付けする。また図5(B)における電子部品210aは、こうして半田170で半田付けされたものである。また放熱が必要な電子部品210cの半田170を、図4(B)等で図示したように、基材130に形成したスルーホール110を介して、リードフレーム150まで落すことで、電子部品210cに発生した熱は、半田170を介して伝熱樹脂部160に埋め込まれたリードフレーム150へ逃がせる。またリードフレーム150に供給された大電流は、スルーホール110に充填した半田170を介して電子部品210cに供給できる。
このようにして、電子部品210の実装面を一般の電子部品実装に使われるプリント配線基板(例えば、基材130としてガラスエポキシやポリイミドフィルム等)を使える。その結果、放熱が要求される部分は、スルーホールを介してリードフレーム150や伝熱樹脂部160に逃がすことができるため、従来のプリント配線基板では対応できなかった高放熱、大電流にも対応できる。また基材130を一種の断熱材として活用することで、発熱する電子部品210に隣接して発熱が課題となる電子部品210を高密度実装した場合でも、一般電子部品への熱伝播を抑えられる。その結果、発熱する複数個の電子部品210(例えば、複数個の高輝度発光ダイオード)と、発熱が課題となる電子部品210(例えば、複数個の発光ダイオードの輝度や温度を測定して、電流制御を行う半導体素子等)を互いに近づけて実装できる。
また基材130の上に形成する銅箔100はファインパターンに対応できる。そのため線間/線幅=100ミクロン/1000ミクロン、あるいは30ミクロン/30ミクロンといった高密度配線の引き回しも可能となる。こうしたファインパターンの実現は、従来のリードフレームでは対応できなかった(リードフレーム150は、プレス等の打ち抜き加工で形成するため)が、基材130の上に形成した銅箔100によって実現できる。一方、リードフレーム150を使うことで、銅箔100では対応できなかったような熱伝導、あるいは大電流にも対応できる。更にリードフレーム150を伝熱樹脂部160に埋め込むことで、リードフレーム150からの放熱性を高めると共に、放熱が要求される電子部品210との間のスルーホールを介した距離を短くできる。
更に詳しく説明する。リードフレーム150としては、銅箔100の2倍以上(望ましくは3倍以上、更に望ましくは4倍以上)の肉厚が望ましい。例えば銅箔100の厚みが36ミクロンの場合、リードフレーム150の厚みは0.1〜0.5mm程度が望ましい。なお銅箔100の厚みは100ミクロン以下(望ましくは70ミクロン未満、更に望ましくは50ミクロン未満)が望ましい。銅箔100の厚みが100ミクロンを超えた場合、エッチング等による微細パターンの形成が難しくなる。一方、リードフレーム150の厚みは0.15〜2.00mm(望ましくは1.00mm以下)程度が望ましい。リードフレーム150の厚みが0.15mm未満の場合、フニャフニャしたり、折曲がったりしやすく、その取り扱いが難しい。リードフレーム150の厚みが2.00mmを超えると、プレスによる打ち抜きが難しくなり、リードフレーム150自体のパターン精度が低下する。そのため加工精度の面から、リードフレーム150としては0.2〜1.00mm(望ましくは0.30〜0.50mm)が望ましい。
なお伝熱樹脂部160としては、無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなることが望ましい。無機フィラーの割合が70重量%未満の場合、熱伝導性が低下する場合がある。また無機フィラーの割合が95重量%を超えると、混練が難しくなる場合がある。ここで無機フィラーは略球形状で、その直径は0.1ミクロン以上100ミクロン以下が適当である(0.1ミクロン未満の場合、熱硬化性樹脂への分散が難しくなり、また100ミクロンを超えると伝熱樹脂部160の厚みが厚くなり熱拡散性に影響を与える)。そのため伝熱樹脂部160における無機フィラーの充填量は、熱伝導率を上げるために70から95重量%と高濃度に充填している。特に、本実施の形態では、無機フィラーは、平均粒径3ミクロンと平均粒径12ミクロンの2種類のAl23を混合したものを用いている。この大小2種類の粒径のAl23を用いることによって、大きな粒径のAl23の隙間に小さな粒径のAl23を充填できるので、Al23を90重量%近くまで高濃度に充填できるものである。この結果、伝熱樹脂部160の熱伝導率は5W/(m・K)程度となる。なお無機フィラーとしてはAl23の代わりに、MgO、BN、SiO2、SiC、Si34、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種以上を含んでもよい。
なお無機フィラーを用いると、放熱性を高められるが、特にMgOを用いると線熱膨張係数を大きくできる。またSiO2を用いると誘電率を小さくでき、BNを用いると線熱膨張係数を小さくできる。こうして伝熱樹脂部160としての熱伝導率が1W/(m・K)以上20W/(m・K)以下のものを形成することができる。なお熱伝導率が1W/(m・K)未満の場合、放熱性に影響を与える。また熱伝導率を20W/(m・K)より高くしようとした場合、フィラー量を増やす必要があり、プレス時の加工性に影響を与える場合がある。
なお熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。
次に図6を用いて、ソルダーレジストについて説明する。図6(A)(B)は、共に部品実装面にも配線パターンを形成した放熱基板の断面図である。図6において、240はソルダーレジストである。また図6(A)は電子部品を実装する前、図6(B)は電子部品を実装した後に相当する。図6(A)、図6(B)と、図4(A)、図4(B)の違いは、部品実装面での配線パターンの有無である。図6(A)、(B)に示すように、基材130の両面に銅箔100からなる配線パターンを形成した場合、少なくとも電子部品210の実装面側には、ソルダーレジスト240を形成することが望ましい。図6(A)に示すように、ソルダーレジスト240を形成することで、基材130の電子部品210の実装された側にも、銅箔100からなる配線を形成できる。そして銅箔100の上にソルダーレジスト240を形成することで、半田の濡れ広がりによるパターン間のショート(短絡)を防止できる。
なお必要に応じて、図1や、図2、図3等においても、基材130の電子部品210が実装される側にソルダーレジスト240を形成しても良い。また図1や図2、図3等における絶縁樹脂部140として、ソルダーレジスト240を使っても良い。また図1や図2、図3等において、絶縁樹脂部140をソルダーレジスト240として、この上に更に別の樹脂を接着用に多層に形成しても良い。このように絶縁樹脂部140を複数層化することで、ピンホールの発生確率を激減できるため、リードフレーム150と銅箔100との間の絶縁性を保てる。
次にリードフレーム150の材質について説明する。リードフレーム150の材質としては、銅を主体とするものが望ましい。これは銅が熱伝導性と導電率が共に優れているためである。またリードフレーム150としての加工性や、熱伝導性を高めるためには、リードフレーム150となる銅素材に銅以外の少なくともSn、Zr、Ni、Si、Zn、P、Fe等の群から選択される少なくとも1種類以上の材料とからなる合金を使うことが望ましい。例えばCuを主体として、ここにSnを加えた、合金(以下、Cu+Snとする)を用いることができる。Cu+Sn合金の場合、例えばSnを0.1wt%以上0.15wt%未満添加することで、その軟化温度を400℃まで高められる。比較のためSn無しの銅(Cu>99.96wt%)を用いて、リードフレーム150を作成したところ、導電率は低いが、出来上がった放熱基板において特に形成部等に歪みが発生する場合があった。そこで詳細に調べたところ、その材料の軟化点が200℃程度と低いため、後の部品実装時(半田付け時)に変形する可能性があることが予想された。一方、Cu+Sn>99.96wt%の銅系の材料を用いた場合、実装された各種部品による発熱の影響は特に受けなかった。また半田付け性やダイボンド性にも影響が無かった。そこでこの材料の軟化点を測定したところ、400℃であることが判った。このように、銅を主体として、いくつかの元素を添加することが望ましい。銅に添加する元素として、Zrの場合、0.015wt%以上0.15wt%以下の範囲が望ましい。添加量が0.015wt%未満の場合、軟化温度の上昇効果が少ない場合がある。また添加量が0.15wt%より多いと電気特性に影響を与える場合がある。また、Ni、Si、Zn、P等を添加することでも軟化温度を高くできる。この場合、Niは0.1wt%以上5wt%未満、Siは0.01wt%以上2wt%以下、Znは0.1wt%以上5wt%未満、Pは0.005wt%以上0.1wt%未満が望ましい。そしてこれらの元素は、この範囲で単独、もしくは複数を添加することで、銅素材の軟化点を高くできる。なお添加量がここで記載した割合より少ない場合、軟化点上昇効果が低い場合がある。またここで記載した割合より多い場合、導電率への影響の可能性がある。同様に、Feの場合0.1wt%以上5wt%以下、Crの場合0.05wt%以上1wt%以下が望ましい。これらの元素の場合も前述の元素と同様である。
なおリードフレーム150に使う銅合金の引張り強度は、600N/mm2以下が望ましい。引張り強度が600N/mm2を超える材料の場合、リードフレーム150の加工性に影響を与える場合がある。またこうした引張り強度の高い材料は、その電気抵抗が増加する傾向にあるため、実施の形態1で用いるようなLED等の大電流用途には向かない場合がある。一方、引張り強度が600N/mm2以下(更にリードフレーム150に微細で複雑な加工が必要な場合、望ましくは400N/mm2以下)とすることでスプリングバック(必要な角度まで曲げても圧力を除くと反力によってはねかえってしまうこと)の発生を抑えられ、形成精度を高められる。このようにリードフレーム150材料としては、Cuを主体とすることで導電率を下げられ、更に柔らかくすることで加工性を高められ、更にリードフレーム150による放熱効果も高められる。なおリードフレーム150に使う銅合金の引張り強度は、10N/mm2以上が望ましい。これは一般的な鉛フリー半田の引張り強度(30〜70N/mm2程度)に対して、リードフレーム150に用いる銅合金はそれ以上の強度が必要なためである。リードフレーム150に用いる銅合金の引張り強度が、10N/mm2未満の場合、リードフレーム150にスルーホールを介して半田付けする場合、半田部分ではなくてリードフレーム150部分で凝集破壊する可能性がある。
なおリードフレーム150の、伝熱樹脂部160から露出している面に、予め半田付け性を改善するように半田層や錫層を形成しておくことも有用である。なおリードフレーム150の伝熱樹脂部160に接する面(もしくは埋め込まれた面)には、半田層は形成しないことが望ましい。このように伝熱樹脂部160と接する面に半田層や錫層を形成すると、半田付け時にこの層が柔らかくなり、リードフレーム150と伝熱樹脂部160の接着性(もしくは結合強度)に影響を与える場合がある。なお図1、図2等において、リードフレーム150の(伝熱樹脂部160から露出した面の)半田層や錫層は図示していない。
また伝熱樹脂部160の、リードフレーム150が埋め込まれていない側に、金属製の放熱機構(例えば、羽状の放熱フィン)を貼り付けても良い。こうした放熱機構としては、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金からなる市販の放熱フィンを流用できる。
また図1〜図6等に示したように、リードフレーム150は、伝熱樹脂部160に埋め込む場合、それらの表面を実質的に同一平面上とすることが望ましい。リードフレーム150が埋め込まれた放熱部200の表面をフラット面とすることで、低融点金属部170や樹脂130の成形性が容易にできる。
また図5(A)に示したように、リードフレーム150の表面に直接、電子部品210bを実装してもよく、電子部品210aの熱を、効率よくリードフレーム150に逃がせる。
また銅箔100の場合、数A〜数十Aといった大電流に対応できない。一方、本発明の放熱基板の場合、こうした大電流は、伝熱樹脂部160に埋め込んだリードフレーム150で対応できる。この結果、信号回路の微弱な電流から、大電流まで一枚の放熱基板で対応できるため、機器の小型化、低コスト化が可能となる。
以上のようにして、無機フィラーが70重量%以上95重量%以下、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下である伝熱樹脂部160と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部160に埋め込まれたリードフレーム150と、からなる放熱部200と、前記放熱部200の上に絶縁樹脂部140で固定したプリント基板部190と、前記リードフレーム150と前記プリント基板部190とを電気的に接続する低融点金属部170と、からなる放熱基板を提供することで、プリント基板部190によって微細配線を、放熱部200(あるいはリードフレーム150部分)によって高放熱化や大電流対応が可能な放熱基板を提供することができる。
また無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなる伝熱樹脂部160と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部160に埋め込まれたリードフレーム150と、からなる放熱部200と、前記放熱部200の上に絶縁樹脂部140で固定したスルーホール110を有するプリント基板部190と、前記リードフレーム150と前記プリント配線板のスルーホール110を、電気的に接続する低融点金属部170と、からなる放熱基板を提供することで、プリント基板部190によって微細配線を、放熱部200(あるいはリードフレーム150部分)によって高放熱化や大電流対応が可能な放熱基板を提供することができる。
また無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなる伝熱樹脂部160と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部160に埋め込まれたリードフレーム150と、からなる放熱部200と、前記放熱部200の上に絶縁樹脂部140で固定したスルーホール110を有するプリント基板部190と、からなる放熱基板であって、前記放熱部200と前記プリント基板部190は、前記スルーホール110に充填した低融点金属部170によって電気的に接続している放熱基板を提供することで、プリント基板部190によって微細配線を、放熱部200(あるいはリードフレーム150部分)によって高放熱化や大電流対応が可能な放熱基板を提供することができる。
また無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなる伝熱樹脂部160と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部160に埋め込まれたリードフレーム150と、からなる放熱部200と、前記放熱部200の上に絶縁樹脂部140で固定したフィルドビアを有するプリント基板部190と、からなる放熱基板であって、前記リードフレーム150と、前記フィルドビアとが、低融点金属部170によって電気的に接続している放熱基板を提供することで、プリント基板部190によって微細配線を、放熱部200(あるいはリードフレーム150部分)によって高放熱化や大電流対応が可能な放熱基板を提供することができる。
なお絶縁樹脂部140の厚みは、隙間が0.05mm以上0.5mm以下とすることで、低融点金属部170の影響を抑えられる。
また伝熱樹脂部160は、熱伝導率が1W/(m・K)以上20W/(m・K)以下であり、無機フィラーは、Al23、MgO、BN、SiO2、SiC、Si34、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含むものとすることで、伝熱樹脂部160の熱伝導性を高めることができる。
また熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含むものとすることで、伝熱樹脂部160の信頼性、強度等を高められる。
またSnは0.1重量%以上0.15重量%以下、Zrは0.015重量%以上0.15重量%以下、Niは0.1重量%以上5重量%以下、Siは0.01重量%以上2重量%以下、Znは0.1重量%以上5重量%以下、Pは0.005重量%以上0.1重量%以下、Feは0.1重量%以上5重量%以下である群から選択される少なくとも一種を含む銅を主体とするリードフレーム150を用いることで、リードフレーム150の成形性、熱伝導率等を高められる。
またリードフレーム150の伝熱樹脂部160からの露出面と、前記伝熱樹脂部160の表面は、互いに±50ミクロン以内の同一平面にあるものとすることで、伝熱樹脂部160とプリント基板部190との絶縁樹脂部140による固定性を高められる。
また銅箔100の厚みは0.01mm以上0.10mm以下であり、リードフレーム150の厚みは、0.15mm以上1.00mm以下であるものとすることで、銅箔100やリードフレーム150をそれぞれの用途に応じて最適化できるため、放熱基板のファイン化、大電流化、高放熱化に対応できる。
また少なくとも、無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなる伝熱樹脂部160に、一部表面が露出するようにリードフレーム150を埋め込み放熱部200を作る工程と、スルーホール110もしくはフィルドビアを、有するプリント基板部190を、前記放熱部200に絶縁樹脂部140を介して固定する工程と、前記スルーホール110もしくはフィルドビアと、前記リードフレーム150を低融点金属部170で電気的に接続する工程とを、有する放熱基板の製造方法とすることで、放熱基板を安定して製造できる。
なおスルーホール110もしくはフィルドビアと、リードフレーム150を低融点金属部170で接続する際、同時に銅箔100の一部も同様に電気的に接続することで、接続抵抗を減らすことができる。
以上のように、本発明にかかる放熱基板とその製造方法は、PDP用の電源ユニット、車載用の電源、あるいは液晶テレビのバックライト等の放熱基板として使うことができ、機器の小型化、高性能化が可能となる。
実施の形態における放熱基板の斜視図及び断面図 実施の形態における放熱基板の内部構造を示す斜視図 (A)〜(C)は、共に放熱基板の製造方法の一例を示す断面図 (A)(B)は、共に放熱基板に部品実装する様子を示す断面図 (A)(B)は、共に放熱基板の斜視図 (A)(B)は、共に部品実装面にも配線パターンを形成した放熱基板の断面図 (A)(B)は、共に従来の張り合わせによる放熱基板の断面図 (A)(B)は、共に従来の放熱基板の断面図
符号の説明
100 銅箔
110 スルーホール
120 銅めっき部
130 基材
140 絶縁樹脂部
150 リードフレーム
160 伝熱樹脂部
170 低融点金属部
180a、180b、180c 矢印
190 プリント基板部
200 放熱部
210a、210b、210c 電子部品
220 外部電極
230 点線
240 ソルダーレジスト

Claims (9)

  1. 無機フィラーが70重量%以上95重量%以下、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下である伝熱樹脂部と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部に埋め込まれたリードフレームと、からなる放熱部と、
    前記放熱部の上に絶縁樹脂部で固定したプリント基板部と、
    前記リードフレームと前記プリント基板部とを電気的に接続する低融点金属部と、からなる放熱基板。
  2. 無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなる伝熱樹脂部と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部に埋め込まれたリードフレームと、からなる放熱部と、
    前記放熱部の上に絶縁樹脂部で固定したスルーホールを有するプリント基板部と、
    前記リードフレームと前記プリント配線板のスルーホールを、電気的に接続する低融点金属部と、からなる放熱基板。
  3. 無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなる伝熱樹脂部と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部に埋め込まれたリードフレームと、からなる放熱部と、
    前記放熱部の上に絶縁樹脂部で固定したスルーホールを有するプリント基板部と、からなる放熱基板であって、
    前記放熱部と前記プリント基板部は、前記スルーホールに充填した低融点金属部によって電気的に接続している放熱基板。
  4. 無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなる伝熱樹脂部と、一部表面が露出するように前記伝熱樹脂部に埋め込まれたリードフレームと、からなる放熱部と、
    前記放熱部の上に絶縁樹脂部で固定したフィルドビアを有するプリント基板部と、からなる放熱基板であって、
    前記リードフレームと、前記フィルドビアとが、低融点金属部によって電気的に接続している放熱基板。
  5. 伝熱樹脂部は、熱伝導率が1W/(m・K)以上20W/(m・K)以下であり、無機フィラーは、Al23、MgO、BN、SiO2、SiC、Si34、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含むものである請求項1から4のいずれか一つに記載の放熱基板。
  6. 熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含むものである請求項1から4のいずれか一つに記載の放熱基板。
  7. Snは0.1重量%以上0.15重量%以下、Zrは0.015重量%以上0.15重量%以下、Niは0.1重量%以上5重量%以下、Siは0.01重量%以上2重量%以下、Znは0.1重量%以上5重量%以下、Pは0.005重量%以上0.1重量%以下、Feは0.1重量%以上5重量%以下である群から選択される少なくとも一種を含む銅を主体とするリードフレームを用いる請求項1から4のいずれか一つに記載の放熱基板。
  8. リードフレームの伝熱樹脂部からの露出面と、前記伝熱樹脂部の表面は、互いに±50ミクロン以内の同一平面にある請求項1から4のいずれか一つに記載の放熱基板。
  9. 少なくとも、無機フィラー70重量%以上95重量%以下と、熱硬化性樹脂5重量%以上30重量%以下からなる伝熱樹脂部に、一部表面が露出するようにリードフレームを埋め込み放熱部を作る工程と、
    スルーホールもしくはフィルドビアを、有するプリント基板部を、前記放熱部に絶縁樹脂部を介して固定する工程と、
    前記スルーホールもしくはフィルドビアと、前記リードフレームを低融点金属部で電気的に接続する工程とを、有する放熱基板の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021005990A1 (ja) * 2019-07-11 2021-01-14 株式会社マキタ 電動作業機

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102057217A (zh) * 2008-06-10 2011-05-11 斯万电器株式会社 照明器具
KR100898548B1 (ko) 2008-12-19 2009-05-19 주식회사 지앤에이치 조명기구용 엘이디모듈
KR101105006B1 (ko) 2009-10-28 2012-01-16 이용현 엘이디방열어셈블리 및 엘이디방열어셈블리의 제조방법
JP5049382B2 (ja) * 2010-12-21 2012-10-17 パナソニック株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
CN103050607B (zh) * 2013-01-17 2016-07-06 电子科技大学 Led散热基板
JP2017098376A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、回路基板、発熱体搭載基板および回路基板の製造方法
JP2017098378A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、回路基板、発熱体搭載基板および回路基板の製造方法
TWI820026B (zh) * 2017-06-21 2023-11-01 荷蘭商露明控股公司 具有改善的熱行為的照明組件
US11252811B2 (en) * 2020-01-15 2022-02-15 Cisco Technology, Inc. Power distribution from point-of-load with cooling

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291716A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 放熱板付き配線板
JPH07115281A (ja) * 1993-10-14 1995-05-02 Nippon Avionics Co Ltd プリント配線板
JPH10178243A (ja) * 1996-10-15 1998-06-30 Iwaki Electron Corp Ltd 放熱板付きプリント回路基板およびその製造方法
DE19752797A1 (de) * 1997-11-28 1999-06-10 Bosch Gmbh Robert Kühlvorrichtung für ein auf einer Leiterplatte angeordnetes, wärmeerzeugendes Bauelement
JP3214696B2 (ja) * 1999-12-24 2001-10-02 松下電器産業株式会社 パワーモジュール及びその製造方法
JP2001348488A (ja) * 2000-06-06 2001-12-18 Matsushita Electric Works Ltd 熱伝導性樹脂組成物、プリプレグ、放熱性回路基板及び放熱性発熱部品
US7119835B2 (en) * 2001-05-30 2006-10-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Camera docking solution provides a user interface for printers, CD writers and other devices
JP4196050B2 (ja) * 2001-10-17 2008-12-17 パナソニック電工株式会社 電子部品の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021005990A1 (ja) * 2019-07-11 2021-01-14 株式会社マキタ 電動作業機
JP2021013977A (ja) * 2019-07-11 2021-02-12 株式会社マキタ 電動作業機
JP7406931B2 (ja) 2019-07-11 2023-12-28 株式会社マキタ 電動作業機

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