JP4057843B2

JP4057843B2 - 多層回路基板

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Publication number: JP4057843B2
Application number: JP2002153309A
Authority: JP
Inventors: 雅徳案浦
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-05-28
Filing date: 2002-05-28
Publication date: 2008-03-05
Anticipated expiration: 2022-05-28
Also published as: JP2003347746A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種の電子機器などの電子回路モジュールとして用いられる多層回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種の電子機器などの電子回路モジュールとして用いられる多層回路基板は、小型化、薄型、高密度化ならびに高速信号処理に対応した高機能化が強く要求されている。
【０００３】
このため、複数の絶縁層を積層してなる積層体に、ダイアタッチ導体膜を有する多層回路基板が用いられている。
【０００４】
図５は、従来の多層回路基板の一実施形態を示す断面図である。
【０００５】
図において、５０は多層回路基板、１は複数の絶縁体層１ａ〜１ｈが積層されて成る積層体、２は内部配線層、３は回路形成用ビアホール導体、４は表面配線層、６１はダイアタッチ導体膜、４２は電極パッド部、５は電子部品素子、１５はボンディングワイヤ、６は回路構成部品である。
【０００６】
このような多層回路基板５０は、絶縁体層１ａ〜１ｈとなるセラミックグリーンシートに、回路形成用ビアホ−ル導体３となる貫通孔を形成するとともに、内部配線層２、必要に応じて表面配線層４及びダイアタッチ導体膜６１となる導体膜を形成し、各セラミックグリーンシートを積層し、一体焼成した後に、電子部品素子５がダイアタッチ導体膜６１に接合され、表面配線層４の一種である電極パッド部４２にワイヤボンディング接合される。
【０００７】
ダイアタッチ導体膜６１は、電子部品素子５が接合される他、電子部品素子５の発熱を伝達し、電子部品素子５の熱的破壊や信頼性劣化を防止する機能を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図５（ａ）において、ダイアタッチ導体膜６１の厚みは約８〜１５μｍと小さいため、電子部品素子５の発熱を伝達する伝熱性には限界があり、多層回路基板５０の放熱能力が不十分であるという問題点があった。
【０００９】
ここで、上記伝熱性を向上させるために、ダイアタッチ導体膜６１の厚みを大きくする方法が考えられるが、この場合、スクリーン印刷により精度良くダイアタッチ導体膜６１となる導体膜を形成することが困難であるとともに、ダイアタッチ導体膜６１となる導体膜と絶縁層１ａ〜１ｈとなるセラミックグリーンシートの焼成収縮率の差により、焼成時にデラミネーション、クラックなどの内部欠陥が発生するという問題点があった。
【００１０】
一方、ダイアタッチ導体膜６１の面積を大きくする方法も考えられるが、ダイアタッチ導体膜６１の周囲には電極パッド４２を形成する必要があるため、この方法にも限界があった。
【００１１】
また、図５（ｂ）に示すように、回路形成用ビアホール導体３となる導体と同様の形成方法により、絶縁層１ａとなるセラミックグリーンシートに貫通孔を形成後、導電性ペーストを充填することにより、絶縁層１ａの厚みの全部に渡りダイアタッチ導体膜６１となる導体膜を形成する方法も考えられるが、この場合、貫通孔に導電性ペーストを充填した後、セラミックグリーンシートを敷き紙上から外す際に、貫通孔内において導電性ペーストを保持することができず、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちてしまい、焼成時に積層体１内に空隙ができてしまうという問題点があった。
【００１２】
本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、簡単且つ安価な製造方法で、焼成時の内部欠陥や空隙を抑制しつつ、放熱能力が著しく向上した多層回路基板を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層回路基板は、複数の絶縁層を積層してなる積層体と、該積層体の主面側に形成されたダイアタッチ導体膜と、該ダイアタッチ導体膜に接合された電子部品素子と、前記ダイアタッチ導体膜に接合し、且つ前記積層体の厚み方向に延出するように形成された放熱用ビアホール導体とを有する多層回路基板において、
前記放熱用ビアホール導体は、複数の単位ビアホール導体と、該単位ビアホール導体を連結する連結部とを有し、前記放熱用ビアホール導体の平面形状が略放射線状を呈していることを特徴とする多層回路基板である。
【００１４】
また、前記単位ビアホール導体の長径は、前記絶縁層の厚みの１〜８倍の範囲にあることを特徴とする。
【００１５】
さらに、前記連結部の幅は、前記絶縁層の厚みの０．５〜３倍の範囲にあることを特徴とする。
【００１６】
またさらに、前記積層体に、前記電子部品素子と電気的に接続する複数の電極パッドを形成するとともに、前記ダイアタッチ導体膜は、隣接し合う前記電極パッド間から電子部品素子接合領域より延出していることを特徴とする。
【００１７】
そして、前記積層体の一方主面にキャビティを有し、該キャビティ内の底面に、前記電子部品素子が搭載されるダイアタッチ導体膜を有するとともに、
前記キャビティ開口周囲に、前記積層体厚み方向に延び、且つ前記放熱用ビアホール導体と接合する熱放出用ビアホール導体が形成されていることを特徴とする。
【作用】
本発明の多層回路基板によれば、放熱用ビアホール導体は、複数の単位ビアホール導体が連結部により互いに連結されて構成されているため、放熱用ビアホール導体となる貫通孔に導電性ペーストを充填した際に、貫通孔内において導電性ペーストを保持する部分の面積を大きくすることができることから、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちることがなく、焼成時の空隙を抑制できる。
【００１８】
また、放熱用ビアホール導体の平面形状が、略放射線状を呈しているため、水平方向に熱が伝達する経路が広がり、多層回路基板の放熱能力が著しく向上する。
【００１９】
ここで、放熱用ビアホ−ル導体は、水平方向においてダイアタッチ導体膜が形成される面の一部にしか形成されないため、放熱用ビアホ−ル導体を形成しても、焼成時にデラミネーション、クラックなどの内部欠陥が発生することはない。一方、放熱用ビアホ−ル導体は、絶縁層の少なくとも１層分を貫通するため、ダイアタッチ導体膜が形成される面の一部にしか形成されなくても、多層回路基板の放熱能力が向上する効果を十分発揮する。
【００２０】
また、単位ビアホール導体の長径は、単位ビアホール導体の短径以上であり、且つ絶縁層の厚みの８倍以下であるため、放熱用ビアホール導体となる導電性ペーストの充填時に、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちることがない。
【００２１】
また、連結部の幅は、単位ビアホール導体の短径の０．１倍以上であるため、より効果的に水平方向への伝熱性を向上させることができる。一方、連結部の幅は、単位ビアホール導体の短径の０．９倍以下であるため、放熱用ビアホール導体となる導電性ペーストの充填時に、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちることがない。
【００２２】
また、積層体に、電子部品素子と電気的に接続する複数の電極パッドを形成するとともに、ダイアタッチ導体膜は、隣接し合う電極パッド間から電子部品素子接合領域より延出しているため、ダイアタッチ導体膜の面積を大きくすることができ、このことによっても多層回路基板の放熱能力が向上する。
【００２３】
また、積層体の一方主面にキャビティを有し、キャビティ内の底面には、電子部品素子が搭載されるダイアタッチ導体膜を有するとともに、キャビティ開口周囲の積層体厚み方向に延び、一端がダイアタッチ導体膜に接合し、且つ他端が積層体の一方主面に実質的に露出してなる熱放出用ビアホール導体が形成されているため、キャビティ内に気密封止が必要な電子部品素子を搭載できるとともに、垂直方向に熱が伝達する経路が広がり、多層回路基板の放熱能力が著しく向上する。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層回路基板を図面に基づいて説明する。
【００２５】
図１（ａ）は本発明の多層回路基板の一実施形態を示す電子部品素子搭載部での断面図であり、図１（ｂ）は多層回路基板の概略平面図である。
【００２６】
これらの図において、１０は多層回路基板、１は複数の絶縁体層１ａ〜１ｈが積層されて成る積層体、２は内部配線層、３は回路形成用ビアホール導体、４は表面配線層、４１はダイアタッチ導体膜、４２は電極パッド部、５は電子部品素子、１５はボンディングワイヤ、６は回路構成部品である。
【００２７】
積層体１は複数の絶縁層１ａ〜１ｈからなり、１層あたり例えば４０〜３００μｍ程度の厚みを有し、その材質としては、セラミック成分と、ガラス成分（ガラス成分は誘電体粉末の界面に存在したり、焼結助剤となる）から成る。具体的には、セラミック成分としては、例えばＡ１₂Ｏ₃、ＢａＯ−ＴｉＯ₂系、ＣａＯ−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系などが選ばれる。また、ガラス成分としては、例えばホウケイ酸亜鉛、ホウケイ酸ビスマスなどのホウケイ酸アルカリ酸化物などのガラスから選ばれる少なくとも１種が用いられる。
【００２８】
各絶縁層１ａ〜１ｈの層間には、内部配線層２が形成されている。また、絶縁層１ａ〜１ｈには、各層の厚み方向に貫く回路形成用ビアホール導体３が形成されている。内部配線層２、回路形成用ビアホール導体３は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金）を主成分とする導体膜（導体）からなり、必要に応じて、Ａｇ系材料、β石英、絶縁層１ａ〜１ｈを構成するガラス成分と概略同一のガラス成分を含有する。また、内部配線層２の厚みは８〜１５μｍ程度である。さらに、回路形成用ビアホール導体３の直径は、ビアホール導体３となる貫通孔に導電性ペーストを充填後、絶縁層１ａ〜１ｈとなるセラミックグリーンシートを貫通孔内にあった導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちないようにするために、８０〜３５０μｍとしている。
【００２９】
表面配線層４は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金）を主成分とし必要に応じてガラス成分を含有する導体膜から成り、所定回路網を構成するとともに、半田を介して接合される回路構成部品６の接続パッドとなったり、また、厚膜抵抗膜、厚膜コンデンサ素子の端子電極となる。
【００３０】
積層体１の一方主面には、電子部品素子５を搭載するダイアタッチ導体膜４１が形成されている。ダイアタッチ導体膜４１、電極パッド部４２は、内部配線層２と概略同じ厚み及び成分であり、Ａｇ系を主成分とし必要に応じてガラス成分を含有する導体膜からなる。このダイアタッチ導体膜４１上に、動作によって発熱を伴う半導体素子などの電子部品素子５が搭載されている。すなわち、電子部品素子５の動作によって発せられた熱は、ダイアタッチ導体膜４１を介して、積層体１表面に伝達することになる。また、積層体１に、電子部品素子５と電気的に接続する複数の電極パッド４２を形成するとともに、ダイアタッチ導体膜４１の先端部は、隣接し合う電極パッド４２間から電子部品素子５接合領域の外方に延出している。さらに、電子部品素子５は、ボンディングワイヤ１５を介して電極パッド部４２に接合され、この電極パッド部４２は、内部配線層２、回路形成用ビアホール導体３など（図示せず）に電気的に接続されている。
【００３１】
放熱用ビアホール導体９は、ダイアタッチ導体膜４１に接合し、且つ積層体１の厚み方向に延出するように形成され、複数の単位ビアホール導体９ａが連結部９ｂにより互いに連結されて構成されている。
【００３２】
このため、放熱用ビアホール導体９となる貫通孔に導電性ペーストを充填した際に、貫通孔内において導電性ペーストを保持する部分（内壁面）の面積を大きくすることができることから、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちることがなく、焼成時の空隙を抑制できる。
【００３３】
なお、放熱用ビアホ−ル導体９は、熱放出用ビアホール導体８と概略同じ成分であり、Ａｇ系を主成分とし必要に応じてガラス成分を含有する導体からなる。
【００３４】
また、放熱用ビアホール導体９の平面形状が、略放射線状を呈しているため、水平方向に熱が伝達する経路が広がり、多層回路基板１０の放熱能力が著しく向上する。
【００３５】
ここで、放熱用ビアホ−ル導体９は、水平方向においてダイアタッチ導体膜４１が形成される面の一部にしか形成されないため、放熱用ビアホ−ル導体９を形成しても、焼成時にデラミネーション、クラックなどの内部欠陥が発生することはない。一方、放熱用ビアホ−ル導体９は、絶縁層１ａ〜１ｈの少なくとも１層分（厚みが４０〜３００μｍ）を貫通するため、ダイアタッチ導体膜４１が形成される面の一部にしか形成されなくても、多層回路基板１０の放熱能力が向上する効果を十分発揮する。
【００３６】
また、積層体１に、電子部品素子５と電気的に接続する複数の電極パッド４２を形成するとともに、ダイアタッチ導体膜４１は、隣接し合う電極パッド間４２から電子部品素子５接合領域より延出しているため、ダイアタッチ導体膜４１の面積を大きくすることができ、このことによっても多層回路基板１０の放熱能力が向上する。
【００３７】
図２は、本発明の放熱用ビアホ−ル導体９の実施形態を示す拡大平面図である。
【００３８】
図に示すように、本発明の多層回路基板１０において、放熱用ビアホ−ル導体９は、複数の単位ビアホール導体９ａが連結部９ｂにより互いに連設されて構成されているため、放熱用ビアホール導体９となる貫通孔に導電性ペーストを充填した際に、貫通孔内において導電性ペーストを保持する部分の面積を大きくすることができ、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちることがなく、焼成時の空隙を抑制できる。
【００３９】
ここで、放熱用ビアホ−ル導体９は、図２（ａ）に示すように、円形の単位ビアホール導体９ａが連結部９ｂにより直線状に互いに連設されて構成される他、図２（ｂ）に示すように、円形の単位ビアホール導体９ａが連結部９ｂにより千鳥状に互いに連設されて構成されるようにしても良い。このことにより、互いに連設できる単位ビアホール導体９ａの数を多くすることができる。また、図２（ｃ）に示すように、長円形の単位ビアホール導体９ａが連結部９ｂにより互いに連設されて構成されるようにしても良い。このことにより、放熱用ビアホ−ル導体９全体としては、貫通孔内において導電性ペーストを保持する部分の面積が同じである場合、一部が敷き紙側に落ちることがなく、保持できる導電性ペーストの量を多くことができるため、焼成時の空隙を抑制しつつ、多層回路基板１０の放熱性を向上させることができる。
【００４０】
また、図２（ｃ）のように単位ビアホール導体９ａは、長径ｌ_aが単位ビアホール導体９ａの短径ｗ_a以上であり、且つ絶縁層１ａ〜１ｈの厚みの８倍以下であることが望ましい。このことにより、放熱用ビアホール導体９となる導電性ペーストの充填時に、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちることがない。
【００４１】
また、連結部９ｂの幅ｗ_bが、単位ビアホール導体９ａの短径ｗ_aの０．１〜０．９倍の範囲にあることが望ましい。すなわち、連結部９ｂの幅が、単位ビアホール導体９ａの短径ｗ_aの０．１倍以上であるため、より効果的に水平方向への伝熱性を向上させることができる。一方、連結部９ｂの幅ｗ_bが、単位ビアホール導体９ａの短径ｗ_aの０．９倍以下であるため、放熱用ビアホール導体９となる導電性ペーストの充填時に、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちることがない。
【００４２】
次に、本発明の多層回路基板１０の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、絶縁層１ａ〜１ｈとなるセラミックグリーンシートの各積層体１領域に、回路形成用ビアホール導体３、放熱用ビアホ−ル導体９となる貫通孔をパンチングによって形成する。
【００４４】
次に、これらの貫通孔が形成された各セラミックグリーンシートの下に、和紙、ＰＥＴフィルムなどからなる敷き紙を敷いておき、貫通孔にＡｇ系導電性ペーストを充填する。
【００４５】
一般には、回路形成用ビアホール導体３、放熱用ビアホ−ル導体９となる導電性ペーストの粘度が高いほど、充填維持性は良好であるが、スクリーン印刷により導電性ペーストをこれらのビアホ−ル導体３、９となる貫通孔に充填する際に、充填しにくくなる。したがって、これらのビアホール導体３、９の充填性を良好にするためには、粘度が例えば５０００Ｐｏｉｓｅ以上と高い導電性ペーストを用い、上記スクリーン印刷による充填を２〜３回行うことが望ましい。
【００４６】
また、絶縁層１ｂ〜１ｈとなるセラミックグリーンシート上には、内部配線層２となる導体膜をＡｇ系導電性ペーストの印刷・乾燥によって形成する。また、絶縁層１ａの表面側となるセラミックグリーンシート上には表面配線層４、ダイアタッチ導体膜４１及び電極パッド部４２となる導体膜をＡｇ系導電性ペーストの印刷・乾燥によって形成する。
【００４７】
次に、このようなセラミックグリーンシートを敷き紙上から外し、絶縁層１ａ〜１ｈとなるセラミックグリーンシートを積層順に応じて積層後、一体化して大型積層体を形成する。
【００４８】
次に、未焼成状態の大型積層体に、各積層体領域を区画するように分割溝を形成する。
【００４９】
次に、未焼成状態の大型積層体を焼成処理する。
【００５０】
これにより、複数の積層体１が連接された焼成後の大型多層回路基板が得られることになる。
【００５１】
そして、各積層体１領域のダイアタッチ導体膜４１に、電子部品素子５をダイアタッチ接合させるとともに、ＡｌまたはＡｕのボンディングワイヤ１５などにより、電極パッド部４２に接合する。
【００５２】
この後、積層体１領域の表面に、厚膜抵抗素子、各種回路構成部品６を半田などで接合・実装を行う。
【００５３】
最後に、各積層体１を区画する分割溝に沿って分割処理を行う。これにより、焼成後の大型多層回路基板からは、図１に示す複数の多層回路基板１０が抽出されることになる。
【００５４】
なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。
【００５５】
図３は、本発明の多層回路基板１０の他の実施形態を示す拡大断面図である。
【００５６】
同図によれば、積層体１の一方主面側（裏面側主面）にキャビティ７を有し、キャビティ７内の底面には、電子部品素子５が搭載されるダイアタッチ導体膜４１を有するとともに、キャビティ７開口周囲の積層体１厚み方向に延び、一端がダイアタッチ導体膜４１に接合し、且つ他端が積層体１の一方主面（裏面）に実質的に露出してなる熱放出用ビアホール導体８が形成されている。また、キャビティ７上部には、その開口部を封止する金属製蓋体１２が形成されている。このため、キャビティ７内に気密封止が必要な電子部品素子５を搭載できるとともに、垂直方向に熱が伝達する経路が広がり、多層回路基板１０の放熱能力が著しく向上する。また、積層体１の他方主面（表面）に回路構成部品６を実装することが可能であるため、多層回路基板１０の小型化、高密度化、高機能化を実現できるという効果もある。
【００５７】
図４は、本発明の多層回路基板１０のさらに他の実施形態を示す拡大断面図である。図のように、本発明は、積層体１の表面にキャビティ７を有し、熱放出用ビアホール導体８の一端がダイアタッチ導体膜４１に接合し、且つ他端が積層体１の一方主面（表面）に実質的に露出しているとともに、放熱用ビアホ−ル導体９がキャビティ７底面と他方主面（表面）との間に、積層体１厚み方向に延びるようにした多層回路基板１０にも適用できる。このことにより、熱放出用ビアホール導体８を積層体１の一方主面（表面）に設けた放熱フィン１１に接続することができるため、放熱性をさらに向上させることができる。
【００５８】
また、絶縁層１ａ〜１ｈとして、アルミナ単体などのセラミック材料、ガラスエポキシ材料などを用いても良い。
【００５９】
さらに、放熱用ビアホ−ル導体９の単位ビアホール導体９ａの形状を円形、長円形の他にも、四角形や楕円形、あるいはこれらを連結部９ｂにより接続した形状など、種々の形状としてもよい。
【００６０】
さらに、絶縁層１ａ〜１ｈとなるセラミックグリーンシートを積層順に応じて１層ずつ積層し、回路形成用ビアホール導体３、熱放出用ビアホール導体８、放熱用ビアホ−ル導体９が形成されるセラミックグリーンシートがそれぞれ積層された後、貫通孔にＡｇ系導電性ペーストを充填するようにしてもよい。また、放熱用ビアホ−ル導体９用の貫通孔の形成方法として、プレスピンで孔をあける方法の他、レーザーで孔をあけても良い。これらのことにより、径が１００μｍ以下の貫通孔を精度良くあけることができるとともに、工程を大幅に短縮できる。
【００６１】
本発明者は、図２のビアホール導体９において、絶縁層１ａ〜１ｈの厚みｔ₁が１００〜２００μｍである場合について、単位ビアホール導体９ａの短径Ｗ_a、長径ｌ_a、あるいは連結部９ｂの幅Ｗ_bを変化させて、２個の単位ビアホール導体９ａが連結部９ｂに連結された構造の放熱用ビアホール導体９となる導電性ペーストの乾燥時の充填性を比較した。
【００６２】
ここで、導電性ペーストの乾燥時の充填性は、セラミックグリーンシートの放熱用ビアホール導体９となる貫通孔に、導電性ペーストを充填後乾燥したときの状態を金属顕微鏡で観察した。良否の判定基準として、導電性ペーストがすき間なく充填しているものを良品として丸印とした。結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】

【００６４】
表のように、単位ビアホール導体９ａの長径ｌ_aが、単位ビアホール導体９ａの短径ｗ_a以上であり、且つ絶縁層１ａ〜１ｈの厚みの８倍以下であるとともに、連結部９ｂの幅ｗ_bが、単位ビアホール導体９ａの短径ｗ_aの０．１〜０．９倍の範囲にある本実施例（試料番号１〜４、６〜９、１１〜１４）では、導電性ペーストの充填性は良好だった。また、これらの試料を焼成後、熱抵抗の測定により放熱特性を評価した結果、放熱特性が良好である事が確認できた。
【００６５】
これに対し、単位ビアホール導体９ａの長径ｌ_aが、絶縁層１ａ〜１ｈの厚みｔ₁の９倍である比較例（試料番号５、１０、１５）では、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ち、乾燥時の導電性ペーストの充填性が悪くなった。
【００６６】
【発明の効果】
以上のように、本発明の多層回路基板によれば、放熱用ビアホール導体は、複数の単位ビアホール導体が連結部により互いに連結されて構成されているため、放熱用ビアホール導体となる貫通孔に導電性ペーストを充填した際に、貫通孔内において導電性ペーストを保持する部分の面積を大きくすることができることから、導電性ペーストの一部が敷き紙側に落ちることがなく、焼成時の空隙を抑制できる。
【００６７】
また、放熱用ビアホール導体の平面形状が、略放射線状を呈しているため、水平方向に熱が伝達する経路が広がり、多層回路基板の放熱能力が著しく向上する。
【００６８】
さらに、放熱用ビアホ−ル導体は、水平方向においてダイアタッチ導体膜が形成される面の一部にしか形成されないため、放熱用ビアホ−ル導体を形成しても、焼成時にデラミネーション、クラックなどの内部欠陥が発生することはない。一方、放熱用ビアホ−ル導体は、絶縁層の少なくとも１層分を貫通するため、ダイアタッチ導体膜が形成される面の一部にしか形成されなくても、多層回路基板の放熱能力が向上する効果を十分発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層回路基板の一実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の放熱用ビアホ−ル導体の実施形態を示す拡大平面図である。
【図３】本発明の多層回路基板の他の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の多層回路基板のさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図５】従来の多層回路基板を示す断面図である。
【符号の説明】
１０多層回路基板
１積層体
１ａ〜１ｈ絶縁層
２内部配線層
３回路形成用ビアホール導体
４表面配線層
４１ダイアタッチ導体膜
４２電極パッド部
４３端子電極
５電子部品素子
１５ボンディングワイヤ
６回路構成部品
７キャビティ
８熱放出用ビアホール導体
９放熱用ビアホ−ル導体
９ａ単位ビアホール導体
９ｂ連結部
１１蓋体
１２放熱フィン

Claims

複数の絶縁層を積層してなる積層体と、該積層体の主面側に形成されたダイアタッチ導体膜と、該ダイアタッチ導体膜に接合された電子部品素子と、前記ダイアタッチ導体膜に接合し、且つ前記積層体の厚み方向に延出するように形成された放熱用ビアホール導体とを有する多層回路基板において、
前記放熱用ビアホール導体は、複数の単位ビアホール導体と、該単位ビアホール導体を連結する連結部とを有し、前記放熱用ビアホール導体の平面形状が略放射線状を呈していることを特徴とする多層回路基板。
前記単位ビアホール導体は概略長円形状であり、その長径は前記絶縁層の厚みの８倍以下であることを特徴とする請求項１記載の多層回路基板。
前記連結部の幅は、前記単位ビアホール導体の短径の０．１〜０．９倍の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の多層回路基板。
前記積層体に、前記電子部品素子と電気的に接続する複数の電極パッドを形成するとともに、前記ダイアタッチ導体膜は、隣接し合う前記電極パッド間から電子部品素子接合領域より延出していることを特徴とする請求項１記載の多層回路基板。
前記積層体の一方主面にキャビティを有し、該キャビティ内の底面に、前記電子部品素子が搭載されるダイアタッチ導体膜を有するとともに、
前記キャビティ開口周囲に、前記積層体厚み方向に延び、且つ前記放熱用ビアホール導体と接合する熱放出用ビアホール導体が形成されていることを特徴とする請求項１記載の多層回路基板。