JP4780203B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
このようなパッケージの導電配線は、通常、発光素子の載置部を含む表面の導電配線と、パッケージを実装する基板に施された導電配線と接続するため、パッケージ裏面の導電配線と、セラミックスの内部に埋設されて、表面の導電配線と裏面の導電配線とを結ぶ内層配線とから構成されている。
一般に、これら配線の原材料は黒色又はそれに近い色であるため、配線によって発光素子からの光が吸収されることがある。そこで、パッケージから露出した配線には、光の吸収を抑制するために金や銀などの金属により電解メッキが施されているが、パッケージに埋設された内層配線は電解メッキを施すことができず、黒色のままである。また、セラミックスは、一般に、多孔質で、光透過性のある材料であるため、発光ダイオードから出射された光の一部がセラミックスを透過し、セラミックスに埋設された内層配線によって吸収されることもある。その結果、発光装置の光取り出し効率が低下するという課題があった。
同一面側に正負一対の電極を有し、それらの電極を前記導電配線に対向して配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を被覆する封止部材とを備えた半導体発光装置であって、
前記導電配線の一部が、前記第1絶縁層の上面において、前記半導体発光素子の直下から前記封止部材の外縁まで延長されて形成され、さらに前記パッケージの厚み方向に配置された導電配線を介して前記内層配線に接続されており、
前記パッケージを前記第1絶縁層の上面側から透過して見て、前記内層配線が、前記半導体発光素子の外周から間隔を空けて配置されていることを特徴とする。
また、前記第1絶縁層の上面にマークが形成されており、該マークは、前記半導体発光素子の外周から間隔を空けて配置されていることが好ましい。
前記パッケージは、半導体発光素子の直下に熱伝導性部材を備えていることが好ましい。
前記熱伝導性部材は、前記半導体発光素子の直下から前記パッケージの裏面に向かって広がる形状を有することが好ましい。
前記熱伝導性部材は、前記半導体発光素子の直下の第1熱伝導層と、その下の絶縁層と、その絶縁層の下の第2熱伝導層とから構成されていることが好ましい。
前記絶縁層がセラミックスからなる層であることが好ましい。
前記熱伝導性部材または熱伝導層が、CuWまたはCuMoを材料としていることが好ましい。
また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものではない。実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特に特定の記載がない限り、本発明の請求の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明の半導体発光装置を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
その結果、上記導電配線の一部を、上記第1絶縁層の上面において、上記半導体発光素子の直下から上記封止部材の外縁方向に延長して形成し、上記パッケージの厚み方向に配置された導電配線を介して上記内層配線に接続する。さらに、上記パッケージを上記第1絶縁層の上面側から透過して見て、上記内層配線を、上記半導体発光素子の外周から間隔を空けて配置させることを特徴とすることにより課題を解決するに至った。以下、本発明にかかる半導体発光装置の一形態について詳述する。
セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系(例えば、AlN)、炭化物系(例えば、SiC)等が挙げられる。なかでも、アルミナからなる又はアルミナを主成分とするセラミックスが好ましい。
パッケージには、セラミックス以外の絶縁性材料からなる絶縁層をその一部に有していてもよい。このような材料としては、例えば、BTレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等が挙げられる。
また、第1絶縁層と第2絶縁層との間には内層配線が配置されている。内層配線は、第1絶縁層と第2絶縁層との間に埋設されており、パッケージの上面側から裏面側にわたって貫通して形成される導電配線と接続することにより、パッケージの上面における導体配線およびパッケージの裏面における裏面配線に接続する配線として機能する。
導電配線及び内層配線の厚み及び幅等は、特に限定されるものではなく、その意図する機能を効果的に発揮することができるように、適宜調整することができる。
絶縁層を3層以上含む場合には、任意の絶縁層の間に、内層配線を配置していてもよい。第1絶縁層と第2絶縁層との間以外の内層配線は、パッケージのいずれの領域において配線されていてもよい。
ここでの絶縁層の膜厚は特に限定されるものではなく、第1及び第2熱伝導層の材料、膜厚、発光素子の種類、パッケージの大きさ及び厚み等によって適宜調整することができる。この絶縁層は、上述したセラミックスからなる層であることが好ましい。
本形態の半導体発光素子は、活性層に対して同じ側に正負一対の電極を有する。
封止部材の材料としては、透光性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂、メタクリル樹脂(PMMA等)、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂等の1種又は2種以上等の樹脂、液晶ポリマー等、当該分野で通常用いられる材料から選択することができる。なかでも、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、特に、耐光性の高いシリコーン樹脂が適している。封止部材は、これらの材料を使用して、圧縮成型、トランスファーモールドまたは射出成型によりパッケージに対してあるいはパッケージとして個片化する前の集合基板に対して形成することができる。
このような材料には、例えば、蛍光体又は顔料、フィラー又は拡散材等の追加の成分が含有されていてもよい。これら追加の成分は、特に限定されず、例えば、WO2006/038502号、特開2006−229055号に記載の蛍光体又は顔料、フィラー又は拡散材等が挙げられる。
保護素子は、特に限定されるものではなく、光半導体装置に搭載される公知のもののいずれでもよい。例えば、過熱、過電圧、過電流等に対する保護回路用の素子(例えば、静電保護素子)等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオードや、トランジスタが利用できる。
実施例1
本実施例の半導体発光装置10は、図2に示されるように、パッケージ11と、そのパッケージ11に配置された半導体発光素子12(LEDチップ)と、その半導体発光素子12を被覆する封止部材13とを備えた半導体発光装置である。
図3Bおよび図3Cの断面図に示されるように、パッケージ11は、上面に正負一対の導電配線が形成された第1絶縁層21と、その第一絶縁層21の下の内層配線23と、その内層配線23の下の第2絶縁層22と、が積層されて構成されている。
半導体発光素子12は、同一面側に正負一対の電極を有し、それらの電極を正負一対の導電配線14a、14bに向けて配置されている。
図3Aおよび図4に示されるように、この内層配線23は、パッケージ11を第1絶縁層21の上面側から透過して見て、半導体発光素子12aの外周から間隔を空けて配置されている。また、同様にして見て、封止部材13の外縁13aの外側に内層配線23が配置されている。以下、本実施例の半導体装置について詳述する。
導電配線14a、14bの一部は、パッケージ11を構成する第1絶縁層21の上面において、半導体発光素子12の直下から封止部材13の外縁13aの方向(x−x方向)に延長されて形成され、さらに図3Cに示されるように、パッケージ11の厚み方向に配置された別の導電配線を介して内層配線23に接続されている。
内層配線23は、パッケージ11を第1絶縁層21の上面側から透過して見て、半導体発光素子12の外周から間隔を空けて配置されている。言い換えると、この内層配線23は、第1絶縁層21と第2絶縁層22との間において、半導体発光素子12の外周領域に対応する領域の直下には実質的に配置されていない。
この実施例では、第1絶縁層21及び第2絶縁層22間に配置された内層配線23は、LEDチップの外縁12aから0.7mm程度の最短距離aで離間されている。
導電配線14a、14b及び内層配線23は、銅、モリブデン、タングステン粉末を混合した導電性ペーストを、パッケージを構成するセラミックスと同時に焼成して形成したものである。さらに、導電配線14a、14bは、その表面にAuによって電解メッキが施されている。
パッケージ11上には、パッケージ11の上面の形状に略対応して、少なくとも導電配線14a、14b及び半導体発光素子12の全面を被覆する部材が形成されている。この部材は、シリコーン樹脂の圧縮成型により形成されており、半導体発光素子12の上方にて、凸レンズ形状の封止部材13と、その封止部材13の外縁に接続して形成されパッケージ11の上面のアライメントマーク18を被覆する鍔部15とから構成されている。鍔部15の上面は、パッケージ11の上面に平行な、ほぼ平坦な面であり、鍔部15の大きさ(体積)は、封止部材13全体の大きさと比較して十分に小さい。例えば、本実施例の封止部材13は、半径が1.20〜1.50mm程度の略半球状の凸レンズであり、鍔部15は、その厚さが50〜100μm程度の薄膜である。そのため、鍔部15を伝播する光の量はごくわずかである。また、パッケージの上面側から第1の絶縁層を透過して見て、封止部材13の外縁(すなわち、封止部材13と鍔部15との境界線)の外側に内層配線23が配置されている。そのため、本実施例による半導体発光装置は、内層配線23による光の吸収が少なくてすむ。
この実施例の半導体発光装置40は、図8示したように、パッケージ41表面の封止部材13の外縁近傍に凹部42を設け、その凹部42内に保護素子43が搭載されていること、LEDチップ12の直下に、2段構造の熱伝導性部材が埋め込まれていること以外は、実質的に実施例1の半導体発光装置10と同様に、導電配線14a、14b、アライメントマーク18等が形成され、半導体発光素子12が搭載されている。
また、図9Cに示すように、導電配線14a、14bの直下であって、第1絶縁層51内を貫通するように埋め込まれた導電配線(図示せず)が形成されている。
また、パッケージの裏面の側で、熱伝導性部材が広く形成されているので、半導体発光素子からパッケージの裏面へかけての放熱も良好に行うことができる。
このような絶縁層を配置することによって、パッケージの内層配線と、絶縁層の下の熱伝導部材との接触を防止して短絡を防ぐことができるので、信頼性の高い発光装置とすることができる。
11 パッケージ
12 LEDチップ(半導体発光素子)
12a 半導体発光素子の外縁
12b 外周領域
13 封止部材
13a 封止部材の外縁
14a、14b、34a、34b 導電配線
15 鍔部
18、28 アライメントマーク
21、31、51、21a、21b 第1絶縁層
21c 凹部
22、32、52 第2絶縁層
23、33 内層配線
26 導電配線
24 裏面配線パターン
25、53 第3絶縁層
42 凹部
42a、42b 開口
43 保護素子
54 第4絶縁層
55、55a、55b 熱伝導性部材
56 配線パターン
Claims (9)
- 上面に正負一対の導電配線が形成された第1絶縁層と、その第1絶縁層の下の内層配線と、その内層配線の下の第2絶縁層とが積層されて構成されたパッケージと、
同一面側に正負一対の電極を有し、それらの電極を前記導電配線に対向して配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を被覆する封止部材と、を備えた半導体発光装置であって、
前記導電配線の一部が、前記第1絶縁層の上面において、前記半導体発光素子の直下から前記封止部材の外縁方向に延長されて形成され、さらに前記パッケージの厚み方向に配置された導電配線を介して前記内層配線に接続されており、
前記パッケージを前記第1絶縁層の上面側から透過して見て、前記内層配線が、前記半導体発光素子の外周から間隔を空けて配置され、かつ前記封止部材の外縁の外側に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1絶縁層の上面にマークが形成されており、該マークは、前記半導体発光素子の外周から間隔を空けて配置されている請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記パッケージは、前記半導体発光素子の直下に、第1絶縁層を介して、熱伝導性部材を備える請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記熱伝導性部材は、前記半導体発光素子の下から前記パッケージの裏面に向かって広がる形状を有する請求項3に記載の半導体発光装置。
- 前記熱伝導性部材は、前記半導体発光素子の直下の第1熱伝導層と、絶縁層を介して前記第1熱伝導層の直下に配置された第2熱伝導層とから構成されており、
前記絶縁層が、前記第1熱伝導層及び第2熱伝導層よりも大きな面積を有する請求項3または4に記載の半導体発光装置。 - 前記パッケージは、さらに、上面に配線パターンを有する第3絶縁層が前記第2絶縁層の下に設けられており、
該配線パターンの一部が露出されるように、前記第1絶縁層の上面に開口する凹部を有し、前記凹部は、前記封止部材の外縁の外側に配置されている請求項1または2に記載の半導体発光装置。 - 前記絶縁層がセラミックスからなる層である請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記熱伝導性部材または熱伝導層が、CuWまたはCuMoを材料としている請求項3から5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記内層配線は、前記半導体発光素子の外周から0.2mm以上の間隔を空けて配置されている請求項1から8のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
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