JP2017017162A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基板と、
前記基板上に、ダイボンド部材を介して接続される、発光層を備えた発光素子と、
前記発光素子の周囲に載置される光反射部材と、
を備え、
前記ダイボンド部材は、前記発光素子の周囲に延在する延在部を備え、
前記光反射部材は、前記発光素子が挿通される開口部を備え、
該開口部の内側面の上端は、前記延在部の上方に位置すると共に、前記発光素子の発光層よりも下側に位置する。
以下、各部材について詳説する。
発光素子20は、発光層を備えた半導体発光素子であればよく、いわゆる発光ダイオード等があげられる。たとえば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、発光層を含む半導体層の積層構造が形成されたものが挙げられる。基板としては、C面、A面、R面のいずれかを主面とするサファイア(Al2O3)やスピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、またSiC(6H、4H、3C)、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド、LiNbO3、NdGaO3等の酸化物基板、窒化物半導体基板(GaN、AlN等)等が挙げられる。半導体の構造としては、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。半導体層には、Si、Ge等のドナー不純物および/またはZn、Mg等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。得られる発光素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、発光層のInGaNのIn含有量、半導体層にドープする不純物の種類を変化させる等によって、紫外領域から赤外領域まで変化させることができる。
基板10は、発光素子20を載置し、固定するために用いられるものであり、基板の上面には導電部材10aを備える。基板10の母材となる材料は特に限定されず、例えば、Al2O3、AlN等のセラミック、高融点ナイロン等のプラスチック、ガラスエポキシ、ガラス、金属等が挙げられる。
ダイボンド部材30は、発光素子20を基板10に固定するために用いられる。
光反射部材40は、発光素子20の周囲にはみ出したダイボンド部材である延在部30aの上部に形成される。このことにより、ダイボンド部材30の延在部30aが、反射率が低い場合、または、劣化が発生した場合でも、延在部30aによる光の吸収を低減することができる。
封止部材60は、上述の発光素子等を被覆、封止し、発光素子等を保護する部材である。封止部材60は、透光性部材であり、たとえば、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかでも、透光性を有する部材であることが好ましい。これらの材料には、着色剤として、種々の染料または顔料等を混合して用いてもよい。たとえば、Cr2O3、MnO2、Fe2O3、カーボンブラック等が挙げられる。なお、透光性とは、発光素子から出射された光を70%程度以上、80%程度以上、90%程度以上、95%程度以上透過させる性質を意味する。
10…基板
10a…導電部材
20…発光素子
20a…発光層
30…ダイボンド部材
30a…延在部
40…光反射部材
40a…開口部
50…ワイヤ
60…封止部材
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に、ダイボンド部材を介して接続される、発光層を備えた発光素子と、
前記発光素子の周囲に載置される光反射部材と、
を備え、
前記ダイボンド部材は、前記発光素子の周囲に延在する延在部を備え、
前記光反射部材は、前記発光素子が挿通される開口部を備え、
該開口部の内側面の上端は、前記延在部の上方に位置すると共に、前記発光素子の発光層よりも下側に位置することを特徴とする発光装置。 - 前記光反射部材は、接着剤を介して前記基板の上面と接着されている請求項1記載の発光装置。
- 前記光反射部材は、TiO2を含む請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記発光素子と前記基板上の導電部材を電気的に接続するワイヤを備える請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記発光素子と、前記光反射部材を覆う封止部材を備える請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 発光素子よりも大きい面積で設けられたダイボンド部材を介して発光素子が接合された基板を準備する工程と、
前記発光素子が挿通可能な開口部を備えた光反射部材を準備する工程と、
前記光反射部材の開口部内に前記発光素子が配置されるように、前記基板上に前記光反射部材を配置する工程と、を有し、
前記開口部の内壁面の上端が、前記発光素子の周辺のダイボンド部材の上方であって、かつ、前記発光素子の発光層よりも下側に位置するように配置すること、
を特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記基板を準備する工程は、前記発光素子の周囲に接着剤を形成する工程を含む請求項6記載の発光装置の製造方法。
- 前記光反射部材を準備する工程は、下面に接着剤を備えた光反射部材を準備する工程を含む請求項6記載の発光装置の製造方法。
- 前記光反射部材を配置した後、前記発光素子と前記基板とをワイヤで接続する工程を含む請求項8記載の発光装置の製造方法。
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