JP2014241456A - 発光装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態において、光反射樹脂102は、発光素子104からの光を反射させるものであり、発光素子を取り囲むように設けられるとともに、少なくとも導電性ワイヤ105の一部を埋設するものである。これにより、導電性ワイヤによる光の吸収を抑制し、効率よく光を取り出すことができる。
図3に示すように、発光装置300は、基板301の上に導体配線303A、303B、が設けられている。発光素子304は、導体配線303A上に載置されるとともに、導電性ワイヤ305を用いて導体配線303A及び303Bと接続されている。保護素子307は、導体配線303B上に載置され、導電性接合部材によって固定されているとともに、導電性ワイヤを用いて導体配線303Aと接続されている。そして、この保護素子307を埋設するように光反射樹脂302が設けられている。
また、基板の角部に分割位置を決める目印などを設け、これが光反射樹脂に覆われないようにすることで、分割位置精度を向上させることができる。
基板は、導体配線が配される絶縁性の部材であり、光反射樹脂を設けることが可能な、略板状の部材である。基板の材料は、ガラスエポキシ樹脂、セラミックスあるいはガラスを挙げることができる。特に、セラミックスとしては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、炭化ケイ素あるいは窒化ケイ素などが好ましい。これらを材料とすることにより、耐熱性の高い基板とすることができる。
導体配線は、基板の上面に形成され、基板の内部や表面などを介して裏面にまで連続するよう設けられ、外部と電気的な接続が取れるような機能を有するものである。導体配線の大きさや形状は、種々選択することができ、例えば図1に示す発光装置100のように、光反射樹脂102に端部が埋設されるように大きく形成することもできるし、図2に示す発光装置200のように、光反射樹脂202から離間する部分を有する導体配線203Aとし、この上に発光装置204を設けるようにすることもできる。また、外部とは電気的な接続が無く、光反射材として機能する物も含む。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅等が挙げられる。
封止部材は、光反射樹脂で囲まれた領域やその外側に設けられるものであり、発光素子や保護素子などを、塵芥、水分や外力などから保護する部材である。また、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化のしにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂やユリア樹脂を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー、色変換部材(蛍光部材)などを含有させることもできる。
ダイボンド樹脂は、基体や導体配線上に発光素子や保護素子などを載置させるための接合部材であり、載置する素子の基板によって導電性ダイボンド部材又は縁性ダイボンド部材のいずれかを選択することができる。例えば、絶縁性基板であるサファイア上に窒化物半導体層を積層させた半導体発光素子の場合、ダイボンド部材は絶縁性でも導電性でも用いることができ、SiC基板などの導電性基板を用いる場合は、導電性ダイボンド部材を用いることで導通を図ることができる。絶縁性ダイボンド部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、半導体発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、半導体発光素子裏面にAl膜などの反射率の高い金属層を設けることができる。この場合、蒸着やスパッタあるいは薄膜を接合させるなどの方法を用いることができる。また、導電性ダイボンド部材としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Au−Sn共晶などの半田、低融点金属等のろう材を用いることができる。さらに、これらダイボンド部材のうち、特に透光性のダイボンド部材を用いる場合は、その中に半導体発光素子からの光を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光部材を含有させることもできる。
発光素子の電極と、基板に設けられる導電部材とを接続する導電性ワイヤは、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。特に、熱抵抗などに優れた金を用いるのが好ましい。
上記透光性部材中に、波長変換部材として半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。
本発明においては、半導体発光素子として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
図9Aに示すように、板状のアルミナセラミックス上に、表面にAgメッキが施された導体配線が設けられた基板を用意する。この導体配線上に、各辺が500μmと290μmの窒化物系半導体からなる発光素子6個を、AuSnからなる共晶接合部材を用いて接合させる。ここで、用いる発光素子は、主波長が約450nmの青色発光を有し、6個ともほぼ同じ波長を有する。
実施例1において、図9Aに示すように発光素子904を導体配線903A上に載置した後に、導体配線903B上に、各辺240μm角のSi(シリコン)からなる保護素子をAgペーストで載置し、この保護素子が埋設するように図9Bに示すような光反射樹脂902を設ける以外は、実施例1と同様に行い、本発明の発光素子を得る。尚、実施例2では、保護素子を載置するために導体配線903Bをやや長く(大きく)形成しておく。
黒色系の窒化アルミ板上に、Auメッキの導体配線が施された基板を用い、各辺が1mm角の窒化物系半導体からなる発光素子1個を、AuSn共晶で接合させる。このとき、発光素子の電極は、導体配線側に向くように配置されており、導電性ワイヤを用いずに接合されている。ここで用いる発光素子は、実施例1と同様に青色系の発光波長を有する。
101、201、301、401、501、601、701、801、901・・・基板102、202、302、402、502、502A、502B、602、・・・光反射樹脂
103A、103B、203A、303A、303B、403A、403B、703A、803A、903A、903B・・・導体配線
104、204、304、404、604、704、804、904・・・発光素子
105、205、305、405、705、805、905・・・導電ワイヤ
406、606・・・封止部材
307・・・保護素子
608・・・レンズ部材
900・・・発光装置の集合体の一部
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に載置された発光素子と、
前記発光素子の周囲を取り囲むように配され、該発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、
前記発光素子を導通させる導電性ワイヤと、
を有し、
該導電性ワイヤは、少なくとも一部が前記光反射樹脂に埋設されており、
前記光反射樹脂は、その高さが前記導電性ワイヤの最も高い部分よりも高くなるように設けられており、
前記光反射樹脂で囲まれた領域に封止部材が充填されている
ことを特徴とする発光装置。 - 基板と、
前記基板上に載置された発光素子と、
前記発光素子の周囲を取り囲むように配され、該発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と
前記発光素子を導通させる導電性ワイヤと、
を有し、
前記基板は、導体配線から露出される露出領域を有し、
該露出領域は、少なくとも一部が前記光反射樹脂に埋設されており、
前記光反射樹脂は、その高さが前記導電性ワイヤの最も高い部分よりも高くなるように設けられており、
前記光反射樹脂で囲まれた領域に封止部材が充填されている
ことを特徴とする発光装置。 - 基板と、
前記基板上に載置された発光素子と、
該導体配線上に載置された保護素子と、
前記発光素子の周囲を取り囲むように配され、該発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、
前記発光素子を導通させる導電性ワイヤと、
を有し
前記保護素子は、少なくともその一部が前記光反射樹脂に埋設されており、
前記光反射樹脂は、その高さが前記導電性ワイヤの最も高い部分よりも高くなるように設けられており、
前記光反射樹脂で囲まれた領域に封止部材が充填されている
ことを特徴とする発光装置。 - 前記封止部材に色変換部材が含有されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の発光装置。
- 前記基板は、前記導体配線から露出される露出領域を有し、該露出領域の少なくとも一部が前記光反射樹脂に埋設されている請求項1又は請求項3記載の発光装置。
- 前記導体配線と導通される保護素子を有し、該保護素子の少なくとも一部が前記光反射樹脂に埋設されている請求項1又は請求項4記載の発光装置。
- 前記光反射樹脂は、前記基板の外縁から離間する第1の領域と、前記基板の外縁と接する第2の領域とを有する請求項1〜6のいずれか1項記載の発光装置。
- 前記第1の領域は、前記基板の一辺において、前記第2の領域に挟まれている請求項7記載の発光装置
- 前記第2の領域は、前記基板の角部から離間する請求項7又は請求項8記載の発光装置。
- 前記発光素子は、少なくとも一部が前記光反射樹脂と接触している請求項1〜9のいずれか1項記載の発光装置。
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