JP2005183727A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 光取り出し効率を向上させ、放射光強度、軸上光度および輝度が高い発光装置を提供すること。
【解決手段】 発光装置1は、上面に発光素子4の搭載部2aを有する基体2と、基体2の上面の外周部に搭載部2aを固繞するように接合された枠体3と、一端が基体2の上面に形成されて発光素子4の電極に電気的に接続されるとともに他端が基体2の外面に導出された配線導体と、搭載部2aに搭載されるとともに配線導体に電気的に接続された発光素子4と、枠体3の内側に発光素子4を覆うように設けられた第1の透光性部材5と、枠体3の内側に第1の透光性部材5を覆うように設けられた第2の透光性部材6と、第2の透光性部材6の上面に設けられた、発光素子4が発光する光を波長変換する蛍光体を含有した蛍光体層7とを具備しており、第1の透光性部材5は、その屈折率が第2の透光性部材6の屈折率よりも小さい。
【選択図】 図1

Description

本発明は、発光素子から発光される光を蛍光体で波長変換し外部に放射する発光装置に関する。
従来の発光ダイオード(LED)等の発光素子104を収容するための発光装置を図3に示す。図3に示すように、発光装置は、上面の中央部に発光素子104を載置するための搭載部102aを有し、搭載部102aおよびその周辺から発光装置の内外を電気的に導通接続するリード端子やメタライズ配線等からなる配線導体(図示せず)が形成された絶縁体から成る基体102と、基体102の上面に接着固定され、中央部に発光素子104を収納するための貫通孔が形成された、金属、樹脂またはセラミックス等から成る枠体103とから主に構成される。
基体102は酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミックス、またはエポキシ樹脂等の樹脂から成る。基体102がセラミックスから成る場合、その上面にメタライズ配線層がタングステン(W)、モリブデン(Mo)−マンガン(Mn)等から成る金属ペーストを高温で焼成して形成される。また、基体102が樹脂から成る場合、基体102をモールド成型する際に、銅(Cu)や鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等から成るリード端子が基体102の内部に一端部が突出するように固定される。
また、枠体103は、アルミニウム(Al)やFe−Ni−コバルト(Co)合金等の金属、アルミナ質焼結体等のセラミックスまたはエポキシ樹脂等の樹脂から成り、切削加工や金型成型、押し出し成型等により形成される。さらに、枠体103の中央部には上方に向かうに伴って外側に広がる貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面の光の反射率を向上させる場合、この内周面にAl等の金属が蒸着法やメッキ法により被着される。そして、枠体103は、半田、銀ロウ等のロウ材または樹脂接着剤により、基体102の上面に接合される。
そして、基体102表面に形成した配線導体(図示せず)と発光素子104の電極とをボンディングワイヤ(図示せず)を介して電気的に接続し、しかる後、発光素子104の表面に蛍光体層107を形成した後に、枠体103の内側に透明樹脂105を充填し熱硬化させることで、発光素子104からの光を蛍光体層107により波長変換し所望の波長スペクトルを有する光を取り出せる発光装置と成すことができる。また、発光素子104として発光波長が300〜400nmの紫外領域を含むものを選び、蛍光体層107に含まれる赤、青、緑の3原色の蛍光体粒子の混合比率を調整することで色調を自由に設計することができる。
また一般的に蛍光体粒子は紛体であり、蛍光体単独では蛍光体層107の形成が困難なため、樹脂もしくはガラスなどの透明部材中に蛍光体粒子を混入して発光素子104の表面に塗布し蛍光体層107とするのが一般的である。
特開2003-37298号公報
しかし、従来の発光装置の場合、蛍光体層で波長変換された後に蛍光体層の下側に発光される光や、発光素子から発光された後に蛍光体層の下面で下側に反射される光は、枠体内側で光乱反射するとともに基体や発光素子によって吸収され光損失が著しく増加するという問題点を有していた。
また、発光素子から斜め上方向に発光された光は、枠体に反射されることなく発光装置の外側に大きな放射角度で放射されるため、放射角度が大きくなって軸上光度が低いという問題点も有していた。
したがって、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、光取り出し効率を向上させ、放射光強度、軸上光度および輝度が高い発光装置を提供することである。
本発明の発光装置は、上面に発光素子の搭載部を有する基体と、該基体の上面の外周部に前記搭載部を固繞するように接合された枠体と、一端が前記基体の上面に形成されて前記発光素子の電極に電気的に接続されるとともに他端が前記基体の外面に導出された配線導体と、前記搭載部に搭載されるとともに前記配線導体に電気的に接続された前記発光素子と、前記枠体の内側に前記発光素子を覆うように設けられた第1の透光性部材と、前記枠体の内側に前記第1の透光性部材を覆うように設けられた第2の透光性部材と、該第2の透光性部材の上面に設けられた、前記発光素子が発光する光を波長変換する蛍光体を含有した蛍光体層とを具備しており、前記第1の透光性部材は、その屈折率が前記第2の透光性部材の屈折率よりも小さいことを特徴とする。
本発明の発光装置は、上面に発光素子の搭載部を有する基体と、基体の上面の外周部に搭載部を固繞するように接合された枠体と、一端が基体の上面に形成されて発光素子の電極に電気的に接続されるとともに他端が基体の外面に導出された配線導体と、搭載部に搭載されるとともに配線導体に電気的に接続された発光素子と、枠体の内側に発光素子を覆うように設けられた第1の透光性部材と、枠体の内側に第1の透光性部材を覆うように設けられた第2の透光性部材と、第2の透光性部材の上面に設けられた、発光素子が発光する光を波長変換する蛍光体を含有した蛍光体層とを具備しており、第1の透光性部材は、その屈折率が第2の透光性部材の屈折率よりも小さいことにより、第2の透光性部材から第1の透光性部材へ進行する光の臨界角を小さくすることができる。よって、蛍光体層から下側に発光された光や、蛍光体層の下面で下側に反射された光が、第1の透光性部材と第2の透光性部材との界面で上側に反射され易くなり、基体や発光素子に吸収されるのを有効に抑制することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
また、発光素子から斜め上方向に発光される光を、第1の透光性部材と第2の透光性部材との界面で屈折させてより基体に垂直な方向、即ち、軸上方向に光の進行方向を変えることができ、発光装置から放射される光の放射角度を小さくして軸上光度を高めることができる。
本発明の発光装置1について以下に詳細に説明する。図1は本発明の発光装置1の実施の形態の一例を示す断面図である。図1において、2は基体、3は枠体、4は発光素子、5は第1の透光性部材、6は第2の透光性部材、7は蛍光体層であり、主としてこれらで発光装置1が構成される。
本発明における基体2は、アルミナセラミックス,窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,ガラスセラミックス等のセラミックス、エポキシ樹脂等の樹脂、または金属から成り、発光素子4を支持する支持部材として機能する。また、その上面に発光素子4を搭載するための搭載部2aを有している。
基体2がセラミックスの場合、発光素子4が電気的に接続されるための配線導体(図示せず)が形成されている。この配線導体が基体2の外表面に導出されて外部電気回路基板に接続されることにより、発光素子4と外部電気回路基板とが電気的に接続されることとなる。
発光素子4を配線導体に接続する方法としては、ワイヤボンディング(図示せず)を介して接続する方法、または、発光素子4の下面で半田バンプ(図示せず)により接続するフリップチップボンディング方式を用いた方法等が用いられる。好ましくは、フリップチップボンディング方式により接続するのがよい。これにより、配線導体を発光素子4の直下に設けることができるため、発光素子4の周辺の基体1の上面に配線導体を設けるためのスペースを設ける必要がなくなる。よって、発光素子4から発光された光がこの基体2の配線導体用のスペースで吸収されて放射光強度が低下するのを有効に抑制することができるとともに発光装置1を小型にすることができる。
この配線導体は、基体2がセラミックスから成る場合、例えば、W,Mo,Cu,銀(Ag)等の金属粉末のメタライズ層により形成される。また、基体2が樹脂から成る場合、Fe−Ni−Co合金等のリード端子を埋設することによって形成される。または、配線導体が形成された絶縁体から成る入出力端子を基体2に設けた貫通孔に嵌着接合させることによって設けられる。
なお、配線導体の露出する表面には、Niや金(Au)等の耐食性に優れる金属を1〜20μm程度の厚さで被着させておくのが良く、配線導体の酸化腐食を有効に防止し得るともに、発光素子4と配線導体との接続を強固にし得る。したがって、配線導体の露出表面には、例えば、厚さ1〜10μm程度のNiメッキ層と厚さ0.1〜3μm程度のAuメッキ層とが電解メッキ法や無電解メッキ法により順次被着されているのがより好ましい。
また、本発明における枠体3はAlやFe−Ni−Co合金等の金属、アルミナセラミックス等のセラミックスまたはエポキシ樹脂等の樹脂から成り、切削加工、金型成型、押し出し成型等により形成される。
また、枠体3の内周面の表面は、その表面の算術平均粗さRaが、0.1μm以下であるのが良く、これにより発光素子4の光を良好に発光装置1の上側に反射することができる。Raが0.1μmを超える場合、発光素子4の枠体3の内周面で光を上側に反射し難くなるとともに発光装置1の内部で乱反射し易くなる。その結果、発光装置1の内部における光の伝搬損失が大きく成り易いとともに、所望の放射角度で光を発光装置1の外部に出射することが困難になる。
また、本発明における蛍光体層7は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくはガラス等の透光性部材中に、例えば、赤、青、緑の3原色の蛍光体を混入して、透光性部材の上面に塗布または載置することで形成される。蛍光体としては様々な材料が用いられており、例えば、赤はLaS:Eu(EuドープLaS)の蛍光体、緑はZnS:Cu,Alの蛍光体、青は(BaMgAl)1012:Euの蛍光体を用いる。さらに、蛍光体粒子を任意の割合で配合することにより、所望の発光スペクトルと色を有する光を出力することができる。
また、本発明の第1の透光性部材5は、発光素子4を覆うように枠体3の内側に充填され、熱硬化される。第1の透光性部材5は、発光素子4との屈折率差が小さく、紫外線領域から可視光領域の光に対して透過率の高いものから成るのがよく、例えば、第1の透光性部材5は、シリコーン樹脂,エポキシ樹脂,ユリア樹脂等の透明樹脂や、低融点ガラス、ゾル−ゲルガラス等から成る。これにより、発光素子4と第1の透光性部材5との屈折率差により光の反射損失が発生するのを有効に抑制することができるとともに、発光装置1の外部へ高効率で所望の放射強度,角度分布で光を出射する発光装置1を製造できる。
また、第2の透光性部材6は、第2の透光性部材6を覆うように枠体3の内側に充填され、熱硬化される。第2の透光性部材6は、紫外線領域から可視光領域の光に対して透過率が高いものから成るのがよく、第1の透光性部材5よりも屈折率が小さくなっている。これにより、第2の透光性部材6から第1の透光性部材5へ進行する光の臨界角を小さくすることができ、蛍光体層7から下側に発光された光や、蛍光体層7の下面で下側に反射された光が、第1の透光性部材5と第2の透光性部材6との界面で上側に反射され易くなり、基体2や発光素子4に吸収されるのを有効に抑制することができ、光取り出し効率を向上させることができる。また、発光素子4から斜め上方向に発光される光を、第1の透光性部材5と第2の透光性部材6との界面で屈折させてより基体2に垂直な方向、即ち、軸上方向に光の進行方向を変えることができ、発光装置1から放射される光の放射角度を小さくして軸上光度を高めることができる。
第2の透光性部材6の屈折率は、第1の透光性部材5の屈折率の1.05倍以上であるのがよい。これにより、より波長が短く屈折し難い光に対してもより良好に、第1および第2の透光性部材の界面での上側への光反射、および、軸上方向への屈折を行なうことができ、光取り出し効率および軸上光度をより高めることができる。1.05倍未満であると、特に波長の短い光に対して、上側への光反射、および、軸上方向への屈折を行なうことが困難となる。
また、第1の透光性部材5と第2の透光性部材6の各厚みは、第1の透光性部材5と第2の透光性部材6の界面における反射効率を考慮して、適切に選択すれば良い。
また、図2に示すように、枠体3の上面に、ガラス、サファイア、石英、またはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂(プラスチック)などの透明部材から成る蓋体8を載置固定しても良い。この場合、枠体3の内側に設置された、発光素子4、配線導体、ボンディングワイヤ、第1の透光性部材5、第2の透光性部材6を保護するとともに、発光装置1内部を気密に封止し、発光素子4を長期に安定した動作をさせることができる。また、蓋体8をレンズ状に形成して光学レンズの機能を付加することによって、光を集光または分散させて所望の放射角度、強度分布で光を発光装置1の外部に取りだすことができる。
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何等支障ない。
本発明の発光装置1について以下に実施例を示す。
まず、基体2となるアルミナセラミックス基板を準備した。基体2は、幅8mm×奥行き8mm×厚さ0.5mmの直方体とした。
また、基体2の発光素子4が搭載される搭載部2aから基体2の外表面にかけて配線導体を形成した。搭載部2bの配線導体は、Mo−Mn粉末からなるメタライズ層により直径0.1mmの円形パッドに成形され、その表面には厚さ3μmのNiメッキ層が被着された。また、基体2内部の配線導体は、貫通導体からなる電気接続部、いわゆるスルーホールによって形成された。このスルーホールについても搭載部2bの配線導体と同様にMo−Mn粉末からなるメタライズ導体で成形された。
さらに、基体2と枠体3を接着剤で接合し、しかる後、屈折率が1.43のシリコーン樹脂から成る第1の透光性部材5を、発光素子4を覆うように枠体3の内部に厚さ0.5mmで充填し、さらに、屈折率が1.56のエポキシ樹脂から成る第2の透光性部材6を、第1の透光性部材5を覆うように枠体3の内部に厚さ0.5mmで充填した。そして、第2の透光性部材6の上面に、赤はLaS:Eu、緑はZnS:Cu,Al、青は(BaMgAl)1012:Euから成る蛍光体をシリコーン樹脂から成る透光性部材に含有して成る蛍光体層7を被覆させることで本発明の発光装置1を構成した。
一方、比較例として、枠体3の内部に、第2の透光性部材6は使用せず、第1の透光性部材5のみを厚さ1.0mmで充填して構成したこと以外は、本発明の発光装置1と同一条件のものを構成した。
このようにして作製した本発明の発光装置1と比較例について、おのおの全光束量を測定したところ、本発明の発光装置1の全光束量が、比較例に対し約6%から約10%多くなり、本発明の発光装置1の方が優れていることが分かった。
なお、本発明は以上の実施の形態の例および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を行なうことは何等支障ない。
本発明の発光装置の実施の形態の一例を示す断面図である。 本発明の発光装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。 従来の発光装置の断面図である。
符号の説明
1:発光装置
2:基体
2a:搭載部
3:枠体
4:発光素子
5:第1の透光性部材
6:第2の透光性部材
7:蛍光体層
8:蓋体

Claims (1)

  1. 上面に発光素子の搭載部を有する基体と、該基体の上面の外周部に前記搭載部を固繞するように接合された枠体と、一端が前記基体の上面に形成されて前記発光素子の電極に電気的に接続されるとともに他端が前記基体の外面に導出された配線導体と、前記搭載部に搭載されるとともに前記配線導体に電気的に接続された前記発光素子と、前記枠体の内側に前記発光素子を覆うように設けられた第1の透光性部材と、前記枠体の内側に前記第1の透光性部材を覆うように設けられた第2の透光性部材と、該第2の透光性部材の上面に設けられた、前記発光素子が発光する光を波長変換する蛍光体を含有した蛍光体層とを具備しており、前記第1の透光性部材は、その屈折率が前記第2の透光性部材の屈折率よりも小さいことを特徴とする発光装置。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303038A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2007036200A (ja) * 2006-06-01 2007-02-08 Kyocera Corp 発光装置
JP2007059852A (ja) * 2005-07-25 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007080870A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007088091A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
DE102005034793B3 (de) * 2005-07-21 2007-04-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
KR100721962B1 (ko) * 2005-09-21 2007-05-25 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR100748707B1 (ko) * 2005-09-16 2007-08-13 서울반도체 주식회사 발광 소자의 제조 방법
KR100856834B1 (ko) * 2006-07-21 2008-09-05 (주) 아모센스 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2008227042A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光源装置
CN100470860C (zh) * 2006-02-15 2009-03-18 深圳市量子光电子有限公司 发光二极管
JP2009541949A (ja) * 2006-07-05 2009-11-26 ティーアイアール テクノロジー エルピー 照明装置パッケージ
JP2011023767A (ja) * 2006-01-30 2011-02-03 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
CN102005522A (zh) * 2010-11-30 2011-04-06 杭州彩虹光电有限公司 Led封胶工艺
JP2011071404A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
US7955879B2 (en) 2008-05-07 2011-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming LED semiconductor device having annealed encapsulant layer and annealed luminescence conversion material layer
CN102637810A (zh) * 2012-04-25 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 Led封装结构及封装成型方法
CN102084503B (zh) * 2009-09-15 2013-03-20 香港应用科技研究院有限公司 远距离设置光散射材料的发光装置
US8405304B2 (en) 2006-12-26 2013-03-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emtting device
KR101258232B1 (ko) 2012-12-24 2013-04-25 서울반도체 주식회사 복수개의 파장변환 물질층들을 갖는 발광 소자
KR101258228B1 (ko) * 2006-12-28 2013-04-25 서울반도체 주식회사 복수개의 파장변환 물질층들을 갖는 발광 소자
JP2020057673A (ja) * 2018-09-29 2020-04-09 日亜化学工業株式会社 発光装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303038A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP4688553B2 (ja) * 2005-04-18 2011-05-25 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
DE102005034793B3 (de) * 2005-07-21 2007-04-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
US7928466B2 (en) 2005-07-21 2011-04-19 Merck Patent Gmbh Light emitting semi-conductor diode (with high light output)
JP2007059852A (ja) * 2005-07-25 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007080870A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR100748707B1 (ko) * 2005-09-16 2007-08-13 서울반도체 주식회사 발광 소자의 제조 방법
JP2007088091A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR100721962B1 (ko) * 2005-09-21 2007-05-25 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2011023767A (ja) * 2006-01-30 2011-02-03 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2012212925A (ja) * 2006-01-30 2012-11-01 Kyocera Corp 発光装置
JP2012212926A (ja) * 2006-01-30 2012-11-01 Kyocera Corp 発光装置
CN100470860C (zh) * 2006-02-15 2009-03-18 深圳市量子光电子有限公司 发光二极管
JP2007036200A (ja) * 2006-06-01 2007-02-08 Kyocera Corp 発光装置
JP2009541949A (ja) * 2006-07-05 2009-11-26 ティーアイアール テクノロジー エルピー 照明装置パッケージ
KR100856834B1 (ko) * 2006-07-21 2008-09-05 (주) 아모센스 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지 및 그 제조방법
US8405304B2 (en) 2006-12-26 2013-03-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emtting device
US8569944B2 (en) 2006-12-26 2013-10-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR101258228B1 (ko) * 2006-12-28 2013-04-25 서울반도체 주식회사 복수개의 파장변환 물질층들을 갖는 발광 소자
JP2008227042A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光源装置
US7955879B2 (en) 2008-05-07 2011-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming LED semiconductor device having annealed encapsulant layer and annealed luminescence conversion material layer
CN102084503B (zh) * 2009-09-15 2013-03-20 香港应用科技研究院有限公司 远距离设置光散射材料的发光装置
JP2011071404A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
CN102005522A (zh) * 2010-11-30 2011-04-06 杭州彩虹光电有限公司 Led封胶工艺
CN102637810A (zh) * 2012-04-25 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 Led封装结构及封装成型方法
KR101258232B1 (ko) 2012-12-24 2013-04-25 서울반도체 주식회사 복수개의 파장변환 물질층들을 갖는 발광 소자
JP2020057673A (ja) * 2018-09-29 2020-04-09 日亜化学工業株式会社 発光装置

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