KR100856834B1 - 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 형광체 시트를 이용하여 노란띠가 없는 균일한 색깔의 광을 출력할 수 있도록 한 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 패키지는 기판에 형성된 캐비티의 저면에 설치된 발광소자 칩; 및 상기 캐비티의 상부 개구부에 소정 두께로 형성되고, 상기 발광소자 칩에서 방출되는 광을 통과시키는 형광체 시트를 포함한다.

이러한 본 발명에 의하면, LED칩에서 방출된 광이 형광체 시트를 통과하면서 백색광으로 변환되므로, 노란띠가 없는 균일한 색상의 빛을 얻을 수 있게 된다.

Description

형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지 및 그 제조방법{Semiconductor package with phosphor sheet and manufacturing method thereof}

도 1은 종래의 노란띠 현상을 설명하기 위해 채용된 반도체 패키지의 개략적인 구조도,

도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 구성도,

도 3 및 도 4는 도 2의 변형예의 구성도,

도 5는 본 발명의 제 2실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 구성도,

도 6 및 도 7은 도 5의 변형예의 구성도,

도 8은 도 2의 또 다른 변형예의 구성도,

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 플로우차트,

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

20, 40, 60, 80, 100, 120 : 반도체 패키지

22 : LED칩 24 : 하부 기판

26 : 상부 기판 28, 30 : 패턴 전극

32 : 반사판 34 : 형광체 시트

36 : 와이어 42 : 제 1매질

44 : 제 2매질

본 발명은 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 형광체 시트를 이용하여 백색광 출력이 가능하도록 한 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

통상적으로, 반도체 패키지란 웨이퍼(Wafer)로부터 소잉(Sawing)된 칩단위의 반도체 소자(예컨대, LED)를 기판(Substrate)에 전기적으로 연결함과 동시에 수지 봉지재로 감싸서 마더보드(Mother Board)에 전기적으로 실장할 수 있는 형태의 것을 말한다.

그러한 반도체 패키지는 최근에 들어서 조명기구(예컨대, 손전등, 카메라 후레쉬 등)에 광원으로 많이 채용되고 있다.

그런데, 예를 들어 손전등을 이용하여 어느 한 피사체에 광을 비추게 되면 비춰지는 광의 가장자리를 따라 노란띠(yellow ring)가 발생된다. 이러한 노란띠는 외관상 좋은 느낌을 주지 않을 뿐만 아니라 일반 카메라 후레쉬에서는 사진 촬영시 사진의 품질을 저하시키는 주요 원인이 된다.

도 1을 참조하여 노란띠 발생원인에 대하여 설명하면 다음과 같다. 도 1의 반도체 패키지(1)는, 기판(10)의 캐비티(12)내에 LED칩(14)이 실장되고, 그 LED칩(14)에서의 광이 그 캐비티(12)내의 형광체(도시 생략)를 통과하여 전방으로 방 출되는 구조를 취한다. 도 1의 반도체 패키지(1)는 개략적인 구조로서, 패턴 전극 및 와이어 등이 생략된 것이다.

도 1의 반도체 패키지(1)의 경우, LED칩(14)에서의 광(예컨대, 청색광)이 캐비티(12)내의 형광체(예컨대, 노란색)를 거쳐 백색광으로 출력된다.

여기서, 그 LED칩(14)에서 방출된 광이 백색으로 변환되기까지의 이동경로를 살펴보면, ①과 같이 최단거리의 이동경로 및 ②와 같이 캐비티(12)의 내측벽에 부딪친 후에 방출되는 이동경로(즉, ①에 비해 긴 이동경로임) 등이 있다.

즉, LED칩(14)에서의 광이 캐비티(12)내의 형광체를 완전히 통과하기까지에는 ①과 ②와 같이 상호 다른 길이의 이동경로들이 존재하고, 그 보다 긴 이동경로를 갖는 ②에 의해서 노란띠 현상이 발생한다.

다시 말해서, LED칩(14)의 모든 출광면이 균일한 두께의 형광체층으로 에워싸여져 있다면 그 LED칩(14)에서 출광된 광이 어느 방향으로 가더라도 그 형광체층을 통과하기까지의 이동경로의 길이가 모두 동일하여 노란띠가 발생되지 않겠지만, 도 1에서와 같이 대부분의 LED칩(14)을 에워싸고 있는 형광체층의 두께는 불균일하기 때문에 길이가 보다 긴 이동경로(②)를 통과한 광이 비춰지는 영역은 노란띠를 형성하게 된다. 그로 인해 광효율이 저하되는 문제가 있다.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 형광체 시트를 이용하여 노란띠가 없는 균일한 색깔의 광을 출력할 수 있도록 함과 더불어 광효율을 증가시키도록 한 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지 및 그 제조방법을 제 공함에 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지는, 기판에 형성된 캐비티의 저면에 설치된 발광소자 칩; 및 상기 캐비티의 상부 개구부에 소정 두께로 형성되고, 상기 발광소자 칩에서 방출되는 광을 통과시키는 형광체 시트를 포함한다.

여기서, 상기 발광소자 칩과 상기 형광체 시트 사이에는 소정의 매질이 수용되는데, 상기 매질은 공기 및/또는 실리콘이다.

그리고, 상기 발광소자 칩은 LED칩으로 이루어진다.

그리고, 상기 형광체 시트는 상기 캐비티의 상부 개구부의 직경보다는 동일 또는 긴 직경을 갖는다.

그리고, 상기 캐비티의 상단부에 단차가 형성되고, 상기 단차에 상기 형광체 시트의 외측 대향부위가 결합된다.

그리고, 상기 형광체 시트를 통과하여 외부로 방출되는 광을 집광시키는 반사부재를 추가로 포함하여도 된다.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법은, 소정 두께의 형광체 시트, 및 캐비티내에 발광소자 칩이 탑재된 기판을 별도로 준비하는 제 1과정; 상기 캐비티내에 소정의 매질을 주입하여 경화시키는 제 2과정; 및 상기 경화된 매질을 통과한 상기 발광소자 칩에서의 출광량을 측정하여 그에 상응하는 형광체 시트를 상기 경화된 매질의 상면에 고착시키는 제 3과정을 포함한다.

여기서, 상기 소정의 매질을 실리콘으로 한다.

그리고, 상기 제 3과정은, 상기 발광소자 칩에서의 출광량에 근거하여 결정된 두께의 형광체 시트를 상기 경화된 매질의 상면에 고착시켜도 되고, 상기 발광소자에서의 출광량에 근거하여 결정된 형광체량을 갖는 형광체 시트를 상기 경화된 매질의 상면에 고착시켜도 된다.

그리고, 상기 제 3과정은, 상기 캐비티의 상부 개구부의 직경과 동일한 직경의 형광체 시트를 상기 경화된 매질의 상면에 고착시킨다.

그리고, 상기 제 3과정에서, 상기 경화된 매질의 상면에 상기 형광체 시트의 고착은 광학 본딩제를 이용하여 행한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 형광체 시트를 이용한 반도체 패키지의 제조방법은, 소정 두께의 형광체 시트, 및 캐비티내에 발광소자 칩이 탑재된 기판을 별도로 준비하는 제 1과정; 상기 캐비티내에 소정의 매질을 주입하는 제 2과정; 상기 캐비티의 상부 개구부에 상기 형광체 시트를 붙이는 제 3과정; 및 상기 소정의 매질과 상기 형광체 시트를 동시에 큐어링시켜 상호 고착시키는 제 4과정을 포함한다.

여기서, 상기 소정의 매질을 실리콘으로 한다.

그리고, 상기 제 3과정은, 상기 캐비티의 상부 개구부의 직경보다 긴 직경의 형광체 시트를 붙인다.

그리고, 상기 제 3과정은 광학 본딩제를 이용하여 행한다.

그리고, 상기 제 4과정 전에 상기 소정의 매질과 형광체 시트 사이의 기포를 제거하는 과정을 추가로 포함하여도 된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지 및 그 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다. 이하에서는 반도체 패키지를 LED칩이 채용된 반도체 패키지 즉, LED 패키지를 최적의 실시예로 하여 설명한다.

(제 1실시예)

도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 구성도이다. 도 2의 반도체 패키지(20)는, LED칩(22); 그 LED칩(22)이 실장되는 하부 기판(24); 그 하부 기판(24)상에 배치되며 상기 LED칩(22)이 실장되는 영역에 상응하는 영역에 소정의 경사각으로 된 캐비티가 형성된 상부 기판(26); 상기 하부 기판(24)에 소정 형태로 형성된 패턴 전극(28, 30); 상기 LED칩(22)을 둘러싸도록 상기 상부 기판(26)의 캐비티 내측면을 따라 밀착되게 설치된 반사판(32); 및 상기 캐비티의 상부 개구부에 소정 두께로 형성되고, 상기 LED칩(22)에서 방출되는 광을 통과시키는 형광체 시트(34)를 포함한다.

여기서, 상기 하부 기판(24)은 LED칩(22)을 고밀도로 실장할 수 있는 기판이면 어느 것이나 가능하다. 예를 들어, 이러한 하부 기판으로는 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코 니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(low temperature co-fired ceramic) 등을 들 수 있다. 세라믹은 그 위에 금속 도체 배선 패턴을 형성하여 소성공정을 통해 적층형 세라믹 패키지(multi-layer ceramic package; MLP)로 사용이 가능하다. 이러한 패키지로 사용되는 경우 기밀성이 우수하다. 그리고, 상기 상부 기판(26)도 상술한 하부 기판(24)의 재질과 동일한 것으로 보면 된다.

상기 하부 기판(24)과 상부 기판(26)을 기판으로 통칭하여도 된다.

그리고, 상기 패턴 전극(28, 30)중에서 패턴 전극(28)은 애노드 전극이고 패턴 전극(30)은 캐소드 전극이다.

상기 애노드 전극(28)은 상기 하부 기판(24)상에서 LED칩 실장영역에 형성된 캐소드 전극(30)과의 전기적인 절연을 위해 이격되게 일측 상면에 형성된다. 그리고, 상기 애노드 전극(28)은 상기 하부 기판(24)의 저면에도 형성되는데, 그 하부 기판(24)의 저면에 형성된 애노드 전극(28)은 상기 하부 기판(24)의 상면에 형성된 애노드 전극(28)이 연장되는 형태이어도 되고 상기 하부 기판(24)의 상면에 형성된 애노드 전극(28)과 분리되어 있지만 전기적으로 연결되는 형태이어도 된다.

상기 캐소드 전극(30)은 상기 애노드 전극(24)과는 반대방향으로 형성된다.그에 따라, 상기 LED칩(22)이 상기 캐소드 전극(30)상에 실장되고, 와이어(36)를 통해 그 애노드 전극(28)과 캐소드 전극(30)에 전기적으로 연결된다. 물론, 필요에 따라서는 그 애노드 전극(28)을 캐소드 전극으로 하고 캐소드 전극(30)을 애노드 전극으로 교체할 수도 있는데, 이 경우에는 구동전원 인가방식을 반대로 하면 된 다.

그리고, 상기 형광체 시트(34)는 노란색의 형광체를 주성분으로 하여 제조된다. 이는 상기 LED칩(22)이 청색광을 출력하는 것으로 가정한 경우로서, 백색광을 만들기 위한 것이다. 만약, 그 LED칩(22)에서 출력되는 광의 색깔이 청색이 아니라면 백색광을 만들기 위해 그 형광체 시트(34)의 색상 역시 바뀌어야 한다.

그리고, 상기 LED칩(22)과 상기 형광체 시트(34) 사이의 공간 즉, 캐비티내에는 소정의 매질(예컨대, 공기 또는 실리콘)이 수용된다. 종래의 구조(도 1)와 대비하여 보았을 때, 매질을 실리콘으로 하였을 경우는 종래의 구조와 거의 동일한 광도(Cd)를 나타내고, 매질을 공기로 하였을 경우에는 종래의 구조보다 훨씬 높은 광도(Cd)를 나타낸다. 따라서, 상기 LED칩(22)과 상기 형광체 시트(34) 사이의 공간(즉, 캐비티)내에 공기를 충진시키면 되는데, 현재로서는 공기를 충진시켜 두게 되면 도 2의 구조상 형광체 시트(34)의 평탄도 유지에 어려움이 있기 때문에 매질을 실리콘으로 하는 것이 평탄도 유지 및 제조 공정상 유리하다.

특히, 반도체 패키지 자체에서의 발광면이 LED칩(22)이 아니라 평탄하면서도 균일한 두께의 형광체 시트(34)가 되므로, 아래의 표에서와 같이 광 효율이 종래에 비해 20~30% 증가된다.

(표)

종류	X 좌표	Y 좌표	루멘[lm]	형광체 시트 두께[㎛]
종래 구조(도 1)	0.3338	0.3331	46.205	No sheet type
본원 구조(도 2)	0.3488	0.3607	52.3	500

상기의 표에서는 형광체 시트(34)의 두께를 500㎛로 하여 실험한 데이터로 서, 그 형광체 시트(34)의 두께를 더 크게 하면 루멘값이 더 크게 됨을 실험을 통하여 알 수 있었다.

도 3은 도 2의 변형예로서, 도 3의 반도체 패키지(40)는 도 2의 구성요소를 모두 갖춘다. 다만, 형광체 시트(34)의 길이에서 차이난다. 도 2에서는 형광체 시트(34)의 길이가 상기 상부 기판(26)의 캐비티의 상부 개구부의 폭과 동일 내지는 약간 긴 것으로 하였는데, 도 3에서는 그 형광체 시트(34)의 길이를 캐비티의 상부 개구부의 폭보다 길게 하였다.

도 3은 반도체 패키지(40)의 단면도이므로 길이 및 폭이라는 단어로 표현하였는데, 실제적으로 상부 기판(26)에 형성된 캐비티를 평면에서 보게 되면 원형상이고 형광체 시트(34) 역시 원판 형상이므로 그 형광체 시트(34)의 직경이 캐비티의 직경보다 큰 것으로 이해하는 것이 바람직하다.

도 4는 도 2 및 도 3의 변형예이다. 도 2 및 도 3에서는 형광체 시트(34)를 정확히 제자리에 위치시키는데에 어느 정도의 시간이 소요된다. 그에 따라, 도 4의 반도체 패키지(60)는 형광체 시트(34)의 설치를 보다 간편하게 할 수 있도록 함과 더불어 정확하게 배치시킬 수 있도록 하기 위해 단차(38)를 형성시킨 것이 차이난다.

즉, 도 4의 반도체 패키지(60)는 캐비티의 상부 개구부에 단차(38)를 형성시키고, 그 단차(38)에 상기 형광체 시트(34)의 외측 대향부위를 얹힌 후에 실링 등 에 의해 상기 캐비티의 상부 개구부에 형광체 시트(34)를 고착시킨다. 그 실링에 의해 LED칩(22)에서 방출되는 광의 손실을 차단하게 된다.

(제 2실시예)

도 5는 본 발명의 제 2실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 구성도로서, 도 2에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하면서 그에 대한 설명은 생략한다.

도 5의 반도체 패키지(80)는 도 2의 반도체 패키지(20)와 비교하였을 때, LED칩(22)과 형광체 시트(34) 사이의 매질 구성에서 차이난다. 도 2에서는 그 매질을 공기 또는 실리콘으로 하였으나, 도 5에서는 그 매질을 실리콘으로 이루어진 제 1매질(42)과 공기로 이루어진 제 2매질(44)로 구분하였다.

즉, 도 5에서는 제 1매질(42)이 LED칩(22)의 주위를 감싸고, 그 제 1매질(42)과 형광체 시트(34) 사이의 공간을 제 2매질(44)로 채운다.

도 6은 도 5의 변형예로서, 한편으로는 도 3의 변형예라고도 할 수 있다.

도 6의 반도체 패키지(100)는 도 5의 반도체 패키지(80)와 비교하여 볼 때, 형광체 시트(34)의 길이에서 차이날 뿐 나머지는 동일하다. 그리고, 그 차이나는 부분에 대한 설명은 도 3에서의 설명으로 대체하여도 무방하다.

도 7은 도 5 및 도 6의 변형예로서, 한편으로는 도 4의 변형예라고도 할 수 있다.

도 7의 반도체 패키지(120)는 형광체 시트(34)의 설치를 보다 간편하게 할 수 있도록 함과 더불어 정확하게 배치시킬 수 있도록 하기 위해 단차(38)를 형성시킨 것이 차이난다. 그 차이나는 부분에 대한 설명은 도 4에서의 설명으로 대체하여도 무방하다.

한편, 상술한 도 2 내지 도 7의 구성에서, 형광체 시트(34)를 통과하여 나오는 광을 집광시켜 주기 위한 반사부재를 추가로 포함시켜도 된다.

도 8에 그러한 구성을 도시하였는데, 도 8은 도 2의 구성을 기초로 하여 그 반사부재를 추가시킨 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 8이 도 2의 구성을 기초로 하였다고 하여 반사부재를 도 2의 구성에만 추가시킬 수 있는 것이 아니라 도 3 내지 도 7에도 추가시킬 수 있음은 당연하다.

도 8에서는 이해를 돕기 위해, 하부 기판(24)과 상부 기판(26)을 기판(50)으로 표현하였으며, 패턴 전극(28, 30)을 도시하지 않았다.

그리고, 도 8에서는 기판(50)의 캐비티내에 실리콘이 채워진 것으로 하는데, 실리콘이 아닌 공기가 채워져도 되고 도 5에서와 같이 실리콘인 제 1매질과 공기인 제 2매질이 채워져도 된다.

도 8에서, 반사부재(70)는 오목하게 소정의 깊이로 형성된 캐비티를 갖고, 그 캐비티의 내측면에는 반사면(72)이 형성되며, 그 캐비티의 저부는 형광체 시트(34)가 끼워질 정도로 천공된다.

이러한 반사부재(70)가 상술한 반도체 패키지와 결합하게 되면, LED칩(22)에서 방출되는 광은 형광체 시트(34)를 통해 백색의 광으로 나와서 직진하거나 그 반사부재(70)의 반사면(72)에 부딪혀 직진하게 된다.

이어, 본 발명의 실시예에 따른 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법에 대하여 설명한다.

먼저, 도 2에 도시된 반도체 패키지(20)를 제조하는 방법에 대하여 도 9의 플로우차트를 참조하여 설명한다. 이하의 설명에서는 LED칩(22)이 청색광을 출력하고, 형광체 시트(34)는 노란색인 것으로 하고 설명한다.

일단, LTCC공정 등에 의해 제조가능한 캐비티를 갖춘 기판(24, 26), 및 소정 두께의 형광체 시트(34)를 별도로 제조한다(S10). 여기서, 그 제조된 기판(24, 26)에는 패턴 전극(28, 30) 및 반사판(32)이 형성된 것으로 한다. 그리고, 제조된 형광체 시트(34)의 두께는 균일한 것으로 한다.

그리고 나서, LED칩(22)을 그 캐비티의 저면 즉, 캐소드 전극(30)상에 탑재시킨 후에 와이어(36)를 통해 애노드 전극(28)과 캐소드 전극(30)에 전기적으로 연결시킨다(S12). 설명을 생략하였지만, 그 LED칩(22)과 캐소드 전극(30) 사이에는 절연재가 배치되어 그 LED칩(22)과 캐소드 전극(30)을 절연시킨다.

그 후, 그 캐비티내에 실리콘을 완전히 채워 넣은 후에 경화시킴으로써 캐비티내에 실리콘층을 형성시킨다(S14).

그리고, 그 경화가 완료된 이후에는 형광체 시트(34)가 설치되지 않은 현재 의 상태에서 LED칩(22)을 구동시켜 그 LED칩(22)에서 방출되어 실리콘층을 통해 나오는 광의 양을 측정한다(S16).

그 LED칩(22)에서 방출되는 광의 광선(ray)을 측정하게 되면 형광체 시트(34)에 대한 최적의 튜닝치를 알 수 있게 된다. 따라서, 그 최적의 튜닝치에 맞는 형광체 시트(34)를 선택하면 된다(S18). 즉, 그 LED칩(22)에서의 방출광량에 따라 형광체 시트(34)의 두께가 달라지게 된다. 또한, 그 LED칩(22)에서의 방출광량에 따라 두께는 동일하지만 형광체 시트(34)에 함유된 형광체의 양에서 차이나기도 한다. 다시 말해서, 형광체 시트(34)를 조건에 따라 미리 여러개 제조해 둔다. 이와 같이 최적의 형광체 시트(34)를 미리 선택할 수 있게 됨에 따라 반도체 패키지의 완성후의 색좌표 불량을 원천적으로 제거할 수 있게 된다.

그 LED칩(22)에서의 출광량에 따라 최적의 형광체 시트(34)가 선택되면 광학 본딩제를 그 실리콘층의 상면에 바른 후에 그 선택된 최적의 형광체 시트(34)를 그 실리콘층의 상면에 붙힌다(S20, S22).

이와 같이 하게 되면 도 2의 반도체 패키지(20)가 완성된다.

이번에는, 도 3에 도시된 반도체 패키지(40)를 제조하는 방법에 대하여 도 10의 플로우차트를 참조하여 설명한다. 이하의 설명에서는 LED칩(22)이 청색광을 출력하고, 형광체 시트(34)는 노란색인 것으로 하고 설명한다.

일단, LTCC공정 등에 의해 제조가능한 캐비티를 갖춘 기판(24, 26), 및 소정 두께의 형광체 시트(34)를 별도로 제조한다(S30). 여기서, 그 제조된 기판(24, 26) 에는 패턴 전극(28, 30) 및 반사판(32)이 형성된 것으로 한다. 그리고, 제조된 형광체 시트(34)의 두께는 균일한 것으로 한다.

그리고 나서, LED칩(22)을 그 캐비티의 저면 즉, 캐소드 전극(30)상에 탑재시킨 후에 와이어(36)를 통해 애노드 전극(28)과 캐소드 전극(30)에 전기적으로 연결시킨다(S32). 설명을 생략하였지만, 그 LED칩(22)과 캐소드 전극(30) 사이에는 절연재가 배치되어 그 LED칩(22)과 캐소드 전극(30)을 절연시킨다.

그 후, 그 캐비티내에 실리콘을 완전히 채워 넣는다(S34).

그 실리콘이 완전히 채워진 후에는 바로 경화를 시키지 않고, 상부 기판(26)의 상부 외측면(즉, 형광체 시트(34)와 접촉되는 부분)에 광학 본딩제를 바른다(S36).

그리고 나서, 그 광학 본딩제를 매개로 형광체 시트(34)를 그 상부 기판(26)의 상부 외측면에 붙힌다(S38). 이로 인해, 상부 기판(26)의 캐비티의 상부 개구부를 덮게 된다.

그 상태에서, 실리콘층과 상기 형광체 시트(34) 사이에 존재하고 있을 기포를 제거한다(S40).

그 후, 그 실리콘층과 형광체 시트(34)를 동시에 큐어링시킨다(S42).

동시 큐어링으로 인해 그 실리콘층과 형광체 시트(34)가 완전히 붙어버리게 된다(S44).

이와 같이 하게 되면 도 3의 반도체 패키지(40)가 완성된다.

상술한 제조방법 설명에서는 도 2 및 도 3의 반도체 패키지를 어떻게 제조하는지에 대해서 설명하였는데, 당업자라면 상술한 내용을 도 4 내지 도 7의 반도체 패키지 제조에 적용시켜 원하는 반도체 패키지를 완성시킬 수 있음을 당연하다.

한편, 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있고, 그러한 수정 및 변형이 가해진 기술사상 역시 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.

이상 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, LED칩에서 방출된 광이 형광체 시트를 통과하면서 백색광으로 변환되므로, 노란띠가 없는 균일한 색상의 빛을 얻을 수 있게 된다.

그리고, 반도체 패키지 자체에서의 발광면이 LED칩이 아니라 형광체 시트가 되므로, 광 효율이 최적화되어 종래에 비해 20~30%의 효율 증가의 효과를 얻게 된다.

또한, 반도체 패키지의 외부에 부수적으로 반사부재를 설치하게 되면 형광체 시트에서 나오는 광을 모아줌으로써, 원하는 형태의 조명기구로의 적용이 가능하다.

Claims (22)

1. 기판에 형성된 캐비티의 저면에 설치된 발광소자 칩;

   상기 캐비티의 상부 개구부에 소정 두께로 형성되고, 상기 발광소자 칩에서 방출되는 광을 통과시키는 형광체 시트; 및

   상기 형광체 시트를 통과하여 외부로 방출되는 광을 집광시키는 반사부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광소자 칩과 상기 형광체 시트 사이에는 소정의 매질이 수용된 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
3. 청구항 2에 있어서,

   상기 매질은 공기인 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
4. 청구항 2에 있어서,

   상기 매질은 실리콘인 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광소자 칩과 상기 형광체 시트 사이에는 제 1매질 및 제 2매질이 수용되되, 상기 제 1매질이 상기 발광소자 칩의 주위를 감싸고, 상기 제 2매질은 상기 제 1매질과 상기 형광체 시트 사이의 공간을 채우는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
6. 청구항 5에 있어서,

   상기 제 1매질은 실리콘이고, 상기 제 2매질은 공기인 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
7. 청구항 1 내지 청구항 6중의 어느 한 항에 있어서,

   상기 발광소자 칩은 LED칩으로 이루어진 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
8. 청구항 1 내지 청구항 6중의 어느 한 항에 있어서,

   상기 형광체 시트는 상기 캐비티의 상부 개구부의 직경과 동일 또는 상기 캐비티의 상부 개구부의 직경보다 긴 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
9. 청구항 1 내지 청구항 6중의 어느 한 항에 있어서,

   상기 캐비티의 상단부에 단차가 형성되고, 상기 단차에 상기 형광체 시트의 외측 대향부위가 결합된 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지.
10. 삭제
11. 청구항 1 내지 청구항 6중의 어느 한 항에 기재된 반도체 패키지를 구비한 것을 특징으로 하는 조명기구.
12. 소정 두께의 형광체 시트, 및 캐비티내에 발광소자 칩이 탑재된 기판을 별도로 준비하는 제 1과정;

    상기 캐비티내에 소정의 매질을 주입하여 경화시키는 제 2과정; 및

    상기 경화된 매질을 통과한 상기 발광소자 칩에서의 출광량을 측정하여 그에 상응하는 형광체 시트를 상기 경화된 매질의 상면에 고착시키는 제 3과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
13. 청구항 12에 있어서,

    상기 소정의 매질을 실리콘으로 하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
14. 청구항 12에 있어서,

    상기 제 3과정은, 상기 발광소자 칩에서의 출광량에 근거하여 결정된 두께의 형광체 시트를 상기 경화된 매질의 상면에 고착시키는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
15. 청구항 12에 있어서,

    상기 제 3과정은, 상기 발광소자에서의 출광량에 근거하여 결정된 형광체량을 갖는 형광체 시트를 상기 경화된 매질의 상면에 고착시키는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
16. 청구항 12에 있어서,

    상기 제 3과정은, 상기 캐비티의 상부 개구부의 직경과 동일한 직경의 형광체 시트를 상기 경화된 매질의 상면에 고착시키는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
17. 청구항 12 내지 청구항 16중의 어느 한 항에 있어서,

    상기 제 3과정에서, 상기 경화된 매질의 상면에 상기 형광체 시트의 고착은 광학 본딩제를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
18. 소정 두께의 형광체 시트, 및 캐비티내에 발광소자 칩이 탑재된 기판을 별도로 준비하는 제 1과정;

    상기 캐비티내에 소정의 매질을 주입하는 제 2과정;

    상기 캐비티의 상부 개구부에 상기 형광체 시트를 붙이는 제 3과정; 및

    상기 소정의 매질과 상기 형광체 시트를 동시에 큐어링시켜 상호 고착시키는 제 4과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
19. 청구항 18에 있어서,

    상기 소정의 매질을 실리콘으로 하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
20. 청구항 18에 있어서,

    상기 제 3과정은, 상기 캐비티의 상부 개구부의 직경보다 긴 직경의 형광체 시트를 붙이는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
21. 청구항 18에 있어서,

    상기 제 3과정은 광학 본딩제를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.
22. 청구항 18 내지 청구항 21중의 어느 한 항에 있어서,

    상기 제 4과정 전에 상기 소정의 매질과 형광체 시트 사이의 기포를 제거하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트를 갖춘 반도체 패키지의 제조방법.

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