KR102113374B1 - 광확산층을 갖는 조명용 led 모듈 - Google Patents

광확산층을 갖는 조명용 led 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR102113374B1
KR102113374B1 KR1020160178905A KR20160178905A KR102113374B1 KR 102113374 B1 KR102113374 B1 KR 102113374B1 KR 1020160178905 A KR1020160178905 A KR 1020160178905A KR 20160178905 A KR20160178905 A KR 20160178905A KR 102113374 B1 KR102113374 B1 KR 102113374B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
led bare
bare chip
substrate
diffusion layer
Prior art date
Application number
KR1020160178905A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180075030A (ko
Inventor
김용일
Original Assignee
김용일
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김용일 filed Critical 김용일
Priority to KR1020160178905A priority Critical patent/KR102113374B1/ko
Publication of KR20180075030A publication Critical patent/KR20180075030A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102113374B1 publication Critical patent/KR102113374B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 광확산층을 갖는 조명용 LED 모듈은 기판, 상기 기판 상에 실장된 복수 개의 LED 베어칩들, 상기 기판 상에서 상기 LED 베어칩들 사이의 공간을 채우도록 형성되고 상기 LED 베어칩의 측면을 감싸거나 또는 상기 LED 베어칩의 상면과 맞닿도록 형성되는 광확산층, 및 상기 기판 상에서 적어도 하나의 LED 베어칩을 덮도록 상기 광확산층 상에 부착되며 형광체를 포함하는 적어도 하나의 색변환시트를 포함하고, 상기 색변환시트에서 상기 LED 베어칩에 대응하는 영역은 메인발광영역을 형성하고, 상기 LED 베어칩에 대응하지 않는 영역은 서브발광영역을 형성하고, 상기 광확산층은 LED 베어칩이 발산하는 광을 색변환시트가 LED 베어칩과 대응하지 않는 영역에 전달한다.

Description

광확산층을 갖는 조명용 LED 모듈{LED MODULE HAVING LIGHT DIFFUSION LAYER FOR LIGHTING}
본 발명은 LED 모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 형광체 몰딩구조를 갖지 않고, 복수의 LED 베어칩에 색변환시트가 적층된 구조를 가지면서 LED 베어칩이 실장되지 않는 영역까지 광을 전달하고 외부로 발광 출사시켜 음영 발생을 현저하게 억제한 조명용 LED 모듈에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAsP 등을 이용한 적색 발광 다이오드, GaP 등을 이용한 녹색 발광 다이오드, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 다이오드 등이 있다.
특히, 최근의 조명용 발광장치는 발광 다이오드 칩과 형광체 몰드를 결합하여 백색광을 구현한다. 예를 들어, 청색을 발광하는 발광다이오드 칩 상부에 형광체를 배치시켜 발광 다이오드 칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광에 의해 백색을 얻고 있다. 즉, 430nm 내지 480㎚ 파장을 발광하는 반도체 성분으로 이루어진 청색 발광 다이오드 칩과 청색광을 여기원으로 하여 황록색 및 황색광을 발생시키는 형광체의 조합으로 백색광을 구현한다.
즉, 최근까지 조명용 백색 발광장치는 고휘도의 청색 LED 베어칩에서 방출되어 충분히 높은 에너지를 갖는 광을 그 LED 베어칩의 상부에 몰딩되어 배치된 형광체 몰드가 여기하여 백색을 유도하는 방법을 이용하였다.
그런데, 형광체 몰드를 형성하기 위하여는 리플랙터를 설치하고, 리플랙터 내에 형광체 수지를 주입하여 소위 LED 패키지를 구성하는 방법을 사용하는데, 이러한 LED 패키지는 제작 공정의 복잡성에 따른 원가 상승 뿐만 아니라 형광체의 도포 시에 사용되는 에폭시 수지 혹은 실리콘 수지의 혼합 비율, 이러한 수지의 열적 불안정성, 그리고 경화시 형광체의 불규칙한 퇴적 등으로 발광 휘도가 불규칙하고 소자의 불량률이 높고, 색 재현성이 떨어지는 문제가 계속적으로 지적되는 실정이다. 또한, LED 패키지를 기판에 실장하여 조명 장치를 구현하는 경우에도 기판에 LED 패키지가 실장되지 않은 영역에 음영이 발생되어 고품질의 조명용 LED 모듈을 구현하기가 매우 어려운 실정이다.
[선행기술문헌]
경도가 다른 스피어를 갖는 봉지재 및 이를 이용한 LED패키지(ENCAPSULANT HAVING SPHERE WITH DIFFERENT HARDNESS AND LED PACKAGE USING THE SAME) (공개특허 10-2012-0131369, 2012년12월05일)
본 발명은 전술한 종래기술을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 제작이 용이하고 열적 내구성 및 음영발생을 억제하여 우수한 색재현성을 갖는 LED 모듈을 제공함에 있다.
그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 광확산층을 갖는 조명용 LED 모듈은 기판, 상기 기판 상에 실장된 복수 개의 LED 베어칩들, 상기 기판 상에서 상기 LED 베어칩들 사이의 공간을 채우도록 형성되고 상기 LED 베어칩의 측면을 감싸거나 또는 상기 LED 베어칩의 상면과 맞닿도록 형성되는 광확산층, 및 상기 기판 상에서 적어도 하나의 LED 베어칩을 덮도록 상기 광확산층 상에 부착되며 형광체를 포함하는 적어도 하나의 색변환시트를 포함하고, 상기 색변환시트에서 상기 LED 베어칩에 대응하는 영역은 메인발광영역을 형성하고, 상기 LED 베어칩에 대응하지 않는 영역은 서브발광영역을 형성하고, 상기 광확산층은 LED 베어칩이 발산하는 광을 색변환시트가 LED 베어칩과 대응하지 않는 영역에 전달한다.
이때, 상기 광확산층은 복수개의 LED 베어칩의 측면과 맞닿도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 색변환시트와 상기 LED 베어칩의 측면 사이에는 완충 공간이 형성될 수 있다.
또한, 상기 색변환시트는 적어도 두개의 LED 베어칩을 덮도록 형성될 수 있다.
본 발명의 LED 모듈은 색변환시트를 구비하여 LED 패키지 제조 공정을 갖지 않으므로 보다 용이하게 LED 모듈을 제조할 수 있다.
또한, 형광체 몰드 대신에 색변환시트를 구비하므로 열에 의하여 형광체 몰드가 열화되는 것을 방지하여 우수하게 백색을 재현할 수 있다.
또한, LED 베어칩의 측면과 맞닿는 광확산층이 형성되므로 LED 베어칩에서 형성된 열을 효율적으로 방출하여 색변환시트가 열화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, LED 베어칩의 측면과 맞닿는 광확산층이 형성되고, 빛이 더욱 확산되는 완충 공간까지 구비하므로 LED 베어칩이 발산하는 광이 베어칩 사이의 공간에서도 발광되도록 하여 조명의 음영발생을 현저하게 저감하여 최고급형 LED 조명의 생산이 가능해 진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈을 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈을 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하여 상세하게 설명한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명 및 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈을 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 제1 실시예에 따른 LED 모듈(101)은 기판(21), LED 베어칩(25), 광확산층(22), 및 색변환시트(10)를 포함하여 이루어진다.
기판(21)은 LED 베어칩(25)을 고밀도로 실장할 수 있는 기판이면 어느 것이나 가능하다. 제한적이지는 않으나, 예를 들어, 이러한 기판(21)으로는 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(lowtemperature co-fired ceramic) 등을 들 수 있다.
기판(21)은 직선형, 원형 또는 다각형상의 판으로 이루어질 수 있으며, 기판(21)에는 LED 베어칩(25)에 전원을 공급하기 위한 제1와이어(23)와 제2와이어(24)가 설치될 수 있다. 본 제1실시예에 따른 LED 모듈(101)은 솔더링부(27)를 통해서 LED 베어칩(25)과 기판(21)이 전기적으로 연결되며 별도의 본딩 와이어를 갖지 않는다. 솔더링부(27)는 LED 베어칩(25)과 기판(21)을 전기적으로 연결하는데, 특히 LED 베어칩(25)에 형성된 단자(26)를 기판(21)에 전기적으로 연결한다. 솔더링부(27)는 표면실장 방식(SMT; Surface Mount Technology)으로 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈은 기판(21)의 상부에 는 빛을 반사시키는 반사물질을 추가로 도포할 수 있다. 후술할 서브발광영역에서의 광출사를 더욱 도모하기 위함이다.
LED 베어칩(25)은 청색 발광 LED 칩으로서, 430nm 내지 480nm의 파장을 발광하는 반도체 성분으로 이루어질 수 있다. 다만, LED 베어칩(25)은 다른 컬러광을 출사하는 LED 베어칩이 사용될 수 있으며, 본 발명의 범위가 특정 LED 베어칩으로 제한되는 것은 아님은 물론이다. 한편, 본 발명의 제1실시예에 따른 LED 모듈은 LED 베어칩이 복수 개로 이루어진다. 본 실시예에 따른 LED 모듈은 LED 모듈 구조에만 가능한 LED 베어칩(25), 광확산층(22) 및 색변환시트(10)의 유기적 연결관계에 대한 구조이기 때문이다. 나아가, 뒤에서 더욱 상세하게 설명하지만 본 발명의 제1실시예에 따른 LED 모듈은 종래의 LED 베어칩에 리플렉터를 설치하고 그 사이에 형광몰딩층을 형성한 LED 패키지가 복수로 구비된 구조가 아니라 LED 패키지 구조를 지양하고, LED 베어칩과 그 주위에 배치된 광확산층(22)과 색변환시트(10)에 따라 음영을 제거한 최고품질의 LED 조명 모듈에 대한 것이다.
광확산층(22)은 LED 베어칩들(25) 사이의 공간을 채우도록 형성된다. 광확산층(22)은 후술할 색변환시트(10)와의 견고한 접착을 위해 탄성을 갖는 필름 형태로 이루어지는 것이 바람직하다. 이때, 광확산층(22)은 빛을 투과시키는 광투과성 물질로 이루어지며, 광확산층(22)이 기판과 맞닿는 면은 빛을 반사시키는 흰색 또는 은색 물질이 추가로 도포되어 이루어질 수 있다.
한편, 광확산층(22)은 액상의 수지를 LED 베어칩들(25) 사이로 주입하여 형성할 수도 있다. 이때, 광확산층(22)은 에폭시계 수지로 이루어질 수 있으며, 폴리이미드계 수지로 이루어질 수도 있다.
광확산층(22)은 LED 베어칩(25)의 측면을 감싸거나 LED 베어칩(25)의 상면과 맞닿도록 형성된다. 이때, 광확산층(22)은 LED 베어칩(25)의 측면과 맞닿도록 형성될 수도 있다. 광확산층(22)은 당초 LED 베어칩(25)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 LED 베어칩(25)의 측면과 소폭 이격되어 배치될 수 있지만 이후 압착에 의해 LED 베어칩(25)의 측면과 맞닿을 수 있다.
특히, 본 실시예에 따른 LED 모듈은 광확산층(22)이 도 2에서와 같이 LED 베어칩(25)의 측면 방출광(a방향)을 색변환시트에서 LED 베어칩과 대응하지 않는 영역으로 전달하여 그 상부(b방향)로 방출되도록 한다. 즉, 색변환시트(10)에서 LED 베어칩에 대응하는 영역이 기본적인 메인발광영역(A)이 되고, LED 베어칩(25)에 대응하지 않는 영역은 서브발광영역(B)을 형성하게 된다. 서브발광영역(B)은 당초 LED 베어칩이 상부로 출사한 광이 반사되어 측면으로 전달되어 도달되는 광과, 당초 LED 베어칩이 측면으로 출사한 광이 모두 도달되는데, 도 2에서와 같이 주위의 LED 베어칩에서 동시에 도달되므로 메인발광영역(A)과 유사한 광속을 구현하게 된다. 이에 따라, LED 조명의 고질적 문제인 도트보임 현상 또는 조명의 음영 발생 현상을 현저하게 저감할 수 있다.
또한, 광확산층(22)은 색변환시트(10)가 부착되는 면을 평탄화하여 색변환시트(10)가 기판(21) 상에 안정적으로 설치될 수 있도록 할 뿐만 아니라 LED 베어칩(25) 및 기판(21)에서 발생하는 열을 신속하게 방출시키는 역할을 한다.
색변환시트(10)는 복수개의 LED 베어칩(25)을 덮도록 LED 베어칩(25)의 상면 또는 광확산층(22)의 상면에 부착된다. 기판(21)에는 하나의 색변환시트(10)가 기판(21)에 설치된 모든 LED 베어칩(25)을 덮도록 설치될 수 있다. 이때 색변환시트(10)는 일체(unibody)로 이루어질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 하나의 기판(21)에 복수의 색변환시트(10)가 설치될 수도 있다. 다만 이 경우에도 색변환시트(10)는 적어도 하나의 LED 베어칩(25)을 덮도록 설치될 수 있고, 적어도 두개의 LED 베어칩(25)을 덮도록 형성될 수 있다.
색변환시트(10)는 LED 베어칩(25)으로부터 출사된 청색광에 의해 여기되어 방출되는 파장이 R 또는 G계열이 되도록 하는 형광체를 주성분으로 하여 제조될 수 있다. 여기서, 본 실시예는 LED 베어칩(25)이 청색광을 출력하는 경우, 백색광을 만들기 위한 색변환시트(10)를 구성하는 경우에 해당하지만, LED 베어칩(25)이 녹색광 또는 적색광을 출력하는 경우 형광체는 백색광을 만들기 위해 다른 형광체가 사용될 수 있음은 물론이다.
한편, 본 실시예에 따른 LED 모듈은 이러한 색변환시트(10)를 LED 베어칩(25) 방향으로 기판에 압착하여 LED 베어칩(25)의 측면과의 사이에 완충 공간(28)을 형성한다. 이러한 압착에 의해 LED 베어칩(25)과 대응하는 영역에서의 색변환시트(10)의 높이는 대응하지 않는 영역의 색변환시티의 높이와 최소한 같거나 또는 크게 형성시킨다. 다시 말해, LED 베어칩과 대응하는 영역은 상대적으로 상부로 돌출되고, 대응하지 않는 영역은 상대적으로 하부로 향하는 오목 볼록한 패턴이 교대로 나타나도록 형성한다.
완충 공간(28)은 LED 베어칩(25)의 둘레방향으로 이어져 LED 베어칩(25)의 측면을 감싸도록 형성된다. 또한, 완충 공간(28)은 삼각 채널 형태로 이루어져 삼각형의 종단면을 가질 수 있다. 이러한 완충 공간(28)에 따라 LED 베어칩(25)에서 발산된 빛이 완충 공간(28)에서 확산되어 음영발생을 더욱 저감할 수 있게 된다.
본 제1실시예에 따른 LED 모듈(101)은 형광몰딩층을 갖지 않고, 패키지 형태로 이루어지지 아니하며, LED 베어칩(25)이 기판(21)에 직접 실장되므로 LED 모듈이 부피를 현저히 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 제조 공정을 현저히 단순화할 수 있다.
또한, 형광몰딩층 대신 색변환시트(10)가 복수개의 LED 베어칩(25)을 덮도록 설치되므로 열적인 영향에 의하여 형광몰딩층이 열화되어 색재현성이 감소하는 것을 방지할 수 있다.
본 제1 실시예와 같이 광확산층(22)이 형성되면, LED 베어칩(25)에서 발생한 열을 보다 용이하게 배출할 수 있을 뿐만 아니라 색변환시트(10)가 보다 안정적으로 부착될 수 있다.
또한, 제1 실시예와 같이 광확산층(22)이 형성되면, LED 베어칩이 발산하는 광이 베어칩 사이의 공간에서도 발광되도록 하여 조명의 음영발생을 현저하게 저감하여 최고급형 LED 조명의 생산이 가능해 진다.
또한, 제1 실시예와 같이, 완충 공간(28)이 더 형성되면 LED 베어칩(25)에서 발산된 빛이 완충 공간(28)에서 확산되어 음영 발생이 더욱 감소될 수 있다.
이상과 같이, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
101: LED 모듈
10: 색변환시트
22: 광확산층
23: 제1와이어
24: 제2와이어
25: LED 베어칩
26: 단자
27: 솔더링부
28: 완충 공간

Claims (4)

  1. 조명용 LED 모듈에 있어서,
    조명용 LED 모듈의 기판;
    상기 조명용 LED 모듈의 기판 상에 실장되고, 청색광을 출사하는 복수 개의 LED 베어칩들;
    상기 조명용 LED 모듈의 기판 상에서 상기 LED 베어칩들 사이의 공간을 채우도록 형성되고, 상기 LED 베어칩의 상면과 맞닿도록 형성되고, 상기 LED 베어칩이 출사하는 광을 상기 조명용 LED 모듈의 기판의 수평방향으로 전체적으로 확산시키도록 상기 조명용 LED 모듈의 기판 상에서 복수 개의 LED 베어칩이 실장되지 않은 영역에서 상기 조명용 LED 모듈의 기판과 맞닿도록 형성되는 광확산층; 및
    상기 조명용 LED 모듈의 기판 상에서 복수 개의 LED 베어칩을 덮도록 상기 광확산층 상에 부착되며 형광체를 포함하는 적어도 하나의 색변환시트; 를 포함하고,
    상기 광확산층은 LED 베어칩이 발산하는 광을 색변환시트가 LED 베어칩과 대응하지 않는 영역에 수평방향으로 전달하여 그 상부로 방출되도록 하여, 상기 색변환시트에서 상기 LED 베어칩에 대응하는 영역은 메인발광영역을 형성하고, 상기 LED 베어칩에 대응하지 않는 영역은 서브발광영역을 형성하고,
    상기 색변환시트는 상기 조명용 LED 모듈의 기판 상에서 상기 복수 개의 LED 베어칩을 덮도록 형성되고, 상기 조명용 LED 모듈의 기판 상에서 상기 복수 개의 LED 베어칩이 실장되지 않은 영역도 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광확산층을 갖는 조명용 LED 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광확산층은 복수개의 LED 베어칩의 측면과 맞닿는 것을 특징으로 하는 광확산층을 갖는 조명용 LED 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상기 색변환시트와 상기 LED 베어칩의 측면 사이에는 완충 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 광확산층을 갖는 조명용 LED 모듈.
  4. 삭제
KR1020160178905A 2016-12-26 2016-12-26 광확산층을 갖는 조명용 led 모듈 KR102113374B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160178905A KR102113374B1 (ko) 2016-12-26 2016-12-26 광확산층을 갖는 조명용 led 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160178905A KR102113374B1 (ko) 2016-12-26 2016-12-26 광확산층을 갖는 조명용 led 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180075030A KR20180075030A (ko) 2018-07-04
KR102113374B1 true KR102113374B1 (ko) 2020-05-20

Family

ID=62913269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160178905A KR102113374B1 (ko) 2016-12-26 2016-12-26 광확산층을 갖는 조명용 led 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102113374B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013219398A (ja) * 2013-07-26 2013-10-24 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP5455764B2 (ja) * 2010-04-23 2014-03-26 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3796402A1 (en) * 2013-07-24 2021-03-24 Epistar Corporation Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
KR20150042362A (ko) * 2013-10-10 2015-04-21 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5455764B2 (ja) * 2010-04-23 2014-03-26 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013219398A (ja) * 2013-07-26 2013-10-24 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180075030A (ko) 2018-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9673363B2 (en) Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
JP3892030B2 (ja) Ｌｅｄ光源
US9660153B2 (en) Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
JP6673410B2 (ja) Ｌｅｄモジュール
JP5209881B2 (ja) リードフレーム及びこれを用いた発光素子パッケージ
JP5084324B2 (ja) 発光装置および照明装置
US20080164484A1 (en) Light Emitting Apparatus
KR20110031946A (ko) 고체 상태 조명 장치
JP2008235824A5 (ko)
JP2007080872A (ja) 発光装置
CN107565009B (zh) Led模块
KR102300558B1 (ko) 광원 모듈
US20190355783A1 (en) Led module
KR101701738B1 (ko) 형광몰딩층을 갖지 않는 led 모듈의 제조 방법
KR101653395B1 (ko) 멀티 칩 엘이디 패키지
KR101644149B1 (ko) 멀티 칩 엘이디 패키지 및 그 제조방법
CN115428172A (zh) 用于发光设备的光改变材料布置
JP4221649B2 (ja) 波長変換素子並びにその製造方法
KR100748707B1 (ko) 발광 소자의 제조 방법
KR102113374B1 (ko) 광확산층을 갖는 조명용 led 모듈
US11894499B2 (en) Lens arrangements for light-emitting diode packages
KR20180074968A (ko) 형광몰딩층을 갖지 않는 led 모듈
KR102211319B1 (ko) Led 모듈
KR101920259B1 (ko) 시트블록을 갖는 led 모듈
KR20180081635A (ko) Led 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018101004674; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20181116

Effective date: 20200117

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant