JP2008227042A - 光源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、高輝度で長寿命な半導体発光素子からなる光源装置を提供する。
【解決手段】本発明の光源装置100は、凹部13を有する筐体10と、凹部13の底部に設置された半導体発光素子12と、筐体10上に設置された蛍光体部18と非蛍光体部20とを有する蓋部14と、を備える構成を有する。これにより、半導体発光素子12の放射光を効率よく利用できるとともに、蛍光体の熱劣化を抑制した長寿命で高輝度な光源装置を実現できる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体発光素子を用いた光源装置に関する。
近年、発光効率の向上や低価格化の進展により、例えば家庭用の照明器具、車両用の照明器具や携帯用の照明器具などに、LEDなどの半導体発光素子が用いられるようになってきている。半導体発光素子は、小型、長寿命で、駆動特性や耐振動、耐落下衝撃性などの信頼性に優れている。しかし、半導体発光素子は、単色性のピーク波長で発光するため、照明装置として用いる場合には、白色光の発光を得る必要がある。そこで、例えば青色の半導体発光素子の表面に、青色の光を吸収して黄色を発光する蛍光体を設けた白色の発光ダイオード(LED)などが提案されている(例えば、特許文献1や特許文献2参照)。
図15は、上記従来の白色の発光ダイオードの構成を示す断面図である。すなわち、基板106の凹部103の底部に設置された青色のLED101と、その表面に接して設けられ、青色の光で励起され黄色の波長に変換する蛍光体110と、レンズ部102とから構成されている。そして、青色の光と黄色の光の混色により、白色の光104を得ている。しかし、上記構成では、光源として高輝度を得る場合、LEDに投入する電力を増加する必要がある。その場合、その電力の大部分は熱に変換され、その発熱により蛍光体が劣化するため、例えば色度ずれや波長の変換効率の低下を生じていた。
そこで、それらの課題を回避するために、基台のキャビティにLEDチップを実装し、LEDチップから隔てて配置した蛍光体層を有する光学部材を備えた車両用の光源装置が開示されている(例えば、特許文献3参照)。上記では、さらに光学部材に配光パターンを得る遮光部やレンズなどを搭載する例が記載されている。この構成により、蛍光体層の温度上昇を低減し、変換効率の向上や色度変化を抑制できるとしている。
特開2000−223750号公報 特開2005−57089号公報 特開2005−93191号公報
しかしながら、特許文献3に示されている光源装置においては、LEDチップからの放射光の全てが、蛍光体層に入射し波長変換されるとともに、その一部が吸収される。そのため、光源装置から外部に放射される照明光の出力が抑制され高輝度の光源装置が得られないという課題がある。一方、高輝度を得るためにLEDチップへの投入電力を増加させると、特許文献1や特許文献2の光源装置と同様に、LEDチップの発熱量の増大により、LEDチップ自体や蛍光体層の劣化を生じるという課題がある。
本発明は、高輝度で長寿命な半導体発光素子からなる光源装置を提供することを目的としている。
上述したような目的を達成するために、本発明の光源装置は、凹部を有する筐体と、凹部の底部に設置された半導体発光素子と、筐体上に設置された蛍光体部と非蛍光体部とを有する蓋部と、を備えた構成を有する。
この構成により、半導体発光素子の光が、非蛍光体部では吸収されずに外部に直接放射されるため、高輝度な光源装置を実現できる。また、蛍光体部と半導体発光素子との熱的な結合を希薄にできるため、蛍光体の熱劣化を抑制できる。そして、半導体発光素子の光の利用効率が高いため、同じ電力であれば、さらなる高輝度化が達成され、輝度を同じとすれば、低消費電力で発熱が小さく長寿命の光源装置を容易に実現できる。
さらに、半導体発光素子が設置された凹部の少なくとも側面に、反射部が設けられている。また、半導体発光素子が設置された凹部の少なくとも側面に、蛍光体層が設けられている。これらにより、半導体発光素子の光を有効に利用できるため、さらに高輝度な光源装置が得られる。
さらに、蓋部の蛍光体部と非蛍光体部が交互に配置されている。また、蛍光体部と非蛍光体部の面積比が、半導体発光素子の発光面からの距離により異なる。これらにより、色度むらや色度ずれの少ない光源装置が得られる。また、配置位置により、蛍光体部と非蛍光体部の面積比を変えることによって、蛍光体による散乱光と半導体発光素子の直接光との混色を均一にして、色むらの小さい光源装置を実現できる。
さらに、蛍光体部または非蛍光体部の上に、さらに集光部が設けられている。また、集光部が、蛍光体部毎または非蛍光体部毎に設けられている。これらにより、蛍光体の散乱光や半導体発光素子の直接光などを集光し、高輝度で指向性の高い光源装置を実現できる。
さらに、集光部が、透明な基材上に設けられ、蓋部上に配置されている。これにより、生産性に優れ、低コストの光源装置が得られる。
さらに、蓋部の蛍光体部と非蛍光体部が、蓋部の厚み方向において、放射状に設けられている。また、蓋部の厚み方向において、少なくとも蛍光体部と非蛍光体部の設けられた半導体発光素子と対向する側の蓋部の面が、凹面である。
これらにより、効率よく蛍光体部と非蛍光体部に半導体発光素子の光を入射し、さらに光強度が向上した光源装置を実現できる。
本発明の光源装置によれば、半導体発光素子の放射光を効率よく利用できるとともに、蛍光体の熱劣化を抑制した長寿命で高輝度な光源装置を実現できる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
(第1の実施の形態)
以下に、本発明の第1の実施の形態における光源装置について、図1を用いて詳細に説明する。
図1(a)は本発明の第1の実施の形態における光源装置の構成を示す断面模式図で、図1(b)は同実施の形態における蓋部の構成を説明する平面模式図である。
図1(a)に示すように、光源装置100は、例えばセラミック基板からなる、凹部13を有する筐体10と、その凹部13の底部に実装された、例えばLEDからなる半導体発光素子(以下、「LED」と記す場合がある)12と、その上部に、例えば碁盤状に設けられた非蛍光体部20と蛍光体部18を有する蓋部14と、少なくとも蛍光体部18の位置に対応する位置に設けられた、例えば半球状のマイクロレンズからなる集光部16とを備えている。そして、LED12は、例えば青色の発光波長の光を放射し、蓋部14の蛍光体部18は、LEDの光を吸収して黄色に波長変換され、その散乱光が集光部16で集光されて外部に放射される。このとき、LED12の光が直接、非蛍光体部20を介して放射される光と、蛍光体部18を経由して放射される黄色の光との混色により、白色光として、光源装置100の全面から放射される。なお、図示しないが、LED12は、筐体10に設けられた貫通電極や表面に形成された電極パターンと、例えばAu線などのワイヤーボンディングにより接続された配線電極19を介して、外部から電力が供給され、発光する。このとき、LED12の発光による発熱は、筐体10の伝熱により直接放熱されるとともに、筐体10の凹部13の空間に放射や対流により熱が散逸される。
ここで、筐体10としては、アルミナなど耐熱性や放熱性に優れるセラミック基板が好ましいが、LED12の発熱が少ない場合には、安価で加工性に優れる熱硬化性樹脂やガラスエポキシ樹脂などで構成してもよい。
また、筐体10の凹部13の少なくとも側面には、必要に応じて、例えばアルミニウムなどの薄膜で形成された反射膜17が設けられる。これにより、LED12の光や、そのLED12の側面から漏れ出る光を、反射膜17で蓋部14の方向に反射し、放射光の利用効率を高めることができる。
また、蓋部14は、図1(b)に示すように、例えば碁盤状に蛍光体部18と非蛍光体部20が二次元で交互に配置されている。ここで、蓋部14の少なくとも非蛍光体部20は、LED12の光を透過する、例えばガラスなどからなる。一方、LED12の蛍光体部18は、青色の光を吸収して黄色の光に波長変換する、例えばセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体が樹脂中に分散されて形成されている。このとき、蛍光体部18と非蛍光体部20の蓋部14の厚み方向の界面には、アルミニウムなどで薄膜を形成することが好ましい。これにより、界面で全反射しない光を、蛍光体部と非蛍光体部内に閉じ込め、光の利用効率を高めることができる。特に蛍光体部18では散乱光となるため分散による光損失を低減できる。ここで、蛍光体材料としては、上記以外に、例えばペリレン系誘導体や銅で付活されたセレン化亜鉛など種々のものが用いられ、さらに特性を調整するために、Y、Lu、Sc、La、GdおよびSmの少なくとも1つを含有してもよい。
以下に、光源装置100の動作について、図1を用いて説明する。
まず、LED12に、配線電極19を介して外部から電力(電圧)が供給される。これにより、LED12は、活性層(図示せず)から青色の波長を発光し、主にLED12の上面から放射する。
つぎに、放射された青色の光11aは、蓋部14の蛍光体部18と非蛍光体部20に入射する。このとき、非蛍光体部20では、青色の光11aが直接透過して外部に放射される。一方、蛍光体部18に入射した青色の光11aは、蛍光体が青色の光11aを吸収して励起され、黄色の光に変換される。そして、散乱光である黄色の光は、蛍光体部18内部で反射しながら、蓋部14の表面に到達する。さらに、蓋部14の表面に到達した黄色の散乱光は、蓋部14の表面に設けられた集光部16で、集光されて外部に黄色の光11bとして放射される。このとき、少なくとも凹部13の側面に形成された反射膜17により、LED12から直接蓋部14に向かって放射されない光は反射されて、同様に蛍光体部18と非蛍光体部20に入射して外部に放射される。
つぎに、外部に放射されたLED12の直接光である青色の光11aと青色と補色関係にある黄色の光11bとの混色により、白色光として発光する。
上述したように、本実施の形態の光源装置によれば、蛍光体部18と非蛍光体部20を設けることにより、LEDの光の一部を直接非蛍光体部20を介して利用できるため、その効率を高めることができる。
また、光の利用効率が向上することにより、LED12の投入電力を低減できる。その結果、LED12の発熱を抑制し、長寿命で信頼性に優れた光源装置100を実現できる。さらに、LED12の投入電力を同じとすれば、さらに光強度の強い放射光が得られる。
また、蛍光体部18に集光部を設けることにより、散乱光となる蛍光体で励起される黄色の光11bを集光し、光強度や指向性を向上させることができる。
また、筐体10の凹部13の空間により、LED12で発生する熱が直接蛍光体に伝熱しないため、蛍光体の温度上昇を低減できる。その結果、温度上昇による蛍光体の色度ずれや変換効率の低下を抑制し、高輝度で長期にわたり安定した白色光を放射することができる。
なお、本実施の形態では、蛍光体部18と非蛍光体部20を碁盤状に交互に同じパターンで配置した例で説明したが、これに限られない。例えば、青色と黄色の混色により、要望される色度や光強度により、形状や配置を変えてもよい。これにより、青色の強い白色にする場合は非蛍光体部の割合を増加させ、黄色の強い白色にする場合は蛍光体部の割合を増加するなどして、用途に合わせた色度の光源装置が得られる。
また、本実施の形態では、蛍光体部18と非蛍光体部20を碁盤状に交互に配置した例で説明したが、これに限られない。例えば、図2(a)に示すように、蛍光体部18と非蛍光体部20を枠状に設けてもよく、図2(b)に示すように、同心円状に設けてもよい。このとき、蛍光体部18と非蛍光体部20の面積を、必要な色度や光強度に応じて変えてもよい。さらに、蛍光体部18上に設けられる集光部としては、シリンドリカルレンズなどで構成することが好ましい。
また、本実施の形態では、図1(a)に示すように、筐体10の凹部13が斜面状に形成された例で説明したが、これに限られない。例えば、半球面状や放物線形状であってもよい。
また、本実施の形態では、筐体10の凹部13の側面に反射膜17を設けた例で説明したが、これに限られない。例えば、凹部13のLED12の実装面や、LED12の発光面以外の部分に反射膜を設けてもよい。この場合、電極パターンと接続しないように形成することが必要である。これにより、蓋部から外部に放射されなかった光を再度反射させ、光強度をさらに高めることができる。
また、LEDの発熱を抑制するために、筐体にヒートシンクや水冷機構などを設けてもよい。さらに、筐体の凹部を蓋部により密閉して減圧状態としてもよい。これにより、空気の対流による蛍光体部への伝熱を低減し、蛍光体の特性変化を抑制できる。また、LEDなどの半導体発光素子に耐環境性に優れた保護膜を形成してもよい。この場合、保護膜は凹部に空間が形成される程度とすることが好ましい。このときには、さらに筐体と蓋部間や、筐体や蓋部に空気などが出入りできる溝や貫通口を形成し、熱を放熱してもよい。
また、本実施の形態では、蛍光体部や非蛍光体部が蓋部の厚み方向に同じ幅で形成された例で示したが、これに限られない。例えば、蛍光体部のLED面側の面積を大きくしてもよく、その反対でもよい。これにより、蛍光体部や非蛍光体部に入射するLEDの光の量を調整できる。さらに、図3(a)に示すように、蓋部の厚み方向において、LED12の発光面から放射状に蛍光体部18と非蛍光体部20を形成してもよい。これにより、光の利用効率を高めることができる。また、図3(b)に示すように、少なくとも蓋部14の蛍光体部18と非蛍光体部20が形成される面をLED12に対して、凹面15状としてもよい。これにより、蓋部14底面でのLED12の光の反射を低減し、さらに効率よく蛍光体部18と非蛍光体部20に入射させることができる。
また、本実施の形態では、蓋部に集光部を設けた例で説明したが、これに限られず設けなくてもよい。これにより、指向性が要求されない家庭用の照明器具などに適した光源装置が得られる。
以下に、本発明の第1の実施の形態における光源装置の製造方法について、図4と図5を用いて説明する。
図4は、本発明の第1の実施の形態における光源装置100の製造方法を説明する断面模式図であり、図5は、同実施の形態の蓋部14の製造方法を説明する断面模式図である。
まず、図4(a)に示すように、例えばアルミナなどのセラミック基板を、切削加工や型でアルミナ粉末を焼結して、凹部13を有する筐体10を形成する。そして、図示しないが、例えばフォトリソグラフィー法などを用いて、LEDの電極パッドと接続し、LEDに電力を供給するための電極パターンを形成する。このとき、電極パターンは、筐体10の表面に延長して設けた外部接続電極または筐体10に設けた貫通電極を介して、外部の駆動装置と接続される。
つぎに、図4(b)に示すように、少なくとも凹部13の側面で、電極パターンと接続しないように、例えばアルミニウムなどからなる反射膜17を蒸着法を用いて形成する。
つぎに、図4(c)に示すように、筐体10の凹部13の底部に、例えば半導体発光素子であるLED12を、例えば接着剤で接着固定する。そして、LED12の電極パッド(図示せず)と配線パターン(図示せず)とを、例えばワイヤーボンディング装置を用いて、Au線などの配線電極19で接続する。さらに、必要に応じて、LED12を保護するためにLED12の青色の光を吸収しない封止樹脂などで保護層(図示せず)を形成する。
つぎに、図5(a)に示すように、例えば青色の光を透過するガラスやポリエチレンテレフタレートなどの樹脂材料からなる蓋部材14aの蛍光体部となる位置に貫通口18aを形成する。形成する方法としては、金型を用いた型成型法やエキシマレーザなどのレーザ加工により作製される。ここで、必要に応じて貫通口18aの壁面に、例えばめっき法などで反射層(図示せず)などを形成してもよい。
つぎに、図5(b)に示すように、蓋部材14aに形成された貫通口18aに、例えば樹脂に蛍光体材料を分散させたペーストを、印刷法などを用いて充填し、乾燥硬化させて蛍光体部18を形成する。このとき、蛍光体部18の周囲の蓋部材14aが非蛍光体部20として形成される。
つぎに、図5(c)に示すように、蛍光体部18の片面に、例えば樹脂や低融点ガラスなどで半球状のマイクロレンズなどの集光部16を形成する。この場合、蓋部材14aや蛍光体材料を分散させる樹脂の熱劣化を低減するために、集光部16の形成温度としては、例えば200℃程度の低い温度で形成することが好ましい。
上記方法により、蛍光体部18、非蛍光体部20および蛍光体部18上に形成された集光部16を備えた蓋部14が作製される。
つぎに、図4(d)に示すように、図5で形成された蓋部14とLED12を凹部13に内蔵した筐体10を接着剤などで貼り合わせて固定する。このとき、LED12を内蔵する凹部13を減圧状態で固定する場合、減圧した環境下で貼り合わせを行う。
上記各工程により、薄型で、光強度を向上した光源装置100が作製される。
(第2の実施の形態)
以下に、本発明の第2の実施の形態における光源装置について、図6を用いて説明する。
図6は、本発明の第2の実施の形態における光源装置200を説明する断面模式図である。図6に示すように、第2の実施の形態の光源装置200は、非蛍光体部20の上にも集光部21を設けた点で、第1の実施の形態と異なるものである。他の構成は第1の実施の形態と同様であり、同じ符号を付して説明する。
図6に示すように、光源装置200は、例えばセラミック基板からなる、凹部13を有する筐体10と、その凹部13の底面に実装されたLED12と、その上部に設けられた非蛍光体部20と蛍光体部18を有する蓋部14と、蛍光体部18の位置に対応する位置に設けられた集光部16と非蛍光体部20の位置に対応する位置に設けられた集光部21とを備えている。
そして、LED12の光が直接、非蛍光体部20を介し集光部21で集光されて放射される光と、蛍光体部18を経由して集光部16で集光されて放射される黄色の光との混色により、白色光として、光源装置200の全面から放射される。
このとき、蓋部14は、第1の実施の形態と同様に、図1(b)に示すような、例えば碁盤状に蛍光体部18と非蛍光体部20が二次元で交互に配置された構成や、図3に示す各種構成のものを用いることができる。
なお、集光部16と集光部21の形状や材料は、同じであってもよいが、集光する光の波長に合わせて、最適に設計することが好ましい。
本実施の形態によれば、LEDの非蛍光体部を介して直接放射される光を集光部21で集光するため、LEDと非蛍光体部の相対位置による入射角度の違いで、非蛍光体部の壁面での反射による、青色の光の分散を防止できる。その結果、白色光の指向性を向上させ、さらに光強度を高めた光源装置200を実現できる。
以下、本発明の第2の実施の形態における光源装置200の第1の変形例について、図7を用いて説明する。
図7は、本発明の第2の実施の形態における光源装置200の第1の変形例の構成を示す断面模式図である。図7に示すように、集光部16、21をまとめて、蓋部14の蛍光体部18と非蛍光体部20の全体に半球状のレンズからなる集光部31を設けた点で、図6の構成とは異なるものである。
この構成の光源装置300によれば、集光部31により、厚みなどの形状は大きくなるが、集光効率をさらに向上させることができる。
なお、図7の光源装置300では、半球状のレンズで集光部31を形成したが、図8の第2の変形例に示すように、例えばフレネルレンズで集光部31を形成してもよい。これにより、薄型で集光効率の高い光源装置350を実現できる。
(第3の実施の形態)
以下に、本発明の第3の実施の形態における光源装置について、図9を用いて説明する。
図9は、本発明の第3の実施の形態における光源装置400を説明する断面模式図である。図9に示すように、第3の実施の形態の光源装置400は、少なくとも筐体10の凹部13の側面の反射膜17上に蛍光体層40を設けた点で、第1の実施の形態と異なるものである。他の構成は第1の実施の形態と同様であり、同じ符号を付して説明する。
本実施の形態の光源装置400によれば、蛍光体層40により、黄色の光を増加できるため、蓋部14に形成する蛍光体部18の面積などを削減できる。これにより、LED12から直接放射される減衰の少ない青色の光を多く出力できるので、さらに光強度を向上できる光源装置400を実現できる。
なお、図10に示す本発明の第3の実施の形態における光源装置の第1の変形例や、図11の第2の変形例に示すように、第2の実施の形態の光源装置200や、図7の光源装置300に第3の実施の形態を適用してもよい。これにより、各実施の形態の効果が得られるとともに、さらに光強度が向上した光源装置が得られる。
また、本実施の形態では、筐体の凹部に反射膜を形成した例で説明したが、これに限られず設けなくてもよい。これにより、生産性や低コストを実現できる。
(第4の実施の形態)
以下に、本発明の第4の実施の形態における光源装置について、図12を用いて説明する。
図12は、本発明の第4の実施の形態における光源装置を説明する断面模式図である。図12に示すように、第4の実施の形態の光源装置500は、第1の実施の形態の蓋部14から集光部16を分離して、透明な基材44上に集光部46を形成した点で、第1の実施の形態と異なるものである。他の構成は第1の実施の形態と同様であり、同じ符号を付して説明する。
すなわち、図12に示すように第1の実施の形態における蓋部14を、蛍光体部18と非蛍光体部20を形成した蓋42と、例えばガラスなどの透明な基材44上で蛍光体部18の位置に対応する位置に集光部46とを分離して構成したものである。
本実施の形態の光源装置500によれば、集光部46を別の透明な基材44上に独立して形成できるため、蛍光体材料を分散する樹脂などの集光部46の形成時の熱による劣化を未然に防止できる。そのため、集光部を形成する材料などの選択範囲が広がるとともに、安価な材料で形成することができる。
また、独立して蓋部を作製できるため、生産性や歩留まりを大幅に向上させることができる。
なお、図13に示す本発明の第4の実施の形態における光源装置の第1の変形例や、図14に示す第2の変形例に示すように、図7の光源装置や、図8の光源装置に第4の実施の形態を適用してもよい。これにより、各実施の形態の効果が得られるとともに、生産性に優れ、低コストの光源装置を容易に作製できる。
なお、各実施の形態の構成を互いに適用できることはいうまでもない。
本発明は、半導体発光素子を用いた高輝度で長寿命な光源装置を実現できるため、家庭用の照明器具、車両用の照明器具や携帯用の照明器具などの光源装置として有用である。
(a)本発明の第1の実施の形態における光源装置の構成を示す断面模式図(b)同実施の形態における蓋部の構成を説明する平面模式図 同実施の形態における光源装置の蓋部の蛍光体部と非蛍光体部の平面内の配置の別の例を説明する平面模式図 同実施の形態における光源装置の蓋部の蛍光体部と非蛍光体部の厚み方向の配置の別の例を説明する断面模式図 同実施の形態における光源装置の製造方法を説明する断面模式図 同実施の形態の蓋部の製造方法を説明する断面模式図 本発明の第2の実施の形態における光源装置を説明する断面模式図 同実施の形態における光源装置の第1の変形例の構成を示す断面模式図 同実施の形態における光源装置の第2の変形例の構成を示す断面模式図 本発明の第3の実施の形態における光源装置を説明する断面模式図 同実施の形態における光源装置の第1の変形例の構成を説明する断面模式図 同実施の形態における光源装置の第2の変形例の構成を説明する断面模式図 本発明の第4の実施の形態における光源装置を説明する断面模式図 同実施の形態における光源装置の第1の変形例の構成を説明する断面模式図 同実施の形態における光源装置の第2の変形例の構成を説明する断面模式図 従来の白色の発光ダイオードの構成を示す断面図
符号の説明
10 筐体
11a 青色の光
11b 黄色の光
12 LED(半導体発光素子)
13 凹部
14 蓋部
14a 蓋部材
15 凹面
16,21,31,46 集光部
17 反射膜
18 蛍光体部
18a 貫通口
19 配線電極
20 非蛍光体部
40 蛍光体層
42 蓋
44 基材
100,200,300,350,400,500 光源装置

Claims (10)

  1. 凹部を有する筐体と、
    前記凹部の底部に設置された半導体発光素子と、
    前記筐体上に設置された蛍光体部と非蛍光体部とを有する蓋部と、
    を備えたことを特徴とる光源装置。
  2. 前記半導体発光素子が設置された前記凹部の少なくとも側面に、反射部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
  3. 前記半導体発光素子が設置された前記凹部の少なくとも側面に、蛍光体層が設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光源装置。
  4. 前記蓋部の前記蛍光体部と前記非蛍光体部が交互に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
  5. 前記蛍光体部と前記非蛍光体部の面積比が、前記半導体発光素子の発光面からの距離により異なることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
  6. 前記蛍光体部または前記非蛍光体部の上に、さらに集光部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
  7. 前記集光部が、前記蛍光体部毎または前記非蛍光体部毎に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の光源装置。
  8. 前記集光部が、透明な基材上に設けられ、前記蓋部上に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の光源装置。
  9. 前記蓋部の前記蛍光体部と前記非蛍光体部が、前記蓋部の厚み方向において、放射状に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
  10. 前記蓋部の厚み方向において、少なくとも前記蛍光体部と前記非蛍光体部の設けられた前記半導体発光素子と対向する側の前記蓋部の面が、凹面であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199357A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
JP2010283057A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Fujifilm Corp 微細構造体および該微細構造体を用いた発光素子
US20130170179A1 (en) * 2010-11-18 2013-07-04 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion element and light source provided with same
JP2013171844A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
JP2014527311A (ja) * 2011-09-19 2014-10-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 変換ダイ、そのような変換ダイを備えた放射放出部品、およびそのような変換ダイの製造方法
JP2015028948A (ja) * 2014-09-17 2015-02-12 シャープ株式会社 発光装置
US9328890B2 (en) 2011-06-29 2016-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light projecting device and vehicular headlamp
US9366399B2 (en) 2011-03-03 2016-06-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, illumination device, and vehicle headlamp
JP2017028265A (ja) * 2015-07-16 2017-02-02 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光装置
US9625121B2 (en) 2010-12-01 2017-04-18 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and vehicle
JP2018006529A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 三菱電機株式会社 発光装置
JP2021068917A (ja) * 2021-01-20 2021-04-30 三菱電機株式会社 発光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2004349647A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2005093681A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005183727A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Kyocera Corp 発光装置
JP2006179684A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2004349647A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2005093681A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005183727A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Kyocera Corp 発光装置
JP2006179684A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199357A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
JP2010283057A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Fujifilm Corp 微細構造体および該微細構造体を用いた発光素子
US20130170179A1 (en) * 2010-11-18 2013-07-04 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion element and light source provided with same
US9920891B2 (en) * 2010-11-18 2018-03-20 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion element and light source provided with same
US20170175958A1 (en) * 2010-11-18 2017-06-22 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion element and light source provided with same
US9638396B2 (en) * 2010-11-18 2017-05-02 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion element and light source provided with same
US9625121B2 (en) 2010-12-01 2017-04-18 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and vehicle
US9366399B2 (en) 2011-03-03 2016-06-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, illumination device, and vehicle headlamp
US9328890B2 (en) 2011-06-29 2016-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light projecting device and vehicular headlamp
JP2014527311A (ja) * 2011-09-19 2014-10-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 変換ダイ、そのような変換ダイを備えた放射放出部品、およびそのような変換ダイの製造方法
US9368698B2 (en) 2011-09-19 2016-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Converter plate, a radiation-emitting device having such a converter plate and a method of producing such a converter plate
JP2013171844A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
JP2015028948A (ja) * 2014-09-17 2015-02-12 シャープ株式会社 発光装置
JP2017028265A (ja) * 2015-07-16 2017-02-02 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光装置
JP2018006529A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 三菱電機株式会社 発光装置
JP2021068917A (ja) * 2021-01-20 2021-04-30 三菱電機株式会社 発光装置
JP7283489B2 (ja) 2021-01-20 2023-05-30 三菱電機株式会社 発光装置

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