KR101004746B1 - 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 열전냉각소자가 내장된 엘이디 페키지는 엘이디 소자가 실장된 회로기판에 상기 엘이디 소자에 인접하게 수평형 열전냉각소자를 설치하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
본 발명에서 제안하고 있는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지에 따르면, 열전냉각소자를 이용하여 엘이디 소자에서 발생하는 열을 능동적으로 외부로 방출할 수 있고, 열로 인한 엘이디 소자의 광특성 저하 및 수명 단축을 방지할 수 있다.
본 발명에서 제안하고 있는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지에 따르면, 열전냉각소자를 이용하여 엘이디 소자에서 발생하는 열을 능동적으로 외부로 방출할 수 있고, 열로 인한 엘이디 소자의 광특성 저하 및 수명 단축을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 열전냉각소자를 이용하여 엘이디 소자에서 발생하는 열을 능동적으로 외부로 방출할 수 있도록 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지에 관한 것이다.
엘이디(LED, light-emitting diode) 소자는 전력소모가 적기 때문에 디스플레이 장치, 실내외 조명, 자동차 헤드라이트 등 다양한 분야에서 광원으로 주목받고 있다.
엘이디 소자는 내부 저항 등에 의해 고온의 열이 발생하는데 이 열은 엘이디 소자의 자체 성능이나 수명에 큰 영향을 주기 때문에 방열 문제가 상당히 중요한 기술로 부각되고 있다.
종래의 엘이디 소자는 대개 실리콘 등의 플라스틱 소재의 인쇄회로기판(PCB)에 전극 패턴이 형성되고 엘이디 소자가 부착되어 구성되는데, PCB는 그 자체로 방열특성이 좋지 않아 엘이디 소자에서 발생한 열을 외부로 용이하게 방출하지 못한다. 따라서 엘이디 소자가 과열되어 광특성이 저하되거나, 엘이디 소자의 수명이 단축되는 등의 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 엘이디 소자 방열 방식으로 수동냉각 방식과 능동냉각 방식이 제안되어 있다.
수동냉각 방식의 일례는 대한민국 등록특허 제10-703218호에 개시되어 있는데. 열전도 특성이 좋은 금속소재인 알루미늄을 엘이디 소자가 본딩되는 회로기판의 소재로 사용하고, 상기 알루미늄 기판에 양극산화막을 형성한 후, 복수의 기판 전극을 형성하고, 상기 기판 전극을 엘이디 소자와 전기적으로 연결하여 엘이디 패키지에 관한 것이다.
그러나 상기 종래기술은 금속소재인 알루미늄 기판은 열전도량의 한계 때문에 엘이디 소자에서 발생하는 열을 충분히 방출하는데 어려움이 있다..
능동냉각 방식의 일례는 대한민국 특허공개 제2009-103263호에 개시되어 있는데, 도 1을 참조하여 그 구성을 설명하면 다음과 같다.
엘이디 소자로 구성되는 발광부(10)를 히트싱크(80)의 상부에 접착하고, 납땜(85)으로 히트싱크(80)의 하부에 난연성 절연고무(90)를 결합하고, 발광부(10)에서 발생하는 열을 흡열하도록 상기 난연성 절연고무(90)의 하부에 전도성 물질인 구리판(40), 고열전도 절연체(30), 동 또는 알루미늄과 같은 메탈베이스(20)를 순차적으로 적층한다.
메탈베이스(20)의 하부에는 펠티에 효과를 이용하여 발광부(10)로부터 전달된 열을 상부에서 흡열하고 하부로 방출하도록 열전반도체(50)를 설치한다.
그리고 열전반도체(50)의 하부로 방출되는 열을 외부로 방출하기 위하여 전도성 물질인 전도체(60), 절연체(70), 난연성 절연고무(75)를 상기 열전반도체(50)의 하부로 순차적으로 적층한다.
그러나 이와 같이 발광부(10)에서 발생하는 열을 구리판(40), 고열전도 절연체(30)를 거쳐 메탈베이스(20)로 전달하는 경우 열전달 효율이 떨어지게 되어 발광부(10)에 대한 냉각효율이 전체적으로 저감되고, 열전반도체(50)의 상/하부에 전도성 물질을 적층함에 따라 엘이디 패키지의 크기가 커지는 문제점이 있다.
본 발명은 기존에 제안된 방법들의 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 엘이디 소자가 실장된 회로기판에 상기 엘이디 소자에 인접하게 수평형 열전냉각소자를 설치하여 엘이디 소자에서 발생하는 열을 능동적으로 외부로 방출할 수 있는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 엘이디 소자에서 발생하는 열을 외부로 능동적으로 방출함으로써 엘이디 소자의 광특성 저하 및 수명 단축을 방지할 수 있는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예 1에 따른 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지는, 상면에 엘이디(LED) 소자가 실장된 회로기판과, 상기 엘이디 소자에 인접하여 상기 회로기판의 상면에 수평으로 설치한 열전냉각소자와, 상기 엘이디 소자 및 열전냉각소자의 상부에 형성된 봉지재를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
상기 회로기판은 상부에 캐비티(cavity)가 형성되고, 상기 엘이디 소자는 상기 캐비티의 저면에 실장되고, 상기 열전냉각소자는 상기 엘이디 소자에 인접하여 상기 캐비티의 저면에 설치할 수 있다.
상기 열전냉각소자는 복수의 P형 열전반도체 및 N형 열전반도체를 수평으로 교대로 설치하고 전극으로 직렬 연결하여 구성할 수 있다.
그리고 상기 P형 열전반도체 및 N형 열전반도체는 상기 엘이디 소자를 중심으로 방사형으로 배치할 수 있으며, 상기 엘이디 소자를 중심으로 하여 동심원 형태를 이루도록 복수 개 설치할 수도 있다.
한편 상기 엘이디 소자의 위치와 대응하는 회로기판의 하면 위치에 단열홈부를 형성할 수 있다.
또한 상기 회로기판에는 상기 엘이디 소자의 하부에 단열부재가 설치될 수 으며, 상기 단열부재는 다공질 재질로 구성될 수 있다.
그리고 상기 다공질 재질의 단열부재는 적층된 복수의 실리콘 웨이퍼의 상부에 형성된 다수의 홀과, 상기 홀과 연통되어 상기 실리콘 웨이퍼의 내부에 형성된 다수의 공동(void)을 구비하도록 구성될 수 있다.
한편 회로기판의 하면에는 방열핀이 설치될 수 있으며, 구체적으로는 상기 방열핀은 상기 열전냉각소자에서 발열하는 전극 위치에 대응하는 상기 회로기판의 하면 위치에 설치할 수 있다.
상기 회로기판의 재질은 알루미늄, 구리, 금, 은 및 이의 조합에 의한 선택된 어느 하나로 구성될 수 있다.
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본 발명에서 제안하고 있는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지에 따르면, 엘이디 소자가 실장된 회로기판에 상기 엘이디 소자에 인접하여 수평형 열전냉각소자를 설치하여 엘이디 소자에서 발생하는 열을 능동적으로 외부로 방출함으로써 엘이디 소자의 광특성 저하 및 수명 단축을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 엘이디 패키지의 냉각구조를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 엘이디 패키지를 나타내는 단면도.
도 3은 도 2의 평면도.
도 4는 내지 도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 열전냉각소자가 배치된 상태를 나타내는 평면도.
도 8은 본 발명의 실시예 1에 따라 단열부재가 설치된 상태를 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 실시예 1에 따른 단열부재를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 엘이디 패키지를 나타내는 단면도.
도 3은 도 2의 평면도.
도 4는 내지 도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 열전냉각소자가 배치된 상태를 나타내는 평면도.
도 8은 본 발명의 실시예 1에 따라 단열부재가 설치된 상태를 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 실시예 1에 따른 단열부재를 나타내는 단면도.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예 1에 따른 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 엘이디 패키지를 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 2의 평면도이고, 도 4는 내지 도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 열전냉각소자가 배치된 상태를 나타내는 평면도이고, 도 8은 본 발명의 실시예 1에 따라 단열부재가 설치된 상태를 나타내는 단면도이고, 도 9는 본 발명의 실시예 1에 따른 단열부재를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 8을 참고하면, 본 발명의 실시예 1에 따른 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지는 엘이디(LED) 소자(100), 회로기판(200), 단열부재(230), 단열홈부(250), 열전냉각소자(300), 봉지재(400), 방열핀(500)을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3에서 도시된 바와 같이, 엘이디 소자(100)는 회로기판(200)의 상면에 실장되고, 본딩수단을 통해 회로기판(200)의 표면에 구비된 전도성 회로와 전기적으로 연결된다. 이때 엘이디 소자(100)는 회로기판(200)을 통하여 구동전원을 공급받을 수 있다. 엘이디 소자(100)에서 출사되는 빛은 후술하게 될 봉지재(400)에 함유된 형광체에 의해 다른 색의 빛으로 변환될 수 있다. 가령, 청색광을 생성하는 청색 엘이디 소자에서 출사되는 빛은 봉지재에 함유된 형광체에 의한 파장변환을 통해 백색광으로 출사될 수 있다.
회로기판(200)의 상면에는 엘이디 소자(100)가 실장될 수 있다. 엘이디 소자(100)는 회로기판(200)을 평면형으로 형성하여 그 상면에 실장하거나, 도 2에 도시된 것처럼 회로기판(200)의 상부에 캐비티(cavity)(210)를 형성하고, 그 저면에 실장할 수 있다.
이때 캐비티(210)는 엘이디 소자(100)에서 나온 빛을 원하는 지향각 범위 내로 반사시키기 위해 그 내벽이 상부에서 하부로 갈수록 반경이 감소하도록 회로기판(200)의 상면으로부터 경사지게 형성될 수 있다. 캐비티(210)의 경사진 내벽을 반사성이 뛰어난 금속 재질로 형성하거나, 표면을 금속코팅하여 반사면으로 형성하는 것이 바람직하다.
열전냉각소자(300)는 엘이디 소자(100)에 인접하여 수평형 열전냉각소자(300)를 설치할 수 있다. 즉 열전냉각소자(300)를 엘이디 소자(100)에 인접하여 회로기판(200)의 상면에 수평으로 설치한다.
열전냉각소자(300)는 펠티에 효과를 이용하여 엘이디 소자(100)에서 발생하는 열을 일측에서 흡열하고 타측으로 방출시키는 냉각장치 역할을 한다. 즉 엘이디 소자(100)에 인접된 일단이 열을 흡수하는 흡열부가 되고, 타단은 흡수된 열을 방출하는 발열부가 된다.
열전냉각소자(300)는 P형 열전반도체(310) 및 N형 열전반도체(330)를 직렬로 연결하여 구성할 수 있다. 이때, P형 열전반도체(310) 및 N형 열전반도체(330)를 박막형태로 하여 그 크기를 최소화할 수 있다.
P형 열전반도체(310) 및 N형 열전반도체(330)는 회로기판(200)의 상면에 설치된 전극(350)에 의해 통전된다. 이때, 전극(350)의 하부에는 회로기판(200)과의 사이에 절연층(미도시)이 형성된다.
사용자가 엘이디 소자(100)에서 발생하는 열을 열전냉각소자(300)를 이용하여 능동냉각하고자 하는 경우, 도 3에서 도시한 바와 같이 복수의 P형 열전반도체(310)와 N형 열전반도체(330)를 수평하게 교대로 설치하고, 상기 P형 열전반도체(310)와 N형 열전반도체(330)를 직렬로 연결한 열전냉각소자(300)를 엘이디 소자(100)를 중심으로 방사형으로 상기 엘이디 소자(100)의 테두리를 따라 상기 엘이디 소자(100)에 인접하게 배치할 수 있다.
이때, 도 4에서 도시한 바와 같이 복수의 P형 열전반도체(310)와 N형 열전반도체(330)를 엘이디 소자(100)를 기준으로 대향되는 위치에 상기 엘이디 소자(100)에 인접하게 배치할 수 있다.
한편, 도 5에서 도시한 바와 같이 P형 열전반도체(310)와 N형 열전반도체(330) 및 전극(350)을 구비한 열전냉각소자(300)를 엘이디 소자(100)를 중심으로 상기 엘이디 소자(100)의 테두리를 따라 상기 엘이디 소자(100)에 인접하여 복수개 설치할 수 있다.
또한, 도 6에서 도시한 바와 같이 엘이디 소자(100)를 중심으로 하여 동심원 형태를 이루도록 복수의 열전냉각소자(370)(380)를 회로기판(200)의 상면에 설치할 수 있다. 가령, 엘이디 소자(100)를 중심으로 반경방향으로 소정간격 이격되게 복수의 P형 열전반도체와 N형 열전반도체 및 전극을 구비한 제1열전냉각소자(370)를 배치하고, 상기 엘이디 소자(100)를 중심으로 상기 제1열전냉각소자(370)의 발열부에 인접하게 복수의 P형 열전반도체와 N형 열전반도체 및 전극을 구비한 제2열전냉각소자(380)를 배치할 수 있다.
또한 상기와 같은 방식으로 제2열전냉각소자(380)에 인접하게 제3열전냉각소자, 제3열전냉각소자에 인접하게 제4열전냉각소자 등 복수의 열전냉각소자를 차례로 설치할 수 있다.
엘이디 소자(100)에 인접하게 설치한 제1열전냉각소자(370)는 엘이디 소자(100)에서 발생한 열을 발열부를 통해 방출하고, 제2열전냉각소자(380)는 제1열전냉각소자(370)에서 방출한 열을 흡수하여 발열부를 통해 외부로 방출함으로써 엘이디 소자(100)에서 발생하는 열을 외부로 신속하게 전달할 수 있다.
또한, 도 7에서 도시한 바와 같이 엘이디 소자(100)를 중심으로 하여 동심원 형태로 배치된 제1열전냉각소자와 제2열전냉각소자를 상호 연결하여 하나의 열전냉각소자(300)를 구성할 수 있다.
상기와 같이, 엘이디 소자(100)를 중심으로 전방향에서 엘이디 소자(100)를 효율적으로 능동냉각시킴으로써 열로 인한 엘이디 소자(100)의 광도 등의 광특성이 저하되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 엘이디 소자(100)의 수명이 단축되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 2에서 도시한 바와 같이 회로기판(200)의 하면에는 상면 방향으로 소정깊이를 갖는 단열홈부(250)를 형성할 수 있다. 단열홈부(250)의 위치는 엘이디 소자(100)의 위치와 대응하는 회로기판(200)의 하면으로 하되, 단열홈부(250)의 저면의 면적을 엘이디 소자(100)의 면적보다 크게 형성할 수 있다.
상기 단열홈부(250) 내의 공기는 단열기능을 수행하게 된다. 도 2 및 도 8에서 도시한 바와 같이 단열홈부(250)는 회로기판(200)의 하부로의 열전도 경로를 차단하여 열전냉각소자(300)의 흡열부 측으로 열전도를 유도하기 위함이다.
도 2 및 도 8에서 도시된 화살표는 엘이디 소자(100)에서 회로기판(200)으로 전달된 열이 단열홈부(250)에 의해 열전냉각소자(300) 측으로 유도되는 열전도 경로를 개략적으로 나타낸 것이다. 이와 같이 열전냉각소자(300)를 이용하여 외부로 열을 방출하는 것이 회로기판(200)을 통하여 외부로 열을 방출하는 것보다 방열효율이 크기 때문이다.
한편, 도 8에서 도시한 바와 같이 회로기판(200)에는 실장된 엘이디 소자(100)의 하부에 단열부재(230)가 설치될 수 있다. 즉 엘이디 소자(100)가 실장되는 회로기판(200)의 상면에 단열부재(230)를 설치할 수 있다.
이때 단열부재(230)는 엘이디 소자(100)의 면적보다 작게 형성하여, 엘이디 소자(100)의 열이 단열부재(230) 주변에서 엘이디 소자(100)와 접촉하고 있는 회로기판(200) 부분을 통해 열전냉각소자(300)의 흡열부 측으로 쉽게 전도되도록 구성하는 것이 바람직하다.
한편 단열부재(230)는 열전도율을 작게 하기 위하여 다공질 재질로 할 수 있다.
다공질 재질로 이루어진 단열부재(230)의 일례가 도 9에 도시되어 있는데, 복수의 실리콘 웨이퍼(231)를 적층하여 산화막(237)으로 본딩하고, 적층된 실리콘 웨이퍼(231) 중 상부에 설치된 실리콘 웨이퍼(231)의 상면에 다수의 홀(233)을 형성한 후, 상기 홀(233)을 통하여 식각(예를들어, wet etching)하여 적층된 실리콘 웨이퍼(231)의 내부에 다수의 공동(void)(235)을 형성하는 방법으로 제조할 수 있다.
이와 같은 다공성재질의 단열부재(230)는 공동(235) 속에 갇힌 공기의 단열성을 이용할 수 있다.
또한, 도 2에서 도시한 바와 같이 회로기판(200)의 하면에는 방열핀(500)을 더 설치할 수 있다. 방열핀(500)은 회로기판(200)에 전도된 열을 외부로 방출하는 역할을 한다. 상기 방열핀(500)은 회로기판(200)의 하면 전체에 걸쳐 설치할 수 있다.
한편 도 8에서 도시한 바와 같이 열전냉각소자(300)의 발열부에서 방출되는 열의 일부는 회로기판(200)에 전달되고, 회로기판(200)의 하면에 형성된 단열홈부(250)에 의해 열전냉각소자(300)의 흡열부 측으로 유도된 열의 일부가 회로기판(200)을 따라 열전냉각소자(300)의 발열부 부근의 회로기판으로 이동하게 된다.
따라서 회로기판(200)에서 열전냉각소자(300)의 발열부 전극이 위치하는 부분이 다른 부분에 비하여 높은 온도로 가열되기 때문에 열전냉각소자(300)의 전극 위치에 대응하는 회로기판(200)의 하면 위치에만 방열핀(550)을 설치하여 이 부분의 방열량을 증가시키도록 구성할 수도 있다.
회로기판(200)은 통상 실리콘 재질로 형성될 수 있으나, 열전도율이 높은 알루미늄, 구리, 금, 은 및 이들을 조합으로 이루어진 재질 중 선택된 어느 하나로 구성할 수도 있다. 열전도율이 높은 재질을 사용함으로써 열전냉각소자(300)의 발열부에서 방출하는 많은 열량은 신속하게 회로기판(200)에 전도되고, 전도된 열을 용이하게 외부로 방출하여 엘이디 소자(100)에 대한 냉각효율을 증대시킬 수 있다. 이때, 방열핀(500)도 열전도율이 높은 알루미늄, 구리, 금, 은 및 이의 조합에 의한 어느 하나로 구성하여 외부로의 방열효율을 증대시킬 수 있다.
봉지재(400)는 엘이디 소자(100) 및 열전냉각소자(300)의 상부에 형성할 수 있다. 봉지재(400)에 의해 엘이디 소자(100) 및 열전냉각소자(300)를 회로기판(200)의 상부, 특히 캐비티(210)의 저면에 고정할 수 있다. 여기서 봉지재(400)는 실리콘수지, 에폭시수지 또는 그 혼합수지와 같은 투명수지가 사용될 수 있으며, 형광체와 기타 혼합물이 첨가된 실리콘수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 봉지재(400)는 렌즈역할을 하도록 구성할 수 있다.
이상 설명한 본 발명은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이나 응용이 가능하며, 본 발명에 따른 기술적 사상의 범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
이상 설명한 본 발명은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이나 응용이 가능하며, 본 발명에 따른 기술적 사상의 범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
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100: 엘이디 소자 200: 회로기판
210: 캐비티 230: 단열부재
231: 실리콘 웨이퍼 233: 홀
235: 공동 250: 단열홈부
300: 열전반도체 모듈 310: P형 열전반도체
330: N형 열전반도체 350: 전극
400: 봉지재 500: 방열핀
210: 캐비티 230: 단열부재
231: 실리콘 웨이퍼 233: 홀
235: 공동 250: 단열홈부
300: 열전반도체 모듈 310: P형 열전반도체
330: N형 열전반도체 350: 전극
400: 봉지재 500: 방열핀
Claims (14)
- 상면에 엘이디(LED) 소자가 실장된 회로기판;
상기 엘이디 소자에 인접하여 상기 회로기판의 상면에 수평되게 설치하는 열전냉각소자; 및
상기 엘이디 소자 및 열전냉각소자의 상부에 형성된 봉지재를 포함하고,
상기 엘이디 소자의 위치와 대응하는 회로기판의 하면 위치에 단열홈부가 형성된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 회로기판은 상부에 캐비티(cavity)가 형성되고, 상기 엘이디 소자는 상기 캐비티의 저면에 실장되고, 상기 열전냉각소자는 상기 엘이디 소자에 인접하여 상기 캐비티의 저면에 설치된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 열전냉각소자는 복수의 P형 열전반도체 및 N형 열전반도체를 수평되게 교대로 설치하고, 직렬로 연결한 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 3에 있어서,
상기 P형 열전반도체 및 N형 열전반도체는 상기 엘이디 소자를 중심으로 방사형으로 배치된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 4에 있어서,
상기 열전냉각소자는 상기 엘이디 소자를 중심으로 하여 동심원 형태를 이루도록 복수개 설치된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 회로기판에는 상기 엘이디 소자의 하부에 단열부재가 설치된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 7에 있어서,
상기 단열부재는 다공질 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 7에 있어서,
상기 단열부재는, 적층된 복수의 실리콘 웨이퍼의 상면에 형성된 다수의 홀과, 상기 홀과 연통되어 상기 실리콘 웨이퍼의 내부에 형성된 다수의 공동(void)을 구비하는 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 회로기판의 하면에는 방열핀이 더 설치된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 10에 있어서,
상기 방열핀은 상기 열전냉각소자에서 발열하는 전극 위치에 대응하는 상기 회로기판의 하면 위치에 설치된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 회로기판의 재질은 알루미늄, 구리, 금, 은 및 이의 조합에 의한 선택된 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지. - 삭제
- 삭제
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| KR1020100034906A KR101004746B1 (ko) | 2010-04-15 | 2010-04-15 | 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지 |
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- 2010-12-21 WO PCT/KR2010/009132 patent/WO2011129514A1/ko active Application Filing
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| WO2011129514A1 (ko) | 2011-10-20 |
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