JP5705323B2 - 放熱特性が向上した高光力led光源構造体 - Google Patents

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Description

本発明は、LED光源構造体に関し、特に、電気伝導性及び熱伝導性に優れた金属を加工して両電極ユニットを製作し、そのうちの1つの電極ユニットを用いてLEDチップで発生する熱を電極ユニットを通じて直接排出することにより、放熱特性を向上させると共に光源の安定化及び電圧降下防止を行え、高光力で出力し得るようにする放熱特性が向上した高光力LED光源構造体に関する。
LED(Light Emitting Diode;発光ダイオード)は、順方向に電圧を印加する時に発光する半導体素子であって、LEDに電圧を印加すると、LEDのPN接合面で電子が有するエネルギーが光エネルギーに変換して発光するようになる。
このようなLEDは、半導体材料に応じて種々の色相の光を発光させることができ、入力電圧に対する応答時間が速くかつ構造が簡単であるため、低コストで大量に生産することができ、電球において使用されるフィラメントを使用しないため、小型に製作することができる。また、前記LEDは、振動に強くかつ故障率が低い、長寿命のものであるため、従来の電球や蛍光灯などの照明器具に代えて光源として広く使用されている。
このようなLEDを用いた光源は、ダイオードの温度が適正な電子の活性温度を保つ時(概ね25〜55℃)に光出力と光効率が極大となる特性を持っている。LEDは、特性上、電磁誘導(電気)による電子の移動時に光子と熱が発生し、この時、両者は互いに反比例の相関関係を形成している。従って、LEDの内部で発生した熱をどの程度速く除去するかによって、光子の発生を増加させることができ、ダイオードの耐久性を維持することができる。
即ち、電気エネルギーにより電子移動が起こるが、このとき、発生した熱によって電子の活性度が増大し、電気抵抗が減少する。なお、適正な電子の活性に必要な量を超える熱は、電気エネルギーによる光子発生を減少させ、熱による過度な電子の活性度(電流量の増加)によって原子構造の結合力が低下してしまい、ダイオードが耐え得る電子の移動度(電圧)の減少をもたらし、結局は、LEDの破壊及び火事の発生が生じることがあり得る。
このような発熱の問題は、多くの場合、照明として使用するためのLED光源を製作する時に発生しており、LEDから発生した、電子活性に必要な量を超える過剰な熱を速やかに放出し得るように放熱板が求められている。
一般に、LED光源構造体は、金属体の放熱板と、この放熱板に設けられる絶縁体と、この絶縁体の上に設けられる銅箔回路層とから構成されるPCB(Printed Circuit Board)上にLEDチップやパッケージが搭載されてなる。このような従来のLED光源構造体では、銅箔回路層を介して電流がLEDチップの正(+)電極に入力され、LEDチップを経て負(−)電極に出力されることで発光するようになる。
上述の構成を有する従来のLED光源では、薄い銅箔回路層の限界から、直接的な大面積及び電気的回路の通電性を増大させることができないため、LEDチップと回路で発生する電流抵抗と、チップで光子が発生する時に同時に発生する熱を下部の絶縁体を通じて放熱板に伝達して放出するという間接的な放熱方法をとっているため、発生する熱に対して効率的な放熱ができず、高光力LED光源を実現するのに限界がある。
このような問題点から、最近は、放熱板の上に設けられた絶縁体をエッチングし、絶縁体上にLEDを搭載することで、LEDチップで発生する熱を絶縁体を経ることなく直接放熱板に伝達されるようにして放熱効果を高くする方法が提案されている。しかし、この方法は、熱がLEDチップやパッケージ自体に設けられた絶縁体とLEDチップと放熱板とを連結する半田付け層を経て放熱板に伝達されているため、放熱効果が低下するという限界が依然として存在している。
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、LED光源の駆動時に発生する熱を効率良く放熱することが可能な、放熱特性が向上した高光力LED光源構造体を提供することにある。
本発明の他の目的は、電気伝導性及び熱伝導性に優れた金属材からなるヒートシンクを直接LED光源の正電極として用い、LED光源で発生する熱をヒートシンクを通じて放出することで放熱特性を向上させることが可能な、放熱特性が向上した高光力LED光源構造体を提供することにある。
本発明のまた他の目的は、LED光源の駆動時、電圧降下と、発生した光の出力低下を防止することが可能な、放熱性能向上及び電圧降下防止を図るための放熱特性が向上した高光力LED光源構造体を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、LED光源構造体を個別に使用し、又は、複数個のLED光源構造体を容易に連結して必要に応じて光量を可変することが可能な、放熱特性が向上した高光力LED光源構造体を提供することにある。
上述の目的を達成するための本発明に係る放熱特性が向上した高光力LED光源構造体は、LEDチップを実装し、LEDチップの点灯によって発生する熱を外部へ放出し得るようにするLED光源構造体であって、電気伝導性を有する材質からなる第1の電極ユニット10と、電気伝導性及び熱伝導性を有する材質からなり、前記第1の電極ユニット10と電気的に絶縁される第2の電極ユニット20と、前記第1の電極ユニット10と前記第2の電極ユニット20を両電極として使用するように設けられるLEDチップ40と、を備え、前記第1の電極ユニット10及び/又は第2の電極ユニット20は、LEDチップ40と面接触して、LEDチップ40で発生する熱が直接伝導されて大気中に放出されることを特徴とする。
このとき、前記第1の電極ユニット10の一端又は両端には、1つ以上の第1の電極連結部11が設けられ、1つ以上の貫通孔12が設けられ、前記貫通孔12に隣接して第1の電極部13が上面に構成され、少なくとも下面には、前記第1の電極連結部11を除いた領域に絶縁層が設けられ、前記第2の電極ユニット20の一端又は両端には、1つ以上の第2の電極連結部21が設けられ、前記第1の電極ユニットの下側に密着配置され、前記第1の電極ユニット10上に積層され、前記貫通孔12と前記第1の電極部13に対応する電極連結孔33が形成される電気非伝導性を有する絶縁体30が設けられるが、前記LEDチップは、前記絶縁体30上に実装され、前記電極連結孔33を通じて第1の電極部13により第1の電極ユニット10に連結され、前記貫通孔12を通じて第2の電極ユニット20に連結されることができる。
なお、前記第1の電極連結部、第1の電極部及び少なくとも前記第2の電極ユニットにおいて前記貫通孔に対応する部分には、電気伝導性を向上させるためのメッキ層が形成されることが好ましい。
前記絶縁体において、前記LEDチップが装着される部分は、半球状に窪んだ凹状であり、この窪んだ凹状の中央部分には電極連結孔が形成され、前記第2の電極ユニットには、前記LEDチップの装着高さを増大して光出力を向上させるため、前記貫通孔に向けて突出する第2の電極部が形成されることができる。
このとき、前記第2の電極部は、前記第2の電極ユニットの後面への圧力印加により突出し、その突出した高さは、前記第2の電極ユニットの厚さの2/3以下であることが好ましい。
また、前記第2の電極部の上面には、前記LEDチップと第2の電極ユニットとの間の電気伝導性を向上させるためにメッキ層がさらに形成されることができる。
前記第1の電極は、負の電極であり、前記第2の電極は、正の電極であることが好ましい。
また、前記第1の電極ユニット又は前記第2の電極ユニットにおいて、前記LEDチップからの熱伝達が多い電極ユニットの断面積を、他の電極ユニットの断面積に比べて大きく形成することが好ましい。
前記第1の電極連結部は、隣接したLED光源構造体の第2の電極連結部と連結され、前記第2の電極連結部は、他の隣接したLED光源構造体の第1の電極連結部と連結されることで、ある1つのLED光源構造体が1つ以上の隣接したLED光源構造体と連結できるように、前記第1の電極連結部は、前記第1の電極ユニットの一端にのみ設けられ、前記第2の電極連結部は、前記第1の電極ユニットの他端に対応する前記第2の電極ユニットの他端にのみ設けられることもできる。
前記第2の電極ユニット20は、ヒートシンク形状を有するように構成され、前記LEDチップ40で発生する熱がヒートシンク形状を有する第2の電極ユニット20を通じて放出されるように構成することができる。
前記第1の電極ユニットの高さが、ヒートシンクが形成された第2の電極ユニットの上部高さと水平となるように、前記第2の電極ユニットの上部には前記第1の電極ユニットと絶縁体が取り付けられる溝状部が設けられることができる。
このとき、前記第1の電極ユニットの上部と、前記第2の電極ユニットの上部には、多数の正端子及び負端子が設けられ、多数のLEDチップの正電極及び負電極が連設されることができる。
または、電気伝導性及び熱伝導性を有する金属製のヒートシンク60が構成され、前記ヒートシンク60の上部は、透明材質の絶縁物質66でコーティングされ、前記ヒートシンク60上に第2の電極ユニット20が取り付けられ、第1の電極ユニット10が第2の電極ユニット20及びヒートシンク60と絶縁されるように第2の電極ユニット20上に取り付けられ、前記LEDチップ40で発生する熱が第2の電極ユニット20と接するヒートシンク60を通じて放出されるように構成することができる。
上部において、ヒートシンクの外側は、漏電を防止するために放熱機能及び絶縁機能を有する絶縁物質でコーティングされることができる。
前記ヒートシンクは、電気伝導性及び熱伝導性を有する材質からなることが好ましい。
本発明に係る放熱特性が向上した高光力LED光源構造体によれば、LEDチップを実装する電極部分の断面積を最大化することで、電圧降下、及びLEDチップで発生する熱を最短時間で放出することができるという効果がある。
より詳しくは、電極の断面積を最大化すると共に長さを減らして抵抗を最小化することで電極ユニットに流れる電子の流れを最大にすることができ、これにより、電子の流れが向上しながらLEDチップの表面で発生する表面抵抗にも最大限に対応でき、電圧降下を極力最小化できるという長所がある。
また、本発明によれば、極大化した電極ユニットによって、抵抗が極小となった一次的な巨大熱伝達の通路及び電気流れの通路を確保することができると共に、電極、特にLEDチップと広い面積で直接接触する正電極の断面積が大きくなって、速やかにLEDチップと正電極との間の熱バランスがとれるようになる。従って、LED活性層の温度が急に上昇するという問題点を解決することができ、LEDチップの抵抗が安定しており電流が安定化されて、これによって、コンバータの設計時に、定電流による駆動が容易に実現できるという効果が得られる。
さらに、本発明によれば、LED光源構造体を個別に使用し、又は、複数個のLED光源構造体を容易に連結して必要に応じて光量を可変することができるため、種々の形態及び光量を実現することができるというメリットがある。
また、電気伝導性の良い各電極ユニット上に一定の間隔をおいて多数のLEDチップを取り付け、残部には絶縁コーティングを施して回路基板の形式として製作すると、複雑な種々の過程を経る必要がないため、低コストでかつコンパクトなマルチチャネルの光源を有する基板を製作することができ、回路基板上に一定の間隔をおいて小孔を形成して、使用者が要求する寸法及び模様となるように、前記孔に沿って回路基板をきちんと切り出し、切り出された回路基板に電源を連結して容易に使用することができる。
本発明の第1の実施例に係るLED光源構造体の構造を示す概念図である。 第1の実施例に係るLED光源構造体の構成を示す斜視図である。 第1の実施例に係るLED光源構造体の構成を示す分解斜視図である。 図2中のA−A’線に沿う断面図である。 図2中のB−B’線に沿う断面図である。 第1の実施例に係る複数個のLED光源構造体を結合する状態を示す斜視図である。 本発明の第2の実施例に係るLED光源構造体を示す断面図である。 本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の斜視図である。 本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の側面図である。 本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の分解斜視図である。 本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の側断面図である。 本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の平面図である。 本発明の第4の実施例に係るLED光源構造体の斜視図である。 本発明の第4の実施例に係るLED光源構造体の分解斜視図である。 本発明の第4の実施例に係るLED光源構造体を示す側断面図である。
以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施例について詳細に説明する。
本発明は、LEDチップの点灯によって発生する熱を速やかに外部へ放出し得るようにするLED光源構造体であって、電気伝導性を有する材質からなる第1の電極ユニット10と、前記第1の電極ユニット10の下側に位置して電気伝導性及び熱伝導性を有する材質からなり、第1の電極ユニット10と電気的に絶縁される第2の電極ユニット20と、前記第1の電極ユニット10と前記第2の電極ユニット20に連結されるLEDチップ40とから構成されるが、前記第1の電極ユニット10及び前記第2の電極ユニット20を前記LEDチップ40の両電極として使用して、前記LEDチップ40で発生する熱が前記第1の電極ユニット10及び/又は第2の電極ユニット20に直接伝達され、前記第1の電極ユニット10及び/又は前記第2の電極ユニット20を通じて大気中に放出されるようになる。
本実施例において、前記第1の電極ユニット10及び第2の電極ユニット20の材質としては、電気伝導性と熱伝導性を有する金属体で構成しているが、金属体の他、黒鉛、グラフェンのような電気伝導性と熱伝導性を有する材質で構成することもできる。
LEDチップ40で発生する熱を、第1の電極ユニット10又は第2の電極ユニット20を通じて円滑に放出させるためには、第1の電極ユニット10又は第2の電極ユニット20とLEDチップ40のとの連結部の面積を極大にし、熱伝導抵抗及び電気伝導抵抗を極小にする必要がある。
具体的に、第1の電極ユニット10又は第2の電極ユニット20のうちから選択される1つのユニット、或いは、第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20の両方は、LEDチップ40と点接触でなく面接触しているので、熱伝導抵抗及び電気伝導抵抗が最小となり、且つLEDチップ40で発生する熱は、第1の電極ユニット10又は第2の電極ユニット20を通じて、或いは、第1の電極ユニット10及び第2の電極ユニット20の両方を通じて排出されることができる。
上述の構成と原理に基づいて本発明を種々に変更して実施できるが、以下、代表的な4つの実施例を挙げて説明する。
図1は、本発明の第1の実施例に係る放熱特性が向上した高光力LED光源構造体の構造を示す概念図、図2は、第1の実施例に係るLED光源構造体の構成を示す斜視図、図3は、第1の実施例に係るLED光源構造体の構成を示す分解斜視図、図4は、図2中のA−A’線に沿う断面図、図5は、図2中のB−B’線に沿う断面図、図6は、第1の実施例に係る複数個のLED光源構造体を結合する状態を示す斜視図である。
図示したように、本発明に係るLED光源構造体は、電気伝導性及び熱伝導性に優れた金属体からなる第1の電極ユニット10及び第2の電極ユニット20と、電気非伝導性の絶縁体30と、LEDチップ40とから構成される。
より詳しくは、第1の電極ユニット10は、電気伝導性を有する材質で作られるもので、第1の電極による電流が導通するように一端又は両端には1つ以上の第1の電極連結部11が設けられ、1つ以上の貫通孔12が形成され、前記貫通孔12に隣接して第1の電極部13が上面に構成され、少なくとも下面において前記第1の電極連結部11を除いた領域に絶縁層14aが設けられる。
そして、前記第1の電極連結部11には、電源との連結端子又は隣接したLED光源構造体の第1の電極連結部11との電気伝導性を向上させるためのメッキ層15aが形成されることができる。
また、前記第1の電極部13に、LEDチップ40との電気伝導性を向上させるためのメッキ層15bが形成されることもできる。なお、第1の電極ユニット10の上面には前記メッキ層15bが形成された第1の電極部13を除いた領域に絶縁層14bがさらに形成されることもできる。
さらに、前記第1の電極連結部11は、前記第1の電極ユニット10の両端に設けられることができるが、一端にのみ設けられることもできる。これは、第1の電極ユニット10の他端に対応する第2の電極ユニット20の他端には、第2の電極連結部21を配置して、本発明に係る複数個のLED光源構造体が互いに締結することで、電気的な連結関係を持たせるためである。
なお、第2の電極ユニット20は、電気伝導性を有する材質で作られるもので、第2の電極による電流が導通するように一端又は両端には1つ以上の第2の電極連結部21が備えられ、前記第1の電極ユニット10の下側に密着配置される。
このとき、前記第2の電極ユニット20が密着する第1の電極ユニット10の下側には絶縁層14aが設けられ、第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20との間が絶縁されるため、第2の電極ユニット20の上面には別の絶縁体を設ける必要がない。しかし、本実施例では、LED光源構造体の安定的な作動を確保するため、前記第2の電極ユニット20上に絶縁層22aを形成し、第2の電極連結部21と第1の電極ユニット10の貫通孔12に対応する部分には絶縁層22aを形成していない。そして、絶縁層22aが形成されていない部分には、電気伝導性を向上するためのメッキ層23a、23bを形成することができる。
また、第2の電極ユニット20の下側に別の絶縁層を設ける必要はないが、本実施例のように絶縁層22bをさらに形成しても構わない。
そして、前記第2の電極連結部21は、前記第2の電極ユニット20の両端に設けられることもできるが、一端にのみ設けられることもできる。これは、第1の電極ユニット10の一端に第1の電極連結部11が配置され、前記第1の電極ユニット10の他端に対応する第2の電極ユニット20の他端には、第2の電極連結部21を配置して、本発明に係る複数個のLED光源構造体が互いに締結できるようにするためである。
さらに、第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20には、絶縁体30との結合のための結合孔16、24が形成される。
そして、前記第1の電極ユニット10には、負の電極が連結され、第2の電極ユニット20には正の電極が印加される。なお、実装されたLEDチップ40に電源が印加されると、正電極側にLEDチップ40の熱が多く発生するので、第2の電極ユニット20の断面積は、熱伝達の通路をより増大させるため、第1の電極ユニット10の断面積に比べて大きくすることが好ましい。
絶縁体30は、電気非伝導性を有する材質、例えば、プラスチック材で作られ、前記第1の電極ユニット10上に積層される。そして、前記絶縁体30の下側には、順次に積層される第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20が絶縁体30に結合できるように前記各電極ユニットに形成された結合孔16,24が挿入される結合突起(図示省略)が設けられる。
なお、前記絶縁体30には、コスト節減のための1つ以上の切開孔37を形成することもできる。
また、前記絶縁体30には、前記貫通孔12と前記第1の電極部13に対応して貫通する電極連結孔33が形成される。前記電極連結孔33は、前記絶縁体30に装着されるLEDチップを第1の電極ユニット10及び第2の電極ユニット20と電気的に連結させるためのもので、絶縁体30にはLEDチップ40から放射した光の光効率を増大させ、前面への光放出を誘導するため、半球状に窪んだ凸状の装着部35が設けられ、その装着部35の中央部分には、前記電極連結孔33が形成される。
このとき、前記装着部35は、窪んだ半球状をしているため、LEDチップ40から放射される光を反射して前面に向かせることができるが、このような反射の効率を増大させるため、前記装着部35に反射鏡を取り付けることができる。
なお、LEDチップ40は、前記絶縁体30上に実装され、前記電極連結孔33を介して第1の電極部13により第1の電極ユニット10に連結され、前記貫通孔12を介して第2の電極ユニット20に連結される。このとき、前記LEDチップ40は、前記第2の電極ユニット20に密着され、前記LEDチップ40の下側全体を通じて前記第2の電極ユニット20と電気的に連結される。
また、前記LEDチップ40の周辺に、前記装着部35の全体を覆う投光性の封止材50が設けられる。前記封止材50は、エポキシ又はシリコン材質で形成され、LEDチップ40を封止する役割に加え、前記LEDチップ40からの光を、指向角を一次的に調節する一次レンズとしての役割を果たす。
次に、本発明に係る放熱特性が向上した高光力LED光源構造体の作用について説明する。
従来のLEDチップの駆動回路は、種々の材質からなる熱伝達板の上に短絡防止のための絶縁体を構成し、その上に薄い銅箔を圧着させた後、印刷プリントを行い、銅箔を酸化させて回路のみを残す方法で印刷回路基板(PCB)を製作している。
周知のように、電気は、ファラデーによって発見された電磁氣誘導により固体内の自由電子の移動をもって説明されている。また、半導体は、このような電子の移動を用いて人為的に電子の移動を最大化した特別の機構物で、それに相当する大きな電子移動回路が必要となる。
しかし、このような半導体の特性を考慮していない従来のPCB製作方法では、複数個のLEDチップを直並列に連結すると、極めて小さな回路網の構成によって、極大となった電子移動量に耐えないため、回路の耐久性を阻害する電圧降下をもたらし、しかも、活性化されている半導体の特性から、増加する電流量によって、持続的な電圧降下がさらに発生し、半導体の寿命を減少させる結果をもたらした。
また、このような現象に伴い、LEDチップの駆動ドライバ(コンバータ)には、定電圧回路に定電流制御回路を付加して複雑なパワーシステムを構築しているが、このようなLED特性に合わせて大容量の回路を構成させると、LEDのサイズに応じた静電容量を自然に構成させることができるため、定電圧だけでもLEDの円滑な性能をを引き出して複雑な駆動パワーシステムをコンパクト化することができ、これにより、低コストのシステム設計及びLED光源構造体を製作することが可能である。
このため、本実施例では、電気伝導性の良い第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20に互いに異なる極性の電極を連結させ、各電極ユニット10、20において直接半導体がボンディングされるべき部分にメッキ層15b、23bをコーティングして回路を構成させ、残部には絶縁コーティングを施す。このような方式で回路基板を製作すると、回路基板の製作において複雑な種々の過程を行う必要がないため、低コストで且つコンパクト化が可能である。
また、互いに異なる極性を有する第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20とを重ねた後、LEDチップ40をボンディングして使用し、可及的に上端に積層される第1の電極ユニット10に負電極を印加して貫通孔12を形成し、その貫通孔12から第2の電極ユニットを覗けるように組み立てると共に、LEDチップ40の熱が多く発生する極性の側をより厚肉にして製作することにより、熱の分散及び熱による種々の障害要因をなくすことができる。
電源の印加による作用について詳述すると、本実施例に係るLED光源構造体において第2の電極ユニット20へ供給される正電源は、LEDチップ40の正電極に供給され、LEDチップ40を通じて負電極に移動し、第1の電極ユニット10に伝達され、これにより、LEDチップ40が発光して点灯されるようになる。
前記LEDチップ40の点灯によってLEDチップ40では熱が発生するが、この熱は、一般に光子が発生する正電極で集中的に発生する。本実施例では、LEDチップ40の正電極が、金属体であってヒートシンクの役割を果たす第2の電極ユニット20と絶縁体を介することなく直接電気的に連結されているため、LEDチップ40の正電極で発生する多量の熱が直接第2の電極ユニット20へ移動して放熱され、熱が瞬時に消去されるようになる。
従って、LEDチップ40の点灯によって発生する熱を、第2の電極ユニット20を通じて速やかに且つ効率的に放熱させ、LED光源の安定化を図ることができ、このような第2の電極ユニット20がLEDチップ40の正電極として働くため、LEDチップの正電極で発光する時に発生する正孔が留まる空間が十分に確保でき、高光力のLED光源を実現することができる。
また、本実施例では、LED光源構造体の一端に第1の電極ユニット10の第1の電極連結部11が配置され、他端には第2の電極ユニット20の第2の電極連結部21が配置される。このとき、第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20とは、順次に積層された状態であるため、第1の電極連結部11の位置は、第2の電極連結部21より相対的に高い。従って、前記第1の電極連結部11に隣接したLED光源構造体の第2の電極連結部21が連結される時、相互間に位置干渉することなく重ねて連結されることができる。
これは、LED光源構造体を個別に使用し、又は、複数個のLED光源構造体を容易に連結して必要に応じて光量を可変することができるため、種々の形態及び光量を実現することができる。
さらに、本実施例では、第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20が比較的薄い板材状となっており、第2の電極ユニット20がヒートシンクの役割を果たしているため、LEDチップ40の効率を最大化すると共に軽量の放熱設計を行うことができる。また、本実施例では、放熱機構を省略しているので、体積増大が発生せず、却って体積減少が可能となるため、さらに構造を変更することなく既存の光構造物に適用することができ、光源設置のための空間を減少させることができる。
次に、本発明に係る放熱特性が向上した高光力LED光源構造体の第2の実施例について説明する。なお、本実施例では、第1の実施例に対応する構成要素については、同じ図面番号を付した。
図7は、本発明の第2の実施例に係るLED光源構造体の断面図であって、LED光源構造体を図2中のA−A’線に沿って切断した面の変形形態を示す。
図示したように、本実施例では、第2の電極ユニット20において前記LEDチップ40の装着高さを増大して光出力を向上させるため、前記貫通孔12に向けて突出する第2の電極部26が設けられている。なお、前記第2の電極部26は、突起付き板材を第2の電極ユニット20として使用して前記突起を設けることもできるが、本実施例では、前記第2の電極ユニット20の後面に圧力を加えて突出させるような方式を採用している。
この場合、第2の電極部26が第2の電極ユニット20の上面から突出する高さは、前記第2の電極ユニット20の厚さの2/3以下であることが好ましい。これは、突出した第2の電極部26に突然の衝撃が加わった時に前記第2の電極部26が第2の電極ユニット20から分離されるのを防止するためである。
そして、前記第2の電極部26は、前記第1の電極ユニット10の貫通孔12の直径に比べて小径となることが好ましい。これは、前記貫通孔12に隣接して配置される第1の電極部13に対して第2の電極部26を隔てて配置するためである。
また、前記第2の電極部26の上面には、前記LEDチップ40と前記第2の電極ユニット20との間の電気伝導性を向上させるためにメッキ層23cをさらに形成することができる。
このように構成された第2の電極部26の上面にLEDチップ40を実装すると、LEDチップ40の実装高さが高くなり、これによって、光出力面が高くなって第1の電極ユニット10の半球状の装着部35に光が吸収され、光出力が低下する現象を防止することが可能となる。
換言すれば、本実施例では、LEDチップ40の位置を高くする構造を採用することにより、LEDチップ40から発生した光の出力が低下するのを防止でき、光損失防止による光出力向上及び省エネルギーを実現することができる。
図8は、本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の斜視図、図9は、本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の側面図、図10は、本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の分解斜視図、図11は、本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の側断面図、図12は、本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体の平面図である。
図8乃至図12に示されるように、本発明に係る放熱特性が向上した高光力LED光源構造体の第3の実施例では、電気伝導性及び熱伝導性に優れた金属体である第2の電極ユニット20がヒートシンク60の形状を有するように形成されるが、前記LEDチップ40の正電極41がヒートシンク形状を有する第2の電極ユニット20に連結され、負電極42は、第2の電極ユニットと20の絶縁状態を維持しながら第2の電極ユニット20上に取り付けられる第1の電極ユニット10に連結される。前記第2の電極ユニット20に供給される正電流は、LEDチップ40の正電極41に供給され、LEDチップ40内を経て第1の電極ユニット10へ流れ、LEDチップ40が発光して点灯されるが、このとき、LEDチップ40の発光で発生する熱は、ヒートシンクが設けられている第2の電極ユニット20を通じて直接放出されるようになる。
即ち、本発明の第3の実施例に係るLED光源構造体は、電気伝導性及び熱伝導性に優れた銅やアルミニウムなどの金属を加工してヒートシンク形状に第2の電極ユニット20を製作した後、このヒートシンク形状の第2の電極ユニット20を直接LEDチップ40の正電極41として使用するようになる。なお、前記LEDチップ40の第1の電極ユニット10がヒートシンク形状の第2の電極ユニット20と絶縁状態で結合されることで、第2の電極ユニット20と短絡することがない。前記LEDチップ40の正電極41では、光子の発生及び熱の大量発生が生じるが、電気伝導性及び熱伝導性に優れた第2の電極ユニット20がLEDチップの正電極41を形成しているため、LEDチップ40の発光で発生する熱が速やかに放出されることができる。
前記第2の電極ユニット20は、円柱形状を有し、この第2の電極ユニット20の外周面には多数の放熱溝20aが形成され、上部に結合されるLEDチップ40で発生する熱をより効率よく放出することができる。
前記第2の電極ユニット20の上部には、第1の電極ユニット10が第2の電極ユニット20と絶縁状態で結合されるための溝状部29が形成されているが、この溝状部29は、第2の電極ユニット20上部の一端から始まり、内側へ分岐して一部が斷絶された円形状をなしている。前記溝状部29上には、第1の電極ユニット10と第2の電極ユニット20との絶縁のための絶縁体30が設けられ、この絶縁体30上には第1の電極ユニット10が取り付けられる。前記第1の電極ユニット10は、金属体の第2の電極ユニット20と電気的に分離できるように側面が第2の電極ユニット20から離隔されるが、このとき、第1の電極ユニット10の高さは、第2の電極ユニット20上部の高さと水平となり、LEDチップ40の安定的な取り付けを行うことができる。
なお、前記第2の電極ユニット20上には多数のLEDチップ40を取り付けることができるが、多数のLEDトップ40を取り付けるために第2の電極ユニット20及び第1の電極ユニット10には、LEDチップ40の正電極の位置と負電極の位置とがペアとしてそれぞれ表示されることができる。本発明の実施例では、第2の電極ユニット20と第1の電極ユニット10の上に電気伝導率に優れた金で形成された正端子28及び負端子18を表示することにより、LEDチップ40の正電極41及び負電極42に容易に結合されて実装されるようにした。また、正端子28が表示された第2の電極ユニット20の一端には、外部から正電源を供給される正電源入力端子27が設けられ、第1の電極ユニット10の一端には、外部の負電源と連結される負電源入力端子17が設けられる。なお、前記絶縁体30及び第1の電極ユニット10は、一体に製作されて第2の電極ユニット20に形成された溝状部29に嵌め込み結合されることができるが、前記絶縁体30及び第1の電極ユニット10が第2の電極ユニット20の溝状部29に嵌め込まれると、前記第2の電極ユニット上には固定部材62が嵌め込み結合され、絶縁体30及び第1の電極ユニット10が固定されるようになる。
前記第2の電極ユニット20にLEDチップ40の正電極41が結合され、第1の電極ユニット10にLEDチップ40の負電極42が結合されると、この第2の電極ユニット20上を光が透過し得るシリコンなどのような透明材質の絶縁物質66でコーティングを施すことで、安定的に固定される。
このとき、ヒートシンク形状の第2の電極ユニット20の外周面には、漏電を防止するため、絶縁物質65のコーティングが施されるが、本発明の実施例において、第2の電極ユニット20の外周面は、絶縁機能を有しながら放熱機能と耐久性に優れたセラミックでコーティングされる。
なお、上述の実施例では、第2の電極ユニット20をヒートシンク形状として説明しているが、第2の電極ユニット20をヒートシンク形状のものとするのではなく、別のヒートシンクを備えて第2の電極ユニットと接するように構成することもできる。
図13は、本発明の第4の実施例に係るLED光源構造体の斜視図、図14は、本発明の第4の実施例に係るLED光源構造体の分解斜視図、図15は、本発明の第4の実施例に係るLED光源構造体の側断面図を示すものである。
図13乃至図15に示されるように、本発明の第4の実施例において、ヒートシンク60が独立して形成されており、ヒートシンク60上には第2の電極ユニット20と第1の電極ユニット10と、絶縁体30と、LEDチップ40とが実装される。
このため、前記ヒートシンク60上に取り付けられる第2の電極ユニット20に第1の電極ユニットを取り付けるための溝状部29が設けられ、この溝状部29上に絶縁体30及び第1の電極ユニット10が取り付けられることで、LEDチップ40の負電極42を連結するようになる。
前記ヒートシンク60と第2の電極ユニット20とを別体にしているが、これは、ヒートシンク60が強度の高いアルミニウムなどで製作される場合、強度の高いアルミニウム上に溝状部を形成するのに難があり、アルミニウム上に正電源入力端子及び正端子を形成することが困難であるためである。従って、アルミニウムの代わりに強度の低い金属体又は黒鉛やグラフェンのような電気伝導性及び熱伝導性を有する材質を用いてヒートシンク60を構成することができる。
好ましくは、銅からなる第2の電極ユニット20をヒートシンク60上に結合し、強度の低い第2の電極ユニット20の上部を加工して溝状部29を形成し、正電源入力端子27及び正端子28を形成することにより、製作工程が容易に行えるようにする。前記第2の電極ユニット20は、ヒートシンク60上にボンディング、半田付け、螺合などを通じて電気的に連結されるように結合される。
上述の本発明に係る放熱特性が向上した高光力LED光源構造体は、他の放熱装置と結合して使用されることにより、その放熱特性をさらに向上させることができる。即ち、本発明に係るヒートシンク60の外側に水冷式又は空冷式などの種々の補助放熱装置を結合して使用する場合は、LED光源の放熱が二重に行われ、放熱効果がさらに向上する。このようなヒートシンク60の外側に補助放熱装置が設けられている場合、ヒートシンク60は、補助放熱装置との結合のために、補助放熱装置の種類及び形態に応じて、その形状を適宜変更することができる。即ち、前記ヒートシンク60は、補助放熱装置との結合のために、その胴体を四角柱形状や五角柱形状などの種々の形態に製作することができ、また、ヒートシンク60の外周面に形成された放熱溝61は、横、縦、対角線、格子などの種々の形状に変更することができる。なお、このようなヒートシンク60の形態は、LED光源構造体の用途や種類に応じて変化できることは言うまでもない。
なお、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想と添付の特許請求の範囲の均等な範囲内で種々修正及び変更して実施できることは言うまでもない。

Claims (8)

  1. LEDチップを実装し、LEDチップの点灯によって発生する熱を外部へ放出し得るようにするLED光源構造体であって、
    電気伝導性を有する金属体からなる第1の電極ユニット10と、
    前記第1の電極ユニット10の下側に密着配置されて、電気伝導性及び熱伝導性を有する材質からなり、前記第1の電極ユニット10と電気的に絶縁される第2の電極ユニット20と、前記第1の電極ユニット10と前記第2の電極ユニット20を両電極として使用するように設けられるLEDチップ40と備え、
    前記第1の電極ユニット10は、一端又は両端に1つ以上の第1の電極連結部11が設けられるとともに、1つ以上の貫通孔12が設けられ、貫通孔12に隣接して第1の電極部13が上面に構成され、
    前記第2の電極ユニット20は、一端又は両端に1つ以上の第2の電極連結部21が設けられ、
    一方、前記第1の電極ユニット10上に積層され、貫通孔12と第1の電極部13に対応する電極連結孔33が形成される電気非伝導性を有する絶縁体30が設けられており、
    前記LEDチップ40は、絶縁体30上に実装され、電極連結孔33を通じて第1の電極部13により第1の電極ユニット10に連結され、貫通孔12を通じて第2の電極ユニット20に連結され、第1の電極ユニット10及び第2の電極ユニット20は、LEDチップ40と面接触して、LEDチップ40で発生する熱を直接伝導して大気中に放出することを特徴とする放熱特性が向上した高光力LED光源構造体。
  2. 前記第1の電極連結部11、第1の電極部13及び少なくとも第2の電極ユニット20において貫通孔12に対応する部分には、電気伝導性を向上させるためのメッキ層が形成されることを特徴とする請求項1に記載の放熱特性が向上した高光力LED光源構造体。
  3. 前記絶縁体30において、LEDチップ40が装着される部分は、半球状に窪んだ凹状であり、この窪んだ凹状の中央部分には電極連結孔33が形成され、
    前記第2の電極ユニット20には、LEDチップ40の装着高さを増大して光出力を向上させるため、貫通孔12に向けて突出する第2の電極部26が形成されることを特徴とする請求項1に記載の放熱特性が向上した高光力LED光源構造体。
  4. 前記第2の電極部26は、第2の電極ユニット20の後面への圧力印加により突出し、その突出した高さは、第2の電極ユニット20の厚さの2/3以下であることを特徴とする請求項3に記載の放熱特性が向上した高光力LED光源構造体。
  5. 前記第2の電極部26の上面には、LEDチップ40と第2の電極ユニット20との間の電気伝導性を向上させるためにメッキ層がさらに形成されることを特徴とする請求項3に記載の放熱特性が向上した高光力LED光源構造体。
  6. 前記第1の電極ユニット10は、負の電極であり、第2の電極ユニット20は、正の電極であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放熱特性が向上した高光力LED光源構造体。
  7. 前記第1の電極ユニット10又は第2の電極ユニット20において、LEDチップ40からの熱伝達が多い電極ユニットの断面積を、他の電極ユニットの断面積に比べて大きく形成することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放熱特性が向上した高光力LED光源構造体。
  8. 前記第1の電極連結部11は、隣接したLED光源構造体の第2の電極連結部21と連結され、第2の電極連結部21は、他の隣接したLED光源構造体の第1の電極連結部11と連結されることで、ある1つのLED光源構造体が1つ以上の隣接したLED光源構造体と連結できるように、第1の電極連結部11は、第1の電極ユニット10の一端にのみ設けられ、第2の連結部21は、第1の電極ユニット10の他端に対応する第2の電極ユニット20の他端にのみ設けられることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放熱特性が向上した高光力LED光源構造体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103807628B (zh) * 2012-11-13 2017-12-22 欧司朗有限公司 Led照明装置
KR20160106396A (ko) * 2015-03-02 2016-09-12 주식회사 비케이테크놀로지 리드프레임 및 이를 포함하는 반도체 패키지
JP6802620B2 (ja) * 2015-05-18 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
CN107131485B (zh) * 2017-06-16 2023-04-25 广州市诺思赛光电科技有限公司 同一基板上的双光源结构
CN107270215A (zh) * 2017-06-27 2017-10-20 佛山肆强科技有限公司 利用传热部件单极导电的led灯体及其导电方法和led车灯
JP7088985B2 (ja) * 2020-06-05 2022-06-21 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法、積層基板の製造方法、及び半導体発光装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1153287C (zh) * 2001-03-09 2004-06-09 矽品精密工业股份有限公司 具有内嵌式散热块的半导体封装件
ATE425556T1 (de) * 2001-04-12 2009-03-15 Matsushita Electric Works Ltd Lichtquellenbauelement mit led und verfahren zu seiner herstellung
CN1220283C (zh) * 2001-04-23 2005-09-21 松下电工株式会社 使用led芯片的发光装置
JP4122743B2 (ja) * 2001-09-19 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置
US6999318B2 (en) * 2003-07-28 2006-02-14 Honeywell International Inc. Heatsinking electronic devices
JP2005136224A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 発光ダイオード照明モジュール
KR100629496B1 (ko) * 2005-08-08 2006-09-28 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
JP4829577B2 (ja) * 2005-09-20 2011-12-07 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP4623730B2 (ja) * 2005-10-11 2011-02-02 シチズン電子株式会社 発光ダイオード光源ユニットを用いた発光ダイオード光源
KR100726969B1 (ko) * 2005-11-28 2007-06-14 한국광기술원 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한발광다이오드 패키지
JP4978053B2 (ja) * 2006-05-02 2012-07-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及び照明装置
KR20080000241U (ko) * 2006-08-25 2008-02-28 윤 타이 Led 모듈
TWM317075U (en) * 2006-08-25 2007-08-11 Yun Dai Heat dissipation structure of light emitting diode
US20080067526A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-20 Tong Fatt Chew Flexible circuits having improved reliability and thermal dissipation
JP2008103402A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 C I Kasei Co Ltd 上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体および上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体の製造方法
KR100855065B1 (ko) * 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
JP5084693B2 (ja) * 2008-10-21 2012-11-28 電気化学工業株式会社 発光装置および発光素子搭載用基板
KR101517930B1 (ko) * 2008-12-11 2015-05-06 주식회사 케이엠더블유 고방열 기판을 구비하는 멀티칩 엘이디 패키지
KR100939304B1 (ko) * 2009-06-18 2010-01-28 유트로닉스주식회사 Led어레이모듈 및 그 제조방법

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