JP7088985B2 - 半導体発光装置の製造方法、積層基板の製造方法、及び半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法、積層基板の製造方法、及び半導体発光装置 Download PDFInfo
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Description
VESD=((Cs/(Cs+Ct))×V ・・・式1
となる。
2… 半導体発光素子
3… 保護素子
4… ボンディングワイヤ
5… 透光性樹脂
6… 遮光性樹脂
10… 基台プレート
11… 第1台座部
11a… 素子接合面
11b… 第1ダイボンディングパッド
12… 第2台座部
12a… 素子接合面
12b… 第2ダイボンディングパッド
14… 塗装膜
15… 樹脂被覆層
16… 本体部
17… 電極端子
18… 支持端部
30… 積層プレート
31… 第1キャビティ
31a… ボンディングワイヤ接合面
31b… 第1ワイヤボンディングパッド
32… 第2キャビティ
32a… ボンディングワイヤ接合面
32b… 第2ワイヤボンディングパッド
34… 塗装膜
35… 樹脂被覆層
36… 本体部
37… 電極端子
50… 金属積層基板
51… 積層本体部
52… 貫通孔
53… 樹脂被覆層
55… 第1金属板
56… 第2金属板
57… 樹脂被覆層
60… 多連化半導体発光装置
61… 基台プレート
62… 塗装膜
63… 樹脂被覆層
64… 第1積層プレート
65… 塗装膜
66… 樹脂被覆層
67… 第2積層プレート
68… 塗装膜
69… 樹脂被覆層
70… 金属積層基板
71… 基台プレート
72… 塗装膜
73… 樹脂被覆層
74… 積層プレート
75… 塗装膜
76… 樹脂被覆層
77… 空間保持部材
78… 金属積層基板
Claims (11)
- 光半導体素子を接合する接合領域を一方の表面に設けた金属からなる基台プレートに、前記接合領域を囲むキャビティを有する金属からなる積層プレートが、絶縁性接着層を介して積層された積層基板と、
前記接合領域で、前記基台プレートと電気的に接続する前記光半導体素子と、
を備え、
前記積層プレートのキャビティは、厚み方向に前記基台プレート側から開口側にかけて貫通する貫通孔からなり、
前記積層プレートは、前記基台プレートの一方の表面側に積層され、
前記積層プレートには、少なくとも前記積層プレートにおける前記基台プレートの前記一方の表面側の表面および前記キャビティの内面を覆う第1の樹脂被覆層が形成されており、
前記キャビティの内部には、前記第1の樹脂被覆層と接するとともに当該キャビティの底部および前記光半導体素子を覆う透光性樹脂が形成されており、
前記基台プレートには、少なくとも前記接合領域を含む金属露出領域を除いて覆う第2の樹脂被覆層が形成されており、
前記絶縁性接着層は、前記第1の樹脂被覆層と前記第2の樹脂被覆層同士の接着により構成され、前記基台プレートと前記積層プレートとの間隔は、前記絶縁性接着層を介して均一に形成されることを特徴とする半導体発光装置。 - 光半導体素子を接合する接合領域を一方の表面に設けた金属からなる基台プレートに、前記接合領域を囲むキャビティを有する金属からなる積層プレートが、絶縁性接着層を介して積層された積層基板と、
前記接合領域で、前記基台プレートと電気的に接続する前記光半導体素子と、
を備え、
前記積層プレートのキャビティは、厚み方向に前記基台プレート側から開口側にかけて貫通する貫通孔からなり、
前記積層プレートは、前記基台プレートの一方の表面側に積層され、
前記積層プレートには、少なくとも前記積層プレートにおける前記基台プレートの前記一方の表面側の表面および前記キャビティの内面を覆う第1の樹脂被覆層が形成されており、
前記キャビティの内部には、前記第1の樹脂被覆層と接するとともに当該キャビティの底部および前記光半導体素子を覆う透光性樹脂が形成されており、
前記基台プレートには、少なくとも前記接合領域を含む金属露出領域を除いて覆う第2の樹脂被覆層が形成されており、
前記絶縁性接着層は、前記基台プレートと前記積層プレートとの間に位置する前記第1の樹脂被覆層と前記第2の樹脂被覆層同士の接着で接合され、
前記絶縁性接着層の層厚は、前記キャビティの内面を覆う前記第1の樹脂被覆層の部分と、前記基台プレートの前記一方の表面のうち、前記キャビティに囲まれた表面を覆う前記第2の樹脂被覆層の部分との合計の層厚より薄い層厚で形成されることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記基台プレートは、前記金属露出領域に電気接続用の電極端子部を更に含む
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体発光装置。 - 前記第1の樹脂被覆層および前記第2の樹脂被覆層はポリアミドイミド、ポリイミド及びポリアミドのうちのいずれかからなるとともに、前記第1の樹脂被覆層と前記第2の樹脂被覆層が同一材料からなる
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体発光装置。 - 前記絶縁性接着層は、前記第1の樹脂被覆層と前記第2の樹脂被覆層の間に空間保持部材を挟んでいる
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の半導体発光装置。 - 前記キャビティ内に、金属露出領域であるワイヤボンディングパッドを備え、
前記光半導体素子の上部電極に接続されたボンディングワイヤは、前記ワイヤボンディングパッドへ接合されている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載の半導体発光装置。 - 請求項1乃至請求項6の何れかに記載の積層プレートと基台プレートを含む半導体発光装置の製造方法であって、
前記積層プレートにおいて、少なくとも、前記半導体発光装置の基台プレートの一方の表面側の表面、および前記積層プレートに形成される貫通孔の内面を絶縁性の第1の樹脂被覆層で覆う第1塗膜形成工程と、
前記基台プレートにおいて、少なくとも、前記基台プレートに前記光半導体素子を接合する接合領域を除いた領域に絶縁性の第2の樹脂被覆層で覆う第2塗膜形成工程と、
前記積層プレートおよび前記基台プレートのうち一方のプレートもしくは両方のプレートを、前記第1の樹脂被覆層および第2の樹脂被覆層の少なくとも一方が軟質状態となる温度で加熱処理し、前記第1の樹脂被覆層および第2の樹脂被覆層の少なくとも一方を半硬化させる加熱処理工程と、
前記基台プレートの前記接合領域を、前記積層プレートの前記貫通孔が囲むように位置決めして、加熱処理された前記積層プレートと前記基台プレートとを重ね合わせ、加圧加熱処理を施してこれらを接着する積層工程と、
前記基台プレートの前記接合領域に、前記光半導体素子を接合して、前記基台プレートと前記光半導体素子とを電気的に接続する接合工程とを有する半導体発光装置の製造方法。 - 前記第1塗膜形成工程および前記第2塗膜形成工程は、電着塗料を用いた電着塗装によって塗装膜を析出させる工程である
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記積層工程において、前記第1の樹脂被覆層および第2の樹脂被覆層のうち半硬化された層を完全硬化させる請求項7または請求項8に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記積層工程において、前記第1の樹脂被覆層と前記第2の樹脂被覆層の間に空間保持部材を挟んだ状態で加圧加熱処理を施す
ことを特徴とする請求項7乃至請求項9の何れか記載の半導体発光装置の製造方法。 - 光半導体素子を接合する接合領域を一方の表面に設けた金属からなる基台プレートに、前記接合領域を囲むキャビティを有する金属からなる積層プレートが、絶縁性接着層を介して積層され、
前記積層プレートのキャビティは、厚み方向に前記基台プレート側から開口側にかけて貫通する貫通孔からなり、
前記積層プレートには、少なくとも前記積層プレートの前記基台プレート側の金属表面および前記キャビティの内面から前記基台プレートと反対側の金属表面にかけて覆う第1の樹脂被覆層が形成されており、
前記基台プレートには、少なくとも前記接合領域を含む金属露出領域を除いて覆う第2の樹脂被覆層が形成されており、
前記絶縁性接着層は、前記第1の樹脂被覆層と前記第2の樹脂被覆層を含み、
前記基台プレートと前記積層プレートとの間隔は、前記絶縁性接着層を介して均一に形成される
半導体発光装置用の積層基板の製造方法であって、
前記積層プレートは、前記基台プレートの一方の表面側に積層され、
前記積層プレートにおいて、少なくとも、前記基台プレートの一方の表面側の表面および前記貫通孔の内面を絶縁性の第1の樹脂被覆層で覆う第1塗膜形成工程と、
前記基台プレートの少なくとも前記接合領域を除いた領域に絶縁性の第2の樹脂被覆層で覆う第2塗膜形成工程と、
前記積層プレートおよび前記基台プレートのうち一方のプレートもしくは両方のプレートを加熱して、前記第1の樹脂被覆層および第2の樹脂被覆層の少なくとも一方を半硬化させる加熱処理工程と、
前記基台プレートの前記接合領域を、前記積層プレートの前記貫通孔が囲むように位置決めして、加熱処理された前記積層プレートと前記基台プレートとを重ね合わせ、加圧加熱処理を施してこれらを接着する積層工程と、
を有する
積層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020098289A JP7088985B2 (ja) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 半導体発光装置の製造方法、積層基板の製造方法、及び半導体発光装置 |
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---|---|---|---|
JP2015100707A Division JP6802620B2 (ja) | 2015-05-18 | 2015-05-18 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020129704A JP2020129704A (ja) | 2020-08-27 |
JP7088985B2 true JP7088985B2 (ja) | 2022-06-21 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7088985B2 (ja) |
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JP2020129704A (ja) | 2020-08-27 |
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