JPH11289110A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリップチップ型の半導体発光装置において
主光取出し面側以外に漏れ出る光を効率よく反射させて
発光輝度を向上させる。 【解決手段】 静電気保護用のツェナーダイオード７を
リードフレーム６のマウント部６ａに搭載し、フリップ
チップ型の発光素子１をツェナーダイオード７の上面に
ｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、発光素子１の
搭載面側と反対側を主光取出し面とし、その上面がツェ
ナーダイオード７の上端よりも上側で且つ発光素子１の
発光層よりも下側に位置する光反射型の樹脂モールド１
０をマウント部６ａ内に充填し、発光層からの光を樹脂
モールド１０により主光取出し面方向に反射させる。
主光取出し面側以外に漏れ出る光を効率よく反射させて
発光輝度を向上させる。 【解決手段】 静電気保護用のツェナーダイオード７を
リードフレーム６のマウント部６ａに搭載し、フリップ
チップ型の発光素子１をツェナーダイオード７の上面に
ｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、発光素子１の
搭載面側と反対側を主光取出し面とし、その上面がツェ
ナーダイオード７の上端よりも上側で且つ発光素子１の
発光層よりも下側に位置する光反射型の樹脂モールド１
０をマウント部６ａ内に充填し、発光層からの光を樹脂
モールド１０により主光取出し面方向に反射させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば青色発光
ダイオード等の光デバイスに利用される窒化ガリウム系
化合物を利用したフリップチップ型の半導体発光装置に
係り、特に発光層から素子の搭載面方向に放出される光
を効率よく主光取出し面側に反射させて発光輝度を向上
させるようにした半導体発光装置に関する。
ダイオード等の光デバイスに利用される窒化ガリウム系
化合物を利用したフリップチップ型の半導体発光装置に
係り、特に発光層から素子の搭載面方向に放出される光
を効率よく主光取出し面側に反射させて発光輝度を向上
させるようにした半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＧａＡｌＮ，ＩｎＧａＮ及びＩ
ｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物の半導体の製造
では、その表面において半導体膜を成長させるための結
晶基板として、一般的には絶縁性のサファイアが利用さ
れる。このサファイアのような絶縁性の結晶基板を用い
る場合では、結晶基板側から電極を出すことができない
ので、半導体層に設けるｐ，ｎの電極は結晶基板と対向
する側の一面に形成されることになる。
ｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物の半導体の製造
では、その表面において半導体膜を成長させるための結
晶基板として、一般的には絶縁性のサファイアが利用さ
れる。このサファイアのような絶縁性の結晶基板を用い
る場合では、結晶基板側から電極を出すことができない
ので、半導体層に設けるｐ，ｎの電極は結晶基板と対向
する側の一面に形成されることになる。
【０００３】たとえば、ＧａＮ系化合物半導体を利用し
た発光素子は、絶縁性の基板としてサファイア基板を用
いてその上面にｎ型層及びｐ型層を有機金属気相成長法
によって積層形成し、ｐ型層の一部をエッチングしてｎ
型層を露出させ、これらのｎ型層とｐ型層のそれぞれに
ｎ側電極及びｐ側電極を形成するというものがその基本
的な構成である。そして、ｐ側電極を透明電極とした場
合であれば、これらのｐ側及びｎ側の電極にそれぞれボ
ンディングパッド部を形成して、リードフレームや基板
にそれぞれワイヤボンディングされる。
た発光素子は、絶縁性の基板としてサファイア基板を用
いてその上面にｎ型層及びｐ型層を有機金属気相成長法
によって積層形成し、ｐ型層の一部をエッチングしてｎ
型層を露出させ、これらのｎ型層とｐ型層のそれぞれに
ｎ側電極及びｐ側電極を形成するというものがその基本
的な構成である。そして、ｐ側電極を透明電極とした場
合であれば、これらのｐ側及びｎ側の電極にそれぞれボ
ンディングパッド部を形成して、リードフレームや基板
にそれぞれワイヤボンディングされる。
【０００４】一方、サファイア基板側から光を取り出す
ようにしたフリップチップ型の半導体発光素子では、ｐ
側電極を透明電極としないままでこのｐ側及びｎ側の電
極のそれぞれにマイクロバンプを形成し、これらのマイ
クロバンプを基板またはリードフレームのｐ側及びｎ側
に接続する。
ようにしたフリップチップ型の半導体発光素子では、ｐ
側電極を透明電極としないままでこのｐ側及びｎ側の電
極のそれぞれにマイクロバンプを形成し、これらのマイ
クロバンプを基板またはリードフレームのｐ側及びｎ側
に接続する。
【０００５】図４はフリップチップ型の半導体発光素子
を利用したＬＥＤランプの概略を示す縦断面図である。
を利用したＬＥＤランプの概略を示す縦断面図である。
【０００６】図において、発光素子１は、絶縁性の透明
なサファイア基板１ａの表面に、たとえばＧａＮバッフ
ァ層，ｎ型ＧａＮ層，ＩｎＧａＮ活性層，ｐ型ＡｌＧａ
Ｎ層及びｐ型ＧａＮ層を順に積層し、ＩｎＧａＮ活性層
を発光層としたものである。そして、ｎ型ＧａＮ層にｎ
側電極２が、及びｐ型ＧａＮ層にはｐ側電極３がそれぞ
れ蒸着法によって形成され、更にこれらのｎ側電極２及
びｐ側電極３の上にはそれぞれマイクロバンプ４，５を
形成している。
なサファイア基板１ａの表面に、たとえばＧａＮバッフ
ァ層，ｎ型ＧａＮ層，ＩｎＧａＮ活性層，ｐ型ＡｌＧａ
Ｎ層及びｐ型ＧａＮ層を順に積層し、ＩｎＧａＮ活性層
を発光層としたものである。そして、ｎ型ＧａＮ層にｎ
側電極２が、及びｐ型ＧａＮ層にはｐ側電極３がそれぞ
れ蒸着法によって形成され、更にこれらのｎ側電極２及
びｐ側電極３の上にはそれぞれマイクロバンプ４，５を
形成している。
【０００７】発光素子１を搭載するリードフレーム６の
マウント部６ａには、発光素子１に外部から静電気が印
加されないようにしてその破壊を防止するために、静電
気保護素子としてツェナーダイオード７を設ける。この
ツェナーダイオード７は、導電性のＡｇペースト８によ
ってマウント部６ａに接着固定され、その上面にはｐ側
及びｎ側の電極７ａ，７ｂをそれぞれ形成したものであ
る。
マウント部６ａには、発光素子１に外部から静電気が印
加されないようにしてその破壊を防止するために、静電
気保護素子としてツェナーダイオード７を設ける。この
ツェナーダイオード７は、導電性のＡｇペースト８によ
ってマウント部６ａに接着固定され、その上面にはｐ側
及びｎ側の電極７ａ，７ｂをそれぞれ形成したものであ
る。
【０００８】発光素子１は、サファイア基板１ａが上面
を向く姿勢としてツェナーダイオード７の上に搭載さ
れ、ｎ側及びｐ側のマイクロバンプ４，５をそれぞれツ
ェナーダイオード７の電極７ａ，７ｂに接合することに
よって電気的に導通させる。そして、リードフレーム６
の上端部を含めて発光素子１の全体がエポキシ樹脂９に
よって封止され、図示の形状のＬＥＤランプが構成され
る。
を向く姿勢としてツェナーダイオード７の上に搭載さ
れ、ｎ側及びｐ側のマイクロバンプ４，５をそれぞれツ
ェナーダイオード７の電極７ａ，７ｂに接合することに
よって電気的に導通させる。そして、リードフレーム６
の上端部を含めて発光素子１の全体がエポキシ樹脂９に
よって封止され、図示の形状のＬＥＤランプが構成され
る。
【０００９】発光素子１への通電があるときには、半導
体積層膜中のＩｎＧａＮ活性層が発光層となり、この発
光層からの光がサファイア基板１ａ及びｐ側電極３の両
方向へ向かう。そして、ｐ側電極３を光透過しない反射
型の積層膜としておくことにより、サファイア基板１ａ
の上面からの発光輝度を最大としてこの面を主光取出し
面とすることができる。
体積層膜中のＩｎＧａＮ活性層が発光層となり、この発
光層からの光がサファイア基板１ａ及びｐ側電極３の両
方向へ向かう。そして、ｐ側電極３を光透過しない反射
型の積層膜としておくことにより、サファイア基板１ａ
の上面からの発光輝度を最大としてこの面を主光取出し
面とすることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】リードフレーム６のマ
ウント部６ａは、発光素子１の搭載という役目のほか
に、その内周面を銀鏡層等のように光反射率が高い表面
とすれば、発光層から漏れ出る光を反射させるのに有効
に利用できる。すなわち、発光素子１の発光層からの光
はサファイア基板１ａの上面の主光取出し面やｐ側電極
３側へ向かう成分に加えて、発光層とｐ側電極３までの
間の層の周壁から漏れ出る成分がある。したがって、こ
のような周壁からの光をマウント部６ａの内周面で反射
させるようにすれば、発光輝度の向上が図られることに
なる。
ウント部６ａは、発光素子１の搭載という役目のほか
に、その内周面を銀鏡層等のように光反射率が高い表面
とすれば、発光層から漏れ出る光を反射させるのに有効
に利用できる。すなわち、発光素子１の発光層からの光
はサファイア基板１ａの上面の主光取出し面やｐ側電極
３側へ向かう成分に加えて、発光層とｐ側電極３までの
間の層の周壁から漏れ出る成分がある。したがって、こ
のような周壁からの光をマウント部６ａの内周面で反射
させるようにすれば、発光輝度の向上が図られることに
なる。
【００１１】ところが、発光素子１はツェナーダイオー
ド７を介してマウント部６ａに搭載されているため、側
方に向かう光の光路に対してこのツェナーダイオード７
が干渉したりすることで、マウント部６ａの内周面から
の高い反射率が得られない。すなわち、ツェナーダイオ
ード７は発光素子１を安定して搭載するためと電気的導
通のために、発光素子１よりもその平面形状は大きくな
る傾向にあり、このためマウント部６ａの内周面へ達し
ようとする光を遮りやすく、反射率の向上の障害とな
る。
ド７を介してマウント部６ａに搭載されているため、側
方に向かう光の光路に対してこのツェナーダイオード７
が干渉したりすることで、マウント部６ａの内周面から
の高い反射率が得られない。すなわち、ツェナーダイオ
ード７は発光素子１を安定して搭載するためと電気的導
通のために、発光素子１よりもその平面形状は大きくな
る傾向にあり、このためマウント部６ａの内周面へ達し
ようとする光を遮りやすく、反射率の向上の障害とな
る。
【００１２】また、ツェナーダイオード７はすり鉢状の
マウント部６ａの底に搭載されるので、このツェナーダ
イオード７の周りとマウント部６ａの内周面との間の部
分には影ができやすくなる。このため、発光素子１の主
光取出し面及びマウント部６ａの内周面からの光が十分
に確保されても、この影によって全体の発光を鈍らせる
ようになり、発光輝度に大きく影響する。
マウント部６ａの底に搭載されるので、このツェナーダ
イオード７の周りとマウント部６ａの内周面との間の部
分には影ができやすくなる。このため、発光素子１の主
光取出し面及びマウント部６ａの内周面からの光が十分
に確保されても、この影によって全体の発光を鈍らせる
ようになり、発光輝度に大きく影響する。
【００１３】このように、リードフレーム６のマウント
部６ａにツェナーダイオード７を介して発光素子１を搭
載するものでは、ツェナーダイオード７による光路への
干渉及びマウント部６ａの底部側の影による発光の鈍化
が避けられないという問題がある。
部６ａにツェナーダイオード７を介して発光素子１を搭
載するものでは、ツェナーダイオード７による光路への
干渉及びマウント部６ａの底部側の影による発光の鈍化
が避けられないという問題がある。
【００１４】本発明において解決すべき課題は、フリッ
プチップ型の半導体発光装置において主光取出し面側以
外に漏れ出る光を効率よく反射させて発光輝度を向上さ
せることにある。
プチップ型の半導体発光装置において主光取出し面側以
外に漏れ出る光を効率よく反射させて発光輝度を向上さ
せることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、静電気保護素
子をリードフレームのマウント部に搭載し、フリップチ
ップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の上面に
ｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、前記半導体発
光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体
発光装置において、その上面が前記静電気保護素子の上
端よりも上側で且つ前記半導体発光素子の発光層よりも
下側に位置する光反射型の樹脂モールドを前記マウント
部内に充填してなることを特徴とする。
子をリードフレームのマウント部に搭載し、フリップチ
ップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の上面に
ｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、前記半導体発
光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体
発光装置において、その上面が前記静電気保護素子の上
端よりも上側で且つ前記半導体発光素子の発光層よりも
下側に位置する光反射型の樹脂モールドを前記マウント
部内に充填してなることを特徴とする。
【００１６】このような構成であれば、発光素子の主光
取出し面方向以外に漏れる光を樹脂モールドの上面から
反射させて光取出し面側へ回収することができるととも
に、ツェナーダイオードを設けていても発光素子周りに
凹みができないので暗がりによる発光の鈍化も抑えられ
る。
取出し面方向以外に漏れる光を樹脂モールドの上面から
反射させて光取出し面側へ回収することができるととも
に、ツェナーダイオードを設けていても発光素子周りに
凹みができないので暗がりによる発光の鈍化も抑えられ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、静電気
保護素子をリードフレームのマウント部に搭載し、フリ
ップチップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の
上面にｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、前記半
導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした
半導体発光装置において、その上面が前記静電気保護素
子の上端よりも上側で且つ前記半導体発光素子の発光層
よりも下側に位置する光反射型の樹脂モールドを前記マ
ウント部内に充填してなるものであり、漏れる光を樹脂
モールドの上面から反射させて光取出し面側へ回収でき
るとともに、ツェナーダイオードを設けていても発光素
子周りの暗がりによる発光の鈍化も抑えるという作用を
有する。
保護素子をリードフレームのマウント部に搭載し、フリ
ップチップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の
上面にｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、前記半
導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした
半導体発光装置において、その上面が前記静電気保護素
子の上端よりも上側で且つ前記半導体発光素子の発光層
よりも下側に位置する光反射型の樹脂モールドを前記マ
ウント部内に充填してなるものであり、漏れる光を樹脂
モールドの上面から反射させて光取出し面側へ回収でき
るとともに、ツェナーダイオードを設けていても発光素
子周りの暗がりによる発光の鈍化も抑えるという作用を
有する。
【００１８】請求項２に記載の発明は、樹脂モールド
は、白色顔料をフィラーとして含む請求項１記載の半導
体発光装置であり、白色系の顔料を樹脂モールドに含ま
せることによって、光の反射率を上げるという作用を有
する。
は、白色顔料をフィラーとして含む請求項１記載の半導
体発光装置であり、白色系の顔料を樹脂モールドに含ま
せることによって、光の反射率を上げるという作用を有
する。
【００１９】請求項３に記載の発明は、白色顔料のフィ
ラーは、酸化チタンである請求項２記載の半導体発光装
置であり、酸化チタンは白色顔料として使用する場合非
常に安定した物質性を維持できるもので、たとえば白色
からの変色が殆どないため反射率の劣化がなく光の回収
効果を向上させるという作用を有する。
ラーは、酸化チタンである請求項２記載の半導体発光装
置であり、酸化チタンは白色顔料として使用する場合非
常に安定した物質性を維持できるもので、たとえば白色
からの変色が殆どないため反射率の劣化がなく光の回収
効果を向上させるという作用を有する。
【００２０】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図
面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施の形
態による半導体発光装置であってＬＥＤランプの例を示
す概略縦断面図である。また、図２は本発明における窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子の概要であって、同
図の（ａ）は平面図、同図の（ｂ）は同図（ａ）のＡ−
Ａ線矢視による縦断面図である。
面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施の形
態による半導体発光装置であってＬＥＤランプの例を示
す概略縦断面図である。また、図２は本発明における窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子の概要であって、同
図の（ａ）は平面図、同図の（ｂ）は同図（ａ）のＡ−
Ａ線矢視による縦断面図である。
【００２１】なお、従来例で示したものと同じ部材につ
いては共通の符号で指示し、その詳細な説明は省略す
る。
いては共通の符号で指示し、その詳細な説明は省略す
る。
【００２２】図２の（ａ）及び（ｂ）において、発光素
子１の基板１ａの表面には、下から順にＧａＮバッファ
層１ｂ，ｎ型ＧａＮ層１ｃ，ＩｎＧａＮ活性層１ｄ，ｐ
型ＡｌＧａＮ層１ｅ及びｐ型ＧａＮ層１ｆがそれぞれ積
層され、いわゆるダブルヘテロ構造を構成している。こ
の半導体膜の積層構造は、従来例で述べたものと同様で
あり、通電によってＩｎＧａＮ活性層１ｄが発光層とな
り、発光層からの光がサファイア基板１ａの主光取出し
面（図１においてサファイア基板１ａの上面）側及びｐ
側電極３に向かう。
子１の基板１ａの表面には、下から順にＧａＮバッファ
層１ｂ，ｎ型ＧａＮ層１ｃ，ＩｎＧａＮ活性層１ｄ，ｐ
型ＡｌＧａＮ層１ｅ及びｐ型ＧａＮ層１ｆがそれぞれ積
層され、いわゆるダブルヘテロ構造を構成している。こ
の半導体膜の積層構造は、従来例で述べたものと同様で
あり、通電によってＩｎＧａＮ活性層１ｄが発光層とな
り、発光層からの光がサファイア基板１ａの主光取出し
面（図１においてサファイア基板１ａの上面）側及びｐ
側電極３に向かう。
【００２３】リードフレーム６のマウント部６ａには、
その底部から発光素子１の下端付近までにかけて樹脂モ
ールド１０によって封止する。この樹脂モールド１０
は、エポキシ系等の樹脂の中に白色顔料として一般に利
用されている酸化チタンをフィラーとして含有し、この
酸化チタンによって屈折率が小さいすなわち反射率が高
い層を形成したものである。なお、酸化チタンを含有し
ていても、これは非導電性なので、電極どうしの間の短
絡の問題はない。
その底部から発光素子１の下端付近までにかけて樹脂モ
ールド１０によって封止する。この樹脂モールド１０
は、エポキシ系等の樹脂の中に白色顔料として一般に利
用されている酸化チタンをフィラーとして含有し、この
酸化チタンによって屈折率が小さいすなわち反射率が高
い層を形成したものである。なお、酸化チタンを含有し
ていても、これは非導電性なので、電極どうしの間の短
絡の問題はない。
【００２４】樹脂モールド１０の上面は、発光素子１の
ＩｎＧａＮ活性層１ｄすなわち発光層よりも低い位置と
し、樹脂モールド１０の上方の発光層から光を受けるこ
とができるようにする。このような樹脂モールド１０を
設ける場合では、ツェナーダイオード７をＡｇペースト
８によってマウント部６ａに接着固定するとともに発光
素子１のマイクロバンプ４，５を電極７ａ，７ｂに接合
した後に、樹脂モールド１０をディスペンサーによる注
入法等によって充填し、一次硬化した後にエポキシ樹脂
９によって全体を封止すればよい。
ＩｎＧａＮ活性層１ｄすなわち発光層よりも低い位置と
し、樹脂モールド１０の上方の発光層から光を受けるこ
とができるようにする。このような樹脂モールド１０を
設ける場合では、ツェナーダイオード７をＡｇペースト
８によってマウント部６ａに接着固定するとともに発光
素子１のマイクロバンプ４，５を電極７ａ，７ｂに接合
した後に、樹脂モールド１０をディスペンサーによる注
入法等によって充填し、一次硬化した後にエポキシ樹脂
９によって全体を封止すればよい。
【００２５】以上の構成において、リードフレーム６を
介して発光素子１に通電すると、ＩｎＧａＮ活性層１ｄ
を発光層として緑または青の色の発光が得られる。この
発光層からの光は、サファイア基板１ａの主光取出し面
から抜ける成分及びｐ側電極３側に向かってこれから反
射される成分に加えて、発光層から側方に抜ける光の成
分が含まれる。
介して発光素子１に通電すると、ＩｎＧａＮ活性層１ｄ
を発光層として緑または青の色の発光が得られる。この
発光層からの光は、サファイア基板１ａの主光取出し面
から抜ける成分及びｐ側電極３側に向かってこれから反
射される成分に加えて、発光層から側方に抜ける光の成
分が含まれる。
【００２６】本実施形態では、酸化チタンをフィラーと
して含む樹脂モールド１０を発光層よりも下に充填して
いるので、発光層から側方に抜ける光をこの樹脂モール
ド１０の上面から反射させて主光取出し面からの発光方
向に戻すことができる。
して含む樹脂モールド１０を発光層よりも下に充填して
いるので、発光層から側方に抜ける光をこの樹脂モール
ド１０の上面から反射させて主光取出し面からの発光方
向に戻すことができる。
【００２７】図３は発光素子１からの発光の状況を示す
概略図であり、は発光層から主光取出し面側に直接抜
ける発光であり、はｐ側電極３によって反射されて主
光取出し面から放出される発光である。また、発光層か
らの光はｐ側電極３との間の肉厚部分の周面からも放出
され、この光は樹脂モールド１０の上面に達して反射さ
れる。そして、樹脂モールド１０への発光層からの光の
入射角は小さいが、その反射光はすり鉢状に形成されて
いるマウント部６ａの内周面に向けて反射されるので、
結果的にで示すように主光取出し面からの発光方向と
ほぼ同じ向きとして反射光を回収することができる。
概略図であり、は発光層から主光取出し面側に直接抜
ける発光であり、はｐ側電極３によって反射されて主
光取出し面から放出される発光である。また、発光層か
らの光はｐ側電極３との間の肉厚部分の周面からも放出
され、この光は樹脂モールド１０の上面に達して反射さ
れる。そして、樹脂モールド１０への発光層からの光の
入射角は小さいが、その反射光はすり鉢状に形成されて
いるマウント部６ａの内周面に向けて反射されるので、
結果的にで示すように主光取出し面からの発光方向と
ほぼ同じ向きとして反射光を回収することができる。
【００２８】したがって、ツェナーダイオード７を設け
ていても、これに発光層からの光路が干渉することがな
いまま樹脂モールド１０の上面で反射されるので、光の
回収効率が向上し、発光輝度を上げることができる。ま
た、ツェナーダイオード７の周りの全体が樹脂モールド
１０で充填され、発光素子１の周りには樹脂モールド１
０の面が現れるだけであり、凹みによる暗さが発生する
こともない。このため、発光を鈍らせるような要因をな
くすことができ、これによっても発光輝度を更に向上さ
せることができる。
ていても、これに発光層からの光路が干渉することがな
いまま樹脂モールド１０の上面で反射されるので、光の
回収効率が向上し、発光輝度を上げることができる。ま
た、ツェナーダイオード７の周りの全体が樹脂モールド
１０で充填され、発光素子１の周りには樹脂モールド１
０の面が現れるだけであり、凹みによる暗さが発生する
こともない。このため、発光を鈍らせるような要因をな
くすことができ、これによっても発光輝度を更に向上さ
せることができる。
【００２９】また、樹脂モールド１０によってツェナー
ダイオード７の全体を封止することができるので、通電
時のツェナーダイオード７からの発熱の発光素子１への
伝達を抑えることができる。したがって、発光素子１へ
の熱影響を小さくすることができ、その耐久性も向上さ
せることができる。
ダイオード７の全体を封止することができるので、通電
時のツェナーダイオード７からの発熱の発光素子１への
伝達を抑えることができる。したがって、発光素子１へ
の熱影響を小さくすることができ、その耐久性も向上さ
せることができる。
【００３０】
【発明の効果】請求項１の発明では、主光取出し面方向
以外に漏れる光を樹脂モールドの上面から反射させて光
取出し面側へ回収でき、ツェナーダイオードを設けてい
ても発光素子周りの暗がりによる発光の鈍化も抑えるこ
とができるので、発光輝度の向上が図れる。また、ツェ
ナーダイオードの全体を樹脂モールドによって封止すれ
ば、ツェナーダイオードの発熱の発光素子への伝達を抑
えることができ、発光素子の耐久性も向上する。
以外に漏れる光を樹脂モールドの上面から反射させて光
取出し面側へ回収でき、ツェナーダイオードを設けてい
ても発光素子周りの暗がりによる発光の鈍化も抑えるこ
とができるので、発光輝度の向上が図れる。また、ツェ
ナーダイオードの全体を樹脂モールドによって封止すれ
ば、ツェナーダイオードの発熱の発光素子への伝達を抑
えることができ、発光素子の耐久性も向上する。
【００３１】請求項２及び請求項３の発明では、樹脂モ
ールドによる光の反射率を高めることができるので、発
光輝度が更に一層向上する。
ールドによる光の反射率を高めることができるので、発
光輝度が更に一層向上する。
【図１】本発明の一実施の形態によるフリップチップ型
の半導体発光素子を備えたＬＥＤランプの概略縦断面図
の半導体発光素子を備えたＬＥＤランプの概略縦断面図
【図２】発光素子の詳細であって、 （ａ）は平面図 （ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視による縦断面図
【図３】樹脂モールドによる反射を他の発光成分ととも
に示す概略図
に示す概略図
【図４】従来のフリップチップ型の発光素子を備えたＬ
ＥＤランプの概略縦断面図
ＥＤランプの概略縦断面図
１ 発光素子 １ａ 結晶基板 １ｂ ＧａＮバッファ層 １ｃ ｎ型ＧａＮ層 １ｄ ＩｎＧａＮ活性層 １ｅ ｐ型ＡｌＧａＮ層 １ｆ ｐ型ＧａＮ層 ２ ｎ側電極 ３ ｐ側電極 ４，５ マイクロバンプ ６ リードフレーム ６ａ マウント部 ７ ツェナーダイオード ８ Ａｇペースト ９ エポキシ樹脂 １０ 樹脂モールド
Claims (3)
- 【請求項１】静電気保護素子をリードフレームのマウン
ト部に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前
記静電気保護素子の上面にｐ側及びｎ側の電極を導通さ
せて搭載し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を
主光取出し面とした半導体発光装置において、その上面
が前記静電気保護素子の上端よりも上側で且つ前記半導
体発光素子の発光層よりも下側に位置する光反射型の樹
脂モールドを前記マウント部内に充填してなる半導体発
光装置。 - 【請求項２】樹脂モールドは、白色顔料をフィラーとし
て含む請求項１記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】白色顔料のフィラーは、酸化チタンである
請求項２記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08995198A JP3985332B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08995198A JP3985332B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289110A true JPH11289110A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3985332B2 JP3985332B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=13985019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08995198A Expired - Fee Related JP3985332B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3985332B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6445011B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-09-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| KR20020082143A (ko) * | 2001-04-23 | 2002-10-30 | 도요다 고세이 가부시키가이샤 | 반도체 발광 장치 |
| KR100447413B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-09-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광장치 |
| JP2005136379A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP2008199000A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-08-28 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2008198962A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2009194026A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2009289816A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Kyocera Corp | 発光装置及び照明装置 |
| US7671468B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-03-02 | Tdk Corporation | Light emitting apparatus |
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| JP2011109134A (ja) * | 2007-02-12 | 2011-06-02 | Cree Inc | 複数の光学要素を有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法 |
| JP2013051431A (ja) * | 2012-10-25 | 2013-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US8669573B2 (en) | 2007-02-12 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements |
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| US8803182B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Light emitting device comprising protective element and base |
| JP2014241456A (ja) * | 2014-10-01 | 2014-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US9024343B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9082945B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-07-14 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting element unit and method for manufacturing the same, light emitting element package and illuminating device |
| CN104851962A (zh) * | 2014-02-13 | 2015-08-19 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| JP2016015356A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-02 JP JP08995198A patent/JP3985332B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7795633B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
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| US9806234B2 (en) | 2007-12-28 | 2017-10-31 | Nichia Corporation | Light emitting device |
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