JP2006269778A - 光学装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコーン樹脂製のレンズを破損や汚れから保護する構造を光学装置に備える。
【解決手段】光学装置は、光学素子と、光学素子を被覆するシリコーンレンズを使用したレンズ体と、レンズ体の側面に配置され、レンズ体の表面よりも高い位置まで延長された保護壁とを備える。この構成によって、レンズ体を保護壁で保護し光学装置の信頼性を高めることができる。保護壁は、レンズ体の周囲を覆う連続した壁状に形成されることで、レンズ体の周囲を保護壁で完全に覆って外部から保護できる。
【選択図】図3
【解決手段】光学装置は、光学素子と、光学素子を被覆するシリコーンレンズを使用したレンズ体と、レンズ体の側面に配置され、レンズ体の表面よりも高い位置まで延長された保護壁とを備える。この構成によって、レンズ体を保護壁で保護し光学装置の信頼性を高めることができる。保護壁は、レンズ体の周囲を覆う連続した壁状に形成されることで、レンズ体の周囲を保護壁で完全に覆って外部から保護できる。
【選択図】図3
Description
本発明は発光ダイオード(LED)、半導体レーザーダイオード(LD)等の発光デバイス、又はフォトダイオード等の受光デバイスに利用される光学装置に関する。
発光素子に半導体素子を用いた発光装置は、小型で電力効率が良く鮮やかな色の発光をする。また、半導体素子である発光素子は球切れ等の心配がない。さらに初期駆動特性が優れ、振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。このような優れた特性を有するため、発光ダイオード(LED)、レーザーダイオード(LD)等の半導体発光素子を用いる発光装置は、各種の光源として利用されている。
特に、GaN系化合物半導体を利用した高輝度の青色発光のLEDが開発され、その輝度性を活用して白色発光の発光装置が実現されている。この白色発光の発光装置は、青色に発光する発光素子の周りを黄緑色に発光する蛍光物質を含む樹脂で被覆して、白色光を得るというものである。このような樹脂としては、透光性を有し、かつ劣化が少なく絶縁性にも優れた材質が求められており、一般にはエポキシ樹脂組成物が利用されている。エポキシ樹脂をレンズ状に成形して発光素子の上面に配置することにより、発光素子が発する光を樹脂に含まれた蛍光体で波長変換すると共に、変換された光をレンズの曲面で集光して外部に放出する(例えば特許文献1)。
特開2002−223005号公報
しかしながら、エポキシ樹脂は、耐光性、耐熱性に限界があるため発光装置の使用につれて劣化し、変色などにより品質が低下するという問題があった。このような発光装置の更なる光度の改善と長寿命化を図るために、エポキシ樹脂よりも耐光性、耐熱性に優れたシリコーン樹脂を利用することが考えられる。しかしながら、シリコーン樹脂はエポキシ樹脂に比べて柔らかいため、実装時やその他の取り扱い時において破損するおそれがある。また一方でタック性が大きいため、使用時等にゴミ等の異物の付着が懸念される。
本発明は、このような問題点を解決するために成されたものである。本発明の目的は、シリコーン樹脂製のレンズを保護する構造を備える光学装置を提供することにある。
以上の目的を達成するために本発明の第1の光学装置は、光学素子と、光学素子を被覆するシリコーンレンズを使用したレンズ体と、レンズ体の側面に配置され、レンズ体の表面よりも高い位置まで延長された保護壁とを備える。この構成によって、レンズ体を保護壁で保護し光学装置の信頼性を高めることができる。
また、本発明の第2の光学装置は、保護壁が、レンズ体の周囲を覆う連続した壁状に形成されている。この構成によって、レンズ体の周囲を保護壁で完全に覆って外部から保護できる。
さらに、本発明の第3の光学装置は、保護壁が、平面形状を矩形状として中心を円筒状に開口させ、開口領域の内径をレンズ体の外形と略等しい又は大きく形成されている。この構成によって、レンズ体の周囲を覆う保護壁を厚くして確実に保護することができる。またレンズ体と保護壁との間の空間を狭くすることで、この部分に異物が侵入して挟まることを抑制できる。
さらにまた、本発明の第4の光学装置は、保護壁の開口領域が、レンズ体に向かって内径を狭くするテーパ状に形成されている。この構成によって、レンズ体から放出される光を効率よく外部に取り出すことができる。
さらにまた、本発明の第4の光学装置は、保護壁が透光性を備える。この構成によって、光学装置から発する光を広範囲で取り出すことができる。
さらにまた、本発明の第5の光学装置は、保護壁が白色である。この構成によって、光学装置から発する光の指向性を向上させることができる。
さらにまた、本発明の第6の光学装置は、保護壁が黒色である。この構成によって、光学装置から発する光のコントラストを向上させることができる。
さらにまた、本発明の第7の光学装置は、発光素子と、発光素子からの発光の一部を異なる波長に変換する蛍光物質を含有する波長変換部材とを備え、波長変換部材がレンズ状に成形された光学装置であって、波長変換部材がシリコーン樹脂で構成され、波長変換部材の周囲を覆うように、レンズ状の表面よりも高い位置まで延長された保護壁を備えている。この構成によって、シリコーン樹脂製のレンズ状を保護壁で保護し光学装置の信頼性を高めることができる。
本発明の光学装置によれば、レンズの側方にレンズ頂面よりも高く形成した保護壁を配置することにより、シリコーン樹脂製のレンズを確実に保護でき、光学装置の信頼性を高めることができる。特に、レンズが外部に直接表出する部分を保護壁で保護できるので、実装工程などにおいてレンズが破損したり、ゴミなどの異物が付着して光学特性が低下するおそれを低減でき、本来の性能を維持できる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための光学装置を例示するものであって、本発明は光学装置を以下のものに特定しない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
図1〜図3に、本発明の一実施の形態に係る光学装置を示す。図1は光学装置100の平面図、図2は図1の光学装置100からレンズ体を外した状態を示す平面図、図3は図2のIII−III’線から見た垂直断面図を、それぞれ示している。これらの図に示す光学装置100は、光学素子として発光素子110等の半導体素子と、発光素子110を載置する支持基板101と、発光素子110を覆うレンズ体160と、レンズ体160の側方に設けられた保護壁150とを備えている。
発光素子110の周囲には、発光素子110からの発光波長の一部を異なる波長に変換する蛍光物質を含有する波長変換部材とを配置してもよい。例えば、図示しないが、支持基板101の凹部内に蛍光物質を含有した蛍光含有樹脂をポッティングして、発光素子110の周囲に蛍光物質を配置することができる。これにより簡易に発光素子110の周囲に蛍光物質を配置することができる。特に、支持基板101の凹部の上端まで蛍光含有樹脂を充填することにより、製品毎の色バラツキを低減することができる。また、図4に示すように、本実施の形態において波長変換部材は、蛍光物質140を含有した蛍光含有樹脂120とし、蛍光含有樹脂120で発光素子110の周囲を被覆するようコーティングしている。蛍光含有樹脂120は、プリコート等により発光素子110の周囲に注入されて硬化させ、発光素子110の上面及び側面に被膜状に形成される。好ましくは、蛍光含有樹脂120の膜厚を発光素子110の周囲でほぼ均一に形成することで、蛍光物質140の分布を一定にして発光の色むらを抑制できる。また蛍光含有樹脂120は、発光素子110で発生した熱を支持基板101等を介して外部に放出する役割も有している。なお、蛍光含有樹脂は、複数層に形成し、各蛍光含有樹脂に粒径や分布密度、あるいは蛍光色の異なる蛍光物質を分散させることもできる。さらに蛍光物質は、後述するレンズ体の一部若しくは全体に均一に分散させて、レンズ体を波長変換部材とすることもできる。
(支持基板101)
(支持基板101)
支持基板101は、発光素子110を載置して、これと電気的に接続される。支持基板101には、所定の形状を有するリード電極315が形成されている。リード電極315は連接された発光素子110と電気的に接続する部位と、外部電極と電気的に接続する部位とを有している。腐食を防止する観点からは、これらの両部位のみが支持基板101上で露出していることが好ましいが、光の反射効率を向上させるために両部位以外の部分が露出していてもよい。支持基板101は、発光素子110と電気的に接続する部位にリード電極315を設けている。一方、外部電極と電気的に接続する部位は、導電性ワイヤ307を用いてワイヤボンディングにより接続される。これにより、発光素子110は、リード電極315を介して、外部電極と電気的に接続される。
支持基板101は、絶縁性材料とすることが好ましい。絶縁性の材料とすることにより、支持基板101に直接導体配線を施すことができ、正負一対の給電端子を絶縁するための絶縁性部材を省略し、半導体装置の部品点数を少なくすることができる。このような絶縁性の支持基板101の材料として、具体的には成型の容易性からポリアミド等の樹脂を利用する。所定の形状を有するリードフレームを上金型及び下金型で挟み込み、射出成型法により金型内にポリアミドを射出する。射出後、硬化して、リードフレームからリード電極315を切り出し、支持基板101を製作する。この他、ガラスエポキシ樹脂やセラミック基板、液晶ポリマー基板、ポリイミド樹脂基板を利用することが好ましい。特に、支持基板101はセラミックス材料からなることが好ましい。これにより、耐熱性および信頼性に優れた半導体装置とすることができる。さらに、セラミック基板の材料は、熱伝導率の優れたAlN,Al2O3,Si,SiC,SiO2,BeOとすることができる。このような材料から選択された少なくとも一種を含むセラミックグリーンシートを種々の形状に積層させ、焼成することによりセラミックス基板とすることができる。なお、セラミックス基板に設けられる貫通孔は、焼成前のセラミックグリーンシートの段階で、打ち抜き加工やレーザ照射により形成することができる。あるいは、セラミックス基板として焼成された後でも形成することができる。セラミックス基板に貫通孔を形成する方法として、例えば、レーザ加工や、粒子状アルミナのような研磨材を高圧で照射するサンドブラスト加工が挙げられる。導体配線の材料は、Au、Ag、Al、Cu、Snから選択された金属あるいはそれらの合金とすることが好ましい。ここで、これらの金属とセラミック基板との密着性を考慮し、Ni、Ptのような金属を下地層として、上記金属材料を積層させてもよい。導体配線は、スパッタリングや蒸着などの方法により種々の形状に形成することができる。
リード電極315は、所定の導電パターンを有することもできる。導電パターンには、銅、リン青銅、鉄、ニッケル等の電気良導体を用いることができる。さらに、導電パターンの表面に銀、金、パラジウム、ロジウム等の貴金属メッキを施すこともできる。
(サブマウント部材)
(サブマウント部材)
発光素子は支持基板に直接実装するのでなく、サブマウント部材に実装し、このサブマウント部材を介して支持基板に実装することもできる。サブマウント部材には、半導体素子を過電圧による破壊等から保護するための保護素子などを備えてもよい。また、支持基板をサブマウント部材とすることもできる。支持基板をサブマウント部材とした場合、蛍光含有樹脂で被覆されていないリード電極を外部端子として利用できる。さらにサブマウント部材はウエハ状の板材とすることもできる。あるいは、支持基板自体を実装基板としてもよい。
サブマウント部材の材料は、半導体発光素子と熱膨張係数がほぼ等しいもの、例えば窒化物半導体発光素子に対して窒化アルミニウムが好ましい。このような材料を使用することにより、サブマウント部材と発光素子との間に発生する熱応力を緩和することができる。あるいは、サブマウント部材の材料は、p型半導体領域及びn型半導体領域を有する静電保護素子として形成可能であり、比較的放熱性がよく安価でもあるシリコンが好ましい。
保護素子の機能を備えるサブマウント部材の一例として、例えば、Siダイオード素子のn型シリコン基板内に選択的に不純物イオンの注入を行うことによりp型半導体領域を形成し、逆方向ブレークダウン電圧が所定の電圧に設定する。このSiダイオード素子のp型半導体領域及びn型シリコン基板(n型半導体領域)の上に、Alよりなるp電極及びn電極が形成され、p電極の一部がボンディングパッドとなり、n電極の一部がボンディングパッドとなる。なお、n電極の一部をボンディングパッドとせずに、n型シリコン基板の下面の上には、パッケージ等の支持基板のリード電極と電気的に接続するためのAuよりなるn電極を形成してもよい。これにより、n電極側はワイヤを用いることなく電気的接続を行うことができる。
保護素子の機能を備えるサブマウント部材の他の一例として、Siダイオード素子であり、複数のn型半導体領域およびp型半導体領域が一方の主面方向に形成されているサブマウント部材が挙げられる。さらに、銀白色の金属を材料(例えば、Al、Ag)とする反射膜が上記複数の半導体領域に電気的に接続するように形成される。また、上記反射膜の一部の領域は、金属材料が蒸着あるいはスパッタリングされることにより、電極とすることができる。その電極は、バンプが載置され、あるいは発光素子の電極と直接接合することができる。また、p型半導体領域および反射膜が形成されていないn型半導体領域の一部は、例えば、SiO2のような絶縁膜により被覆されている。また、サブマウント部材は、裏面に、金属材料が蒸着あるいはスパッタリングされた電極を有することができる。
発光素子等の半導体素子とサブマウント部材、支持基板等を電気的および機械的に接続する実装方法としては、ワイヤボンディングによる他、フリップチップ型の素子を使用することもできる。フリップチップ型は、フェイスダウン型とも呼ばれ、同一面側に正負両電極が設けられている半導体素子チップの電極形成面を支持基板の導電パターンに対向させ、導電性部材を介して接合する実装方法である。したがってフリップチップ型の発光素子は、支持基板と接続する面に電極を形成している。
(フリップチップ実装)
(フリップチップ実装)
図5に、発光素子をサブマウント部材にフリップチップ実装した概略断面図を示す。この発光素子をサブマウント部材にフリップチップ実装したものを支持基板に実装し、シリコーンレンズを形成する構成を採ることもできる。図5に示す光学装置200は、フリップチップ型の発光素子210を、サブマウント部材202の上面にフェイスダウン実装している。発光素子210は、サブマウント部材202に設けられたリード電極215とバンプ204を介して電気的に接続される。
サブマウント部材202が保護素子の機能を備える場合のフェイスダウン実装は、サブマウント部材202のn型半導体領域の電極にAuバンプを載置した後、発光素子210のp側台座電極およびn側台座電極が、Auバンプを介して対向される。次に、超音波、熱および荷重を加えることにより、発光素子210とサブマウント部材202とが電気的および機械的に接続される。サブマウント部材202のSiダイオード素子と発光素子210の回路構成は、2つのダイオードの直列接続による双方向ダイオードと、発光素子210との並列接続となる。これにより、発光素子210は、順方向・逆方向の過電圧から保護され、信頼性の高い半導体装置とすることができる。
さらにリード電極215は、図5に図示しない支持基板と電気的に接続される。一方、発光素子210をリード電極215上にフェイスダウン実装させた状態で、発光素子210の上面及び側面は、蛍光物質240を含む蛍光含有樹脂220で被覆される。
サブマウント部材202又はこれに代わる支持基板は、所定の導電パターンを有するリード電極215を有している。リード電極215は、発光素子210と電気的に接続する部位において、発光素子210のnパッド電極及びpパッド電極と対向する位置に形成される。またリード電極215の一端は、図示しない外部電極と電気的に接続するように配置されており、さらにリード電極215の他端は、発光素子210の電極と電気的に接続するように配置されている。発光素子210の電極とリード電極215とは、バンプ204等を介して電気的に接続されている。バンプ204は導電性があり、リード電極215や電極よりも軟質の部材であるもの、例えばAuやハンダ等を用いることができる。これにより、発光素子210の電極とリード電極215とをバンプ204を介して電気的に接続できる。蛍光物質240を含有する蛍光含有樹脂220は、スクリーン印刷手段等を用いて発光素子210の上面及び側面に配置することが好ましい。特に蛍光含有樹脂220の膜厚を一定にすることにより、色むらを低減することができる。また蛍光含有樹脂220の粘度を調整して、蛍光物質240の分散を均一に調整することで、さらに波長変換部材から均一な発光が得られる。
(レンズ体160)
(レンズ体160)
レンズ体160は、凸レンズ形状、凹レンズ形状とすることによってレンズ効果を持たせ、発光素子110や受光素子の指向特性を設定できる。所望する指向特性に応じて、ドーム型のレンズとしたり、発光観測面側から見て楕円状、立方体、三角柱など種々の形状を選択することができる。またレンズ体160は封止部材として、発光素子110や導電性ワイヤ307を外部環境から保護するため、これらの部材を被覆するように設けられる。このようにレンズ体160は、発光素子110及び波長変換部材を封止する封止部材と、光の指向特性を決定する部材を兼用している。なおレンズ体160と波長変換部材は別部材とする構成に限られず、これらを一の部材で構成する、あるいは少なくとも一部を共通にする構成も可能である。例えば、発光素子からの発光波長によって励起され蛍光を発する蛍光物質をレンズ体に含有させることで波長変換部材として機能する。
レンズ体160は透光性を有する部材で構成する。透光性部材には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ジフリルフタレート樹脂、ガラス等が好適に利用できる。中でも、耐光性、透光性に優れたシリコーン樹脂が好ましい。また、レンズ体160に発光素子110からの光を拡散させる目的で酸化アルミニウム、酸化バリウム、チタン酸バリウム、酸化珪素などを含有させることもできる。同様に外来光や発光素子110からの不要な波長をカットするフィルタ効果を持たせるために、各種着色剤を添加させてもよい。また、封止樹脂の内部応力を緩和させる各種フィラーを含有させることもできる。
(保護壁150)
(保護壁150)
さらに光学装置100は、レンズ体160の周囲を囲むようにして保護する保護壁150を、支持基板101上に固定している。この例では、キャスティング等によりレンズ体160を形成した後、保護壁150を接着などにより固定している。図3に示すように保護壁150は底面を支持基板101とほぼ同じ外形とし、かつ上面がレンズ体160の頂点よりも高くなる厚さとする。これによって、レンズ体160の頂部が突出せず、シリコーン樹脂のレンズ体160を保護壁150で保護できる。保護壁150は、セラミックス、ポリアミド、硬質シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ジフリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ガラス等が好適に用いられる。
保護壁150は、発光素子110の周囲を囲むように形成される型枠あるいはキャビティ状に形成され、中心にレンズ体160を配置できるように開口領域154を有している。開口領域154は、レンズ体160が挿入できるよう、これよりも若干大きくしている。また好ましくは、開口領域154の内壁は、開口領域底面に向かって断面積を小さくするようにテーパ状に傾斜させる。これによって、レンズ体160から放出される光が保護壁150で反射されて外部に向かって放出することができ、光の取り出し効率を向上できる。
保護壁150の開口領域154は、図1の平面図に示すようにレンズ体160の外径よりも若干大きい内径の円形状とし、開口領域154を中空円筒状に形成している。また円筒状に限らず、図6に示すような八角柱状の開口領域154Bや、図7に示すような四角柱状の開口領域154Cなど、中空多角柱状とすることもできる。またこれらは、開口領域内壁を上方向に末広がりとなる若干テーパ状とすることで、切頭状の円錐台形や三角錐状、角錐状となるものも含んでいる。
このように筒状の開口領域154に発光素子110とレンズを配置して、出力光の指向性を高める効果も得られる。また保護壁150を白色とすることで、反射効率を上げて取り出し効率を更に改善できる。また、開口領域154の内壁に反射膜を形成してもよい。逆に保護壁150を黒色とすれば、レンズ体160から放射される光のコントラストを改善することもできる。あるいは保護壁150を透光性を有する部材で構成すれば、保護壁150を通過して横方向への光の取り出しも可能となる。
なお、保護壁150は、発光素子110を実装した後に支持基板101に固定しているが、発光素子110を実装する前に固定することもできる。また保護壁150は、別部材で構成する他、支持基板と一体に成形することもできる。
また保護壁は、レンズ体160の周囲を完全に覆う構成に限られず、図8に示すような側面でこれを挟むように対向する一対に形成することもできる。この構成によって、レンズ体160の側方で保護壁150Dを狭持するようにして光学装置を把持することができる。
さらに、光学装置の製造工程におけるレンズ体の保護を目的として保護壁を設ける場合は、実装後に保護壁を除去するよう構成してもよい。例えば、実装時のピックアップの際には保護壁を狭持することでレンズ体を保護し、実装後には保護壁を切断などにより除去する。
(発光素子110)
(発光素子110)
発光素子110の概略を図9〜図10に示す。図9は、発光素子110の平面図、図10は、図9のX−X’線における断面図をそれぞれ示す。発光素子110は、GaN系又はAlGaN系、InGaN系、InAlGaN系、BN、SiC等の材料を有し、紫外線領域から可視光領域までの光を発することができる。特に350nm〜550nm近傍に発光ピーク波長を有する発光素子を使用し、蛍光物質140を効率よく励起可能な発光波長を有する光を発光できる発光層を有することが好ましい。ここでは発光素子110として窒化物半導体発光素子を例にとって説明するが、これに限定されるものではない。窒化物半導体発光素子110は、図10に示すようにサファイア基板111上にそれぞれ窒化物半導体からなるn型層、活性層及びp型層の順に積層されてなる半導体層112を有しており、n側電極は、互いに分離されてライン状に露出されたn型半導体に対して形成され、p側電極は、pオーミック電極とそのpオーミック電極の上に形成された複数のpパッド電極により構成されている。
詳細に説明すると、窒化物半導体発光素子では、n型層、活性層及びp型層からなる積層体において、図9(a)に示すようにp型層及び活性層の一部がライン状に除去されることにより複数の溝が形成されて、n型半導体層114がライン状に露出される。さらに、図9(b)に示すように露出されたn型半導体層114上にそれぞれnパッド電極115が形成される。一方p側電極は、p型半導体層116のほぼ全面に形成された透光性を有するpオーミック電極と、そのpオーミック電極の上に形成された複数のpパッド電極117とによって構成される。
上述した電極構成を有する窒化物半導体発光素子は、以下のような理由により、発光領域全体に電流が注入されるようにして発光効率を向上させるとともに、比較的大面積(例えば、1000μm×1000μm)の窒化物半導体発光素子においても、発光面全体に亙って均一な発光が可能になるようにしている。
発光素子110は、サファイア基板、シリコン基板等の透光性基板の上に窒化ガリウムを主成分としたn型半導体層及びp型半導体層が積層された構造を有する。それぞれの半導体層に形成されたnパッド電極115及びpパッド電極117は、フリップチップ実装の場合、バンプを介して、支持基板101に設けられたリード電極315と電気的に接続されている。発光素子110とリード電極315とを電気的に接続している部分以外の隙間部分は、空気が残存しないように、またpパッド電極115とnパッド電極117との短絡を防止するために、蛍光含有樹脂120を充填させることもできる。パッド電極115、117とリード電極315との接合は、はんだ、金バンプを導電パターンとパッド電極との間に超音波接合したもの、金、銀、パラジウム、ロジウム等の導電性ペースト、異方性導電ペースト等を用いることができる。
(蛍光含有樹脂120)
(蛍光含有樹脂120)
蛍光含有樹脂120は、波長変換部材として蛍光物質140を混入した波長変換層を構成する。硬化性組成物には熱硬化性樹脂が利用できる。蛍光物質140は、蛍光含有樹脂120中にほぼ均一の割合で混合されていることが好ましい。ただ、蛍光物質が部分的に偏在するように配合することもできる。例えば、蛍光含有樹脂120の外面側に蛍光物質140が多く含まれるよう偏在させ、発光素子110と蛍光含有樹脂120との接触面から離間させることにより、発光素子110で発生した熱が蛍光物質140に伝達し難くして蛍光物質140の劣化を抑制できる。蛍光含有樹脂120は、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物等を使用することが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の透光性を有する絶縁樹脂組成物を用いることもできる。また蛍光含有樹脂120中には、顔料、拡散剤等を混入することもできる。
蛍光含有樹脂120は、硬化後でも軟質であることが好ましい。硬化前は、発光素子110の周囲に蛍光含有樹脂120を行き渡らせ、かつ、発光素子110とリード電極315とを電気的に接続する部分以外の隙間部分へ蛍光含有樹脂120を浸入させるため、粘度の低い液状のものが好ましい。また蛍光含有樹脂120は、接着性を有していることが好ましい。蛍光含有樹脂120に接着性を持たせることにより、発光素子110と支持基板101との固着性を高めることができる。接着性は、常温で接着性を示すものだけでなく、蛍光含有樹脂120に所定の熱と圧力を加えることにより接着するものも含む。また蛍光含有樹脂120は、固着強度を高めるために温度や圧力を加えたり乾燥させたりすることもできる。
蛍光物質140は、発光素子110からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換する波長変換部材である。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又はCe等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これらに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、M2Si5N8:Eu、MAlSiN3:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)等がある。また、M2Si5N8:Euの他、MSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu、M0.9Si7O0.1N10:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)等もある。一方、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi2O2N2:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)等がある。
またEu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M5(PO4)3X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)等がある。
さらにアルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、M2B5O9X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)等がある。アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)等がある。またアルカリ土類硫化物蛍光体には、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Eu等がある。Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12の組成式で表されるYAG系蛍光体等がある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa2S4:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)等がある。上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又はEuに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
これらの蛍光物質は、発光素子の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができる他、これらの中間色である黄緑色、青緑色、橙色等に発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。これらの蛍光体を種々組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する光学装置を製造することができる。例えば、青色に発光するGaN系化合物半導体を用いて、Y3Al5O12:Ce若しくは(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ceの蛍光物質に照射し、波長変換を行う。発光素子からの光と、蛍光物質からの光との混合色により白色に発光する光学装置を提供することができる。あるいは、緑色から黄色に発光するCaSi2O2N2:Eu、又はSrSi2O2N2:Euと、蛍光体である青色に発光する(Sr,Ca)5(PO4)3Cl:Eu、赤色に発光する(Ca,Sr)2Si5N8:Euと、からなる蛍光物質140を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する光学装置を提供することができる。これは、色の三源色である赤・青・緑を使用しているため、第1の蛍光体及び第2の蛍光体の配合比を変えることのみで、所望の白色光を実現することができる。
蛍光物質140の粒径は、1μm〜20μmの範囲が好ましく、より好ましくは2μm〜8μm、特に5μm〜8μmの範囲が好ましい。2μmより小さい粒径を有する蛍光体は、凝集体を形成しやすい傾向にある。一方、5μm〜8μmの粒径範囲の蛍光体は、光の吸収率及び変換効率が高い。このように、光学的に優れた特徴を有する粒径の大きな蛍光体を含有させることにより、光学装置の量産性が向上する。ここで粒径は、空気透過法で得られる平均粒径を指す。具体的には、気温25℃、湿度70%の環境下において、1cm3分の試料を計り取り、専用の管状容器にパッキングした後、一定圧力の乾燥空気を流し、差圧から比表面積を読みとり、平均粒径に換算した値である。本発明で用いられる蛍光体の平均粒径は2μm〜8μmの範囲であることが好ましく、さらに、この平均粒径値を有する蛍光体が、頻度高く含有されていることが好ましい。また、粒度分布も狭い範囲に分布していることが好ましく、特に粒径2μm以下の微粒子が少ないと好ましい。このように粒径及び粒度分布のバラツキが小さい蛍光体を用いることにより、より色ムラが抑制され、良好な色調を有する光学装置が得られる。
(拡散剤)
(拡散剤)
さらに、蛍光含有樹脂120中に蛍光物質140の他に拡散剤を含有させてもよい。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。これによって良好な指向特性を有する光学装置が得られる。ここで本明細書において拡散剤とは、中心粒径が1nm以上5μm未満のものをいう。1μm以上5μm未満の拡散剤は、発光素子及び蛍光物質からの光を良好に乱反射させ、大きな粒径の蛍光物質を用いることによって生じやすい色ムラを抑制することができるので、好適に使用できる。また、発光スペクトルの半値幅を狭めることができ、色純度の高い光学装置が得られる。一方、1nm以上1μm未満の拡散剤は、発光素子110からの光波長に対する干渉効果が低い反面、透明度が高く、光度を低下させることなく樹脂粘度を高めることができる。
(フィラー)
(フィラー)
さらに、蛍光含有樹脂120中に蛍光物質140の他にフィラーを含有させてもよい。具体的な材料としては、拡散剤と同様のものが使用できる。ただ、拡散剤とフィラーとは中心粒径が異なり、本明細書においてはフィラーの中心粒径は5μm以上100μm以下とすることが好ましい。このような粒径のフィラーを透光性樹脂中に含有させると、光散乱作用により光学装置の色度バラツキが改善される他、透光性樹脂の耐熱衝撃性を高めることができる。これにより、高温下での使用においても、発光素子110と外部電極とを電気的に接続しているワイヤの断線や発光素子110底面とパッケージの凹部底面と剥離等を防止可能な信頼性の高い光学装置とできる。さらには樹脂の流動性を長時間一定に調整することが可能となり、所望とする場所内にレンズ体160を形成することができ歩留まり良く量産することが可能となる。
(光学装置の製造方法)
(光学装置の製造方法)
次に、本発明の実施の形態に係る光学装置100の製造工程を説明する。まず、支持基板101の電極を形成する。支持基板101は、予めリード電極315を形成している。リード電極315は所定の配向パターンを有しており、支持基板101の上面若しくは内部に配線されている。フリップチップ実装の場合は、リード電極315は発光素子110の電極と対向するように配向パターンを形成することが好ましい。リード電極315の一端は支持基板101の上面若しくは下面から露出しており外部電極と電気的に接続するように形成されている。リード電極315の他端は発光素子110が載置される部分に露出している。またリード電極315をインサート成形したパッケージを使用することもできる。
次に、図4に示すように予め作製された発光素子110を支持基板101のキャビティ152に各々載置する。支持基板101には、打ち抜き及び射出成形により一対のリード電極315となる金属片が絶縁性樹脂309によって固定されている。発光素子110であるLEDチップはエポキシ樹脂306を用いて銀メッキした鉄入り銅製のリード電極上にダイボンドした。LEDチップの各電極と、各リード電極とをそれぞれ導電性ワイヤ307である金線でワイヤボンディングし電気的導通を得る。発光素子110の基板面の上面は、支持基板101とほぼ平行になるように配置することが好ましい。次の工程で蛍光含有樹脂120をポッティングしたときに蛍光含有樹脂120が流れ出さないようにし、また光学装置100の配向色度を所定の状態に保持するためである。
次に、予め蛍光物質140を均一に含有させた蛍光含有樹脂120を用意し、この蛍光含有樹脂120を各キャビティ152に実装された発光素子110の上方から供給してプリコートする。蛍光含有樹脂120はペースト状で、発光素子110の周囲に付着する粘度に調整しておく。また、空隙等への蛍光含有樹脂120の浸入を確実にするために、減圧あるいは真空状態で蛍光含有樹脂120を充填することもできる。蛍光含有樹脂120を発光素子110の上面に載置する手段としては、ポッティングやスクリーン印刷、スプレー噴霧手段等が利用できる。蛍光含有樹脂120には、予め蛍光物質140をほぼ均一に混合することで、光学装置100から放出される光の色ムラを防止できる。また蛍光含有樹脂120には、必要に応じて蛍光物質140の他に拡散剤やフィラー等を均一に混合することもできる。また蛍光含有樹脂120が表面張力により発光素子110の上面に保持されて流出しないよう、また流出した場合でも発光素子110の周囲から広く拡散しない程度に蛍光含有樹脂120の粘度を調整してもよい。また蛍光含有樹脂120に気泡が残存していると光取り出し効率が低下したり色調バラツキが生じたりするため、発光素子110の周囲に空気が残存しないように蛍光含有樹脂120を注入する。
さらに発光素子110の周囲に蛍光含有樹脂120を行き渡らせた状態で加熱して、熱硬化性樹脂である蛍光含有樹脂120を熱硬化させる。蛍光含有樹脂120を硬化することにより蛍光含有樹脂120と発光素子110との界面、蛍光含有樹脂120と支持基板101との界面を接着することができ、剥離が防止される。また蛍光含有樹脂120中に含まれる蛍光物質140を均一に混合された状態で保持する。蛍光含有樹脂120を硬化させる温度及びその加熱時間は、使用する熱硬化性樹脂の種類や塗布量等に応じて決定され、蛍光含有樹脂120が十分に硬化できる温度及び時間とする。例えば蛍光含有樹脂120をシリコーン樹脂とする場合、約100℃でおよそ1時間加熱して硬化させる。
次に、蛍光含有樹脂120等を封止するレンズ体160をキャスティングなどにより形成する。ここでは、キャスティングケース等の樹脂成型用の型枠にシリコーン樹脂を注入し、これを硬化させてレンズ体160を成型する。
さらに、レンズ体160の周囲を覆うように、保護壁150を接着剤などで固定する。その後、保護壁150を残したまま保護壁150の位置で支持基板101を切断し、発光素子110毎に切り出してチップ化し、光学装置100とする。切断はダイサ等を用いてダイシングし所望の形状にカットされる。
以上のように、支持基板101の開口領域154内にYAG等の蛍光物質140を混入したシリコーン樹脂を第1の波長変換部材としてプリコートすることで、発光素子110の波長を変換した光を得ることができ、例えば青色LEDにYAG系蛍光体を使用すれば、白色光を得ることができる。この構成では蛍光含有樹脂120を一層のみ発光素子110に被覆しているが、樹脂層を多層構成とすることもできる。この際、各樹脂層に蛍光物質を含有させる際に、各樹脂層中に混入させる蛍光物質は、同一のものとする他、異なるものとすることもできる。例えば、第1の樹脂中に混入する蛍光物質を、第2の樹脂中に混入する蛍光物質よりも長波長側に発光ピーク波長を有するタイプとすることにより、第1の樹脂中の蛍光物質で波長変換された光を第2の樹脂中の蛍光物質で波長変換されることなく外部に放出させ、光学装置の波長変換効率を向上させることができる。あるいは、多層構成の樹脂層の内、発光素子と接触する樹脂層等、特定の層にのみ蛍光物質を含有させた波長変換層とし、他の層は蛍光物質を含有しない透光性の樹脂層として、フィラーや拡散剤を混入してもよい。
なお、以上の例では光学装置の例について説明したが、光学素子に受光素子を利用した受光装置その他の半導体装置においても本発明を同様に適用できる。
本発明の光学装置は、信号用、ディスプレイ用のランプ型LED等に好適に利用できる。
100、200…光学装置;101…支持基板;110、210…発光素子;111…サファイア基板;112…半導体層;114…n型半導体層;115…nパッド電極;116…p型半導体層;117…pパッド電極;120、220…蛍光含有樹脂;140、240…蛍光物質;150、150D…保護壁;160…レンズ体;152…キャビティ;154、154B、154C…開口領域;202…サブマウント部材;204…バンプ;215、315…リード電極;306…エポキシ樹脂;307…導電性ワイヤ;309…絶縁性樹脂
Claims (9)
- 光学素子と、
前記光学素子を被覆するシリコーンレンズを使用したレンズ体と、
前記レンズ体の側面に配置され、レンズ体の表面よりも高い位置まで延長された保護壁と、
を備えることを特徴とする光学装置。 - 請求項1に記載の光学装置であって、
前記保護壁が、前記レンズ体の周囲を覆う連続した壁状に形成されてなることを特徴とする光学装置。 - 請求項1に記載の光学装置であって、
前記保護壁が、平面形状を矩形状として中心を円筒状に開口させ、開口領域の内径を前記レンズ体の外形と略等しい又は大きく形成されてなることを特徴とする光学装置。 - 請求項2に記載の光学装置であって、
前記保護壁の開口領域が、レンズ体に向かって内径を狭くするテーパ状に形成されてなることを特徴とする光学装置。 - 請求項1に記載の光学装置であって、
前記保護壁が、透光性を備えることを特徴とする光学装置。 - 請求項1に記載の光学装置であって、
前記保護壁が、白色であることを特徴とする光学装置。 - 請求項1に記載の光学装置であって、
前記保護壁は、黒色であることを特徴とする光学装置。 - 請求項1に記載の光学装置であって、
前記シリコーンレンズに代えて、エポキシレンズ、アクリルレンズ、ウレタンレンズ、ガラスレンズの少なくともいずれかであることを特徴とする光学装置。 - 発光素子と、
前記発光素子からの発光の一部を異なる波長に変換する蛍光物質を含有する波長変換部材とを備え、
前記波長変換部材がレンズ状に成形された光学装置であって、
前記波長変換部材がシリコーン樹脂で構成され、
前記波長変換部材の周囲を覆うように、レンズ状の表面よりも高い位置まで延長された保護壁を備えてなることを特徴とする光学装置。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244260A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2010182746A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Showa Denko Kk | 発光装置、発光モジュールおよび発光装置を備えた電気装置 |
KR101018671B1 (ko) | 2009-06-16 | 2011-03-04 | (주) 골드파로스 | 소프트 렌즈가 장착된 led 소자 |
CN101320779B (zh) * | 2007-02-19 | 2011-09-28 | 西铁城电子股份有限公司 | 发光二极管 |
KR101119950B1 (ko) * | 2010-09-28 | 2012-03-16 | 경북대학교 산학협력단 | 저 발산각을 가지는 led 패키지 |
JP2012129568A (ja) * | 2007-08-24 | 2012-07-05 | Cree Inc | 異なるサイズの光散乱粒子を用いた発光デバイスのパッケージ |
JP2013140384A (ja) * | 2010-10-20 | 2013-07-18 | Macroblock Inc | 発光ダイオードパッケージ構造体及び発光ダイオード立体表示装置 |
CN103688377A (zh) * | 2011-05-16 | 2014-03-26 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
KR20140042686A (ko) * | 2012-09-28 | 2014-04-07 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 보호 부재가 달린 발광 장치 |
US9273830B2 (en) | 2007-06-14 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Light source with near field mixing |
US9287469B2 (en) | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
JP2017157593A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法 |
EP4075525A2 (en) | 2021-04-16 | 2022-10-19 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04111367A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 直線状の配光曲線を有する発光ダイオードと発光ダイオードアレー |
JPH0983018A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
JP2002223005A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及びディスプレイ装置 |
JP2002226846A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明用蛍光体、この照明用蛍光体を用いた発光ダイオード、および蛍光体の塗布方法 |
JP2003197972A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-07-11 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度発光ダイオード |
JP2004071908A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2004221200A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置及び光センサ |
-
2005
- 2005-03-24 JP JP2005086177A patent/JP2006269778A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04111367A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 直線状の配光曲線を有する発光ダイオードと発光ダイオードアレー |
JPH0983018A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
JP2002223005A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及びディスプレイ装置 |
JP2002226846A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明用蛍光体、この照明用蛍光体を用いた発光ダイオード、および蛍光体の塗布方法 |
JP2003197972A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-07-11 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度発光ダイオード |
JP2004071908A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2004221200A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置及び光センサ |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101320779B (zh) * | 2007-02-19 | 2011-09-28 | 西铁城电子股份有限公司 | 发光二极管 |
JP2008244260A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
US9273830B2 (en) | 2007-06-14 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Light source with near field mixing |
JP2012129568A (ja) * | 2007-08-24 | 2012-07-05 | Cree Inc | 異なるサイズの光散乱粒子を用いた発光デバイスのパッケージ |
US11114594B2 (en) | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
US9287469B2 (en) | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
JP2010182746A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Showa Denko Kk | 発光装置、発光モジュールおよび発光装置を備えた電気装置 |
KR101018671B1 (ko) | 2009-06-16 | 2011-03-04 | (주) 골드파로스 | 소프트 렌즈가 장착된 led 소자 |
KR101119950B1 (ko) * | 2010-09-28 | 2012-03-16 | 경북대학교 산학협력단 | 저 발산각을 가지는 led 패키지 |
JP2013140384A (ja) * | 2010-10-20 | 2013-07-18 | Macroblock Inc | 発光ダイオードパッケージ構造体及び発光ダイオード立体表示装置 |
US10090446B2 (en) | 2011-05-16 | 2018-10-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
CN103688377A (zh) * | 2011-05-16 | 2014-03-26 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
JP5983603B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2016-08-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2014072353A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 保護部材付き発光装置 |
US9385283B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-07-05 | Nichia Corporation | Light emitting device equipped with protective member |
CN103715313A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-04-09 | 日亚化学工业株式会社 | 带保护部件的发光装置 |
KR102088278B1 (ko) | 2012-09-28 | 2020-03-13 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 보호 부재가 달린 발광 장치 |
KR20140042686A (ko) * | 2012-09-28 | 2014-04-07 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 보호 부재가 달린 발광 장치 |
JP2017157593A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法 |
EP4075525A2 (en) | 2021-04-16 | 2022-10-19 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
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