JP6056920B2 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

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    • H01L33/52—Encapsulations

Description

本発明は、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源等に利用可能な発光装置およびその製造方法に関する。
近年、様々な電子部品が提案され、また実用化されており、これらに求められる性能も高くなっている。特に、電子部品には、厳しい使用環境下でも長時間性能を維持する（安定した性能を長時間駆動する）ことができるという高信頼性が求められている。発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）をはじめとする発光装置も同様で、一般照明分野、車載照明分野等で求められる性能は日増しに高まっており、更なる高出力（高輝度）化、高信頼性が要求されている。さらに、これらの特性を満たしつつ、低価格で供給することも要求されている。
ここで、高出力化のためには、用いる発光素子（半導体発光素子）自体の光の出力効率を向上させることが有効である。そこで、発光素子の光の出力効率を向上させる方法として、例えば、小チップダイス（発光素子）を用いる方法がある（例えば、特許文献１参照）。特に、発光素子に窒化ガリウム系ＬＥＤを用いる場合、発光素子から発光された光は、半導体層の内部を伝搬するため、電極等で反射するときに吸収されてしまう（例えば、特許文献２参照）。このため、ダイスを小チップにして、発光された光を外部に取り出せるようにすることで、光の吸収損失を低減することができる。なお、小チップダイスを用いる場合、投入できる電流量が限られるため、小チップを複数個搭載するマルチダイス構造として所望の光出力を効率よく得ることができる。
加えて、発光素子の構造としては、外部電極と電気的に接続される電極面を下にしたフリップチップ方式（以下、適宜、フェースダウン素子：ＦＤ素子という）を用いるものもある（例えば、特許文献１、３参照）。この構造は、発光素子から発光された光の主な取り出し面に電極やワイヤ等がないため、より光の出力効率（取り出し効率）を上げることが可能とされている。
また、発光素子における光の出力効率の向上のために、基体に用いる導電部材には、主に、反射率の高い銀鍍金が施されている。一方、基体の材料としては、一般照明分野、車載照明分野、バックライト光源分野では、主に、高温や高光密度下でも劣化しにくいセラミックス材料が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
さらに、保護素子や、電極面を発光素子の上部に設けたフェースアップ素子（以下、適宜、ＦＵ素子という）に用いられる導電性ワイヤには、主に、金（Ａｕ）が用いられている。Ａｕワイヤは非常に柔らかく、ボールボンディング工法を使用することができるため、φ１００μｍ以下であって、例えばφ数十μｍの極細線が使用でき、発光素子を複数個実装する場合に、導電性ワイヤを多数用いることができる。
一般に、発光装置は、発光素子や保護素子等の電子部品が搭載される基体（パッケージ（配線パターン等を有する実装基板））と、それら電子部品に電流（電力）を供給するための導電部材とを有している。さらに、外部環境から電子部品を保護するための封止部材を有する。しかし、基体や導電部材、封止部材等の材料によって光の吸収による損失（光の吸収損失）が起こる。特に、導電部材の表面積は、比較的大きいため、導電部材による光の吸収損失により、光取り出し効率が低下するという問題がある。ここで、高出力化のためには、用いる発光素子（半導体発光素子）自体の光の出力効率を向上させることの他に、基体（パッケージを含む）や導電部材、封止部材等の材料による光の吸収損失を抑える事が光の取り出し効率を向上させることに有効である。
このように光の取り出し効率を向上させるために、例えば、パッケージ内部に光反射率の高い金属部材による鍍金を施して、基体の光吸収を抑え、効率良く光を外部に取り出すことが提案されている（特許文献４参照）。
すなわち、発光装置に用いる部材による光吸収を抑制するために、発光装置の内部に反射率の高い部材を搭載することも考えられるが、反射率の高い材料（例えば、銀）の中には、大気中の硫黄成分等により、硫化やハロゲン化をおこし、長期の信頼性に問題がある材料もある。つまり、大気中の硫黄成分等により、硫化やハロゲン化を起こして変色してしまい、反射効率が低下することによる光取り出し効率が低下するという不具合を生じていた。
このような課題に対処するために、特許文献５では、金属反射膜の表面に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）等をスパッタリングや蒸着によって形成し、保護膜とすることでガスバリア性を向上させることが開示されている。
また、特許文献６では、リフレクターの反射面に高反射性粉体材料を樹脂に混合して成る高反射性樹脂層で被覆することで、変色のおそれがないリフレクターとすることができ、また、リフレクターとして放熱性に優れた材料を採用することで、熱による不具合を低減させることが開示されている。
また、発光装置において、前記した他に、特許文献７に記載のような、発光素子をフリップチップ実装したものが知られている。この発光素子は、サファイア等の透光性基板と、その上に積層された半導体層と、を含む。発光素子は、各電極を導電性バンプを介してリードパターン上に接着させている。これにより、発光素子の透光性基板側を光取り出し側として活用することができる。 さらに、フィラーを含有した樹脂等で発光素子の下部や側面を被覆した発光装置や（特許文献８〜１１）、発光素子に二酸化チタンを電着する技術が開示されている（特許文献１２）。
特開２００９−１３５４８５号公報 特開２００８−１１２９５９号公報 特開２００５−１５０４８４号公報 特開２００６−１５６６０３号公報 特開２００６−３５１９６４号公報 特開２００７−２８１２６０号公報 特開２００５−２１００５１号公報 特開２００４−１７２１６０号公報 特開２００７−１０９９４８号公報 特開２００７−１９０９６号公報 特開２００９−１３０２３７号公報 特開２００４−１５８８４３号公報
しかしながら、従来の技術においては、発光装置の光取り出しに関して以下に述べる問題がある。
二酸化チタン（ＴｉＯ２）等を金属反射膜の表面に被覆しても、その被覆の箇所によっては、基体や導体部等により光の吸収損失がおこり、光取り出し効率が十分に向上しない。
発光素子を配置させる基体には、発光素子実装面に、またＦＤ素子のダイスでは、ダイスの底面およびその周辺に、電極部材における正極と負極との絶縁を確保するため、例えば数百ミクロン程度の絶縁領域（以下、適宜、導電部スリット（溝部）という）が必要になり、この絶縁領域により、基体が露出してしまう。この露出した部分（漏れ部）では、光が基体から漏れ、かつこの光の漏れる方向が光を取り出す方向と逆となるため、光の損失となる。
また、保護素子や発光素子の導通において、Ａｕ等の青色領域の光吸収能が高い材料をワイヤに用いた場合、このワイヤは発光素子の近傍に存在するため、光の吸収損失が起こり、光取り出し効率が低下するという問題もある。
さらに、上記特許文献４〜６においては、これらの問題については解決策が示されていない。また、特許文献６に提案される高反射性樹脂層は、樹脂と粉体との混合物であるため、成形性の問題があり、特に高反射性粉体材料を多く含有させた場合には成形性が低下する傾向があることが開示されている（段落００２２等）。
特許文献７においては、発光素子から照射される光が、導電性バンプやリードに吸収される。そのため、導電性バンプやリード等の部材による光の吸収を低減し、光取り出し効率を向上させることが要望されている。
また、照明分野では、均一な配光色の要望も高くなってきている。
また、発光素子への反射部材の被覆について着目した場合、発光素子を構成する透光性基板や半導体層において、透光性基板の側面の全てや上面がＴｉＯ２等の反射部材で被覆されると、反射部材による光の吸収により、光取り出し効率が低下する。また、導電部材等を樹脂で被覆しようとすると、透光性基板の側面まで樹脂が這い上がり、側面の全てが被覆されてしまう。なお、樹脂が這い上がらないような粘度に調整した場合、粘度を高くするために反射性物質の含有量が多くなり、薄く導電部材全面に被覆することが難しくなる。さらに、半導体層の側面が反射部材で被覆されないように反射部材を設けると、透光性部材に蛍光体を含有する場合に、蛍光体が沈降することで半導体層が蛍光体に埋もれてしまう。そのため、蛍光体下層での励起・発光割合が増え、厚い蛍光体層を通り抜ける間に再び蛍光体に光が吸収されてしまい、光取り出し効率が低下する。
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、発光素子からの光を効率よく外部に取り出すことができる発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
また、基体上の導電部材等を反射部材、例えば絶縁性のフィラーで被覆することで、発光装置を構成する部材の劣化やこの部材による光の吸収を抑制し、また発光素子の透光性基板の側面の一部や上面を露出することで、発光素子からの光を効率良く外部に取り出すことができると共に、信頼性の高い発光装置および発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、半導体層と透光性基板とを有する発光素子と、前記透光性基板の側面の少なくとも一部及び上面を露出し、かつ、前記半導体層の側面を被覆する反射部材と、前記透光性基板のうち、前記反射部材から露出された部分を被覆する透光性部材と、を備えたことを特徴とする。
このような構成によれば、透光性基板の側面の少なくとも一部及び上面が露出していることで、反射部材による光の吸収が抑制され、光取り出し効率の低下が抑制される。
本発明に係る発光装置は、さらに、基体と、前記基体上に設けられた導電部材と、を有し、前記発光素子が前記導電部材上に載置され、前記導電部材の表面において、少なくとも前記発光素子が載置されていない部位を前記反射部材である絶縁性のフィラーが被覆しており、前記透光性部材が前記発光素子を被覆している構成であってもよい。
ここで、「発光素子が載置されていない部位」とは、発光装置の上面側から見て、発光素子の外形よりも外側にある部位のことをいうものとする。つまり、上面側から見たときに、発光素子の直下となり隠れる部位については、必ずしも絶縁性のフィラーが被覆されていなくてもよい。ただし、発光素子の直下となる部位についても絶縁性のフィラーが被覆されていてもよい。
このような構成によれば、基体上に形成された導電部材の表面に絶縁性のフィラーが被覆されているため、導電部材における光の反射効率が向上する。また、導電部材の表面に絶縁性のフィラーが被覆されているため、導電部材には反射率の高い特定の部材を必ずしも用いる必要がなく、劣化や腐食がおこりにくい安定した部材を用いることができる。また、導電部材の表面がフィラーで被覆されているため、導電部材の一部が劣化や腐食したとしても、フィラーによる光の反射により、発光装置の光の取り出し効率が低下することを抑制することができる。
本発明に係る発光装置は、前記基体が凹部を有し、前記導電部材が前記凹部の底面及び側面に設けられ、前記発光素子が前記凹部の底面に載置されている構成であってもよい。
そして、前記凹部の側面において、前記凹部の上端面と接する部分には、導電部材が形成されていない領域を有することが好ましく、前記凹部の側面において、前記凹部の底面と接する部分には、導電部材が形成されていない領域を有することが好ましい。
また、前記凹部の上端面側において、前記凹部の側面に段差を有しており、前記段差の側面には、導電部材が形成されていない領域を有することが好ましい。さらに、前記段差の底面のうち、最も上方に位置する面と、前記透光性部材の表面との最短距離が、前記凹部の高さの１／５以下であることが好ましく、前記透光性部材の表面が凹形状であることが好ましい。
また、前記フィラーは５μｍ以上の厚みで被覆されていることが好ましい。
前記発光装置は、前記フィラーの反射率が、発光波長の光に対して５０％以上であることが好ましい。
このような構成によれば、発光装置の光の取り出し効率が向上する。
前記発光装置は、前記フィラーが、前記発光素子の表面を被覆しており、１つの発光素子における前記フィラーに被覆された表面積が、前記１つの発光素子の全体の表面積の５０％未満であることが好ましい。
このような構成によれば、発光素子からの発光がフィラーにより妨げられる割合が低いため、発光素子からの光の出力低下が抑制される。
さらに、前記発光装置は、前記導電部材が、正の電極と、負の電極と、を有しており、これらの電極が前記基体上で離間して設けられ、前記電極間の少なくとも一部に、前記フィラーが被覆されていることが好ましい。
このような構成によれば、前記電極間に生じる導電部スリット（溝部）にもフィラーが被覆されるため、この導電部スリット（溝部）を介して、基体の底部から光が漏れることが抑制される。これにより、さらに光の取り出し効率を向上させることができる。
そして、前記電極間の距離、すなわち、導電部スリット（溝部）の幅は、２００μｍ以下とするのが好ましい。
導電部スリット（溝部）の幅を２００μｍ以下とすることで、フィラーが溝部を被覆し易くなる。
前記発光装置は、前記発光素子が、フリップチップ実装された発光素子であることが好ましい。
このような構成によれば、発光素子をワイヤレスにすることができ、発光素子の導電性ワイヤによる光吸収が防止され、光取り出し面側から発光した光を効率良く取り出すことができる。また、フリップ実装された発光素子の外周部や下部はフィラーで被覆されているため、発光素子の発光面側からの光を反射して外部に効率良く取り出すことができる。
前記発光装置には、保護素子が実装されており、この保護素子における表面の５０％以上を前記フィラーが被覆していることが好ましい。
このような構成によれば、保護素子による光の吸収損失を抑制することができる。
前記フィラーの少なくとも一部は、遮光性部材により被覆されていることが好ましい。
このような構成によれば、フィラーと遮光性部材によって発光素子からの光を反射するため、光取り出し効率を向上させることができる。
前記遮光性部材は、前記基体の側壁を被覆していることが好ましい。
このような構成によれば、発光素子からの光を遮光性部材により反射して光の取り出し効率を向上させることができる。
前記透光性部材は、前記発光素子の他に、前記フィラーを被覆していることが好ましい。
このような構成によれば、フィラーの表面を保護することができる。
本発明に係る発光装置は、基体と、前記基体上に設けられた導電部材と、前記導電部材上に載置された発光素子と、前記導電部材の電極となる部位と前記発光素子の電極端子とを電気的に接続するワイヤと、前記発光素子が載置されていない導電部位及び前記ワイヤの下面を被覆する絶縁性のフィラーと、前記発光素子及び前記フィラーを被覆する透光性部材と、を備えることを特徴とする。
このような構成によれば、ワイヤの下面をフィラーで被覆することにより、発光素子からワイヤに直接照射される光がワイヤに吸収される吸収量を低減することができる。特に、ワイヤの下面は発光素子からの光が直接照射される位置になるため、このワイヤ下面にフィラーが形成されているとワイヤによる光吸収を効果的に抑制することができる。
前記フィラーの隙間部には透光性部材が含浸していることが好ましい。
このような構成によれば、フィラーと透光性部材との密着力を向上させることができる。透光性部材は、発光素子からの光を透過させて外部に取り出す部材であり、また発光素子を封止する部材であるため、封止部材と呼ぶこともある。
また、発光装置に遮光性部材を有する場合には、フィラーの隙間部には遮光性部材も含浸しているため、フィラーと遮光性部材との密着力を向上させることができる。
さらに、前記フィラーが被覆されている領域において、前記フィラーは前記含浸された透光性部材に対して、５０体積％よりも多く含有されていることが好ましい。
本発明は、半導体層と、前記半導体層の表面に配置される正電極及び負電極と、を有する発光素子と、前記正電極及び負電極に接合される導電部材と、前記正電極及び負電極の側面と前記導電部材の側面とを被覆する反射部材と、前記発光素子における前記電極が形成された面と対向する上面及び側面を覆う透光性部材と、を有することを特徴とする。
かかる構成によれば、発光素子の電極の周囲に反射部材を形成するので、発光素子の下方に光が漏れにくい構造とすることができる。よって、発光素子の下方に光が入射することにより生じる光の損失を低減することができる。また、反射部材が、発光素子の下方に入射する光を反射することで光取り出し効率を高めることができる。
また、本発明に係る発光装置は、前記反射部材は、前記発光装置の側面に露出していることが好ましい。かかる構成によれば、発光装置の下方での光の吸収が抑制される。
また、本発明に係る発光装置は、前記透光性部材と前記反射部材との界面が、前記発光素子の側面側に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、発光素子の上面及び側面から光を取り出すことができる。
また、本発明に係る発光装置は、前記発光素子の上面から前記透光性部材の上面までの厚みが、前記発光素子の側面から前記透光性部材の側面までの厚みと略同一であることが好ましい。かかる構成によれば、ニアフィールドにおいて良好な配光特性を得ることができる。
一方、前記発光素子の側面から前記透光性部材の側面までの厚みが、前記発光素子の上面から前記透光性部材の上面までの厚みよりも薄くなるように形成することで、ファーフィールドにおいて良好な配光特性を得ることができるため、このように形成してもよい。
また、本発明に係る発光装置において、前記透光性部材は、波長変換部材が含有されてなることが好ましい。かかる構成によれば、所望の波長を有する光を出射できる発光装置となる。また、実装基板上に載置する前に色選別を行うことが可能であるため、発光素子を実装後の歩留まりが向上する。
本発明に係る発光装置の製造方法は、支持基板の上に複数の発光素子の電極を接着する工程と、前記支持基板の上に、少なくとも前記発光素子の電極の周囲に反射部材を、電解鍍金法、電着塗装法又は静電塗装法によって形成する工程と、を含むことを特徴とする。
かかる手順によれば、発光素子の電極の周囲に反射部材を形成するので、発光素子の下方に光が進行することにより生じる光の損失を低減することができる。また、反射部材を形成する工程の直前の状態において露出している導電部に反射部材を容易に形成することができる。
本発明に係る発光装置の製造方法は、支持基板である基体上に導電部材を形成する工程と、前記導電部材上に、発光素子を載置するダイボンディング工程と、前記導電部材の表面のうち、前記発光素子が形成されていない部位を、電解鍍金法、電着塗装法又は静電塗装法により反射部材である絶縁性のフィラーで被覆する工程と、前記発光素子を透光性部材で被覆する工程と、を具備することを特徴とする。
このような発光装置の製造方法によれば、上述した所定の効果を奏する発光装置を提供することができる。
また、前記基体が凹部を有し、前記凹部の底面及び側面に導電部材を形成し、前記凹部の底面に発光素子を載置することが好ましい。また、前記フィラーは５μｍ以上の厚みで被覆されていることが好ましい。
また、前記ダイボンディング工程の後に、前記導電部材の電極となる部位と前記発光素子の電極端子とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング工程を有し、前記フィラー被覆工程において、前記ワイヤの下面を被覆するようにフィラーを形成することが好ましい。また、前記フィラーを遮光性部材で被覆する工程を有することが好ましい。
本発明に係る発光装置の製造方法は、前記反射部材の上に、透光性部材を形成することにより、前記発光素子の側面及び上面を被覆する工程と、前記支持基板を除去し、前記反射部材及び透光性部材を分割することにより前記発光素子を個片化する工程と、を含むものとしてもよい。
また、本発明に係る発光装置の製造方法は、前記透光性部材を形成する工程において、前記反射部材に前記透光性部材を含浸させることが好ましい。
かかる手順によれば、反射部材を効率よく固着させることができる。
また、本発明に係る発光装置の製造方法において、前記透光性部材は、波長変換部材が含有されてなることが好ましい。かかる手順によれば、発光素子を個片化する段階において、波長変換部材を含有する透光性部材の厚みを調整することができ、色ムラの少ない発光装置を得ることができる。
本発明に係る発光装置によれば、導電部材をはじめ、その他の導体部による光の吸収を抑制することができるため、発光素子からの光を効率良く取り出すことができ、高出力化を図ることができる。
さらに、本発明に係る発光装置によれば、導電部スリットをフィラーで被覆することで、基体の底面から漏れる光を抑制することができるため、発光素子からの光をさらに効率良く取り出すことができ、さらなる高出力化を図ることができる。
また、この発光装置は、光を反射する絶縁性のフィラーを被覆することで、導電部材には反射率が高い特定の材料に限定しなくても、光の取り出し効率を向上させることができる。さらに、絶縁性のフィラーを厚膜で形成することにより、導電部材の変色や腐食が抑制される。これらにより、信頼性の向上を図ることができる。
さらに本発明の発光装置によれば、発光素子の電極の周囲に反射部材を形成することで、発光素子の下方に光が漏れにくい構造とすることができる。よって、発光素子の下方に光が入射することにより生じる光の損失を低減することができる。また、反射部材が、発光素子の下方に入射する光を反射することで光取り出し効率を高めることができる。
本発明に係る発光装置の製造方法によれば、高出力で信頼性の高い発光装置を製造することができる。
また、本発明の発光装置の製造方法によれば、発光素子の電極の周囲に反射部材を形成することで、発光素子の下方に光が進行することにより生じる光の損失を低減することができる。また、反射部材が、発光素子の下方に進行する光を反射することで光取り出し効率を高めることができる。
（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置の一例を、一部透過して見た斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置を発光面側から一部透過して見た平面図である。 （ａ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図であり、（ｂ）は、図１に示す発光装置の発光素子の概略模式図である。 本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図であり、（ａ）、（ｂ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図に相当する。 本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図に相当し、（ｂ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ１−Ｘ１断面矢視図に相当する。 本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図に相当し、（ｂ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ３−Ｘ３断面矢視図に相当する。 本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ１−Ｘ１断面矢視図に相当し、（ｂ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図に相当する。 （ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る発光装置の一例を、一部透過して見た斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置を発光面側から一部透過して見た平面図である。 （ａ）は、図７（ｂ）に示す発光装置のＹ−Ｙ断面矢視図であり、（ｂ）は、図７に示す発光装置の発光素子の概略模式図である。 本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図であり、（ａ）、（ｂ）は、図７（ｂ）に示す発光装置のＹ−Ｙ断面矢視図に相当する。 本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図であり、（ａ）、（ｂ）は、図７（ｂ）に示す発光装置のＹ−Ｙ断面矢視図に相当する。 本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図であり、（ａ）、（ｂ）は、図７（ｂ）に示す発光装置のＹ−Ｙ断面矢視図に相当する。 本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図であり、図７（ｂ）に示す発光装置のＹ−Ｙ断面矢視図に相当する。 本発明の第２の実施形態に係る発光装置の一例の斜視図である。 （ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る発光装置の一例を、一部透過して見た斜視図であり、（ｂ）は、図１４（ａ）に示す発光装置を発光面側から一部透過して見た平面図である。 （ａ）は、図１４（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図であり、（ｂ）は、図１４（ｂ）に示す発光装置のＸ１−Ｘ１断面矢視図である。 本発明の第３の実施形態に係る発光装置の別の例の断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係る発光装置のさらに別の例の断面図である。 （ａ）は、本発明の第４の実施形態に係る発光装置の一例を、一部透過して見た斜視図であり、（ｂ）は、図１８（ａ）に示す発光装置を発光面側から一部透過して見た平面図である。 図１９は、図１８（ｂ）に示す発光装置のＹ−Ｙ断面矢視図である。 本発明の第５の実施形態に係る発光装置を示す概略断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する工程図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の第５の実施形態に係る本発明の発光装置の製造方法を説明する工程図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の第５の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する工程図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の第５の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する工程図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の第６の実施形態に係る発光装置を示す概略断面図である。 本発明の第５、第６の実施形態に係る発光装置の変形例を示す概略断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の発光装置の他の変形例を示す概略断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の発光装置の他の変形例を示す概略断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、フィラーが堆積されている状態の一例を表すＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真であり、発光装置の凹部における底面近傍の断面の部分拡大写真である。 第３の実施形態に係るＳＥＭ写真である。 （ａ）、（ｂ）は、図３０における発光装置の側面近傍の部分拡大写真である。 （ａ）、（ｂ）は、他の変形例に係るＳＥＭ写真である。
以下、本発明に係る発光装置およびその製造方法の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。ただし、第５、第６実施形態およびこれらの変形例については、便宜上、別の符号を付している場合がある。
まず、基体を設ける形態のものとして、第１〜第４実施形態として説明する。なお、第１〜第４実施形態において、ＦＤ素子を用いた発光装置は符号１００とし（第１、第３実施形態）、ＦＵ素子を用いた発光装置は符号２００とする（第２、第４実施形態）。
［第１実施形態］
第１実施形態では、ＦＤ素子を用いた発光装置について説明する。
まず、発光装置の全体構成について、各構成について取り上げながら説明し、その後、各部材等の材料等について説明する。
＜全体構成＞
図１、図２に示すように、発光装置１００は、半導体層１１と透光性基板（以下、適宜、基板という）１０とを有する発光素子１０４と、透光性基板１０の側面の少なくとも一部及び上面を露出し、かつ、半導体層１１の側面を被覆する反射部材１１４と、透光性基板１０のうち、反射部材１１４から露出された部分を被覆する透光性部材１０８と、を備えたものである。
ここでは、図１、図２に示すように、発光装置１００は、少なくとも１つの発光素子１０４（ここでは、２つ）を搭載した発光装置１００であり、基体１０１と、基体１０１上に設けられた導電部材１０２ａ，１０２ｂと、導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に載置された発光素子１０４と、導電部材１０２ａ，１０２ｂの表面において、少なくとも発光素子１０４が載置されていない部位を被覆する反射部材（ここでは、絶縁性のフィラー１１４を用いるものとする）と、発光素子１０４を被覆する透光性部材１０８と、を主に備える。さらに、ここでは、基体１０１上の導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に設けられた金属部材１０３、保護素子１０５、ワイヤ１０６を備えている。
［基体］
基体１０１は、発光素子１０４や保護素子１０５等の電子部品を収容して保護するものである。
図２（ａ）に示すように、基体１０１は、上面を開口部とする凹部１０９を有しており、この凹部１０９により、底面１２０と側面１３０が形成されている。そして、この凹部１０９の底面１２０には、導電部材１０２ａ，１０２ｂが設けられている。
基体１０１の材料としては、絶縁性部材が好ましく、発光素子１０４から放出される光や外光等が透過しにくい部材が好ましい。また、ある程度の強度を有するものが好ましい。より具体的には、セラミックス（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等）、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン（bismaleimide triazine resin）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）等の樹脂が挙げられる。なお、基体１０１の材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。
［導電部材］
導電部材１０２ａ，１０２ｂは、外部と、発光素子１０４や保護素子１０５等の電子部品とを電気的に接続し、これら電子部品に、外部からの電流（電力）を供給するための部材であるとともに、その表面に絶縁性のフィラーを被覆させるための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。
図２（ａ）に示すように、導電部材１０２ａ，１０２ｂは、基体１０１の裏面１４０にも設けられ、凹部１０９の底面１２０の導電部材１０２ａ，１０２ｂとは、基体１０１内部で、それぞれ電気的に連続するように（一体となるように）設けられている。このような構成により、導電部材１０２ａ，１０２ｂを、通電させるための電極材として用いる以外に、放熱部材としての機能を付与させることもできる。また、導電部材１０２ａ，１０２ｂを基体１０１の凹部１０９内の側面（側壁）１３０にも延在させてもよい。
また、ここでは、導電部材１０２ａ，１０２ｂが、正の電極と、負の電極と、を有しており、これらの電極が基体１０１上で離間して設けられ、前記電極間の少なくとも一部に、フィラー１１４が被覆されている。すなわち、導電部材１０２ａ，１０２ｂは、正の電極（アノード）としての導電部材１０２ａと、負の電極（カソード）としての導電部材１０２ｂとに、基体１０１上に水平に（横方向に）分別されて設けられている。これにより、電極間（導電部材１０２ａ，１０２ｂ間）に、導電部スリット（溝部）Ｇが形成されている。そして、この導電部材１０２ａ，１０２ｂに跨がるように、発光素子１０４が載置されている。
この電極間（導電部材１０２ａ，１０２ｂ間）、すなわち、導電部スリット（溝部）Ｇの少なくとも一部は、後記するように、フィラー１１４により被覆されていることが好ましい。（図５（ｂ）参照）。これにより、この溝部Ｇを介して光が漏れるのを防止することができる。また、溝部Ｇがフィラー１１４により完全に被覆されている場合には、この溝部Ｇを介して下部方向に光が漏れることをより効果的に防止することができる。さらに、溝部Ｇが完全に被覆され、かつ、発光素子１０４を除く発光装置内の光が照射される領域の８０％以上をフィラーが被覆していることが好ましい。この溝部Ｇの幅は、２００μｍ以下とするのが好ましい。溝部Ｇの幅が２００μｍ以下であると、フィラー１１４が溝部を被覆し易くなる。また、溝部Ｇの幅を１００μｍ以下とすることで、フィラーが溝部をより被覆し易くなり、さらに好ましい。溝部Ｇは、フィラーで完全に被覆されていることがより好ましい。
また、下限については、限定されるものではないが、電極同士の接触を防止する観点から、３０μｍ以上が好ましい。なお、発光素子１０４の下部（下方）に位置する溝部Ｇにもフィラー１１４は回り込んで被覆されてもよい。発光素子１０４の下部（下方）に位置する溝部Ｇおよび接合部材１１１間は、フィラーの１１４の他に透光性部材１０８で封止される。また、溝部Ｇは、フィラー１１４で被覆されなくても良く、透光性部材１０８で充填されなくてもよい。さらに、溝部Ｇがフィラー１１４で被覆されない場合に、遮光性樹脂を塗布することで、溝部Ｇを被覆してもよい。
導電部材１０２ａ，１０２ｂの材料は、基体１０１として用いられる材料や、発光装置１００の製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、基体１０１の材料としてセラミックを用いる場合は、導電部材１０２ａ，１０２ｂの材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料が好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。
また、基体１０１の材料としてガラスエポキシ樹脂等を用いる場合は、導電部材１０２ａ，１０２ｂの材料は、加工し易い材料が好ましく、また、基体１０１の材料として射出成型されたエポキシ樹脂を用いる場合は、導電部材１０２ａ，１０２ｂの材料は、打ち抜き加工、エッチング加工、屈曲加工等の加工がし易く、かつ、比較的大きい機械的強度を有する部材が好ましい。具体例としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属、または、鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、モリブデン等が挙げられる。
［金属部材］
また、導電部材の表面を被覆する金属部材をさらに設けてもよい。本明細書中において、「導電部材の表面を被覆するフィラー」とは、導電部材の上に金属部材を介し、金属部材の表面にフィラーが被覆されているものも含むものとする。ただし、この金属部材は省略することが可能である。
金属部材１０３は、導電部材１０２ａ，１０２ｂの表面を被覆することで、導電部材１０２ａ，１０２ｂにおける光反射の効率を向上させるものである。ただし、この金属部材１０３は省略することが可能である。また、この金属部材１０３は反射率の高い部材とする必要はなく、導電部材１０２ａ，１０２ｂと一体化させたものとしてもよい。
図２（ａ）に示すように、基体１０１上、すなわち、凹部１０９の底面１２０の導電部材１０２ａ，１０２ｂ上には、金属部材１０３が設けられている。また、図２（ａ）に示すように、基体１０１の裏面１４０に露出した導電部材１０２ａ，１０２ｂの表面にも、金属部材１０３を被覆してもよい。なお、金属部材１０３は基体１０１内に埋設されている導電部材１０２ａ，１０２ｂにまで設ける必要はない。
金属部材１０３の材料としては、鍍金ができるものであれば特に限定されないが、例えば、銀のみ、あるいは、銀と、銅、金、アルミニウム、ロジウム等との高反射率の金属との合金、または、これら、銀や各合金を用いた多層膜等を用いることができる。好ましくは、熱伝導率等に優れた金を単体で用いることである。また、金属部材１０３の膜厚は、０．０５μｍ〜５０μｍ程度の金属箔であることが好ましく、多層膜とする場合は、層全体の厚さをこの範囲内とするのが好ましい。また、金属部材１０３の形成方法は、鍍金法の他にスパッタ法や蒸着法等を用いることができる。
なお、金属部材１０３として反射性に優れる銀を用いなくても、光反射性を有する絶縁性のフィラー１１４を被覆するため、光取り出し効率の低下が抑制される。
［発光素子］
発光素子１０４は、一方の主面にパターニングされた電極を有するＦＤ素子であり、凹部１０９の底面１２０に、接合部材１１１により接合されて載置（フリップチップ実装）され、接合部材１１１および金属部材１０３を介して、導電部材１０２ａ，１０２ｂと接続されている。
発光素子１０４は、図２（ｂ）に示すように、基板１０と、基板１０の上に積層された半導体層１１を有する。この半導体層１１はｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層が順に積層されており、ｎ型半導体層にｎ型電極１６が形成されており、ｐ型半導体層にはｐ型電極１４が形成されている。フェースダウン実装するＦＤ素子の場合、半導体層１１上に形成された電極が導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に実装される。この発光素子１０４の実装方法は、図４（ａ）に示すように接合部材１１１として半田ペーストを用いた実装や、半田等を用いたバンプによる実装が用いられる。また、発光素子１０４の半導体層１１は、図２（ｂ）に示すように絶縁性の保護膜１３で被覆されていることが好ましい。なお、図２（ｂ）に示すＦＤ素子の発光素子１０４を他の図面では更に簡略化して示す。
発光素子１０４としては、発光ダイオードを用いるのが好ましく、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０ｎｍ〜４９０ｎｍの光）、緑色（波長４９０ｎｍ〜５７０ｎｍの光）の発光素子１０４としては、ＺｎＳｅ、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ等を用いることができる。また、赤色（波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍの光）の発光素子１０４としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等を用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。
なお、蛍光物質を用いた発光装置１００とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に用いられる。そして、半導体層１１の材料やその混晶を調整することによって、発光波長を種々選択することができる。また、発光素子１０４の構造は、基板１０上に積層した半導体層１１上に両電極を形成した構造、または半導体層１１上面と基板１０面とで上下方向に電極を設ける構造のどちらを選択してもよい。さらに、これら以外の材料からなる発光素子１０４を用いることもできる。なお、用いる発光素子１０４の成分組成や発光色、大きさ、個数等は、目的に応じて適宜選択することができる。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子１０４とすることもできる。
［フィラー（反射部材）］
フィラー１１４は、絶縁性であり、発光装置１００の導体部を被覆するものであり、光の取り出し効率の低下を抑制する役割を担う。なお、反射部材１１４は、白色のフィラーであることが好ましく、また、主として無機化合物を用いることが好ましい。
図２（ａ）に示すように、凹部１０９の底面１２０に形成された導電部材１０２ａ，１０２ｂにおける金属部材１０３の表面のうち、発光素子１０４や保護素子１０５が載置されていない部位は、フィラー１１４で被覆されている。発光素子１０４の周辺領域や接合部材１１１の側面、導電部スリットの露出部は、フィラー１１４により被覆されている。
このように、導電部材をフィラー１１４で被覆することで、光吸収を抑制することができる。なお、フィラー１１４で被覆する領域は、発光装置１００の光取り出し面側において、主に導体部（導電体）が露出している領域である。少なくとも導電体露出部の５０％以上を被覆することが好ましい。更には、露出されている導電体の表面のほぼ全域を被覆することが好ましい。なお、絶縁部材が被覆された部位には、後記する電着塗装等ができないため、フィラー１１４はほとんど被覆されない。
さらには、フィラー１１４によって、保護素子１０５や導電性ワイヤ１０６を被覆していることが好ましい。また、基体１０１の裏面に露出している導電部材１０２ａ，１０２ｂにはフィラー１１４を被覆させない。
発光素子１０４においては、半導体層１１には、保護膜（絶縁膜）１３が被覆されている。ここで、本発明においては、透光性基板１０の側面の少なくとも一部及び上面は露出しており、かつ、半導体層１１の側面はフィラー１１４で被覆されている。すなわち、ここでは、半導体層１１の側面の全てがフィラー１１４で被覆されるとともに、基板１０の側面の一部はフィラー１１４により被覆されており、基板１０の側面の他の部位及び上面はフィラー１１４から露出されている。
基板１０の側面の少なくとも一部及び上面が露出していることで、フィラー（反射部材）１１４による光の吸収が抑制されるため、光取り出し効率の低下を抑制することができる。すなわち、側面の少なくとも一部及び上面がフィラー１１４から露出していることで、発光素子１０４からの発光がフィラー１１４により妨げられず、発光素子１０４からの光の出力低下を抑制することができる。
また、導電部材１０２ａ，１０２ｂ等を樹脂で被覆しようとすると、基板１０の側面まで樹脂が這い上がり、側面の全てが被覆されてしまう。なお、樹脂が這い上がらないような粘度に調整した場合、粘度を高くするために反射性物質の含有量が多くなり、薄く導電部材全面に被覆することが難しくなる。本発明においては、樹脂を用いないため、基板１０の側面の全てを被覆することなく、導電部材１０２ａ，１０２ｂ等にフィラー１１４を被覆することができる。
また、半導体層１１の側面がフィラー１１４で被覆されていることで、光の取り出し効率を向上させることができる。また、透光性部材１０８が蛍光体を含有する場合に、蛍光体が沈降しても半導体層１１が蛍光体に埋もれてしまうことがない。そのため、蛍光体による光の吸収が抑制され、光取り出し効率の低下を抑制することができる。また、蛍光体による光変換をなるべく光取り出し側で行うことができるという点でも、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
サファイア基板等の絶縁性基板は、後記する電着塗装等ができないため、電着塗装等によっては、基板１０にはフィラー１１４は被覆されないが、フィラー１１４の塗布量や厚み等によっては、基板１０の表面（基板１０側面の一部（基板１０の下部））がフィラー１１４によって被覆される。また、保護膜１３で被覆されていない半導体層１１は、フィラー１１４に被覆される。また、図８（ｂ）に示すように、発光素子２０４にＦＵ素子を用いた場合に、発光素子を載置させるために、基板２０の下部（裏面）に導電体である接合層１２３を設けた場合には、基板２０の裏面における接合層１２３にもフィラー１１４の一部が付着する。
フィラー１１４としては、白色のフィラーであれば、光がより反射され易くなり、光の取り出し効率の向上を図ることができる。また、フィラー１１４としては、無機化合物を用いるのが好ましい。ここでの白色とは、フィラー自体が白色であっても良いし、また透明であった場合でも、フィラーの周りの材料と屈折率差がある場合に散乱で白色に見える物も含む。
ここで、フィラー１１４の反射率は、発光波長の光に対して５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。このようにすれば、発光装置１００の光の取り出し効率が向上する。
さらに、１つの発光素子１０４におけるフィラー１１４に被覆された表面積は、前記１つの発光素子１０４の全体の表面積の５０％未満であることが好ましい。このようにすれば、発光素子１０４からの発光がフィラー１１４により妨げられる割合が低く、発光素子１０４からの光の出力低下を抑制することができる。複数の発光素子１０４を搭載している場合、全ての発光素子のそれぞれにおいて、フィラー１１４の被覆された表面積が１つの発光素子１０４の全体の表面積の５０％未満であることが好ましい。また、フィラー１１４は、保護素子１０５における表面（露出部）の５０％以上を被覆していることが好ましい。このようにすれば、保護素子１０５による光の吸収損失を抑制することができる。
このような無機化合物のフィラー１１４に含有される材料としては、具体的には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ（ＯＨ）3、ＭｇＣＯ3、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）2、ＳｒＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＴａＯ２、ＨｆＯ、ＳｅＯ、Ｙ２Ｏ３等の酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ等の窒化物、ＭｇＦ２等のフッ化物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。あるいは、これらを積層させるようにしてもよい。
また、フィラー１１４の粒径は、φ１ｎｍ〜１０μｍ程度が好ましい。フィラー１１４の粒径をこの範囲とすることで、被覆するのに適度な粒径であるため、フィラー１１４の被覆が容易となる。なお、フィラー１１４の粒径は、好ましくは、φ１００ｎｍ〜５μｍ、さらに好ましくはφ２００ｎｍ〜２μｍである。また、フィラーの形状は、球形でも鱗片形状でもよい。
ここで、図２９（ａ）、（ｂ）に、フィラー１１４が堆積されている状態の一例として、発光装置１００の凹部１０９における底面１２０近傍の断面のＳＥＭによる部分拡大写真を示す。なお、図２９（ａ）は、１目盛２μｍ、（ｂ）は、１目盛０．２μｍである。
この写真では、粒径φ２５０ｎｍ程度のフィラー１１４（球形、鱗片形状を含む）を、導電部材１０２ａ上（ここでは、金属部材１０３が形成されているため、金属部材１０３上）に電気泳動により堆積させ、透光性部材１０８をフィラー１１４に含浸させている。このとき、フィラー１１４は含浸される透光性部材１０８に対して、５０体積％よりも多く含有することが好ましく、さらに６５体積％以上含有していることが好ましい。また、別の観点から、透光性部材１０８を含浸させた後のフィラー１１４が堆積された部分の断面観察において、断面積の５０％以上にフィラー１１４が露出されていることが好ましく、６５％より多いことがさらに好ましい。
ここで、樹脂材料にフィラー１１４を含有させ、それを塗布するような場合は、樹脂材料に対して６５体積％より多くフィラー１１４を含有させると、成形性が低下する。また、６５体積％以下の場合であっても、樹脂量の制御が困難であり、さらに、所定量の樹脂を、所望の箇所に適切に配置することも困難である。しかしながら、後記する本実施の形態の製造方法によれば、フィラー１１４を高密度に被覆することが可能であり、その厚みも薄くすることが可能である。
［透光性部材］
透光性部材１０８は、基体１０１に載置された発光素子１０４、保護素子１０５、ワイヤ１０６、フィラー１１４等を、塵芥、水分、外力等から保護する部材である。図２（ａ）に示すように、基体１０１の凹部１０９内部は、透光性部材１０８により、被覆（封止）されている。また、フィラー１１４と透光性部材１０８との密着力を向上させるため、フィラー１１４とフィラー１１４の間、すなわちフィラー１１４の隙間部に透光性部材１０８が含浸していることが好ましい。なお、発光素子１０４をＦＤ素子とし、発光素子１０４の外周を遮光性部材で被覆する構造においては、透光性部材１０８は、省略することもできる。
透光性部材１０８の材質は、発光素子１０４からの光を透過可能な透光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー、蛍光部材等を含有させることもできる。なお、透光性部材１０８は単一の部材で形成することもできるし、あるいは、２層以上の複数の層として形成することもできる。また、透光性部材１０８の充填量は、基体１０１の凹部に載置される発光素子１０４、保護素子１０５、ワイヤ１０６等が被覆される量であればよい。なお、透光性部材１０８にレンズ機能をもたせる場合には、透光性部材１０８の表面を盛り上がらせて砲弾型形状や凸レンズ形状としてもよい。
［ワイヤ］
ワイヤ１０６、２０６（図８参照）は、ＦＵ素子や保護素子１０５における電極端子と、基体１０１の凹部１０９に配される導電部材１０２ａ，１０２ｂの電極となる部位とを電気的に接続するものである。ワイヤ１０６、２０６の材料は、金、銅、白金、アルミニウム等の金属、および、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れた金を用いるのが好ましい。
［保護素子］
保護素子１０５は、例えば、ツェナーダイオード等の役割を担うものであり、必要に応じて設ければよい。
図４（ｂ）に示すように、保護素子１０５は、凹部１０９の底面１２０に、接合部材１１０、例えば、Ａｇペーストにより接合されて載置（実装）され、保護素子１０５の底面に設けられた金属層（図示省略）および金属部材１０３を介して、導電部材１０２ａと接続されている。また、保護素子１０５の上面には、ワイヤ１０６が接続されており、このワイヤ１０６が、金属部材１０３を介して導電部材１０２ｂに接続されて、保護素子１０５と導電部材１０２ｂとが、電気的に接続されている。
［接合部材］
接合部材（ダイボンド部材）１１１は、発光素子１０４をＦＤ素子とする場合、発光素子１０４の電極と導電部材１０２ａ，１０２ｂとを電気的に接続するものであり、また発光素子１０４を基体１０１に接着させる部材である。この接合部材１１１には導電性の部材を用い、具体的な材料としては、Ａｕ含有合金、Ａｇ含有合金、Ｐｄ含有合金、Ｉｎ含有合金、Ｐｂ−Ｐｄ含有合金、Ａｕ−Ｇａ含有合金、Ａｕ−Ｓｎ含有合金、Ｓｎ含有合金、Ａｕ−Ｇｅ含有合金、Ａｕ−Ｓｉ含有合金、Ａｌ含有合金、Ｃｕ−Ｉｎ含有合金、金属とフラックスの混合物等を挙げることができる。
発光装置をフェースアップ実装する場合、接合部材１１１には、必ずしも導電性の部材を用いる必要はなく、絶縁性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂（樹脂組成物）を用いることができる。
また、接合部材１１１としては、液状、ペースト状、固体状（シート状、ブロック状、粉末状）のものを用いることができ、組成や基体１０１の形状等に応じて、適宜選択することができる。また、これらの接合部材１１１は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種のものを組み合わせて用いてもよい。さらに、特に透光性の接合部材を用いる場合は、その中に発光素子からの光を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光部材を含有させることもできる。
［波長変換部材］
前記した透光性部材１０８や、後記する遮光性部材２０７（図８（ａ）参照）中に、波長変換部材として発光素子１０４からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。
蛍光部材としては、発光素子１０４からの光を、より長波長に変換させるものの方が効率がよい。蛍光部材は、１種の蛍光物質等を単層で形成してもよいし、２種以上の蛍光物質等が混合されたものを単層として形成してもよい。あるいは、１種の蛍光物質等を含有する単層を２層以上積層させてもよいし、２種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層を２層以上積層させてもよい。
蛍光部材としては、例えば、窒化物系半導体を半導体層とする半導体発光素子からの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
蛍光部材は、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体を用いることができる。より具体的には、大別して下記（１）〜（３）にそれぞれ記載された中から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。
（１）Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活される、アルカリ土類ハロゲンアパタイト、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン、アルカリ土類金属アルミン酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩等の蛍光体
（２）Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される、希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩等の蛍光体
（３）Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される、有機または有機錯体等の蛍光体
中でも、前記（２）のＣｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体であるＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）系蛍光体が好ましい。ＹＡＧ系蛍光体は、次の（２１）〜（２４）などの組成式で表される。
（２１）Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ
（２２）（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ
（２３）Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ
（２４）（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ
また、例えば、Ｙの一部または全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換してもよい。具体的には、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ等でもよい。さらに、前記した蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。
≪発光装置の製造方法≫
次に、本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、ここでは発光装置１つを用いて説明しているが、最終工程で分割するまでは基体は集合体となっており、分割することで基体の外側面が表出する。
図３〜図６は、発光装置１００の製造工程を示す断面図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図に相当する。図４（ａ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図に相当し、図４（ｂ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ１−Ｘ１断面矢視図に相当する。図５（ａ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図に相当し、図５（ｂ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ３−Ｘ３断面矢視図に相当する。図６（ａ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ１−Ｘ１断面矢視図に相当する。図６（ｂ）は、図１（ｂ）に示す発光装置のＸ２−Ｘ２断面矢視図に相当する。
また、図３〜図６は、発光装置１００の製造工程を時系列で示しており、基本的に、図３（ａ）〜図６（ｂ）の順で製造される。ただし、図５（ａ）、（ｂ）、図６（ａ）は、フィラーを被覆する工程であるため、ほぼ同時に行われる。
本発明に係る発光装置１００の製造方法は、導電部材形成工程と、ダイボンディング工程と、フィラー被覆工程と、透光性部材形成工程と、を具備する。また、第１実施形態では、金属部材１０３および保護素子１０５を設けているため、金属部材形成工程、保護素子接合工程およびワイヤボンディング工程を含む。以下、各工程について説明する。
＜導電部材形成工程＞
図３（ａ）に示すように、導電部材形成工程は、基体１０１上に導電部材１０２ａ，１０２ｂを形成する工程である。また、導電部材１０２ａ，１０２ｂを基体１０１の裏面１４０等にも形成させる場合は、この工程により行う。すなわち、この工程は、基体１０１に導電部材１０２ａ，１０２ｂを設ける工程である。
導電部材１０２ａ，１０２ｂは、例えば、セラミックからなる基体１０１を用いる場合、未焼成のセラミックスグリーンシートの段階で、タングステン、モリブデンのような高融点金属の微粒子を含む導体ペーストを所定のパターンに塗布したものを焼成することにより得ることができる。あるいは、あらかじめ焼成されたセラミックスの板材に、導電部材１０２ａ，１０２ｂを形成することもでき、例えば、真空蒸着、スパッタリング、鍍金などの方法で形成することができる。
また、基体の凹部１０９は、例えば、セラミックスグリーンシートに種々の大きさのスルーホールを形成して積層させることにより形成することができる。凹部の側面１３０についても、側面１３０に底面１２０と同様にして導電部材１０２ａ，１０２ｂを形成することができる。
また、ガラスエポキシ樹脂からなる基体１０１を用いる場合は、硝子クロス入りエポキシ樹脂やエポキシ樹脂を半硬化させたプリプレグに銅板を貼り付けて熱硬化させ、その後、フォトリソグラフィ法を用いて銅等の金属部材を所定の形状にパターニングすることにより、導電部材１０２ａ，１０２ｂを形成することができる。
＜金属部材形成工程＞
図３（ｂ）に示すように、金属部材形成工程は、基体１０１上の導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に、ボンディング可能な金属部材１０３を形成する工程である。また、基体１０１の裏面１４０等の導電部材１０２ａ，１０２ｂにも金属部材１０３を形成させる場合は、この工程により行う。すなわち、この工程は、導電部材１０２ａ，１０２ｂの表面に、金属部材１０３を設ける工程である。
金属部材１０３を設ける方法としては、鍍金法、スパッタ法、蒸着法、薄膜を接合させる方法等を用いることができる。鍍金法を用いる場合、電解鍍金、無電解鍍金のいずれの方法でも用いることができる。例えば、導電部材１０２ａ，１０２ｂ上の該当部位を電気的に接続した上で、電解鍍金法を用いるのが最も簡便である。また、無電解鍍金法やスパッタ法、蒸着法を用いる場合は、フォトリソグラフィ法により、導電部材１０２ａ，１０２ｂ上のみに設けることができる。なお、パターン形成されていない導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に金属部材１０３を設けた後、導電部材１０２ａ，１０２ｂと金属部材１０３を所定の形状にパターニングしてもよい。

金属部材１０３上にワイヤボンディングをしたり、発光素子１０４との電極を直接接続させる場合には、ワイヤボンディングやフリップチップ実装が可能な金属材料である必要があるが、これらを行わない導電部材１０２ａ，１０２ｂは、金属の種類を特に限定する必要はない。
＜ダイボンディング工程＞
図４（ａ）に示すように、ダイボンディング工程は、金属部材１０３を形成した後の基体１０１上（金属部材１０３を形成しない場合は導電部材１０２ａ，１０２ｂ上）に、発光素子１０４を載置して接合する工程である。
ダイボンディング工程は、基体１０１上に、発光素子１０４を載置する発光素子載置工程と、発光素子１０４を載置した後、加熱により、発光素子１０４を接合する加熱工程と、からなる。
［発光素子載置工程］
発光素子載置工程は、基体１０１上に、接合部材１１１を介して、発光素子１０４を載置する工程である。接合部材１１１は、例えば、ロジン（松脂）若しくは熱硬化性樹脂を含み、さらに必要に応じて、粘度調整のための溶剤や各種添加剤、有機酸などの活性剤を含有させてもよい。さらには金属（例えば粉末状）を含有させても良い。
発光素子１０４は、接合部材１１１により、基体１０１上の導電部材１０２ａ，１０２ｂ（金属部材１０３）と接合する。なお、発光素子１０４の裏面には、予め、フラックスを塗布しておいてもよい。
ここで、接合部材１１１は、金属部材１０３を介して導電部材１０２ａ，１０２ｂと発光素子１０４との間に介在するように設ければよいため、導電部材１０２ａ，１０２ｂ上のうち、発光素子１０４を載置する領域に設けてもよく、発光素子１０４側に設けてもよい。あるいは、その両方に設けてもよい。 以下、発光素子１０４の接合方法について説明する。
図４（ａ）は、液状またはペースト状の樹脂組成物（接合部材）１１１を導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に設けた状態を示している。液状またはペースト状の接合部材１１１を導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に設ける場合、粘度等に応じてポッティング法、印刷法、転写法等の方法から適宜選択することができる。そして、接合部材１１１を設けた箇所に発光素子１０４を載置する。この発光素子１０４の接合面には電極が形成されており、この電極と導電部材１０２ａ，１０２ｂとは電気的に接続されることになる。なお、固体状の接合部材１１１を用いる場合も、固体状の接合部材１１１を載置した後、液状またはペースト状の接合部材１１１を用いる場合と同じ要領で、導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に発光素子１０４を載置することができる。また、固体状やペースト状の接合部材１１１は、加熱等により一度溶融させることで、発光素子１０４を導電部材１０２ａ，１０２ｂ上の所望の位置に固定させてもよい。
樹脂組成物の量としては、発光素子１０４が接合された後に、発光素子１０４の接合面積と同等か、それ以上の面積となるように調整することが好ましい。複数の発光素子を液状又はペースト状の樹脂組成物を用いて載置する場合は、液状又はペースト状の樹脂組成物の表面張力等により発光素子が動いて所定の位置からずれてしまうことを防ぐため、各発光素子１０４を独立した接合部材１１１で接合することが好ましい。なお、接合部材の厚みは接合部材の種類によって適した厚みが異なるため、また、発光素子を載置した際に押し潰されて横方向に広がる場合や、基材の凹凸に追従する場合等を考慮して調整する。
［加熱工程］
加熱工程は、発光素子１０４を載置した後に、接合部材１１１を加熱し、発光素子１０４を基体１０１上に接合する工程である。
図１０（ａ）に示すように、発光素子をＦＵ素子とする場合には、接合部材１１１は絶縁性部材であってもよく、加熱工程における加熱は、接合部材１１１の少なくとも一部が揮発する温度よりも高い温度で行う。また、接合部材１１１が熱硬化性樹脂を含有する場合は、熱硬化性樹脂の硬化が起こる温度以上に加熱することが好ましい。このようにすることで、発光素子１０４を熱硬化性樹脂で接着固定することができる。
また、接合部材１１１として、例えばロジンを含有する樹脂組成物と、低融点の金属とを用いた場合において、導電部材１０２ａ，１０２ｂ上（金属部材１０３上）に、この低融点の金属が載置されている場合、この低融点の金属が溶融する温度以上に加熱することが好ましい。
ここで、特に接合部材１１１がロジンを含有し、発光素子側に金属が設けられている場合、例えば、サファイア基板を用いた窒化ガリウム系半導体素子のサファイア面に金属膜を形成している場合や、シリコーン基板を用いた窒化ガリウム系半導体素子のシリコーン面に金属膜を形成している場合などは、加熱によって接合部材中のロジン成分の働きと、金属同士が相互拡散しようとする現象によって、絶縁部材が除去されつつ導電部材と金属膜との金属結合が形成できる。これにより、より強固に発光素子を固定でき、また、導通も可能となる。
また、加熱工程において、前記加熱に続けて、さらに洗浄工程を行うことができる。
例えば、接合部材１１１に樹脂組成物を用いた場合、加熱により樹脂組成物の一部を揮発によって消失させた後に、残留した樹脂組成物を、さらに洗浄等によって除去してもよい（残留接合部材洗浄工程）。特に、樹脂組成物がロジン含有の場合には、加熱後に洗浄するのが好ましい。洗浄液としては、グリコールエーテル系有機溶剤等を用いるのが好ましい。
＜保護素子接合工程＞

図４（ｂ）に示すように、保護素子接合工程は、金属部材１０３を形成した後（金属部材１０３を形成しない場合は導電部材１０２ａ，１０２ｂを形成した後）の基体１０１上に、保護素子１０５を載置して接合する工程である。すなわち、保護素子１０５を、金属部材１０３を介して導電部材１０２ａ上に載置して接合する工程である。
＜ワイヤボンディング工程＞
図４（ｂ）に示すように、ワイヤボンディング工程は、保護素子１０５上部にある電極端子と導電部材１０２ｂの電極となる部位とをワイヤ１０６で接続する工程である。ワイヤ１０６の接続方法は、特に限定されるものではなく、通常用いられる方法で行えばよい。
＜フィラー被覆工程＞

図５（ａ）に示すように、フィラー被覆工程は、導電部材１０２ａ，１０２ｂにおける金属部材１０３の表面のうち、発光素子１０４が形成されていない部位を、電解鍍金法、電着塗装法又は静電塗装法によりフィラー１１４で被覆する工程である。この工程により、発光素子１０４を接合部材１１１により載置した後に、基体１０１上の金属部材１０３の露出面を（金属部材１０３を形成しない場合は導電部材１０２ａ，１０２ｂ上に）フィラー１１４で被覆する。この際、透光性基板１０の側面の少なくとも一部及び上面は露出し、かつ、半導体層１１の側面はフィラー１１４で被覆される。
また、図５（ｂ）に示すように、このフィラー被覆工程において、電極間（導電部材１０２ａ，１０２ｂ間）の溝部Ｇも被覆するのが好ましく、さらには、図６（ａ）に示すように、保護素子１０５およびワイヤ１０６も被覆するのが好ましい。
フィラー１１４を被覆する方法としては、電解鍍金法、静電塗装、電着法等の成膜方法を用いることができる。
フィラー被覆工程は、例えば、フィラーを含む溶液中に、発光装置１００を配置させる工程と、その溶液中における電気泳動により、フィラーを発光装置１００に堆積させる工程と、を具備することで形成される。
このようなフィラーを堆積させる方法は、溶液中において、発光装置１００と対向配置される電極を配置し、この電極に電圧を印加することにより、溶液中で帯電されたフィラーを電気泳動させることで導電部材１０２ａ，１０２ｂにおける金属部材１０３が露出した部位にフィラー１１４を堆積させるものである。
ここで、堆積したフィラー１１４の厚みは、堆積条件や時間により適宜調整することができるが、少なくとも５μｍ以上の厚みであることが好ましい。更に好ましくは１０μｍ以上の厚みであることが好ましい。フィラーの反射率の高い材料を用いて形成することで、堆積したフィラー１１４により、光反射層が形成される。
上述したフィラー１１４の電着による形成工程の後、フィラー１１４以外の部材を電着により形成してもよい。
電着用の電解液には、フィラーを分散させた混合液を用いる。この電解液には、その中を帯電されたフィラーが静電気力を受けて移動することができるものであれば特に材料は限定されない。
例えば、電解液にフィラーを溶解させる酸やアルカリ、例えば、アルカリ土類金属のイオン（Ｍｇ２＋など）を含んだ硝酸を含有させたりすることができる。
また、電解液には金属アルコキシドを含有されてもよい。具体的には、Ａｌ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｙ、Ｐｂあるいはアルカリ土類金属から選択される元素を構成元素として含む有機金属材料である。電解液に含まれる材料としては、その他にも、金属アルコレート、あるいは金属アルコキサイドと有機溶剤とを所定の割合で混合してなるゾル中にフィラーを分散させた混合液を電解液とすることもできる。
その他にも、電解液はイソプロピルアルコールを母液とする溶液に、有機溶剤としてアセトン、有機金属材料としてアルミナゾルおよびフィラーを含有させた混合溶液とすることができる。
なお、本実施形態では、最終工程で分割するまでは基体は集合体であるため、複数の発光装置に対して一度にフィラー１１４を被覆することができるため、量産性に優れたものである。
＜透光性部材形成工程＞
図６（ｂ）に示すように、透光性部材形成工程は、基体１０１上に透光性部材１０８を形成し、発光素子１０４を透光性部材１０８で被覆する工程である。すなわち、発光素子１０４、保護素子１０５、ワイヤ１０６等を被覆する透光性部材１０８を、基体１０１の凹部１０９内に溶融樹脂を注入し、その後加熱や光照射等によって硬化する工程である。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができる。
すなわち、前記に示す発光装置およびその製造方法は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置およびその製造方法を例示するものであって、本発明は、発光装置およびその製造方法を前記に限定するものではない。また、請求の範囲に示される部材等を、実施の形態の部材に特定するものではない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
例えば、前記記載では、主にＦＤ素子を用いた発光装置について説明したが、本発明は、ＦＵ素子を用いた発光装置としてもよい。また、発光装置に搭載される発光素子の数量は適宜調整されるものであり、発光素子を３以上の複数搭載する発光装置もある。以下、代表的な変形例として、ＦＵ素子を用いた発光装置およびその製造方法について、第２実施形態として説明する。
［第２実施形態］
第２実施形態では、ＦＵ素子を用いた発光装置について説明する。本実施形態に係る発光装置の一例の斜視図を図１３に示す。
まず、発光装置の全体構成について、各構成について取り上げながら説明し、その後、各部材等の材料等について説明する。なお、ここでは、前記した発光装置１００の実施形態と主に異なる事項について説明する。
＜全体構成＞
図７、図８に示すように、発光装置２００は、少なくとも１つの発光素子２０４（ここでは、２つ）を搭載した発光装置２００であり、基体２０１と、基体２０１上に設けられた導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃと、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ上に載置された発光素子２０４と、導電部材２０２ｂの電極となる部位と発光素子２０４の電極端子とを電気的に接続するワイヤ２０６と、発光素子２０４が載置されていない金属部材１０３およびワイヤ２０６の下面を被覆する絶縁性のフィラー１１４と、発光素子２０４およびフィラー１１４を被覆する透光性部材１０８と、を主に備える。さらに、ここでは、遮光性部材２０７を備えている。
［基体］
図８（ａ）に示すように、基体２０１は、上面を開口部とする凹部２０９ａと、さらに凹部２０９ａ内部に凹部２０９ｂ，２０９ｃを有しており、この凹部２０９ａにより、底面２２０ａと側面２３０ａが形成されている。さらに、この凹部２０９ｂ，２０９ｃにより、底面２２０ｂ，２２０ｃと、側面２３０ｂ，２３０ｃが形成されており、底面２２０ａと、底面２２０ｂ，２２０ｃとの間で、段差が形成されている。そして、この凹部２０９ａの底面２２０ａには、導電部材２０２ａが、凹部２０９ｂの底面２２０ｂには、導電部材２０２ｂが、凹部２０９ｃの底面２２０ｃには、導電部材２０２ｃが、それぞれ設けられている。
［導電部材］
図８（ａ）に示すように、導電部材２０２ｂ、２０２ｃは、基体２０１の裏面２４０にも設けられ、凹部２０９ｂ，２０９ｃの底面２２０ｂ，２２０ｃの導電部材２０２ｂ，２０２ｃとは、基体内部で、それぞれ電気的に連続するように（一体となるように）設けられている。
［金属部材］
図８（ａ）に示すように、基体２０１上、すなわち、凹部２０９ａ，２０９ｂ，２０９ｃの底面２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃの導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ上には、金属部材１０３が設けられている。また、図８（ａ）に示すように、基体２０１の裏面２４０に設けられた導電部材２０２ｂ，２０２ｃの表面にも、金属部材１０３を被覆してもよい。なお、金属部材１０３は基体２０１内に埋設されている導電部材２０２ｂ，２０２ｃにまで設けるものではない。この金属部材１０３は導電部材２０２ｂ，２０２ｃと一体化したものとしてもよく、または金属部材１０３は省略してもよい。
［発光素子］
発光素子２０４は、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、その上面に電極を有するＦＵ素子であり、発光素子２０４の下面には、接合層１２３が形成されている。この発光素子２０４に形成された接合層１２３は、凹部２０９ａの底面２２０ａに、導電部材２０２ａ、金属部材１０３、接合部材１１１の順に形成されている中の表面にある接合部材１１１と接続されている。ただし、第２実施形態の発光装置２００を示す図面においては接合部材１１１は図示していない。
図８（ｂ）に示すように、発光素子２０４は、基板２０と、基板２０の上に積層された半導体層２１を有する。また、基板２０の裏面には、例えば、パターニングされたＡｇ／Ｐｔ／ＡｕＳｎ膜（左から順に積層）を成膜することができる。また、半導体層２１の一側には、電極端子であるｎ電極（ｎパッド電極）２５ｂが設けられ、他側には、電極２４を介して、電極端子であるｐパッド電極２５ａが設けられている。このパッド電極２５ａ，２５ｂは、半導体層２１の同一面側に形成されており、ワイヤ２０６（図７（ｂ）参照）により導電部材２０２ｂ、２０２ｃの電極となる部位と電気的に接続されている。そして、発光素子２０４の半導体層２１における、各パッド電極２５ａ，２５ｂのワイヤ２０６で接続する部位以外は、絶縁性の保護膜（絶縁膜）２３で被覆されている。なお、図８（ｂ）に示すＦＵ素子の発光素子２０４を他の図面では更に簡略化して示す。
そして、ここでは、発光素子２０４の下面側に配された接合層（反射層２２ａ、バリア層２２ｂ、接着層２２ｃ）の幅は、発光素子２０４の幅、つまり基板２０の幅よりも狭く構成されている。このように、接合層の幅を基板２０の幅よりも狭くすると、ウェハーから個々の発光素子に分離する工程において、接合層を切断することがないため、分離工程において接合層の剥がれが発生するおそれを回避することができる。
接合層１２３は、発光素子にＦＵ素子を用いる場合、発光素子２０４を基体２０１に接合させる接着層２２ｃの他にも、反射層２２ａやバリア層２２ｂを備えた多層構造としてもよい。
反射層２２ａは、発光素子２０４によって発光した光を効率的に基板２０や半導体層２１の内部に反射させる層である。このようにすることで、発光素子２０４の反射層２２ａが形成されている以外の端面から光を外部に取り出すことができる。具体的な材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ等を用いることが好ましい。例えば、ＡｇまたはＡｇ合金を用いると、反射率が高く、光取り出しの良好な素子を得ることができる。
バリア層２２ｂは、他の部材、特に接着層２２ｃの材料の拡散を防止するための層である。具体的な材料としては、Ｗ，Ｍｏ等の高融点を有する材料や、Ｐｔ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ａｕ等が好ましい。
接着層２２ｃは、発光素子２０４を基体２０１に接着する層である。具体的な材料としては、Ｉｎ、Ｐｂ−Ｐｄ系、Ａｕ−Ｇａ系、ＡｕとＧｅ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎとの系、ＡｌとＺｎ，Ｇｅ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｉｎとの系、ＣｕとＧｅ，Ｉｎとの系、Ａｇ−Ｇｅ系、Ｃｕ−Ｉｎ系の合金を挙げることができる。好ましくは、共晶合金膜が挙げられ、例えば、ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等が挙げられる。中でもＡｕＳｎが特に好ましい。
［フィラー］
図８（ａ）に示すように、凹部２０９ａ，２０９ｂ，２０９ｃの底面２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃに形成された導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃにおける金属部材１０３の表面のうち、発光素子２０４が載置されていない部位が、フィラー１１４で被覆されている。さらに、フィラー１１４は、ワイヤ２０６の下面をはじめ、表面全体を被覆しており、発光素子２０４の周辺領域、また発光素子２０４の下部の接合層１２３の側面も被覆している。
すなわち、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃにおける発光素子２０４が載置された領域以外の部位が（導電部位）フィラー１１４によって被覆されている。
［透光性部材］
図８（ａ）に示すように、基体２０１の凹部２０９ａ内部は、透光性部材１０８により、封止されている。なお、遮光性部材２０７が埋設されている部位には、透光性部材１０８は形成されないが、遮光性部材２０７を設けない場合には、この部位（凹部２０９ｂ，２０９ｃ内部）にも、透光性部材１０８を形成する。なお、透光性部材１０８は、必要に応じて設ければよい。
［遮光性部材］
遮光性部材２０７は、光反射機能をもつ部材であることが好ましく、基体２０１の凹部２０９ｂ，２０９ｃに埋設し、凹部２０９ｂ，２０９ｃの側面２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃに露出する基体２０１の露出部を覆う部材である。基体２０１の露出部（側面２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃ）は、光が透過することで光の損失を起こす光透過損失源となるため、この部位に光反射機能をもつ遮光性部材２０７を設けることで、光の透過や吸収による損失を抑制することができる。このように基体２０１の側壁や、また、フィラー１１４の少なくとも一部は、遮光性部材２０７により被覆されていることが好ましい。これにより、発光素子２０４からの光を遮光性部材２０７により反射して光の取り出し効率を向上させることができる。この遮光性部材２０７は、本実施形態に限らず、第１の実施形態に係る発光装置においても用いることができる。
図８（ａ）に示すように、基体２０１の凹部２０９ｂ，２０９ｃ内部には、遮光性部材２０７が埋設されている。遮光性部材２０７は、凹部２０９ｂ，２０９ｃが全て埋設するように形成するのが好ましく、さらには、側面２３０ａの露出部が、全て被覆されるように形成するのが好ましい。
遮光性部材２０７は、発光素子２０４から照射された光を効率よく反射する部材であり、光吸収が少なく、光や熱に強い絶縁材料が好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー、蛍光部材等を含有させることもできる。なお、遮光性部材２０７は、単一の部材で形成することもできるし、あるいは、２層以上の複数の層として形成することもできる。
以上説明した本発明の発光装置２００によれば、発光装置２００を駆動したときに、発光素子２０４からあらゆる方向に進む光のうち、上方へ進む光は、発光装置２００の上方の外部に取り出される。また、下方や横方向等に進む光は、基体２０１の凹部２０９ａ，２０９ｂ，２０９ｃの底面２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃや側面２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃ、あるいは遮光性部材２０７で反射して、発光装置２００の上方の外部に取り出されることになる。このとき、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃにおける金属部材１０３や、ワイヤ２０６等の導体部（導電体）にフィラー１１４が被覆されているため、この部位による光の吸収が抑制されると共に、フィラー１１４により光が反射される。これにより、発光素子２０４からの光が効率良く取り出される。
≪発光装置の製方法≫
次に、本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、ここでは発光装置１つを用いて説明しているが、最終工程で分割するまでは基体は集合体となっており、分割することで基体の外側面が表出する。
図９〜図１２は、発光装置２００の製造工程を示す断面図であり、図７（ｂ）に示す発光装置のＹ−Ｙ断面矢視図に相当する。
また、図９〜図１２は、発光装置２００の製造工程を時系列で示しており、基本的に、図９（ａ）〜図１２の順で製造される。
本発明に係る発光装置２００の製造方法は、導電部材形成工程と、ダイボンディング工程と、フィラー被覆工程と、透光性部材形成工程と、を具備する。また、第２実施形態では、ＦＵ素子を用いるため、ワイヤボンディング工程を含み、また、第２実施形態では、遮光性部材２０７を設けているため、遮光性部材形成工程を含む。以下、各工程について説明する。
＜導電部材形成工程＞
図９（ａ）に示すように、導電部材形成工程は、基体２０１上に導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃを形成する工程である。また、導電部材２０２ｂ，２０２ｃを基体２０１の裏面２４０等にも形成させる場合は、この工程により行う。すなわち、この工程は、基体２０１に導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃを設ける工程である。
その他については、前記した第１実施形態と同様である。
＜金属部材形成工程＞
図９（ｂ）に示すように、金属部材形成工程は、基体２０１上の導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ上に、ボンディング可能な金属部材１０３を形成する工程である。また、基体２０１の裏面２４０等の導電部材２０２ｂ，２０２ｃにも形成させる場合は、この工程により行う。すなわち、この工程は、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃの表面に、金属部材１０３を設ける工程である。
その他については、前記した第１実施形態と同様である。
＜ダイボンディング工程＞
図１０（ａ）に示すように、ダイボンディング工程は、金属部材１０３を形成した後の基体２０１上（導電部材２０２ａ上）に、発光素子２０４を載置して接合する工程である。すなわち基体２０１の凹部２０９ａの底面２２０ａの金属部材１０３上に接合部材１１１を介して、発光素子２０４を載置して接合する工程である。
その他については、前記した第１実施形態と同様である。
＜ワイヤボンディング工程＞
図１０（ｂ）に示すように、ワイヤボンディング工程は、導電部材２０２ｂの電極となる部位と、発光素子２０４上部にある電極端子（パッド電極）とを、ワイヤ２０６で電気的に接続する工程である。同じく、発光素子２０４上部にある電極端子（パッド電極）と導電部材２０２ｃの電極となる部位とを、ワイヤ２０６で電気的に接続する工程である（図示省略）。
その他については、前記した第１実施形態と同様である。
＜フィラー被覆工程＞
図１１（ａ）に示すように、フィラー被覆工程は、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ上の金属部材１０３の表面のうち、発光素子２０４が形成されていない部位を、電解鍍金法、電着塗装法又は静電塗装法によりフィラー１１４で被覆する工程である。この工程により、発光素子２０４を接合した後に、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃの上に形成されている金属部材１０３の表面、その他の部材の導電部を、フィラー１１４で被覆する。また、発光素子２０４の導電部やワイヤ２０６の下面をはじめとする表面もフィラー１１４で被覆するのが好ましい。
その他については、前記第１実施形態と同様である。
＜遮光性部材形成工程＞
図１１（ｂ）に示すように、遮光性部材形成工程は、基体２０１の凹部２０９ｂ，２０９ｃに遮光性部材２０７を形成し、フィラー１１４を被覆する工程である。この工程は、凹部２０９ｂ，２０９ｃの側面２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃに露出する基体２０１の露出部を遮光性部材２０７で被覆する工程である。さらには、凹部２０９ａの側面２３０ａの露出部の全てを被覆するように形成してもよい。これらの領域を遮光性部材２０７で被覆することで、前記したように、基体２０１の露出部からの光の透過による、光の損失を抑制することができ、光の取り出し効率を向上させることができる。なお、この遮光性部材２０７は、他の部材の構成や組み合わせによっては省略してもよい。
このような遮光性部材２０７には樹脂を用いるのが好ましく、その形成方法は、ポッティング法、印刷法等により行うことができる。
＜透光性部材形成工程＞
図１２に示すように、透光性部材形成工程は、基体２０１上に透光性部材１０８を形成、発光素子２０４を透光性部材１０８で被覆する工程である。すなわち、発光素子２０４、ワイヤ２０６等を被覆する透光性部材１０８を、基体２０１の凹部２０９ａに形成し硬化する工程である。
透光性部材形成工程は、遮光性部材（例えば、発光波長の光を反射する樹脂）２０７を形成する場合は、遮光性部材２０７が形成された後に、基体２０１の凹部２０９ａに透光性部材１０８を形成すること以外については、前記した第１実施形態と同様である。
［第３実施形態］
第３実施形態では、ＦＤ素子を用いた発光装置について説明する。
まず、発光装置の全体構成について、各構成について取り上げながら説明し、その後、各部材等の材料等について説明する。なお、ここでは、前記した発光装置１００の実施形態と主に異なる事項について説明する。
＜全体構成＞
図１４、図１５に示すように、発光装置１００は、半導体層１１と透光性基板１０とを有する発光素子１０４と、透光性基板１０の側面の少なくとも一部及び上面を露出し、かつ、半導体層１１の側面を被覆する反射部材１１４と、透光性基板１０のうち、反射部材１１４から露出された部分を被覆する透光性部材１０８と、を備えたものである。
ここでは、図１４、図１５に示すように、発光装置１００は、少なくとも１つの発光素子１０４（ここでは、１つ）を搭載した発光装置１００であり、凹部１０９を有する基体１０１と、凹部１０９の底面に設けられた導電部材１０２ａ，１０２ｂと、凹部１０９の側面に設けられた導電部材１０２ｂと、凹部１０９の底面に載置された発光素子１０４と、導電部材１０２ａ，１０２ｂの表面において、少なくとも発光素子１０４が載置されていない部位を被覆する反射部材（ここでは、絶縁性のフィラー１１４を用いるものとする）と、発光素子１０４を被覆する透光性部材１０８と、を主に備える。さらに、ここでは、保護素子１０５、ワイヤ１０６を備えている。
［基体］
図１５（ａ）に示すように、基体１０１は、上面を開口部とする凹部１０９を有しており、この凹部１０９により、底面１２０と側面１３０が形成されている。そして、この凹部１０９の底面１２０には、導電部材１０２ａ，１０２ｂが設けられており、凹部１０９の側面には、導電部材１０２ｂが設けられている。
また、発光素子１０４や導電性ワイヤ１０６などが、凹部１０９の内部に配置されている。したがって、凹部１０９は、発光素子をダイボンド機器などで直接載置などすると共に、発光素子との電気的接続をワイヤボンディングなどで採れるだけの十分な大きさがあれば良く、その形状は限定されない。例えば、凹部の開口方向から見て、凹部の開口の形状が、略四角形、円形などの形状が挙げられる。
なお、側面１３０の角度も、特に限定されない。例えば、開口方向に向かって広がるように傾斜されていても良いし、例えばパラボラ状のように側面が放物面であってもよいし、底面１２０と略垂直とされていてもよい。
［導電部材］
図１５（ａ）に示すように、凹部１０９内の側面（側壁）１３０に設ける導電部材は、導電部材１０２ａ，１０２ｂのいずれか一方を凹部１０９内の側面（側壁）１３０に延在させてもよいし、別の導電部材を配置してもよい。つまり、底面１２０に設けられる導電部材１０２ａ及び１０２ｂは、通常、電極として機能させるが、側面１３０に設けられる導電部材は、必ずしも電極としての機能を有しなくてもよい。
導電部材１０２ａは、基体１０１の底面１２０において、島状に設けられており、導電部材１０２ａの周囲と、側面１３０とを連続して覆うように、導電部材１０２ｂが設けられている。つまり、本実施形態の発光装置では、側面に設けられた導電部材１０２ｂは、負の極性を有している。
本実施形態の発光装置では、凹部１０９の側面１３０に導電部材が形成されていることにより、電着塗装等の方法を用いることで、凹部１０９の側面にフィラー１１４を均一にかつ高密度に配置させることができる。また、側面に導電部材が形成されていることで、凹部の側面から光が抜けることを抑制することができる。
［フィラー］
また、凹部１０９の側面１３０に形成された導電部材１０２ｂの表面にも、フィラー１１４が被覆されている。発光素子１０４の半導体層１１の露出部や接合部材１１１の側面、導電部スリット溝部Ｇは、フィラー１１４により被覆されている。
図１５（ａ）に示すように、凹部１０９の側面１３０の上端部にまで導電部材１０２ｂが形成されている場合に、後記する電着塗装等を行うと、フィラー１１４は基材上面に露出した導電部材１０２ｂを覆うように形成される。また、さらに透光性部材１０８を充填すると、基材上面に位置するフィラー１１４に透光性部材が含浸する。このようにして上面にはみ出したフィラー１１４と透光性部材１０８は、そのままにしておいても良いし、基材１０１の上面を研磨して、基材１０１の最上面よりも透光性部材１０８やフィラー１１４がはみ出さないようにすることもできる。また、図１５（ｂ）に示すように、第１実施形態で説明したとおり、保護素子１０５にもフィラー１１４が被覆される。
≪発光装置の製造方法≫
次に、本発明の第３の実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
本発明に係る発光装置１００の製造方法は、導電部材形成工程と、ダイボンディング工程と、フィラー被覆工程と、透光性部材形成工程と、を具備する。また、第１実施形態では、金属部材１０３および保護素子１０５を設けているため、金属部材形成工程、保護素子接合工程およびワイヤボンディング工程を含む。なお、ここでは前記第１実施形態の製造方法と主に異なる事項について説明する。
ここでは、凹部の底面及び側面に導電部材を形成し、凹部の底面に発光素子１０４を載置する。そして、金属部材形成工程においては、金属部材１０３を設ける方法として、凹部の底面、側面にかかわらず、鍍金法、スパッタ法、蒸着法、薄膜を接合させる方法等を用いることができる。また、フィラー被覆工程においては、導電部材１０２ａ，１０２ｂの表面のうち、凹部１０９の側面１３０を含む、発光素子１０４が形成されていない部位を、フィラー１１４で被覆する。その他については、前記第１実施形態の製造方法と同様であるため、ここでは説明を省略する。
次に、第３実施形態の発光装置１００についてのＳＥＭ写真を図３０、図３１に示す。図３１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、図３０の「ａ１」、「ａ２」の部位の拡大図である。なお、図３０は二次電子像であり、図３１は反射電子像である。図３０、図３１に示すように、透光性基板１０の側面の少なくとも一部及び上面は露出しており、かつ、半導体層１１の側面は反射部材（フィラー）１１４で被覆されている。なお、符号ＫＴは蛍光体を示している。
［第４実施形態］
第４実施形態では、ＦＵ素子を用いた発光装置について説明する。本実施形態に係る発光装置の一例の斜視図を図１８（ａ）に示す。
まず、発光装置の全体構成について、各構成について取り上げながら説明し、その後、各部材等の材料等について説明する。なお、ここでは、前記した発光装置２００の実施形態と主に異なる事項について説明する。なお、第４実施形態の発光装置２００を示す図面においては、金属部材１０３及び接合部材１１１は図示していない。
＜全体構成＞
図１８（ａ）、（ｂ）、図１９に示すように、発光装置２００は、少なくとも１つの発光素子２０４（ここでは、２つ）を搭載した発光装置２００であり、基体２０１と、基体２０１の凹部２０９の底面に設けられた導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃと、導電部材２０２ａ上に載置された発光素子２０４と、凹部２０９の側面に設けられた導電部材２０２ｄと、導電部材２０２ｂ、２０２ｃの電極となる部位と発光素子２０４の電極端子とを電気的に接続するワイヤ２０６と、発光素子２０４が載置されていない導電部材およびワイヤ２０６の下面を被覆する絶縁性のフィラー１１４と、発光素子２０４およびフィラー１１４を被覆する透光性部材１０８と、を主に備える。
［基体］
図１９に示すように、基体２０１は、上面を開口部とする凹部２０９を有しており、この凹部２０９により、底面２２０と側面２３０が形成されている。そして、この凹部２０９の底面２２０には、導電部材２０２ａ、導電部材２０２ｂ、導電部材２０２ｃが設けられている。また、凹部２０９の側面２３０には、導電部材２０２ｄが設けられている。
［導電部材］
図１９に示すように、導電部材２０２ａ、２０２ｂは、基体２０１の裏面にも設けられ、凹部２０９の底面２２０の導電部材２０２ａ，２０２ｂとは、基体内部で、それぞれ電気的に連続するように（一体となるように）設けられている。
また、導電部材２０２ｄは、電極としての機能を有しておらず、底面２２０から離間して、凹部２０９の側面を被覆している。
［フィラー］
図１９に示すように、凹部２０９の底面２２０に形成された導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃにおける金属部材の表面のうち、発光素子２０４が載置されていない部位が、フィラー１１４で被覆されている。また、凹部２０９の側面２３０に形成された導電部材２０２ｄも、フィラー１１４で被覆されている。さらに、フィラー１１４は、ワイヤ２０６の表面全体を被覆しており、発光素子２０４の周辺領域、また発光素子２０４の下部の接合層１２３の側面も被覆している。
すなわち、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ、２０２ｄにおける発光素子２０４が載置された領域以外の部位がフィラー１１４によって被覆されている。
≪発光装置の製造方法≫
次に、本発明の第４の実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
本発明に係る発光装置２００の製造方法は、導電部材形成工程と、ダイボンディング工程と、フィラー被覆工程と、透光性部材形成工程と、を具備する。また、第４実施形態では、ＦＵ素子を用いるため、ワイヤボンディング工程を含む。なお、ここでは前記第２実施形態の製造方法と主に異なる事項について説明する。
導電部材形成工程は、基体２０１上に導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ、２０２ｄを形成する工程である。金属部材形成工程は、基体２０１上の導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ上に、金属部材を形成する工程である。また、基体２０１の裏面２４０等の導電部材２０２ａ，２０２ｂにも形成させる場合は、この工程により行う。ダイボンディング工程は、基体２０１の凹部２０９の底面２２０の金属部材上に接合部材１１１を介して、発光素子２０４を載置して接合する工程である。ワイヤボンディング工程は、導電部材２０２ａの電極となる部位と、発光素子２０４上部にある電極端子（パッド電極）とを、ワイヤ２０６で電気的に接続する工程である。同じく、発光素子２０４上部にある電極端子（パッド電極）と導電部材２０２ｂ、２０２ｃの電極となる部位とを、ワイヤ２０６で電気的に接続する工程である。
フィラー被覆工程は、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ、２０２ｄ上の表面のうち、発光素子２０４が形成されていない部位を、フィラー１１４で被覆する工程である。この工程により、発光素子２０４を接合した後に、導電部材２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ、２０２ｄの表面、その他の部材の導電部を、フィラー１１４で被覆する。また、発光素子２０４の導電部やワイヤ２０６の表面もフィラー１１４で被覆するのが好ましい。なお、導電部材の表面を金属部材で被覆し、その上をフィラー１１４で被覆していてもよい。その他については、前記第１実施形態および第２実施形態の製造方法と同様であるため、ここでは説明を省略する。
≪第３、第４実施形態に関するその他の変形例≫
第３、第４実施形態に関するその他の変形例として、基体の凹部の上端部に導電部材が形成されない領域を有する構成について説明する。
例えば、第３実施形態、第４実施形態では、凹部１０９、２０９の側面全面に導電部材が形成されている例を説明したが、凹部の側面１３０、２３０の側面の一部には導電部材が形成されていなくても良い。
特に、凹部の側面において、凹部１０９、２０９の上端面と接する部分には、導電部材が形成されていない領域を有することが好ましい。これにより、電着塗装等によりフィラーが基体１０１、２０１の上面の上に配置されることを防止し、高さバラツキの原因となることを防止することができる。なお、フィラーが基体１０１、２０１の上面の上に配置されていると、透光性部材１０８を凹部に充填する際に、フィラー中に透光性部材が含浸して、基体上面に樹脂がはみ出してしまうおそれがある。特に、シリコーン樹脂等のタック性をもった樹脂の場合、製造工程内で発光装置同士がくっついたりゴミが基体上面にはみ出した樹脂にくっついたりする等の不具合が生じるおそれがあるため、樹脂が基体の上面に配置されていないことが好ましい。
さらに、凹部の上端面側において、凹部の側面１３０、２３０に段差を有し、その段差の側面には、導電部材が形成されていない領域を有することが好ましい。第３実施形態において段差を設けた例について説明する。
図１６の発光装置１００では、凹部１０９の上端面側において、凹部１０９の側面１３０に段差１５０が形成されており、段差１５０の側面１６０には、導電部材１０２ｂが形成されない領域を有している。このように、導電部材が形成されない領域を凹部１０９の上端部に形成する一方、段差の底面１７０には導電部材を形成することで、凹部１０９の上端部近傍にもフィラーを被覆することができる。導電部材を被覆するフィラーは、段差１５０に配置されることとなるので、基材１０１の上面からフィラー１１４や透光性部材１０８がはみ出ることもない。
このとき、段差の底面１７０と、透光性部材１８０の表面との最短距離が、凹部１０９の高さの１／５以下であることが好ましい。段差の底面１７０と、凹部１０９の上端面との距離が大きいと、導電部材の形成されない領域も多くなる。ここで、導電部材が形成されていない領域には、フィラー１１４が形成されていないので、段差の側面１６０に当たった光は、基材１０１内部で吸収される。特に、導電部材と基材との界面には、密着性等の観点からタングステンの様な反射率の低い導電部材が使われることが多く、基材に漏れ出した光は基材内を乱反射し、反射率の低い導電部材に吸収されてしまう。
そこで、光がなるべく段差の側面１６０に当たらないように設定する。光は、透光性部材１８０を伝播するので、凹部１０９の発光素子１０４が載置された部分から段差の側面１６０に至る部分を狭くして、光の伝播される経路を狭くする。これにより、仮に透光性部材の充填量が多くなったとしても、光の漏れも最小限に止めることができる。
ここで、図１６に示すように、段差の底面１７０と、透光性部材１８０の表面との最短距離Ｋ１が、凹部１０９の高さＫ３の１／５以下とする。これにより、光を外側に抜けにくくさせることができる。なお、段差の底面１７０の上には導電部材１０２ｂ（場合によってはさらに金属部材）の厚みにフィラー１１４が堆積される厚みを加えた距離Ｋ２がある。Ｋ１−Ｋ２が小さいほど、外側に抜ける光は少なくなるため好ましく、Ｋ１＝Ｋ２とすることがさらに好ましい。なお、Ｋ２は基体の上面よりも高くならないように設定することが好ましい。
また、透光性部材１０８の表面が凹形状とされていることが好ましい。凹形状とすることで樹脂上面が基体１０１または２０１の上面を超えることが無く、発光装置同士がくっつく等の不具合を回避することができる。
図１７（ａ）は、図１６の発光装置の導電部材の形状を変更したものであり、その他の部分は図１６と同様である。この発光装置１００では、段差１５０の底面の一部に導電部材が設けられている。言い換えると、段差の底面に、導電部材の上面が露出されている領域と、導電部材が露出されていない領域と、を有する。また、凹部の底面に形成された導電部材１０２ａ及び１０２ｂを跨ぐように発光素子１０４が接合部材１１１を介して載置されている。さらに、凹部の側面には、導電部材１０２ｃが、導電部材１０２ａ、１０２ｂと底面にて離間するように、形成されている。側面に形成される導電部材は、どのような方法によって形成されてもよく、例えばメタライズにより形成される。
図１７（ｂ）もまた、図１６の発光装置の導電部材の形状を変更したものであり、その他の部分は図１６と同様である。この発光装置１００では、側面に形成された１０２ｄの下部にて導電部材が形成されておらず、凹部底面に形成された導電部材との絶縁性を保っている。例えば、コファイアセラミックスの基材を用いて形成される。
≪その他の変形例≫
その他の変形例として、例えば、基体１０１，２０１については、第１〜第４実施形態では、凹部１０９や凹部２０９，２０９ａ，２０９ｂ，２０９ｃを有するものについて説明したが、凹部１０９や凹部２０９，２０９ａ，２０９ｂ，２０９ｃを有さない板状の基体を用いてもよい。なお、この場合、透光性部材１０８は、板状の基体の上面に堆積させればよい。さらには、透光性部材１０８を設けない構成としてもよい。
また、第１、第３実施形態では、保護素子１０５を設けたものについて説明したが、第２、第４実施形態においても、保護素子を備える構成としてもよく、さらに、第１〜第４実施形態において、ツェナーダイオード等の保護素子等を設けてもよい。
さらに、前記第１〜第４実施形態では、１つまたは２つの発光素子１０４，１０４（２０４，２０４）を備える構成としたが、発光素子は、それぞれ、３つ以上設けられていてもよい。また、発光装置に搭載される発光素子が２以上の複数個である場合には、各発光素子の発光波長は異なるものであってもよい。例えば、ＲＧＢの３原色を発光する３つの発光素子を搭載する発光装置である。
また、発光装置２００において、発光素子２０４の下面側に配された接合層１２３（反射層２２ａ、バリア層２２ｂ、接着層２２ｃ）の幅は、発光素子２０４の幅よりも狭いこととしたが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、発光素子２０４の下面側に配された接合層１２３の幅と、発光素子２０４の幅とを等しくするように変形することができる。このようにすることで、フィラー１１４が、接合層１２３の側面を被覆し易くなる。
また、前記実施形態に係る発光装置１００（２００）は、可視光領域の光を出力する発光素子１０４（２０４）を備えるものとしたが、紫外線や赤外線を出力する発光素子を備える構成とすることもできる。さらに、透光性部材１０８は、ここでは凹部全体を被覆（封止）するように充填しているが、発光素子１０４（２０４）を一つずつ、あるいは、複数個をまとめて被覆していてもよい。
発光装置の製造方法においては、本発明を行うにあたり、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間あるいは前後に、前記した工程以外の工程を含めてもよい。例えば、基体１０１，２０１を洗浄する基体洗浄工程や、ごみ等の不要物を除去する不要物除去工程や、発光素子１０４，２０４や保護素子１０５の載置位置を調整する載置位置調整工程等、他の工程を含めてもよい。
なお、これらの変形例は、以下に説明する第５、第６実施形態およびその変形例等にも、これらの形態に合わせて適宜、適用することができる。
次に、基体を設けない形態のものとして、第５、第６実施形態について説明した後、第５、第６実施形態に関するその他の変形例について説明する。なお、これらの実施形態にかかる発光装置は、符号１００Ａ〜３００Ａとする。また、ここでは、前記した第１〜第４実施形態と主に異なる事項について説明する。
［第５実施形態］
図２０は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面である。
＜発光装置の構造＞
本実施の形態において、発光装置１００Ａは、半導体層１０４ｂの表面に電極１０４ｃが配置される発光素子１０４Ａと、発光素子１０４Ａの電極１０４ｃに接合される導電部材１０２と、発光素子１０４Ａの電極１０４ｃ及び導電部材１０２の周囲を被覆する反射部材１１４と、発光素子１０４Ａにおける電極１０４ｃが形成された面と対向する上面及び側面を覆う透光性部材１０８と、を備えて構成される。
発光素子１０４Ａは、対向する一対の主面を有する透光性基板１０４ａの一方の主面上に、半導体層１０４ｂが形成されてなる。さらに半導体層１０４ｂの表面に正電極及び負電極（以下、電極ともいう）が形成されている。本発明の発光装置１００Ａにおいて、発光素子１０４Ａは、電極形成面と対向する透光性基板１０４ａ側を主光取り出し面として配置する。具体的に、図２０の発光素子１００Ａでは、透光性基板１０４ａの上面が発光素子１０４Ａの上面を形成している。透光性基板１０４ａの下面側に、第１の半導体層、活性層、第２の半導体層とを順に備える半導体層１０４ｂが積層されている。また、第１の半導体層及び第２の半導体層には、負電極及び正電極が各々設けられている。発光素子１００Ａの電極１０４ｃは、反射率の高い金属により形成されていることが好ましく、例えばＡｇ又はＡｌを含むものが好適である。これにより、発光素子１０４Ａからの光を電極１０４ｃによって反射して、透光性基板１０４ａ側から取り出すことができる。
導電部材１０２は、例えば鍍金により形成され、発光素子１０４Ａの正電極及び負電極に、導電性のダイボンド部材１１１を介して接着されている。導電部材１０２は、発光素子１０４Ａと接続され、発光装置１００Ａの電極端子として機能する。導電部材１０２の下面は外部に露出しており、発光装置１００Ａの外表面の一部を形成している。
反射部材１１４は、絶縁性を有しており、少なくとも導電部材１０２及びダイボンド部材１１１等の導電部の側面を被覆している。本実施の形態においては、反射部材１１４は、さらに発光素子１０４Ａの電極１０４ｃの側面を被覆している。さらに、反射部材１１４は、発光装置１００Ａの側面に露出するように下方において延設されている。
透光性部材１０８は、発光素子１０４Ａ及びその周囲に設けられた反射部材１１４の上、に設けられる。透光性部材１０８には、蛍光体などが含有されていてもよい。
本実施の形態においては、透光性部材１０８は、発光素子１０４Ａにおける透光性基板１０４ａの上面及び側面と、半導体層１０４ｂの側面と、を被覆している。透光性部材１０８と反射部材１１４との界面は、電極１０４ｃと半導体層１０４ｂとの界面と同一若しくは界面よりも上に配置されている。
このように本実施の形態に係る発光装置１００Ａは、導電部材１０２及びダイボンド部材１１１の側面が反射部材１１４で被覆されている。これにより、発光素子１０４Ａからの光が導電部材１０２やダイボンド部材１１１に入射することにより生じる光の損失を低減することができる。なお、図２０に示すように、透光性部材１０８の下面は、略全面で反射部材１１４に被覆されていることが好ましい。発光素子１０４Ａの下方に進行する光を高反射率の反射部材１１４または電極１０４ｃによって反射させることによって、効率よく光を取り出すことができる。
また、一般的に、発光素子と波長変換部材を用いた光源は、セラミックスや樹脂を用いたパッケージに発光素子を実装し、その後、波長変換部材を設けているが、本発明の発光装置を各種パッケージ等に実装することにより、パッケージに実装する前の段階において色選別を行うことが可能であるため、パッケージ実装後の歩留まりが向上する。
≪発光装置の製造方法≫
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図２１〜２４は、本実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、主として、支持基板１０１の上に複数の発光素子１０４Ａの電極１０４ｃを接着する工程（第１の工程）と、支持基板１０１の上に少なくとも発光素子１０４Ａの電極１０４ｃの周囲が被覆される高さまで反射部材１１４を電解鍍金法、電着塗装法又は静電塗装法によって形成する工程（第２の工程）と、を有する。さらにここでは、反射部材１１４の上に透光性部材１０８を形成することにより、発光素子１０４Ａの上面及び側面を被覆する工程（第３の工程）と、支持基板１０１を除去し、反射部材１１４及び透光性部材１０８を分割することにより発光素子１０４Ａを個片化する工程（第４の工程）と、を有する。
＜第１の工程＞
まず、支持基板１０１を準備する。支持基板１０１は、板状又はシート状の部材であり、本実施の形態に係る発光装置の製造工程において、発光装置を保持する役割を持つ。支持基板１０１は、発光装置を個片化する前に除去されるため、発光装置には具備されていない部材である。
支持基板１０１は、導電性を有する基板であることが好ましい。支持基板１０１としては、金属又は合金の単層又は積層によって構成されるものを用いることができる。また、支持基板１０１は、樹脂と金属とを積層したものでもよい。支持基板１０１に用いる金属の一例としては、ＳＵＳ、Ｃｕ等が挙げられる。
支持基板１０１上に、保護膜として感光性のレジストを貼り付ける。その上方に、所定のパターン形状のフォトマスクを直接又は間接的に配置し、紫外線を照射して露光する。その後、現像処理を行って、互いに離間する複数の開口部を有するレジストを形成する。保護膜（レジスト）がフォトリソグラフィによって形成されるレジストの場合、ポジ型、ネガ型のいずれを用いてもよい。
その後、レジストの開口部内に、導電部材１０２を選択的に形成する。導電部材１０２は、０．１〜５００μｍの厚みで形成することが好ましい。導電部材１０２は、電解鍍金法によって形成することが好ましい。鍍金の材料、積層構造、条件等は、当該分野で公知の方法によって適宜調整することができる。導電部材１０２の形成後、保護膜であるレジストを除去する。これにより、互いに離間する導電部材１０２を形成する。
次いで、導電部材１０２の上に、ダイボンド部材１１１を用いて発光素子１０４Ａを接着する。ダイボンド部材としては、Ａｕ−Ｓｎ等のハンダ材料や、Ａｕ等の金属バンプ等が挙げられる。ダイボンド部材１１１は、導電部材１０２と発光素子１０４Ａとの間に介在するように形成すればよい。そのため、ダイボンド部材１１１は、（Ａ）導電部材１０２側に設けてもよく、（Ｂ）発光素子１０４Ａの電極１０４ｃ側に設けてもよく、又は、（Ｃ）導電部材１０２と発光素子１０４Ａの電極１０４ｃの両方に設けてもよい。
ダイボンド部材１１１は、ペースト状、固体状（シート状、ブロック状、粉末状）のものを用いることができ、ダイボンド部材１１１の組成や導電部材１０２の形状等に応じて、適宜選択することができる。
ここで、ダイボンド部材１１１を形成する部位が、上述した（Ａ）のように導電部材１０２側である場合について、ダイボンド部材１１１としてペースト状のハンダ材料を用いた接着方法について説明する。まず、導電部材１０２の上に、ペースト状のハンダ材料１１１を形成する。ハンダ材料１１１を形成する方法は、ディスペンス、印刷、鍍金、電着、静電塗装等から適宜選択することができる。続いて、ハンダ材料１１１を形成した箇所に発光素子１０４Ａの電極１０４ｃを接着する。その後、ハンダ材料１１１が溶融する温度まで昇温し、一定時間保持した後、室温まで降温する。そして、ハンダ材料１１１の周りに残ったフラックス等を洗浄して除去する。
＜第２の工程＞
次に、第１の工程において露出した導電部材１０２やダイボンド部材１１１等の導電部を被覆するように、絶縁性の反射部材１１４を設ける。図２２（ｂ）は、この第２の工程が完了した状態を示している。
導電部材１０２やダイボンド部材１１１等の導電部が露出した部位を反射部材１１４で被覆することで、この部位に光が入射することにより生じる光の損失を低減することができる。従って、この第２の工程を行う段階において露出している導電部の全面積のうち、少なくとも４０％以上の面積の領域を被覆するように反射部材１１４を形成することが好ましい。さらには、この段階における導電部の露出領域のうち、ほぼ全域を被覆するように反射部材１１４を形成することがより好ましい。ここで露出領域とは、外側から視認できる領域のことを指し、発光素子１０４Ａの表面における絶縁性の保護膜が施された領域を除く。反射部材１１４は、支持基板１０１の上に、発光素子１０４Ａの電極１０４ｃの周囲が被覆される高さまで形成することが好ましい。本実施の形態においては、反射部材１１４は、発光素子１０４Ａの半導体層１０４ｂの側面を被覆する高さまで形成する。
反射部材１１４を形成する方法としては、電解鍍金法、静電塗装法、電着塗装法等を用いることができる。これらの方法用いることにより、例えば、導電部材１０２やダイボンド部材１１１等の導電部に対して選択的に、効率よく反射部材１１４を堆積させることができる。
また、反射部材１１４を保持するために、形成された反射部材１１４の層に樹脂や無機材料のバインダーを添加あるいは含浸させてもよい。また、後述する第３の工程において使用する透光性部材１０８を反射部材１１４に含浸させてもよい。
＜第３の工程＞
次に、発光素子１０４Ａを被覆する透光性部材１０８を形成し硬化する。図２３（ａ）は、反射部材１１４の上に透光性部材１０８を形成し、発光素子１０４Ａを被覆したことを示す図である。透光性部材１０８は、反射部材１１４から露出した発光素子１０４Ａの上面及び側面を被覆する高さまで形成することが好ましい。透光性部材１０８の形成方法としては、ポッティング、印刷、圧縮成型、トランスファーモールド、射出成形、溶射、電着、キャスト、スピンコート等を用いることができる。形成された透光性部材１０８は、加熱や光照射等によって硬化させることができる。なお、透光性部材１０８は単一の部材で形成することもできるし、または、２層以上の複数層として形成することもできる。
透光性部材１０８を加熱により硬化する場合は、昇温または降温の温度や時間、雰囲気等について、適宜選択することができる。また、透光性部材１０８を光照射により硬化する場合は、光照射時間や照射光の波長等について、用いる材料に応じて適宜選択することができる。また、加熱と光照射の両方を用いて透光性部材１０８を硬化してもよい。
また、透光性部材１０８の中に着色剤、光拡散剤、フィラー、波長変換部材（蛍光部材）等を含有させてもよい。透光性部材１０８は、研磨等によって厚みを制御してもよいし、マイクロレンズアレイを含むレンズ状や粗面化等のように光配向を制御する光学機能を付与することもできる。
＜第４の工程＞
第３の工程の後、支持基板１０１を除去する。これにより、導電部材１０２の底面が露出する。図２３（ｂ）は、支持基板１０１を除去した状態を示す図である。支持基板１０１を除去する方法としては、物理的に剥がす方法、エッチングにより選択的に支持基板１０１を除去する方法等を用いることができる。
得られた発光装置の集合体にダイシングシート１１２を貼り付ける（図２４（ａ））。その後、図２４（ｂ）に示す分離部１１８、つまり、発光素子１０４Ａ間の反射部材１１４及び透光性部材１０８を分割するような位置で切断することで発光素子１０４Ａを個片化し、図２０に示すような発光装置１００Ａとする。個片化の方法としては、ブレードによるダイシング、レーザ光によるダイシング等種々の公知の方法を用いることができる。図２４（ｂ）では発光素子１０４Ａを個々に分割した状態を示しているが、目的によって２個毎や４個毎等のアレイや集合体として切り分けてもよい。
以下、発光装置の各構成部材について詳述する。なお、ここでも前記した第１〜第４実施形態と同様の箇所は、適宜記載を省略する。
［発光素子］
本実施の形態に用いられる発光素子は、透光性基板に半導体材料を積層させてチップ化したものが好ましい。窒化物半導体を積層させるための基板の材料として、例えば、サファイア、スピネルなどの絶縁性基板や、ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯなどの導電性基板が好適に用いられる。
正電極及び負電極に適した材料は、導電性を有している材料であれば限定されないが、例えば例えばＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属またはこれらの合金やそれらの組み合わせを利用することができる。特に、反射率の高いＡｇ、Ａｌを含むことが好適である。反射率の高い金属から形成すると、電極によって遮られる光を反射して、基板側から取り出せるので、発光装置の光取り出し効率が向上するため好ましい。
また、導電部材又はダイボンド部材との接続領域となる電極の表面を除いて発光素子のほぼ全面に絶縁性の保護膜を形成してもよい。保護膜にはＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ポリイミド等が利用できる。
発光素子は、半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。透光性部材中に蛍光物質を含有させた発光装置とする場合には、発光層に用いる半導体として、短波長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が、その蛍光物質を効率良く励起させる好適なものとして挙げられる。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、発光素子とともに、ツェナーダイオードなどの保護素子や受光素子などを搭載することができる。
［導電部材］
導電部材は、発光素子の正電極及び負電極に接着され、外部電極と電気的に接続するための発光装置の電極として機能するものである。導電部材の少なくとも一つは、発光素子の正電極が直接又はダイボンド部材等を介して載置される。また、導電部材の他の少なくとも一つは、発光素子の負電極が直接又はダイボンド部材を介して載置される。
導電部材は、支持基板から剥離しやすい材料や、支持基板をエッチングにより除去する場合は、溶液に対して選択性を有する材料を支持基板との接触部に設けたものを用いる必要がある。具体的には、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ等の貴金属系及びそれらを含む合金がよい。また、その上には別の金属を成膜してもよい。具体的にはＮｉやＣｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｗ等が挙げられる。導電部材の膜厚は、０．１μｍ〜５００μｍ程度が好ましい。
導電部材は、例えば、発光素子の電極が載置される上面と、発光装置の外表面を形成する下面とを有している。導電部材の上面は、発光素子の電極が載置可能な面積以上の大きさであればよい。導電部材の下面は、反射部材等で被覆されずに外部に露出している。
導電部材の側面は、平坦な面でもよいが、微細な凹凸等が形成されていてもよい。また、導電部材の側面は、下面側に側面が傾斜又は湾曲する形状であってもよい。これにより、反射部材と導電部材との剥離を防止することができる。
［ダイボンド部材］
導電部材と発光素子の電極とを接着するためにダイボンド部材を用いることが好ましい。導電性を有するダイボンド部材を用いることで導電部材と発光素子とを導通させることができる。ダイボンド部材としては、Ａｕ−Ｓｎ等のハンダ材料、Ａｕ等の金属バンプ等が挙げられる。特に、Ａｕ−Ｓｎ等の高融点材料を用いることが好ましい。ダイボンド部材の厚みは、０．５μｍ〜５００μｍ程度であることが好ましい。
［反射部材］
反射部材は、絶縁性を有しており、主として導電部材の側面を被覆するように設けられるものである。導電部材が発光素子の電極にダイボンド部材を介して接着されている場合は、ダイボンド部材の側面も被覆するように反射部材を設けることが好ましい。反射部材は、発光素子から出射された光、または波長変換部材で波長変換された光を反射させる効果を持つ。これにより、導電部材等に光が入射することにより生じる光の損失を低減することができる。また、反射部材は、発光素子の電極の周囲を被覆するように設けることが好ましい。
また、発光装置の下面において、導電部材が配置されていない部分に、反射部材を設けることが好ましい。このような位置に反射部材を設けることにより、発光素子からの光が、発光装置の下面側から外部に漏れ出すのを防止することができ、上面方向への光の取り出し効率を向上させることができる。
反射部材は、その反射率が、４３０ｎｍ〜４９０ｎｍの波長域の光（青色光）に対して５０％以上であることが好ましい。
フィラーとしては、粒径が１０ｎｍ〜１０μｍ程度の範囲のものを用いることが好ましい。さらに好ましくは１００ｎｍ〜５μｍである。これにより、光を良好に散乱させることができる。
［透光性部材］
透光性部材は、発光素子における上面及び側面を被覆している。また、透光性部材と反射部材との界面は、発光素子の側面側に配置されている。
発光素子の上面から透光性部材の上面までの厚みは、発光素子の側面から透光性部材の側面までの厚みと略同一であることが好ましい。これにより、ニアフィールドにおいて良好な配光特性を得ることができ、発光素子の発光面の各方位において均一な発光を得ることができる。
しかしながら、発光素子の側面から透光性部材の側面までの厚みが、発光素子の上面から透光性部材の上面までの厚みよりも薄くなるように形成してもよい。これにより、ファーフィールドにおいて良好な配光特性を得ることができ、発光素子の発光面の各方位において均一な発光を得ることができる。
透光性部材の厚みは、少なくとも１０μｍ以上であることが好ましい。また、３０μｍ〜３００μｍ程度の範囲であることがより好ましい。
［第６実施形態］
図２５（ａ）は、本発明の第６の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。第５実施形態と重複する説明は省略することもある。
本実施の形態において、発光装置２００Ａは、半導体層２０４ｂの表面に電極２０４ｃが配置される発光素子２０４Ａと、発光素子２０４Ａの電極２０４ｃに直接又はダイボンド部材１１１を介して接合される導電部材１０２と、発光素子２０４Ａの電極２０４ｃ及び導電部材１０２の周囲を被覆する反射部材１１４と、発光素子２０４Ａにおける電極２０４ｃが形成された面と対向する上面及び側面を覆う透光性部材１０８と、を備えて構成される。
すなわち、この構成も、半導体層２０４ｂと透光性基板２０４ａとを有する発光素子２０４Ａと、透光性基板２０４ａの側面の少なくとも一部及び上面を露出し、かつ、半導体層２０４ｂの側面を被覆する反射部材１１４と、透光性基板２０４ａのうち、反射部材１１４から露出された部分を被覆する透光性部材１０８と、を備えたものである。
反射部材１１４は、少なくとも導電部材１０２及びダイボンド部材１１１等の導電部の側面を被覆している。本実施の形態においては、反射部材１１４は、さらに発光素子２０４Ａの電極２０４ｃの側面及び半導体層２０４ｂの側面を被覆している。
透光性部材１０８は、発光素子２０４Ａにおける透光性基板２０４ａの上面及び側面を被覆している。透光性部材１０８と反射部材１１４との界面は、半導体層２０４ｂと透光性基板２０４ａとの界面と同一若しくは界面よりも上に配置されている。半導体層２０４ｂ内を進行する光は、反射部材１１４から露出された透光性基板２０４ａを介して出射される。
このように本実施の形態に係る発光装置２００Ａは、導電部材１０２及びダイボンド部材１１１の側面が反射部材１１４で被覆されているため、発光素子２０４Ａからの光が導電部材１０２やダイボンド部材１１１に入射することにより生じる光の損失を低減することができる。また、発光素子２０４Ａの下方に進行する光を高反射率の反射部材１１４または電極２０４ｃによって反射させることにより、効率よく光を取り出すことができる。また、本実施の形態においては、反射部材１１４が半導体層２０４ｂの側面を被覆する高さまで形成されているため、発光素子２０４Ａから下方に出射する光を低減することができ、光取り出し効率を高めることができる。
以上、本発明の第５、第６実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、その趣旨を変えない範囲でさまざまに実施することができる。例えば、反射部材は、発光素子の側面を直接覆っていてもよいが、発光素子の電極や半導体層の側面に絶縁性の保護膜が施されている場合は、反射部材は、この保護膜を介して発光素子の側面を間接的に覆っていてもよい。
また、図２５（ｂ）に示すように、発光素子３０４Ａの周囲に設けられる反射部材１１４の上面は、外側に向かって低くなるように傾斜あるいは湾曲するように形成してもよい。この変形例の発光装置３００Ａでは、反射部材１１４は、少なくとも導電部材１０２及びダイボンド部材１１１の側面を被覆している。反射部材１１４は、さらに発光素子の電極３０４ｃ、及び半導体層３０４ｂの側面を被覆していてもよい。透光性部材１０８は、発光素子３０４Ａにおける透光性基板３０４ａの上面及び側面を被覆している。透光性部材１０８と反射部材１１４との界面は、発光素子３０４Ａから遠ざかるにつれて低くなるように傾斜あるいは湾曲するように形成している。
この変形例の発光装置３００Ａのように、反射部材１１４の上面が発光装置の外側に向かって傾斜又は湾曲していることにより、透光性部材１０８の表面や波長変換部材で反射されて反射部材１１４側に向かう光を、外部に取り出しやすくすることができる。
また、発光素子は、電極が形成される面側において、電極から露出している半導体層の表面を、反射部材で被覆することが好ましいが、図２６に示すように、電極４０４ｃから露出している半導体層４０４ｂの表面の少なくとも一部が反射部材１１４から露出していてもよい。この変形例の発光装置４００Ａでは、反射部材１１４は、導電部材１０２、ダイボンド部材１１１及び電極４０４ｃ等の導電部の側面を被覆する薄膜として形成されている。このように反射部材１１４を薄膜として形成することにより、少量の反射部材１１４によって、導電部材１０２やダイボンド部材１１１への光の入射を防止することができる。この発光装置４００Ａの下面において、導電部材１０２が配置されていない部分に、薄膜の反射部材１１４が設けられていることが好ましい。これにより、発光素子４０４Ａからの光が、発光装置４００Ａの下面側から外部に漏れ出すのを防止することができ、上面方向への光の取り出し効率を向上させることができる。
また、本明細書は、請求の範囲に示される部材を、実施形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨で記載されたものではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、膜厚、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。
以上説明したように、本発明においては、基体を有する形態と、基体を有さない形態のものがある。そして例えば、基体を剥離する第５、第６実施形態の発光装置においても、基体を剥離せずに分割したものとしてもよい。例えば、図２７（ａ）、（ｂ）に示すように、発光装置３００Ａの構成（図２５（ｂ）参照）に、基体である基板１０１ａや保護素子機能を有するＳｉ基板１０１ｂを備える発光装置３００Ｂ、３００Ｃとしてもよい。具体的に基体（基板１０１ａ，Ｓｉ基板１０１ｂ）として用いることのできる材料として、ガラスエポキシ基板以外にも紙フェノール、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、テフロン（登録商標）、シリコーン、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、ＬＴＣＣ等を用いることができる。また、Ｓｉのように能動・受動素子機能を基体自体に持たせてもよい。
また、さらに、図２８（ａ）、（ｂ）に示すように、基体をＳｉ基板１０１ｂとし、Ｓｉの異方性エッチングにより、テーパー状の基板とすることもできる。図２８（ａ）のように台形状の基板とすることで、発光装置３００Ｄから放出される光の配光角を広げることができる。また、図２８（ｂ）のようにリフレクター形状とすることで、発光装置３００Ｅから放出される光の配光角が狭まり、正面輝度を高めることができ、二次光学系への光の取り込み量を増やすことができる。
次に、発光装置３００ＢについてのＳＥＭ写真を図３２に示す。図３２（ｂ）は、図３２（ａ）の「ａ３」の部位の拡大図である。図３２（ａ）、（ｂ）に示すように、透光性基板３０４ａの側面の少なくとも一部及び上面は露出しており、かつ、半導体層３０４ｂの側面は反射部材（フィラー）１１４で被覆されている。なお、ここでの写真では、反射部材１１４は電極３０４ｃと接しておらず、電極３０４ｃの周囲に反射部材１１４が形成された形態のものを例示しているが、反射部材１１４が電極３０４ｃと接している形態であってもよい。なお、符号ＫＴは蛍光体を示している。
本発明に係る発光装置は、銀等の腐食する可能性のある反射材料を使用しなくても、発光素子からの光を効率良く反射させることができるため、光の取り出し効率に優れたものである。また、銀等の腐食する可能性のある反射材料を使用した場合でも、反射材料の劣化を抑制することができるため、光の取り出し効率に優れたものである。そして、各本発明に係る発光装置は、各種表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源、さらには、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等にも利用することができる。
１０，２０，１０４ａ、２０４ａ、３０４ａ、４０４ａ 透光性基板
１１，２１，１０４ｂ，２０４ｂ，３０４ｂ，４０４ｂ 半導体層
１３，２３ 保護膜
１４ ｐ型電極
１６ ｎ型電極
２２ａ 反射層
２２ｂ バリア層
２２ｃ 接着層
２４ 電極
２５ａ，２５ｂ パッド電極
１００，２００，１００Ａ，２００Ａ，３００Ａ，４００Ａ 発光装置
１０１，２０１ 基体（支持基板）
１０１ａ 基板（基体）
１０１ｂ Ｓｉ基板（基体）
１０２，１０２ａ，１０２ｂ，２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ，２０２ｄ，３０２，４０２ 導電部材
１０３ 金属部材
１０４，１０４Ａ，２０４Ａ，３０４Ａ，４０４Ａ 発光素子
１０４ｃ，２０４ｃ，３０４ｃ，４０４ｃ 電極
１０５ 保護素子
１０６，２０６ ワイヤ（導電性ワイヤ）
１０８ 透光性部材
１１８ 分離部
１０９，２０９，２０９ａ，２０９ｂ，２０９ｃ 凹部
１１０ 保護素子の接合部材
１１１，２０３，３０３，４０３ 接合部材（ダイボンド部材（ハンダ材料））
１１２ ダイシングシート
１１４ 反射部材（フィラー）
１２０，２２０，２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃ 凹部の底面
１２３ 接合層
１３０，２３０，２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃ 凹部の側面
１４０，２４０ 基体の裏面
２０７ 遮光性部材
Ｇ 溝部
ＫＴ 蛍光体

Claims (6)

  1. 半導体層と透光性基板と電極とを有する発光素子と、
    前記電極と電気的に接続される導電部材と、
    前記透光性基板の上面を露出し、かつ、前記半導体層の側面及び前記導電部材の側面を被覆する反射部材と、
    前記透光性基板の上面を被覆する透光性部材と、
    を備えた発光装置であって、
    該発光装置の外表面は前記反射部材の表面を含み、
    前記導電部材の下面は外部に露出されて発光装置の外表面の一部を形成し、前記導電部材の下面を発光装置の電極端子としたことを特徴とする発光装置。
  2. 前記電極と前記導電部材の間に、導電性を有するダイボンド部材を含む請求項１記載の発光装置。
  3. 前記透光性部材は、前記透光性基板の側面を被覆している請求項１又は２記載の発光装置。
  4. 前記透光性部材と前記反射部材との界面は、前記半導体層と前記透光性基板との界面を含む平面上又は当該平面よりも上に位置する請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
  5. 前記反射部材の上面は、外側に向かって低くなるように傾斜あるいは湾曲している請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
  6. 前記反射部材と前記発光素子の側面との間に保護膜を含む請求項１〜５のいずれかに記載の発光装置。
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