TWI575778B - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

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Description

發光二極體封裝結構
本發明是有關於一種封裝結構，且特別是有關於一種發光二極體封裝結構。
習知凹杯型態的發光二極體封裝結構，大都是將發光二極體配置於由陶瓷材料所形成的承載基座的本體上，其中發光二極體是位於凹槽內且透過打線接合的方式與承載基座的引腳電極電性連接。然而，打線接合所需要的打線高度會直接影響封裝膠體的使用量以及整體發光二極體封裝結構的厚度，因而導致封裝膠體的使用量無法降低以及發光二極體封裝結構無法滿足現今薄型化的需求。
本發明提供一種發光二極體封裝結構，其具有較薄的封裝厚度，可以符合現今薄型化的需求。
本發明的發光二極體封裝結構，其包括一承載基座、一覆晶式發光二極體以及一封裝體。承載基座包括一本體以及一內 嵌於本體內的圖案化導電層。本體是由一高分子材料所組成。本體具有一凹槽，且凹槽的一底面與圖案化導電層的一上表面切齊。本體於橡膠態的熱膨脹係數與圖案化導電層的熱膨脹係數的差異小於30ppm/℃。覆晶式發光二極體設置於承載基座的凹槽內且跨接於圖案化導電層上。封裝體配置於承載基座的凹槽內且包覆覆晶式發光二極體。封裝體的一頂面至凹槽的底面的一垂直距離小於或等於凹槽的一深度。
在本發明的一實施例中，上述的覆晶式發光二極體與圖案化導電層共晶接合。
在本發明的一實施例中，上述的高分子材料包括環氧樹脂或矽氧烷化合物。
在本發明的一實施例中，上述的本體在橡膠態的熱膨脹係數與本體在玻璃態的熱膨脹係數的差值小於35ppm/℃。
在本發明的一實施例中，上述的凹槽的一側壁環繞底面，而底面與側壁之間具有一夾角，且夾角介於95度至170度之間。
在本發明的一實施例中，上述的凹槽的底面的中心點至底面的邊緣相隔一直線距離，且直線距離大於等於1公釐且小於等於2公釐。
在本發明的一實施例中，上述的封裝體的頂面至圖案化導電層的上表面相隔一垂直高度，且垂直高度與直線距離的比值介於0.15至0.25之間。
在本發明的一實施例中，上述的封裝體的頂面至覆晶式發光二極體的一上表面相隔一垂直距離，且垂直距離介於0.05公釐至0.3公釐之間。
在本發明的一實施例中，上述的封裝體摻雜有一螢光材料，且螢光材料包括黃色螢光粉、紅色螢光粉、綠色螢光粉、藍色螢光粉或釔鋁石榴石螢光粉，且螢光材料的粒徑介於3微米至50微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的螢光材料於封裝體內的重量百分比濃度介於20%至40%之間。
基於上述，由於本發明的覆晶式發光二極體是設置於承載基座的凹槽內，且封裝體的頂面至凹槽的底面的垂直距離小於或等於凹槽的深度。因此，相較於習知發光二極體透過打線接合來電性連接引腳電極而言，本發明的發光二極體封裝結構可具有較薄的封裝厚度，可符合現今薄型化的需求。此外，由於本發明的承載基座的本體是由高分子材料所組成，且本體於橡膠態的熱膨脹係數與圖案化導電層的熱膨脹係數的差異小於30ppm/℃，因此可有效避免溫度冷卻時本體與圖案化導電層之間產生脫離而導致覆晶式發光二極體無法有效固定於圖案化導電層上的情形產生。簡言之，本發明的發光二極體封裝結構可具有較佳的結構可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100a、100b、100c、100d‧‧‧發光二極體封裝結構
110‧‧‧承載基座
112‧‧‧本體
114‧‧‧圖案化導電層
114a‧‧‧第一導電部
114b‧‧‧第二導電部
115‧‧‧上表面
117‧‧‧側表面
120‧‧‧覆晶式發光二極體
122‧‧‧上表面
130a、130b、130c、130d‧‧‧封裝體
132a、132b、132c‧‧‧頂面
134d‧‧‧螢光材料
B1、B2、B3‧‧‧底面
C1、C2、C3‧‧‧凹槽
D1、D2、D3‧‧‧深度
L1、L2、L3‧‧‧垂直距離
PH‧‧‧垂直高度
PL‧‧‧垂直距離
S1、S3‧‧‧側壁
SL‧‧‧直線距離
α‧‧‧夾角
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖1B繪示為圖1A的發光二極體封裝結構的俯視示意圖。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖3繪示為本發明的又一實施例的一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖4繪示為本發明的再一實施例的一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。圖1B繪示為圖1A的發光二極體封裝結構的俯視示意圖。請先參考圖1A，在本實施例中，發光二極體封裝結構100a包括一承載基座110、一覆晶式發光二極體120以及一封裝體130a。承載基座110包括一本體112以及一內嵌於本體112內的圖案化導電層114。本體112是由一高分子材料所組成，而本體112具有一凹槽C1，且凹槽C1的一底面B1與圖案化導電層114的一上表面115切齊。本體112於橡膠態的熱膨脹係數與圖案 化導電層114的熱膨脹係數的差異小於30ppm/℃。覆晶式發光二極體120設置於承載基座110的凹槽C1內且跨接於圖案化導電層114上。封裝體130a配置於承載基座110的凹槽C1內且包覆覆晶式發光二極體120。封裝體130a的一頂面132a至凹槽C1的底面B1的一垂直距離L1小於凹槽C1的一深度D1。
詳細來說，在本實施例中，承載基座110是透過轉注成型(transfer molding)的方式所形成，其中圖案化導電層114被本體112所包覆且僅暴露出其上表面115與側表面117。如圖1A所示，本實施例中的圖案化導電層114的側表面117實質上切齊於本體112的周圍表面。此處，本體112是由高分子材料所組成，其中高分子材料包括環氧樹脂或矽氧烷化合物，而圖案化導電層114的材質例如是金屬材料或導電材料，且圖案化導電層114可視為引腳電極，且圖案化導電層114可包含第一導電部114a及第二導電部114b，其中第一導電部114a與第二導電部114b之間藉由本體112相互隔離。覆晶式發光二極體120跨接於圖案化導電層114上，換句話說，覆晶式發光二極體120的兩引腳電極分別設置於第一導電部114a及第二導電部114b上，且覆晶式發光二極體120與圖案化導電層114透過共晶接合的方式電性連接，因此覆晶式發光二極體120可有效地固定於承載基座110上，可具有較佳的穩定性。
再者，本實施例的承載基座110的本體112是由高分子材料所組成，且本體112於橡膠態的熱膨脹係數與圖案化導電層 114的熱膨脹係數的差異小於30ppm/℃。較佳地，本體112在橡膠態的熱膨脹係數與本體112a在玻璃態的熱膨脹係數的差值小於35ppm/℃。因此，當共晶結合時，本體112由於自身的材料特性，不易因受熱而產生較大的形變，且當溫度冷卻時，由於本體112與圖案化導電層114之間的熱膨脹係數相互匹配，可避免本體112與圖案化導電層114之間因熱脹冷縮產生脫離而導致覆晶式發光二極體120無法有效固定於圖案化導電層114上的情形產生。換言之，本實施例的發光二極體封裝結構100a可具有較佳的結構可靠度。
如圖1A及圖1B所示，本實施例的凹槽C1的側壁S1垂直環繞底面B1，但並不以此為限。凹槽C1的底面B1的中心點至底面B1的邊緣相隔一直線距離SL，且直線距離SL大於等於1公釐且小於等於2公釐。此處，並不限定底面B1的俯視形狀，只要其直線距離SL符合上述所界定的範圍，皆屬本發明所欲保護的範圍。再者，封裝體130a的頂面132a至圖案化導電層114的上表面115相隔一垂直高度PH，且垂直高度PH與直線距離SL的比值介於0.15至0.25之間。此處，由於凹槽C1的底面B1與圖案化導電層114的上表面115切齊，因此垂直高度PH實質上等於垂直距離L1。此外，封裝體130a的頂面132a至覆晶式發光二極體120的一上表面122相隔一垂直距離PL，且垂直距離PL介於0.05公釐至0.3公釐之間。也就是說，封裝體130a的厚度實值上僅略大於覆晶式發光二極體120的高度，可有效減少封裝體130a的膠 材用量。
由於本實施例的覆晶式發光二極體120是設置於承載基座110的凹槽C1內，封裝體130a的厚度實值上僅略大於覆晶式發光二極體120的高度，且凹槽C1為淺盤設計(垂直高度PH與直線距離SL的比值介於0.15至0.25之間)。因此，相較於習知發光二極體透過打線接合來電性連接引腳電極而言，本實施例的發光二極體封裝結構100a可具有較薄的封裝厚度，可符合現今薄型化的需求。此外，由於本實施例的承載基座110的本體112是由高分子材料所組成，且本體112於橡膠態的熱膨脹係數與圖案化導電層114的熱膨脹係數的差異小於30ppm/℃，因此可有效避免溫度冷卻時本體112與圖案化導電層114之間產生脫離而導致覆晶式發光二極體120無法有效固定於圖案化導電層114上的情形產生。簡言之，本實施例的發光二極體封裝結構100a可具有較佳的結構可靠度。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請參考圖2，本實施例的發光二極體封裝結構100b與圖1A的發光二極體封裝結構100a相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的封裝體130b的頂面132b至凹槽C2的底面 B2的垂直距離L2等於凹槽C2的深度D2。也就是說，本實施例的發光二極體封裝結構100b的封裝體130b的厚度實值上等於凹槽C2的深度D2，也等於垂直距離L2。
圖3繪示為本發明的又一實施例的一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請參考圖3，本實施例的發光二極體封裝結構100c與圖1A的發光二極體封裝結構100a相似，惟二者主要差異之處在於：凹槽C3的側壁S3環繞底面B3，而底面B3與側壁S3之間具有一夾角α，且夾角α介於95度至170度之間。再者，本實施例的封裝體130c的頂面132c至凹槽C3的底面B3的垂直距離L3等於凹槽C3的深度D3。也就是說，本實施例的發光二極體封裝結構100c的封裝體130c的厚度實值上等於凹槽C3的深度D3，也等於垂直距離L3。
由於本實施例的凹槽C3的底面B3與側壁S3之間的夾角α介於95度至170度之間，因此可有效反射覆晶式發光二極體120的側向出光，提高整體發光二極體封裝結構100c的正向出光效率及發光面積。
圖4繪示為本發明的再一實施例的一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請參考圖4，本實施例的發光二極體封裝結構100d與圖1A的發光二極體封裝結構100a相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例為了改變發光二極體封裝結構100d所提供的發光顏色，因此於封裝體130d內摻雜有一螢光材料134d，其中螢光材料134d包括黃色螢光粉、紅色螢光粉、綠色螢光粉、藍色螢 光粉或釔鋁石榴石螢光粉，且螢光材料134d的粒徑介於3微米至50微米之間。此處，螢光材料134d於封裝體130d內的重量百分比濃度介於20%至40%之間。
由於本實施例是採用共晶結合的方式接合覆晶式發光二極體120與承載基座110，因此相較於習知採用打線接合的方式來接合發光二極體與承載基座而言，本實施例無須預留打線高度的空間，可有效降低封裝體130d的膠材使用量，且也可使發光二體封裝結構100d具有較薄的封裝厚度。此外，由於封裝體130d且凹槽130d為淺盤設計，膠材使用量可有效降低，因此於封裝體130d內所摻入的螢光材料134d的使用量亦不需要太多，即可達到改變發光二極體封裝結構100d所提供的發光顏色之目的。
此外，於其他未繪示的實施例中，亦可選用於如前述實施例所提及之具有夾角α的凹槽C3結構，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，而選用前述構件，以達到所需的技術效果。
綜上所述，由於本發明的覆晶式發光二極體是設置於承載基座的凹槽內，且封裝體的頂面至凹槽的底面的垂直距離小於或等於凹槽的深度。因此，相較於習知發光二極體透過打線接合來電性連接引腳電極而言，本發明的發光二極體封裝結構可具有較薄的封裝厚度，可符合現今薄型化的需求。此外，由於本發明的承載基座的本體是由高分子材料所組成，且本體於橡膠態的熱膨脹係數與圖案化導電層的熱膨脹係數的差異小於30ppm/℃，因 此可有效避免溫度冷卻時本體與圖案化導電層之間產生脫離而導致覆晶式發光二極體無法有效固定於圖案化導電層上的情形產生。簡言之，本發明的發光二極體封裝結構可具有較佳的結構可靠度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a‧‧‧發光二極體封裝結構
110‧‧‧承載基座
112‧‧‧本體
114‧‧‧圖案化導電層
114a‧‧‧第一導電部
114b‧‧‧第二導電部
115‧‧‧上表面
117‧‧‧側表面
120‧‧‧覆晶式發光二極體
122‧‧‧上表面
130a‧‧‧封裝體
132a‧‧‧頂面
B1‧‧‧底面
C1‧‧‧凹槽
D1‧‧‧深度
L1‧‧‧垂直距離
PH‧‧‧垂直高度
PL‧‧‧垂直距離
S1‧‧‧側壁
SL‧‧‧直線距離

Claims (9)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括：一承載基座，包括一本體以及一內嵌於該本體內的圖案化導電層，該本體是由一高分子材料所組成，而該本體具有一凹槽，且該凹槽的一底面與該圖案化導電層的一上表面切齊，其中該本體於橡膠態的熱膨脹係數與該圖案化導電層的熱膨脹係數的差異小於30ppm/℃，該本體在橡膠態的熱膨脹係數與該本體在玻璃態的熱膨脹係數的差值小於35ppm/℃；一覆晶式發光二極體，設置於該承載基座的該凹槽內且跨接於該圖案化導電層上；以及一封裝體，配置於該承載基座的該凹槽內且包覆該覆晶式發光二極體，其中該封裝體的一頂面至該凹槽的該底面的一垂直距離小於或等於該凹槽的一深度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中該覆晶式發光二極體與該圖案化導電層共晶接合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中該高分子材料包括環氧樹脂或矽氧烷化合物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中該凹槽的一側壁環繞該底面，而該底面與該側壁之間具有一夾角，且該夾角介於95度至170度之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中該凹槽的該底面的中心點至該底面的邊緣相隔一直線距離，且該 直線距離大於等於1公釐且小於等於2公釐。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體封裝結構，其中該封裝體的該頂面至該圖案化導電層的該上表面相隔一垂直高度，且該垂直高度與該直線距離的比值介於0.15至0.25之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中該封裝體的該頂面至該覆晶式發光二極體的一上表面相隔一垂直距離，且該垂直距離介於0.05公釐至0.3公釐之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中該封裝體摻雜有一螢光材料，且該螢光材料包括黃色螢光粉、紅色螢光粉、綠色螢光粉、藍色螢光粉或釔鋁石榴石螢光粉，且該螢光材料的粒徑介於3微米至50微米之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體封裝結構，其中該螢光材料於該封裝體內的重量百分比濃度介於20%至40%之間。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3540504A4 (en) 2016-11-14 2020-07-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. DISPLAY DEVICE AND ASSOCIATED BACKLIGHT UNIT
KR102680862B1 (ko) * 2016-12-16 2024-07-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
DE102018122166A1 (de) * 2018-09-11 2020-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einem trägerelement und einem elektrischen kontaktelement, optoelektronisches bauelement sowie verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung
CN110767795B (zh) * 2019-12-27 2020-05-05 华引芯（武汉）科技有限公司 一种微型led发光器件及其制备方法
DE112020007507T5 (de) * 2020-10-15 2023-07-06 Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200825155A (en) * 2006-09-15 2008-06-16 Mitsubishi Chem Corp Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device
TW200927822A (en) * 2007-12-31 2009-07-01 Dong Guang Ite Corp Thermosetting resin composition
EP2487730A2 (en) * 2011-02-10 2012-08-15 Samsung LED Co., Ltd. Flip chip LED package and manufacturing method thereof
TWM461876U (zh) * 2013-05-17 2013-09-11 Genesis Photonics Inc 覆晶式發光二極體單元

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006090804A1 (ja) * 2005-02-23 2006-08-31 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP4961887B2 (ja) * 2005-09-07 2012-06-27 豊田合成株式会社 固体素子デバイス
WO2008146886A1 (ja) * 2007-05-30 2008-12-04 Asahi Glass Company, Limited 光学素子被覆用ガラス、ガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
EP3547380B1 (en) * 2010-02-09 2023-12-20 Nichia Corporation Light emitting device
WO2012023424A1 (ja) * 2010-08-17 2012-02-23 コニカミノルタオプト株式会社 発光装置の製造方法
DE102013215650B4 (de) * 2013-08-08 2021-10-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200825155A (en) * 2006-09-15 2008-06-16 Mitsubishi Chem Corp Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device
TW200927822A (en) * 2007-12-31 2009-07-01 Dong Guang Ite Corp Thermosetting resin composition
EP2487730A2 (en) * 2011-02-10 2012-08-15 Samsung LED Co., Ltd. Flip chip LED package and manufacturing method thereof
TWM461876U (zh) * 2013-05-17 2013-09-11 Genesis Photonics Inc 覆晶式發光二極體單元

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