TW202249306A - 發光裝置 - Google Patents

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fluorescent
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adhesive layer
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洪政暐
洪欽華
詹勳賢
劉顓籲
陳韻筑
林育鋒
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新世紀光電股份有限公司
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Abstract

一種發光裝置，包括發光單元以及螢光膠層。發光單元具有彼此相對的頂面與底面。各發光單元包括二電極。二電極設置於底面。螢光膠層設置於發光單元的頂面上。螢光膠層的一側具有標記。二電極中的一者相較於二電極中的另一者靠近於此標記

Description

發光裝置
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種以發光二極體作為光源的發光裝置。
發光二極體(Light Emitting Diode, LED)由於具有能量轉換效率高、反應時間短及壽命長等優點，因而在現今被廣泛地應用於照明領域中。但是，當使用者將發光二極體接合於外部的電子器件時，常常會不清楚發光二極體中電極的極性而將電極與外部的電子器件(或電源)接反，導致發光二極體損壞。
本發明提供一種發光裝置，其可使使用者大幅地降低將其電極接反的機率。
本發明提供一種發光裝置的製造方法，用以製作上述的發光裝置。
在本發明的一實施例中提出一種發光裝置，包括發光單元，具有本體及二電極，該二電極設置於該本體的底面。螢光膠層，設置於該發光單元的頂面上，該螢光膠膠層具有向下開口的凹槽。透光膠層，設置在該螢光膠層與該發光單元的該本體之間，並覆蓋該本體的部分側表面。至少一黑色標記，形成在該螢光膠層的該凹槽中，且該黑色標記位於該螢光膠層中較接近該些電極的其中之一的一側。白膠反射層，填入該螢光膠層的該凹槽中並環繞該發光單元而設置，該白膠反射層貼附該螢光膠層的下表面、部分該透光膠層及該本體暴露的部分側表面，其中，該發光裝置具有平的側表面，該平的側表面至少包括該白膠反射層，且該白膠反射層具有往該螢光膠層的方向凹陷的下表面，而該白膠反射層與位於該本體側面的部分該透光膠層之間具有傾斜的曲面。
包括發光單元，具有本體及二電極，該二電極設置於該本體的底面。螢光膠層，設置於該發光單元的頂面上。透光膠層，設置在該螢光膠層與該發光單元的該本體之間，並覆蓋該本體的部分側表面。至少一黑色標記，形成在該螢光膠層的下表面上，且該黑色標記位於該螢光膠層上較接近該些電極的其中之一的一側。白膠反射層，環繞該發光單元而設置，該白膠反射層貼附該螢光膠層的下表面、部分該透光膠層及該本體暴露的部分側表面，其中，該發光裝置具有平的側表面，該平的側表面至少包括該白膠反射層，且該白膠反射層具有往該螢光膠層的方向凹陷的下表面，而該白膠反射層與位於該本體側面的部分該透光膠層之間具有傾斜的曲面。
在本發明的一實施例中，上述的螢光膠層更包括彼此堆疊的低濃度螢光膠層以及高濃度螢光膠層。高濃度螢光膠層位於發光單元與低濃度螢光膠層之間。
在本發明的一實施例中，上述的螢光膠層的一側設有凹槽。凹槽貫穿高濃度螢光膠層並且暴露出部分的低濃度螢光膠層。凹槽將高濃度螢光膠層分為不同大小的第一部分與第二部分。標記包括暴露的部分低濃度螢光膠層或暴露的部分低濃度螢光膠層以及第一部分與第二部分的至少其中之一。
在本發明的一實施例中，上述的螢光膠層的一側設有一缺角，且缺角作為標記。
在本發明的一實施例中，上述的螢光膠層的該側設有一刻痕，且刻痕作為標記。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括反射保護件。反射保護件包覆發光單元以及部分螢光膠層，且至少暴露出二電極及低濃度螢光膠層。
在本發明的一實施例中，上述的反射保護件具有凹面。此凹面往螢光膠層的方向凹陷。
在本發明的一實施例中，上述的凹面的一側與發光單元接觸，而凹面的一第二側朝向螢光膠層且往遠離發光單元的方向延伸。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括透光膠層。發光單元更包括一連接於頂面與該底面的一側面。透光膠層設置於高濃度螢光膠層上且延伸至發光單元的側面。
在本發明的一實施例中提出一種發光裝置的製作方法，包括以下步驟：形成一螢光膠層。對螢光膠層進行第一切割程序，以在螢光膠層中形成多個第一溝槽，以使螢光膠層分為多個部分。各部分作為接合區域。提供多個發光單元，各發光單元包括二電極。分別形成多個標記於螢光膠層的這些部分的一側。將這些發光單元分別接合於這些接合區域。各標記靠近於對應的發光單元的二電極中的一者且遠離於二電極中的另一者。沿著這些第一溝槽進行最終切割程序，以形成多個發光裝置。
在本發明的一實施例中，在上述形成該螢光膠層的步驟中更包括以下步驟：形成螢光膠體。靜置螢光膠體，以使螢光膠體分離成彼此堆疊的高濃度螢光膠體與低濃度螢光膠體。固化螢光膠體，以使螢光膠體固化成螢光膠層，其中高濃度螢光膠體與低濃度螢光膠體分別被固化成高濃度螢光膠層與低濃度螢光膠層。
在本發明的一實施例中，在上述分別形成這些標記於螢光膠層的這些部分的一側的步驟中，更包括：對螢光膠層的這些部分進行第二切割程序，以在螢光膠層的這些部分中分別形成多個第二凹槽。在螢光膠層的每一部分中，第二凹槽貫穿高濃度螢光膠層並且暴露出部分的低濃度螢光膠層，第二凹槽將高濃度螢光膠層分為不同大小的第一部分與第二部分。標記包括暴露的部分低濃度螢光膠層或暴露的部分低濃度螢光膠層以及第一部分與第二部分的至少其中之一。
在本發明的一實施例中，在上述的分別形成這些標記於螢光膠層的這些部分的一側的步驟中，更包括：對螢光膠層的這些部分進行第二切割程序，以在螢光膠層的這些部分中分別形成多個第二凹槽。這些第二凹槽在這些螢光膠層的這些部分中切出多個缺角。第二切割程序的切割方向不同於第一切割程序的切割方向。缺角作為標記。
在本發明的一實施例中，在上述的在分別形成該些標記於該螢光膠層的該些部分的該側的步驟中，更包括：對螢光膠層的這些部分照射雷射光，以使各部分中的低濃度螢光膠層設有一刻痕，且刻痕作為標記。
在本發明的一實施例中，在上述的將這些發光單元分別接合於這些接合區域的步驟中，更包括：分別形成多個透光膠層於這些接合區域中的這些高濃度螢光膠層上。將這些發光單元分別藉由這些透光膠層接合於這些高濃度螢光膠層。
在本發明的一實施例中，更包括：形成反射保護件於螢光膠層上以及這些發光單元之間並填滿這些第一溝槽。反射保護件暴露出這些電極。
在本發明的一實施例中，在上述形成該反射保護件的步驟更包括：靜置反射保護件，以使反射保護件形成往螢光膠層的方向凹陷的凹面。固化反射保護件。
基於上述，在本發明的實施例的發光裝置與其製造方法中，由於螢光膠層上的標記與二電極之間的距離不同，使用者可據此來判斷電極的極性，以大幅地降低將電極接反的機率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1至圖11是用以說明製作本發明的第一實施例的發光裝置的製造流程示意圖。圖12是第一實施例的發光裝置的上視示意圖。圖13是圖12中沿著剖線A-A’的剖面示意圖。
請參照圖1，提供離型膜30，離型膜30例如是雙面膠膜。接著，於離型膜30上形成螢光膠體PC。螢光膠體PC可由螢光粉與膠體(例如是矽膠(silicone))混合的方法形成。
請參照圖2，靜置螢光膠體PC一段時間，如24小時後，因重力的關係，螢光膠體PC中的大部分螢光粉會沉澱於下方，而上方仍留有少數的螢光粉，其中上述的靜置時間並不以24小時為限制。也就是說，螢光膠體PC經靜置後會分離成彼此堆疊的高濃度螢光膠體與低濃度螢光膠體。高濃度螢光膠體中的螢光粉濃度大於低濃度螢光膠體中的螢光粉濃度。接著，固化螢光膠體PC，以使螢光膠體PC固化成螢光膠層PL。而高濃度螢光膠體與低濃度螢光膠體亦隨而被分別硬化定型成高濃度螢光膠層HPL與低濃度螢光膠層LPL。固化的方式可例如是透過加熱烘烤的方式，但不以此為限。於本實施例中，整個螢光膠層PL的厚度例如是130微米，但不以此為限。
請參照圖3，提供多個發光單元EU（以三個為例，但不以此為限），每一發光單元EU具有彼此相對的頂面TS、底面BS以及連接於頂面TS與底面BS的側面SS，且包括彼此分離的二電極E1、E2。二電極E1、E2中的一者E1可為N型電極，而另一者E2可為P型電極，但不以此為限。發光單元EU例如是發光二極體晶片。
請參照圖4，提供另一離型膜40，離型膜40例如亦為雙面膠層。以圖2中的低濃度螢光膠層LPL暴露於外界的表面與離型膜40接合，並將原有的離型膜30移除，以使低濃度螢光膠層LPL位於高濃度螢光膠層HPL與離型膜40之間。換言之，此步驟即為將高濃度螢光膠層HPL與低濃度螢光膠層LPL之間進行一個翻轉並移往另一層離型膜40的動作。
請參照圖5，對螢光膠層PL進行一第一切割程序，以在螢光膠層PL中形成多個第一溝槽C1，以使螢光膠層PL分為多個部分P。各部分P作為接合區域BA。詳言之，於本實施例中，第一切割程序例如是藉由刀口寬度200微米的切割刀進行切割並下切80微米，以移除部分的高濃度螢光膠層HPL與部分的低濃度螢光膠層LPL，而剩下的高濃度螢光膠層HPL彼此物理性(physically)地分離，因此第一溝槽C1的寬度約為200微米。於此處，所謂的「物理性地分離」係指這些高濃度螢光膠層HPL並沒有直接地連接。應注意的是，切割刀的選用與下切的程度可依據不同的狀況來決定，本發明並不以此為限。
請參照圖6，分別形成多個標記M於螢光膠層PL的這些部分P的一側。於本實施例中，形成多個標記M的方式如下：承圖5，再對螢光膠層PL的這些部分P進行第二切割程序，以在螢光膠層PL的這些部分P中分別形成多個第二凹槽C2。詳言之，於本實施例中，第二切割程序例如是藉由刀口寬度50微米的切割刀進行切割並下切80微米，以再次地移除部分的高濃度螢光膠層HPL，因此第二溝槽C2的寬度約為80微米。也就是說，第二溝槽C2的寬度小於第一溝槽C1的寬度。此外，於本實施例中，第二切割程序的切割方向與第一切割程序的切割方向相同。應注意的是，切割刀的選用與下切的程度可依據不同的狀況來決定，本發明並不以此為限。
並且，請再參照圖6，在螢光膠層PL的每一部分P中，第二凹槽C2貫穿高濃度螢光膠層HPL並且暴露出部分的低濃度螢光膠層LPL’。第二凹槽C2將高濃度螢光膠層HPL分為較大的第一部分HPL1與較小的第二部分HPL2。暴露的部分低濃度螢光膠層LPL’與第一部分HPL1與第二部分HPL2相鄰。暴露的部分低濃度螢光膠層LPL’與其相鄰的第一部分HPL1與第二部分HPL2可作為標記M。
請參照圖7，接著，分別形成多個透光膠層C於該些接合區域BA中的這些高濃度螢光膠層HPL的第一部分HPL1上。透光膠層C例如選用矽膠，但不以此為限。
請參照圖8，將這些發光單元EU分別藉由這些透光膠層C接合於這些高濃度螢光膠層HPL的第一部分HPL1，並且，標記M靠近於對應的發光單元EU的二電極中E1、E2的一者E2且遠離於二電極E1、E2中的另一者E1。由於毛細現象的關係，透光膠層C具有一曲率的斜面CS，且越靠近發光單元EU的頂面TS，透光膠層C的厚度越厚。此處，透光膠層C的用途在於固定發光單元EU的位置。
請參照圖9，形成反射保護件RP於螢光膠層PL上以及這些發光單元EU之間並填滿這些第一溝槽C1與第二溝槽C2。反射保護件RP暴露出這些電極E1、E2。詳細來說，反射保護件RP例如是一白膠層。首先，將反射保護件RP填滿於這些第一溝槽C1與第二溝槽C2。接著，靜置反射保護件RP一段時間後，以使反射保護件RP形成往螢光膠層PL的方向凹陷的一凹面RPS。最後，再加熱固化反射保護件RP，以定型反射保護件RP。
請參照圖10，沿著第一溝槽C1進行最終切割程序，以形成多個發光裝置EA1。至此，發光裝置EA1大體上已製作完成。於本實施例中，發光裝置EA1例如是包括單一個發光單元EU的發光裝置，且例如是晶片級封裝(Chip Scale Package, CSP)的發光裝置EA1。
請參照圖11，再提供又一離型膜50，離型膜50例如亦為雙面膠層或藍膜。以圖10的二電極E1、E2與離型膜50接合，並將原有的離型膜40移除，以使這些發光裝置EA翻轉。
請參照圖12與圖13，於本實施例中，發光裝置EA包括發光單元EU、螢光膠層PL、透光膠層C以及反射保護件RP。發光單元EU具有彼此相對的頂面TS、底面BS與連接於頂面TS與底面BS的側面SS。各發光單元EU包括二電極E1、E2。二電極E1、E2設置於底面BS。螢光膠層PL的一側設有標記M。二電極E1、E2中的一者E2相較於二電極E1、E2中的另一者E1較靠近於標記M。即，電極E2與標記M的平均距離小於電極E1與標記M的平均距離。
詳言之，於本實施例中，螢光膠層PL的一側設有第二凹槽C2。第二凹槽C2貫穿高濃度螢光膠層HPL並且暴露出部分的低濃度螢光膠層LPL’。第二凹槽C2將高濃度螢光膠層分為不同大小的第一部分HPL1與第二部分HPL2。標記M包括暴露的部分低濃度螢光膠層LPL’。或者是，暴露的部分低濃度螢光膠層LPL’、第一部分HPL1以及第二部分HPL2的至少其中之一。更詳細來說，由於低濃度螢光膠層LPL與高濃度螢光膠層HPL兩者之間因濃度的關係而顏色不同，沿著方向D來看，可看出螢光膠層PL有不同顏色分佈的狀況，例如是深(對應到高濃度螢光膠層HPL的第一部分HPL1)、淺(對應到被暴露的低濃度螢光膠層LPL)及深(對應到高濃度螢光膠層的第二部分HPL2)，而造成了一種顏色的漸層，而此種顏色的漸層可被視為一種標記M，即標記M包括第一部分HPL1、暴露的部分低濃度螢光膠層LPL’以及第二部分HPL2。
於另一種觀點來看，因為相鄰於暴露的低濃度螢光膠層LPL’兩側的高濃度螢光膠層HPL的第一部分HPL1與第二部分HPL2的顏色都深於低濃度螢光膠層LPL’的顏色，因此若單就暴露的低濃度螢光膠層LPL’來看也可被視為一種標記M，即標記M包括暴露的低濃度螢光膠層LPL’。或者是，由於位於螢光膠層PL中一側的較小的高濃度螢光膠層HPL的第二部分HPL2與高濃度螢光膠層HPL的第一部分HPL1之間設有低濃度螢光膠層LPL’，因此就高濃度螢光膠層HPL的第一部分HPL1與第二部分HPL2其中之一與低濃度螢光膠層LPL’的組合來看也可被視為一種標記M，即標記M包括高濃度螢光膠層HPL的第一部分HPL1與低濃度螢光膠層LPL’，或者是，標記M包括高濃度螢光膠層HPL的第二部分HPL2與低濃度螢光膠層LPL’，本發明並不以此為限制。
於本實施例中，反射保護件RP包覆發光單元EU以及部分螢光膠層PL，且至少暴露出二電極E1、E2及低濃度螢光膠層LPL。反射保護件RP具有朝向外界的凹面RPS。此凹面RPS往螢光膠層PL方向凹陷。凹面RPS的一側與發光單元EU接觸，而凹面RPS的第二側朝向螢光膠層PL且往遠離發光單元EU的方向延伸。當本實施例的發光裝置EA1後續要與外接基板（例如是顯示面板中的背板、印刷電路板或其他種類的基板）進行連接時，透過反射保護件RP為暴露於外界的表面為凹面RPS的設計，可以避免反射保護件RP與外接基板之間因反射保護件RP凸出而使發光裝置EA與外界基板之間間隔出間隙，此間隙的產生會導致發光單元EA的電極M1、M2無法良好地接合於外接基板。
於本實施例中，透光膠層C設置於高濃度螢光膠層HPL上且延伸至發光單元EU的側面SS。
承上述，在本發明的實施例的發光裝置與其製造方法中，由於螢光膠層PL上設有標記M，且此標記M分別與二電極之間任一電極E1、E2的平均距離不同。因此，當這些發光裝置EA製造完成時，可告知使用者較靠近標記M的電極E2例如是作為P型電極，因此使用者就可以清楚地知道電極E2為P型電極，而電極E1則為電性相反的N型電極。簡言之，使用者可根據標記M與電極E1、E2之間的距離關係可簡單地判斷電極極性，以大幅地降低將電極接反的機率。
圖14至圖19是用以說明製作本發明的第二實施例的發光裝置的製造流程示意圖。圖20是第二實施例的發光裝置的上視示意圖。
第二實施例的發光裝置EA2的製造流程中的部分步驟類似於第一實施例的發光裝置EA的製造流程，於以下的說明中僅就對其差異進行說明。
承圖1至圖4的步驟後，請參照圖5以及圖14，於本實施例中，在螢光膠層PL中形成多個第一溝槽C1，以使螢光膠層PL分為多個部分P(以九個部分P為例，但不以此為限)。第一溝槽C1的延伸方向大致上與螢光膠層PL的每一個部分P的二對邊平行。
請參照圖15，分別形成多個標記M於螢光膠層PL的這些部分P的一側。於本實施例中，形成多個標記M的方式如下：承圖14，再對螢光膠層PL的這些部分P進行第二切割程序，以在螢光膠層PL的這些部分P中分別形成多個第二凹槽C2。詳言之，於本實施例中，第二切割程序大致上類似於圖6的步驟，其主要差異在於：在進行第二切割程序之前，先將整個離型膜(未示出)以一角度旋轉，接著，再進行第二切割程序。因此，第二切割程序的切割方向與第一切割程序的切割方向具有一夾角，且此夾角例如是45度，但不以此為限。由圖15可知，第一凹槽C1的延伸方向不同於第二凹槽C2的延伸方向。
請參照圖16，分別形成多個透光膠層C於該些接合區域BA中的這些高濃度螢光膠層HPL的第一部分HPL1上。應注意的是，由於第二切割程序的關係，有些部分P中的高濃度螢光膠層HPL2其中央處被切割，因此不適合進行後續的接合程序。因此，於圖16中，形成多個透光膠層C的位置係以形成有切角(標記M)的部分P為主。
請參照圖18，形成反射保護件RP於螢光膠層PL上以及這些發光單元EU之間並填滿第一溝槽、第二溝槽。反射保護件RP暴露出這些電極E1、E2。
請參照圖19，沿著第一溝槽C1進行最終切割程序，以形成多個發光裝置EA2。至此，發光裝置EA2大體上已製作完成。
請參照圖20，本實施例中的發光裝置EA2大體上類似於圖12與圖13的發光裝置EA，其主要差異在於：發光裝置EA2的螢光膠層PL一側設有缺角，且此缺角作為標記M。
圖21至圖26是用以說明製作本發明的第三實施例的發光裝置的製造流程示意圖。圖27是第三實施例的發光裝置的上視示意圖。圖28是圖27中沿著剖線B-B’的剖面示意圖。
第三實施例的發光裝置EA3的製造流程中的部分步驟類似於第一實施例的發光裝置EA的製造流程，於以下的說明中僅就對其差異進行說明。
承圖1至圖5的步驟後，請參照圖21，對螢光膠層PL的這些部分P以照射雷射光，以使各部分P中的低濃度螢光膠層LPL因雷射光的照射而黑化，而於低濃度螢光膠層LPL上形成雷射刻痕，且雷射刻痕作為標記M。此外，於本例中，雷射刻痕的態樣為條狀，於其他的實施例中，亦可以圓形、方形或其他形狀的圖案，本發明並不此以為限。
接著，於圖22至圖26的步驟中，大致上類似於圖7至圖11的步驟，於此不再贅述。
請參照圖27與圖28，本實施例中的發光裝置EA3大體上類似於圖12與圖13的發光裝置EA，其主要差異在於：發光裝置EA3的螢光膠層PL一側設有雷射刻痕，且此刻痕作為標記M。此外，於本實施例中，標記M例如是靠近於作為N型電極的電極E1中，但本發明並不以此為限制。
應注意的是，在本發明上述的實施例中，標記M的態樣例如是刻痕、缺角、與高低濃度螢光膠層之間形成的不同顏色的漸層，於其他的實施例中，標記M的態樣例如亦可以為圓形缺口、三角形缺口或其他的多邊形缺口或者是其他可以以肉眼明顯看出的標記，本發明並不以此為限。
綜上所述，在本發明的實施例的發光裝置與其製造方法中，由於螢光膠層上設有與二電極之間分別具有不同距離的標記，因此使用者可根據標記與二電極之間的相對位置關係來判斷電極的極性，可大幅地降低將電極接反的機率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
30、40、50:離型膜 A-A’、B-B’:剖線 BA:接合區域 BS:底面 C:透光膠層 C1:第一溝槽 C2:第二溝槽 CS:斜面 EA1~EA3:發光裝置 EU:發光單元 E1、E2:電極 HPL:高濃度螢光膠層 HPL1:高濃度螢光膠層的第一部分 HPL2:高濃度螢光膠層的第二部分 LPL:低濃度螢光膠層 LPL’:暴露的部分低濃度螢光膠層 M:標記 P:部分 PC:螢光膠體 PL:螢光膠層 RP:反射保護件 RPS:凹面 SS:側面 TS:頂面
圖1至圖11是用以說明製作本發明的第一實施例的發光裝置的製造流程示意圖。 圖12是第一實施例的發光裝置的上視示意圖。 圖13是圖12中沿著剖線A-A’的剖面示意圖。 圖14至圖19是用以說明製作本發明的第二實施例的發光裝置的製造流程示意圖。 圖20是第二實施例的發光裝置的上視示意圖。 圖21至圖26是用以說明製作本發明的第三實施例的發光裝置的製造流程示意圖。 圖27是第三實施例的發光裝置的上視示意圖。 圖28是圖27中沿著剖線B-B’的剖面示意圖。
A-A’:剖線
BS:底面
C:透光膠層
CS:斜面
C2:第二溝槽
D:方向
EA1:發光裝置
EU:發光單元
E1、E2:電極
HPL:高濃度螢光膠層
HPL1:高濃度螢光膠層的第一部分
HPL2:高濃度螢光膠層的第二部分
LPL:低濃度螢光膠層
LPL’:暴露的部分低濃度螢光膠層
M:標記
PL:螢光膠層
RP:反射保護件
RPS:凹面
SS:側面
TS:頂面

Claims (10)

  1. 一種發光裝置，包括： 一發光單元，具有一本體及二電極，該二電極設置於該本體的一底面； 一螢光膠層，設置於該發光單元的一頂面上，該螢光膠膠層具有向下開口的一凹槽； 一透光膠層，設置在該螢光膠層與該發光單元的該本體之間，並覆蓋該本體的部分側表面； 至少一黑色標記，形成在該螢光膠層的該凹槽中，且該黑色標記位於該螢光膠層中較接近該些電極的其中之一的一側；以及 一白膠反射層，填入該螢光膠層的該凹槽中並環繞該發光單元而設置，該白膠反射層貼附該螢光膠層的一下表面、部分該透光膠層及該本體暴露的部分側表面， 其中，該發光裝置具有一平的側表面，該平的側表面至少包括該白膠反射層，且該白膠反射層具有一往該螢光膠層的方向凹陷的下表面，而該白膠反射層與位於該本體側面的部分該透光膠層之間具有一傾斜的曲面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該螢光膠層包括一低濃度螢光膠層以及一高濃度螢光膠層，該高濃度螢光膠層位於該發光單元與該低濃度螢光膠層之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該發光裝置的該平的側表面更包括設置在該白膠反射層上的該螢光膠層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該些電極向下凸出於該白膠反射層的該下表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該黑色標記包括一雷射刻痕。
  6. 一種發光裝置，包括： 一發光單元，具有一本體及二電極，該二電極設置於該本體的一底面； 一螢光膠層，設置於該發光單元的一頂面上； 一透光膠層，設置在該螢光膠層與該發光單元的該本體之間，並覆蓋該本體的部分側表面； 至少一黑色標記，形成在該螢光膠層的一下表面，且該黑色標記位於該螢光膠層上較接近該些電極的其中之一的一側；以及 一白膠反射層，環繞該發光單元而設置，該白膠反射層貼附該螢光膠層的該下表面、部分該透光膠層及該本體暴露的部分側表面， 其中，該發光裝置具有一平的側表面，該平的側表面至少包括該白膠反射層，且該白膠反射層具有一往該螢光膠層的方向凹陷的下表面，而該白膠反射層與位於該本體側面的部分該透光膠層之間具有一傾斜的曲面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該螢光膠層包括一低濃度螢光膠層以及一高濃度螢光膠層，該高濃度螢光膠層位於該發光單元與該低濃度螢光膠層之間。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該發光裝置的該平的側表面更包括設置在該白膠反射層上的該螢光膠層。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該些電極向下凸出於該白膠反射層的該下表面。
  10. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該黑色標記包括一雷射刻痕。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019116103B4 (de) * 2019-06-13 2021-04-22 Notion Systems GmbH Verfahren zum Beschriften einer Leiterplatte durch Erzeugen von Schattierungen in einer funktionalen Lackschicht
TWI764341B (zh) * 2020-04-07 2022-05-11 億光電子工業股份有限公司 發光裝置
USD996377S1 (en) * 2022-02-17 2023-08-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode package

Family Cites Families (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6155699A (en) 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
JP3866058B2 (ja) 2001-07-05 2007-01-10 シャープ株式会社 半導体装置、配線基板及びテープキャリア
TW567619B (en) 2001-08-09 2003-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lighting apparatus and card-type LED light source
KR100447867B1 (ko) 2001-10-05 2004-09-08 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US6952079B2 (en) 2002-12-18 2005-10-04 General Electric Company Luminaire for light extraction from a flat light source
JP3716252B2 (ja) 2002-12-26 2005-11-16 ローム株式会社 発光装置及び照明装置
TWI220076B (en) 2003-08-27 2004-08-01 Au Optronics Corp Light-emitting device
JP4516337B2 (ja) 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP4667803B2 (ja) 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI244228B (en) 2005-02-03 2005-11-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting device and manufacture method thereof
KR100640496B1 (ko) 2005-11-23 2006-11-01 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US8252615B2 (en) 2006-12-22 2012-08-28 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system employing mold flash prevention technology
EP2221885A4 (en) 2007-11-19 2013-09-25 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
KR101517644B1 (ko) 2007-11-29 2015-05-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광장치 및 그 제조방법
CN101459212B (zh) * 2007-12-11 2011-06-22 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光器件
TWI380466B (en) * 2007-12-31 2012-12-21 Foxsemicon Integrated Tech Inc Solid illuminating element, solid illuminator, and method for manufacturing the solid illuminating element
GB0801509D0 (en) 2008-01-28 2008-03-05 Photonstar Led Ltd Light emitting system with optically transparent thermally conductive element
EP2269239A2 (en) 2008-03-21 2011-01-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. A luminous device
JP2009245981A (ja) 2008-03-28 2009-10-22 Toyota Central R&D Labs Inc Ｌｅｄ発光装置
TWI416755B (zh) 2008-05-30 2013-11-21 Epistar Corp 光源模組、其對應之光棒及其對應之液晶顯示裝置
US7973327B2 (en) 2008-09-02 2011-07-05 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted LED
US7825427B2 (en) 2008-09-12 2010-11-02 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating phosphor film with textured surface
US7928655B2 (en) 2008-11-10 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
CN101515621B (zh) 2009-02-19 2011-03-30 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管芯片、制法及封装方法
CN103050601B (zh) 2009-03-11 2015-10-28 晶元光电股份有限公司 发光装置
US8317384B2 (en) 2009-04-10 2012-11-27 Intellectual Discovery Co., Ltd. Light guide film with cut lines, and optical keypad using such film
JP5482378B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2010134331A1 (en) 2009-05-22 2010-11-25 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device and light source device using the same
US8097894B2 (en) 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
TWI403003B (zh) 2009-10-02 2013-07-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體及其製造方法
WO2011093454A1 (ja) 2010-01-29 2011-08-04 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
WO2011099384A1 (ja) 2010-02-09 2011-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
EP2378576A2 (en) 2010-04-15 2011-10-19 Samsung LED Co., Ltd. Light emitting diode package, lighting apparatus having the same, and method for manufacturing light emitting diode package
JP5390472B2 (ja) 2010-06-03 2014-01-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5414627B2 (ja) 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5572013B2 (ja) 2010-06-16 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
CN102315354B (zh) 2010-06-29 2013-11-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
JP5486431B2 (ja) 2010-07-27 2014-05-07 日東電工株式会社 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
CN102376860A (zh) * 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
CN201910421U (zh) 2010-12-01 2011-07-27 宝创科技股份有限公司 发光二极管装置的平面结构
US8581287B2 (en) 2011-01-24 2013-11-12 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing
JP5647028B2 (ja) 2011-02-14 2014-12-24 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
TWI525858B (zh) 2011-02-15 2016-03-11 Light emitting diode package structure
CN102683538B (zh) 2011-03-06 2016-06-08 维亚甘有限公司 发光二极管封装和制造方法
KR20120106568A (ko) 2011-03-18 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
US20120261689A1 (en) 2011-04-13 2012-10-18 Bernd Karl Appelt Semiconductor device packages and related methods
JP5745319B2 (ja) 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
CN103534822A (zh) 2011-04-20 2014-01-22 株式会社Elm 发光装置及其制造方法
JP5680472B2 (ja) 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP5983603B2 (ja) 2011-05-16 2016-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
TW201248725A (en) 2011-05-31 2012-12-01 Aceplux Optotech Inc Epitaxial substrate with transparent cone, LED, and manufacturing method thereof.
JP5848562B2 (ja) 2011-09-21 2016-01-27 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及びその製造方法。
JP5893888B2 (ja) 2011-10-13 2016-03-23 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
TW201318221A (zh) 2011-10-26 2013-05-01 Episil Technologies Inc 發光二極體之矽支架及其製造方法
KR101905535B1 (ko) 2011-11-16 2018-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
TW201327926A (zh) 2011-12-30 2013-07-01 Ind Tech Res Inst 光轉換結構和其應用之發光二極體的封裝結構
JP5956167B2 (ja) 2012-01-23 2016-07-27 スタンレー電気株式会社 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
KR101957700B1 (ko) 2012-02-01 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광 장치
US8946747B2 (en) 2012-02-13 2015-02-03 Cree, Inc. Lighting device including multiple encapsulant material layers
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
TWI495056B (zh) 2012-04-24 2015-08-01 Genesis Photonics Inc 基板結構
JP5816127B2 (ja) 2012-04-27 2015-11-18 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
US20140009060A1 (en) 2012-06-29 2014-01-09 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered led, producing method thereof, and led device
CN103515520B (zh) 2012-06-29 2016-03-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103531669B (zh) 2012-07-05 2016-09-07 北京时代浩鼎科技股份有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
US9287475B2 (en) 2012-07-20 2016-03-15 Cree, Inc. Solid state lighting component package with reflective polymer matrix layer
DE102012107290A1 (de) 2012-08-08 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens
JP6099901B2 (ja) 2012-08-23 2017-03-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP6149487B2 (ja) 2012-11-09 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2014112669A (ja) 2012-11-12 2014-06-19 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
WO2014091914A1 (ja) 2012-12-10 2014-06-19 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
TWM453969U (zh) 2012-12-26 2013-05-21 Genesis Photonics Inc 發光裝置
CN103137571A (zh) 2013-01-22 2013-06-05 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装构造及其制造方法
US9318674B2 (en) * 2013-02-05 2016-04-19 Cree, Inc. Submount-free light emitting diode (LED) components and methods of fabricating same
JP5819335B2 (ja) 2013-02-18 2015-11-24 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
JP2014170902A (ja) 2013-03-05 2014-09-18 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
FR3003403B1 (fr) 2013-03-14 2016-11-04 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de diodes electroluminescentes
CN103199183B (zh) 2013-04-08 2016-01-27 厦门市三安光电科技有限公司 一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构
TWI540766B (zh) 2013-07-10 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝結構
CN104347610B (zh) 2013-07-23 2017-06-20 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 嵌入式led器件及其制作方法和发光设备
KR20150042362A (ko) 2013-10-10 2015-04-21 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
TWI520383B (zh) 2013-10-14 2016-02-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體封裝結構
TWI533478B (zh) * 2013-10-14 2016-05-11 新世紀光電股份有限公司 覆晶式發光二極體封裝結構
CN103531725A (zh) 2013-10-16 2014-01-22 上海和辉光电有限公司 电激发光组件及其封装方法
JP6182050B2 (ja) 2013-10-28 2017-08-16 株式会社東芝 半導体発光装置
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
KR102075993B1 (ko) 2013-12-23 2020-02-11 삼성전자주식회사 백색 ｌｅｄ 소자들을 제조하는 방법
JP6244906B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
KR101584201B1 (ko) * 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
TWI542047B (zh) 2014-01-13 2016-07-11 邱羅利士公司 發光二極體封裝結構之製法
JP2015173142A (ja) 2014-03-11 2015-10-01 株式会社東芝 半導体発光装置
TWI557955B (zh) 2014-04-23 2016-11-11 光寶光電（常州）有限公司 Ｌｅｄ承載座及其製造方法
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
CN203910851U (zh) 2014-05-23 2014-10-29 晶科电子（广州）有限公司 一种白光led芯片
CN104253194A (zh) 2014-09-18 2014-12-31 易美芯光（北京）科技有限公司 一种芯片尺寸白光led的封装结构及方法
US20160181476A1 (en) 2014-12-17 2016-06-23 Apple Inc. Micro led with dielectric side mirror
US20160190406A1 (en) 2014-12-24 2016-06-30 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN110767793A (zh) * 2015-05-05 2020-02-07 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
JP6554914B2 (ja) * 2015-06-01 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
CN106549092A (zh) 2015-09-18 2017-03-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
WO2017052800A1 (en) * 2015-09-25 2017-03-30 Koninklijke Philips N.V. Surface emitter with light-emitting area equal to the led top surface and its fabrication
CN206271751U (zh) * 2016-12-15 2017-06-20 深圳雷曼光电科技股份有限公司 芯片级led封装器件以及led显示装置

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