CN103531669B - 发光二极管封装结构的制造方法 - Google Patents
发光二极管封装结构的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103531669B CN103531669B CN201210231374.5A CN201210231374A CN103531669B CN 103531669 B CN103531669 B CN 103531669B CN 201210231374 A CN201210231374 A CN 201210231374A CN 103531669 B CN103531669 B CN 103531669B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- encapsulated layer
- groove
- led
- package structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000003643 water by type Substances 0.000 claims abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 235000015110 jellies Nutrition 0.000 description 1
- 239000008274 jelly Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Abstract
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括步骤：提供设置若干电极的基板，基板上还开设若干交叉连通并环绕电极设置的第一浇槽；设置发光二极管芯片于基板上并与电极电连接；提供胶状结构的封装层，封装层对应基板的第一浇槽开设若干交叉连通的第二浇槽；将基板倒置压合到封装层上，发光二极管芯片嵌入到封装层内，基板的第一浇槽和封装层的第二浇槽相对接并共同围设出内部交叉连通的闭合浇道；设置注孔并成型反光杯元件，注孔将浇道与外部连通，通过注孔向浇道内注入熔融模料以成型反光杯元件；及固化封装层。由于浇道内部交叉连通，熔融模料可以迅速填满浇道，减少了反光杯元件单独成型工序，提高了发光二极管封装结构的生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体发光二极管，尤其涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术
发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之中，例如用作指示灯、照明灯、显示屏等。
在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。
发光二极管封装结构的制造方法通常包括以下步骤：提供基板，该基板具有电极；成型反光杯，并将反光杯设置于基板上；设置发光二极管芯片，将发光二极管芯片设置于反光杯内并与基板上的电极电连接；点胶，将混合有荧光粉的液态封装材料覆盖于反光杯内的发光二极管芯片上；以及固化所述封装材料形成荧光层。
在上述发光二极管封装结构的这制造方法中，反光杯需先单独成型，成型后再设置于基板上，然后将发光二极管芯片设置于发光杯内并与基板上的电极电连接，最后再经过点胶和固化完成发光二极管的封装，生产工序复杂，生产效率较低，不利于发光二极管封装结构的批量制造。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种生产效率较高的发光二极管封装结构的制造方法。
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板上设置有若干电极，所述基板上开设有若干交叉连通的第一浇槽，所述第一浇槽分别环绕所述电极设置；设置发光二极管芯片，将所述发光二极管芯片设置于基板上并与电极电连接；提供封装层，所述封装层为胶状结构，所述封装层对应基板的第一浇槽开设若干交叉连通的第二浇槽；将基板倒置压合到封装层上，所述发光二极管芯片嵌入到封装层内，所述基板的第一浇槽和封装层的第二浇槽相对接并共同围设出内部交叉连通的闭合浇道；设置注孔并成型反光杯元件，所述注孔将浇道与外部连通，通过注孔向浇道内注入熔融模料以成型反光杯元件；及固化封装层。
由于浇道的内部交叉连通，熔融模料可以经注孔迅速填满浇道，进而直接成型反光杯元件，这样减少了单独成型反光杯元件的生产工序，从而提高了发光二极管封装结构的整体生产效率。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明一实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。
图2为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S101所得的发光二极管封装结构俯视示意图。
图3为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S101所得的发光二极管封装结构剖面示意图。
图4为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S102所得的发光二极管封装结构俯视示意图。
图5为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S102所得的发光二极管封装结构剖面示意图。
图6为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S103所得的发光二极管封装结构俯视示意图。
图7为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S103所得的发光二极管封装结构剖面示意图。
图8为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S104所得的发光二极管封装结构剖面示意图（压合前）。
图9为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S104所得的发光二极管封装结构剖面示意图（压合后）。
图10为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S105所得的发光二极管封装结构剖面示意图（注塑前）。
图11为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S105所得的发光二极管封装结构示意图（注塑前）。
图12为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S106所得的发光二极管封装结构剖面示意图。
图13为图12所示的发光二极管封装结构经过切割之后的单个发光二极管的剖面示意图。
图14为图1中发光二极管封装结构的制造方法的步骤S103所得的另一种发光二极管封装结构剖面示意图。
图15为图14所示的发光二极管封装结构经过图1所示发光二极管封装结构的制造方法所得的单个发光二极管的剖面示意图。
主要元件符号说明
| 基板 | 10 |
| 第一浇槽 | 11 |
| 凸缘 | 12、42、42a |
| 凸出部 | 13、43、43a |
| 第一电极 | 21 |
| 第二电极 | 22 |
| 发光二极管芯片 | 30 |
| 导线 | 31、32 |
| 封装层 | 40 |
| 第二浇槽 | 41、41a |
| 载板 | 50 |
| 浇道 | 60 |
| 注孔 | 70 |
| 反光杯元件 | 90、90a |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，所示为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法的流程图，该发光二极管封装结构的制造方法包括如下步骤：
步骤S101，请一并参考图2和图3，提供基板10。该基板10的顶面上开设若干交叉连通的第一浇槽11。这些第一浇槽11将所述基板10的顶部分隔成环绕基板10周缘设置的环状凸缘12和围设于所述凸缘12内的若干相对独立设置的凸出部13。该基板10还包括若干成对设置于基板10的凸出部13上的第一电极21和第二电极22。每一成对设置的第一电极21与第二电极22对应设置于基板10的一凸出部13上。该第一电极21和第二电极22间隔设置并彼此电性隔绝。
上述基板10可由导热性良好的材料所制成，比如金属或陶瓷。若基板10由金属材料制成时，还需要考虑基板10与第一电极21和第二电极22的绝缘设置，以保证发光二极管封装结构的电气安全性。
在本实施例中，所述第一浇槽11呈纵长条状，这些第一浇槽11纵横交叉连通并环绕所述凸出部13设置，使得所述凸出部13呈阵列分布于基板10的顶部。
步骤S102，请一并参考图4和图5，设置发光二极管芯片30。该发光二极管芯片30对应设置于基板10的凸出部13上。该发光二极管芯片30通过导线31和第一电极21电连接，通过导线32和第二电极22电连接。
在本实施例中，该发光二极管芯片30的正负焊点在同一侧，即本实施例中的发光二极管封装结构为水平式。在其他实施例中，该发光二极管封装结构还可以是垂直式，即正负焊点位于发光二极管芯片30的两侧，其中一个焊点通过导线31与第一电极21电连接，另一个焊点直接与第二电极22电连接。该发光二极管封装结构还可以通过倒装（flip-chip）的方式让发光二极管芯片30直接电连接第一电极21和第二电极22。
步骤S103，请一并参考图6和图7，提供封装层40。本实施例中，该封装层40内均匀混合有荧光粉材料，以对发光二极管芯片30辐射的光进行波长转换从而使发光二极管封装结构发出不同颜色的光。所述荧光粉材料包含石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉、氮氧化物基荧光粉和氮化物基荧光粉中的一种或多种混合。该封装层40为胶状结构且未完全固化，硬度较低，在常规的室内环境下不会自发地流动。
该封装层40的顶部对应基板10的第一浇槽11开设若干交叉连通的第二浇槽41。所述第二浇槽41将封装层40分隔成环绕封装层40周缘设置的凸缘42和围设于所述凸缘42内侧的若干相对独立设置的凸出部43。所述第一浇槽11和对应所述第一浇槽11的第二浇槽41的开口在尺寸上对应一致。所述第二浇槽41的底部位于封装层40中。
进一步地，为了防止上述封装层40在外力作用下发生变形，还可以将该封装层40设置于载板50上。
在本实施例中，该封装层40在外形、尺寸上与基板10对应一致。该载板50的尺寸大于封装层40的尺寸。
步骤S104，请一并参考图8和图9，将所述基板10倒置并压合到封装层40上。所述基板10的第一浇槽11与封装层40的第二浇槽41正对设置，该基板10的凸出部13与封装层40的凸出部43正对相接，该基板10的凸缘12与封装层40的凸缘42正对相接。由于封装层40呈胶状结构，基板10的凸出部13上的发光二极管芯片30对应嵌入封装层40的凸出部43内。该基板10的第一浇槽11和该封装层40的第二浇槽41共同围设出若干上下闭合且内部交叉连通的浇道60。
在本实施例中，共同围设出所述浇道60的第一浇槽11和第二浇槽41对称分布于基板10与封装层40的压合面两侧。在其他实施例中，根据反光杯的成型形状，该第一浇槽11和第二浇槽41可以不对称分布于基板10与封装层40的压合面两侧，比如，第二浇槽41的深度大于第一浇槽11深度。
进一步地，该第一浇槽11和第二浇槽41的截面形状也不作特别限定，在本实施例中，第一浇槽11和第二浇槽41的截面形状均为矩形，在其他实施例中，第一浇槽11和第二浇槽41的截面形状可以为“V”形，亦或是第一浇槽11为“V”形，第二浇槽41为半圆形。但所述第一浇槽11和对应所述第一浇槽11的第二浇槽41的开口尺寸大小应保持一致。
步骤S105，请一并参考图10和图11，设置注孔70并成型反光杯元件90。至少两个与所述浇道60内部连通的注孔70设置于基板10上。所述注孔70位于基板10的第一浇槽11的底部并贯穿该基板10的上下表面。当然，注孔70也可设置于将浇道60与外部连通的其他元件上，如封装层40上。
采用注塑的方法通过注孔70向浇道60内注入熔融的模料以形成反光杯元件90（图12）。该熔融的模料的材质可以是硅树脂（Silicone）或环氧树脂（Epoxy），也可以是不透光的PPA（Polyphthalamide，聚邻苯二甲酰胺）。该熔融的模料冷却之后形成反光杯元件90（图12）。
熔融的模料沿着内部交叉连通的浇道60流动直至填满整个浇道60。为了加快成型的速度，还可以间隔设置多个注孔70，通过多个注孔70同时对浇道60进行注塑。
步骤S106，请一并参考图12，固化该封装层40。用高温烘烤该封装层40使其完全固化，烘烤温度范围优选为150℃~180℃。进一步地，将载板50与封装层40分离。
当然，如图13所示，还可根据需要，对上述步骤S106中形成的发光二极管封装结构进行切割以形成多个独立的发光二极管封装结构。该反光杯元件90环绕该发光二极管芯片30设置。该荧光层同时覆盖住该发光二极管芯片30和反光杯元件90。
请同时参阅图14和图15，可以理解的是，如步骤S103中所示的第二浇槽41a还可以贯穿整个封装层40的上下表面直至载板50。该第二浇槽41a将封装层40分隔成环绕封装层40周缘设置的凸缘42a和围设于所示凸缘42a内侧的若干完全独立并彼此互不连接的凸出部43a。进一步地，图14所述的发光二极管封装结构经过图1所示的发光二极管制造方法所得的独立发光二极管封装结构如图15所示，该荧光层位于该反光杯元件90a所围设的空间内并覆盖住发光二极管芯片30。
在本发明中，通过在基板10上设置交叉连通的第一浇槽11和在封装层40上设置对应所述第一浇槽11的交叉连通的第二浇槽41，通过基板10与封装层40的压合过程形成交叉连通的浇道60，再通过注孔70向浇道60内注入熔融模料以成型反光杯元件90。由于浇道60的内部纵横交叉连通，所以熔融状态的模料可以迅速填满浇道60，冷却后直接成型反光杯元件90，减少了单独成型反光杯元件90生产工序，从而提高了发光二极管封装结构的整体生产效率。
另外，通过设置第一浇槽11和第二浇槽41可以将需要成型的反光杯形状分成上下两个部分，可以根据实际需要调整反光杯的成型形状，进而灵活调整发光二极管封装结构的出光效果。
还可以理解的是，在本发明中，所述第一浇槽11的尺寸可以根据需要作出调整，任意两个第一浇槽11的尺寸并不一定相同，比如从基板10的中间到基板10的两侧，第一浇槽11的尺寸逐渐减小呈中间宽两边窄的分布，或者是第一浇槽11的尺寸在基板10的延伸方向上呈现宽窄的交替变化。所述第一浇槽11和对应所述第一浇槽11的第二浇槽41的开口尺寸大小应保持一致。
应该指出，上述实施方式仅为本发明的较佳实施方式，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (3)
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供基板，所述基板上设置有若干电极，所述基板上开设有若干交叉连通的第一浇槽，所述第一浇槽分别环绕所述电极设置；
设置发光二极管芯片，将所述发光二极管芯片设置于基板上并与电极电连接；
提供封装层，所述封装层为胶状结构，所述封装层对应基板的第一浇槽开设若干交叉连通的第二浇槽；
将基板倒置压合到封装层上，所述发光二极管芯片嵌入到封装层内，所述基板的第一浇槽和封装层的第二浇槽相对接并共同围设出内部交叉连通的闭合浇道；
设置注孔并成型反光杯元件，所述注孔将浇道与外部连通，通过注孔向浇道内注入熔融模料以成型反光杯元件，该熔融的模料的材质为硅树脂或环氧树脂或不透光的聚邻苯二甲酰胺；及
固化封装层。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一浇槽将基板分隔成环绕基板周缘设置的凸缘和围设于所述凸缘内侧的若干相对独立设置的凸出部。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述电极成对设置于基板的凸出部上，所述电极间隔设置且彼此电性隔绝。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210231374.5A CN103531669B (zh) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
| TW101124892A TW201403873A (zh) | 2012-07-05 | 2012-07-11 | 發光二極體封裝結構之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210231374.5A CN103531669B (zh) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103531669A CN103531669A (zh) | 2014-01-22 |
| CN103531669B true CN103531669B (zh) | 2016-09-07 |
Family
ID=49933522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210231374.5A Active CN103531669B (zh) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103531669B (zh) |
| TW (1) | TW201403873A (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9997676B2 (en) | 2014-05-14 | 2018-06-12 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US10439111B2 (en) | 2014-05-14 | 2019-10-08 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| TWI717347B (zh) * | 2015-05-05 | 2021-02-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光裝置的製作方法 |
| CN106549092A (zh) | 2015-09-18 | 2017-03-29 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN108198927A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-22 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种led器件的封装方法及led器件 |
| US10854780B2 (en) | 2017-11-05 | 2020-12-01 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting apparatus and manufacturing method thereof |
| US10784423B2 (en) | 2017-11-05 | 2020-09-22 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201235596Y (zh) * | 2008-07-02 | 2009-05-13 | 单井工业股份有限公司 | 发光二极管的成型模具 |
| EP2284913A2 (en) * | 2005-08-26 | 2011-02-16 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting diode |
| CN102214770A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Led平面光源支架及具有该支架的led平面光源 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7081644B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-07-25 | Barnes Group Inc. | Overmolded lens on leadframe and method for overmolding lens on lead frame |
| JP4954591B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2012-06-20 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-07-05 CN CN201210231374.5A patent/CN103531669B/zh active Active
- 2012-07-11 TW TW101124892A patent/TW201403873A/zh unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2284913A2 (en) * | 2005-08-26 | 2011-02-16 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting diode |
| CN201235596Y (zh) * | 2008-07-02 | 2009-05-13 | 单井工业股份有限公司 | 发光二极管的成型模具 |
| CN102214770A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Led平面光源支架及具有该支架的led平面光源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201403873A (zh) | 2014-01-16 |
| CN103531669A (zh) | 2014-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103531669B (zh) | 发光二极管封装结构的制造方法 | |
| CN102610599B (zh) | 发光器件封装件及其制造方法 | |
| CN104078551B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| EP3511147A1 (en) | Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device | |
| CN102959748A (zh) | 发光设备和方法 | |
| US20100084683A1 (en) | Light emitting diode package and fabricating method thereof | |
| US8900895B2 (en) | Method for manufacturing LED package | |
| CN102130235A (zh) | 一种led芯片的封装方法及封装器件 | |
| CN102386176A (zh) | 发光二极管封装件及其制造方法 | |
| CN102447042A (zh) | Led封装结构及制程 | |
| JP5334123B2 (ja) | 半導体発光装置、半導体発光装置アセンブリ、および半導体発光装置の製造方法 | |
| US8883533B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode package | |
| EP2228843B1 (en) | Light emitting device package | |
| CN104022215B (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
| KR20090028709A (ko) | 발광소자 실장용 기판과 그 제조방법, 발광소자 모듈과 그 제조방법, 표시장치, 조명장치 및 교통 신호기 | |
| CN103311400A (zh) | 发光二极管封装结构的制造方法 | |
| KR100997198B1 (ko) | 프레스 단조 방식의 발광다이오드 금속제 하우징 및 금속제하우징을 이용한 발광다이오드 금속제 패키지 | |
| TWI593133B (zh) | 封裝之製造方法及發光裝置之製造方法、與封裝及發光裝置 | |
| JP3332880B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオードの製造方法 | |
| CN103972371B (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
| CN209133532U (zh) | Led封装模组 | |
| CN102751396B (zh) | 发光二极管封装结构的制造方法 | |
| CN107017328A (zh) | 发光装置及发光装置用供电连接器 | |
| CN104022214B (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
| CN104538529A (zh) | 一种低成本的led封装结构及其晶圆级封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160408 Address after: 518109 Guangdong province Shenzhen city Longhua District Dragon Road No. 83 wing group building 11 floor Applicant after: SCIENBIZIP CONSULTING (SHEN ZHEN) CO., LTD. Address before: 518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Street tabulaeformis Industrial Zone tenth east two Ring Road No. two Applicant before: Zhanjing Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Applicant before: Advanced Optoelectronic Technology Inc. |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160601 Address after: 518000 Guangdong Province, Shenzhen New District of Longhua City, Dalang street, Hua Sheng Lu Yong Jingxuan commercial building 1608 Applicant after: Jinyang Shenzhen sea Network Intelligent Technology Co., Ltd. Address before: 518109 Guangdong province Shenzhen city Longhua District Dragon Road No. 83 wing group building 11 floor Applicant before: SCIENBIZIP CONSULTING (SHEN ZHEN) CO., LTD. |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Yang Jiyuan Inventor before: Lin Houde |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160726 Address after: 100096 Beijing Building Materials West Road, building No. 50, South District, room 2, No. 2014, Haidian District Applicant after: BEIJING TIMES HAODING TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 518000 Guangdong Province, Shenzhen New District of Longhua City, Dalang street, Hua Sheng Lu Yong Jingxuan commercial building 1608 Applicant before: Jinyang Shenzhen sea Network Intelligent Technology Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 100095, 2, 1, unit 201-1, 10 building, No. 1, Gao Li Zhang Road, Haidian District, Beijing. Patentee after: Polytron Technologies Inc Address before: 100096 room 2014, South Building 2, 50 West Building Road, Haidian District, Beijing. Patentee before: BEIJING TIMES HAODING TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |