JP2010130007A - 発光ダイオード装置及びその製造方法 - Google Patents

発光ダイオード装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010130007A
JP2010130007A JP2009253242A JP2009253242A JP2010130007A JP 2010130007 A JP2010130007 A JP 2010130007A JP 2009253242 A JP2009253242 A JP 2009253242A JP 2009253242 A JP2009253242 A JP 2009253242A JP 2010130007 A JP2010130007 A JP 2010130007A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
support structure
lens
led die
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009253242A
Other languages
English (en)
Inventor
Wu-Cheng Kuo
武政 郭
Tzu-Han Lin
▲つ▼▲かん▼ 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
VisEra Technologies Co Ltd
Original Assignee
VisEra Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by VisEra Technologies Co Ltd filed Critical VisEra Technologies Co Ltd
Publication of JP2010130007A publication Critical patent/JP2010130007A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】 レンズの接着が改善されたLED装置を提供する。
【解決手段】 上部に取り付けられた少なくとも1つのLEDダイ102を有する支持構造体100、LEDダイ102の側から前記支持構造体100の一部に形成された凹部104、及び前記支持構造体100上に形成され、前記LEDダイ102と前記凹部104を封止し、前記支持構造体100に形成された突出部を有するレンズ110を含む発光ダイオード(LED)装置。
【選択図】 図5

Description

本発明は、発光ダイオード(LED)装置に関し、特に、レンズの接着が改善されたLED装置に関するものである。
発光ダイオード(以下、「LED装置」という)は、複数の利点を有する固体光源である。高輝度の光を確実に提供できるため、ディスプレイ、信号機と、インジケータなどに用いられる。通常、LED装置は、支持基板上に電気的に接合されたLEDダイを含む。このLEDダイは、一面側に形成されたn接触とその反対面側に形成されたp接触とを有するか、または同一面側に両方の接触が形成されていてもよい。
通常、LED装置のLEDダイは、ランバートパターンの光を放射する。LED装置のLEDダイ上には、レンズが備えられることにより、光線を絞ることや、側面発光パターンを形成させることが一般的になされる。表面実装型LED用の一般のタイプのレンズは、成形されたプラスチックレンズであり、LEDダイが取り付けられたパッケージに接合される。
図1は、特許文献1に開示されている従来技術のLED装置(参照)の断面図である。図1に示されるように、このLED装置は、支持構造体12上に実装された4つのLEDダイ10を有し、支持構造体12は例えば金属導線を有するセラミック基板もしくはシリコン基板、金属ヒートシンク、プリント回路板、または他の適当な構造などである。成形レンズ22は、各LEDダイ10上に提供され、各LEDダイ10を被覆している。
図2は、従来技術のLED装置の斜視図であり、このLED装置では、支持構造体12が、成形レンズ22をそれぞれ有するLEDダイのアレイを支持している。このLED装置製造に通常用いられる成形型には、個別の成形レンズ22の形状に対応するくぼみ部のアレイが形成されている。支持構造体12がセラミックまたはシリコン基板の場合、各LEDダイ10(及びその下方の基板部分)は、支持構造体12の切断または破断によって分断され、個別のLED装置を形成することができる。また、支持構造体12は、分断/ダイシングされて複数のLEDのサブグループを支持してもよいし、または分断/ダイシングされずに用いることもできる。
成形レンズ22は、LEDダイ10からの光抽出効果を向上させ、光を屈折させて所望の光放射パターンを作るだけでなく、LEDダイ10を封止して不純物からLEDダイを保護し、機械的強度を増大させ、さらにワイヤ接合を保護する。
米国特許第7,344,902号明細書
しかし、図1と図2に示された支持構造体12は、実質的に平らな表面を備えていることから、LEDダイ10を覆う成形レンズ22と支持構造体12との間の接着は、主にファンデルワールス力などの物理力によって保持されている。よって、成形レンズ22を下方の支持構造体12に接着する物理的な接合力が十分でないため、外力Fが支持構造体12に加えられると、成形レンズ22が支持構造体12から剥離する場合がある。また、成形レンズ22と下方の支持構造体12との間の界面50に環境水分が浸入する漏れ経路となる場合がある。このような水分の侵入経路があると、LED製品の信頼性の問題をおこす場合がある。このように、成形レンズ22と支持構造体12との接着が不十分なことにより、LED装置の信頼性が悪影響を受ける場合がある。
そこで、前記した問題を解決する新しいLED装置が必要である。
レンズの接着が改善されたLED装置を提供する。
詳細な説明は、添付図面を参照しながら以下の実施形態で行う。発光ダイオード(LED)装置とその製造方法が提供される。本発明のLED装置の特徴は、少なくとも1つのLEDダイと、上部に前記少なくとも1つのLEDダイが実装されており、この実装された前記少なくとも1つのLEDダイの外側部分に凹部が形成された支持構造体と、前記支持構造体上に形成され、前記凹部に入る凸部を有し、前記少なくとも一つのLEDダイと前記凹部を封止するレンズと、を含む。
本発明のLED装置の製造方法の特徴は、上部に少なくとも1つのLEDダイを実装する支持構造体を提供するステップと、前記LEDダイの外側の前記支持構造体の一部に凹部を形成するステップと、前記凹部の形状に入る凸部を有し、前記少なくとも一つのLEDダイと前記凹部を封止するレンズを前記支持構造体上に形成するステップと、を含むことである。
従来技術のLED装置の断面図である。 従来技術のLED装置の斜視図である。 本発明の実施形態に係るLED装置の製造方法を示すLED装置断面図である。 本発明の実施形態に係るLED装置の製造方法を示すLED装置断面図である。 本発明の実施形態に係るLED装置の製造方法を示すLED装置断面図である。 本発明の他の実施形態に係るLED装置の製造方法のLED装置断面図である。 本発明の他の実施形態に係るLED装置の拡大断面図である。 本発明の他の実施形態に係るLED装置の拡大断面図である。 本発明の他の実施形態に係るLED装置の拡大平面図である。 本発明の他の実施形態に係るLED装置の拡大平面図である。 本発明の他の実施形態に係るLED装置の拡大平面図である。
本発明についての目的、特徴、利点が一層明確に理解されるよう、以下に本発明の実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。
図3乃至図5は、実施形態のLED装置の模範的な製造方法を示す断面図である。図3には、支持構造体100上に取り付けられた4つのLEDダイ102を示す断面図が示されている。支持構造体100は、例えば、サブマウント(例えば金属パッドを有するセラミックまたはシリコン基板)、金属ヒートシンク、プリント回路板、または他の支持構造体でもよい。本実施形態では、支持構造体100は、金属パッド(図示せず)を有するシリコンサブマウントである。図3に示すように複数の凹部104は、支持構造体100内において各LEDダイ102の向かい合う端辺のそれぞれに隣接して形成されている。これら複数の凹部104は、支持構造体100の材料に応じて例えばエッチング、レーザー切断、または機械的切断などの方法によって形成することができ、支持構造体100内においてLEDダイ102と離隔した位置に形成されている。
図4では、各LEDダイ102上のレンズ110の所望の形状に合致する複数のくぼみ部107を有する成形型106が示されている。成形型106は、金属、プラスチック、または高分子などの材料で作製されており、非透明性でも、または透明性でも、どちらでもよい。さらに選択の一つとして、成形型106全体の形状を有する非常に薄い非粘着性フィルム(図示せず)を、成形型106上に貼り付けてもよい。この成形型106を用いれば、成形型により成形されるレンズ材料が成形型106に粘着することを防ぐことができる。続いて成形型のくぼみ部107には、熱硬化性または光硬化性の液体状レンズ材料108が充填される。液体状レンズ材料108として、例えば、シリコン、エポキシ、またはシリコン/エポキシの混合などの任意の適切な透光材料を用いることができる。混合物を用いるのは、支持構造体100またはLEDダイ102と熱膨張係数(CTE)を整合させるためである。シリコンとエポキシは、十分に高い屈折率(1.4より大きい)を有し、レンズとして同様に機能し、AlInGaN・LEDまたはAlInGaP LEDからの光抽出効果を大きく改善する。
本実施形態では、支持構造体100と成形型106とが互いに押し合わせ、各LEDダイ102を液体状レンズ材料108内に入れるとともに、レンズ材料108を圧縮する。この時、液体状レンズ材料108は、支持構造体100内に形成された凹部104を充填する。続いて成形型106は、約150℃または他の適当な温度に加熱されるか、または例えば紫外線などの適当な光を放射する光源に所定時間暴露して、レンズ材料108を硬化させる。
支持構造体100を成形型106(図示せず)から離型した後、各LEDダイ102の上のレンズ110を有するLED装置は、図5に示されるように形成される。レンズ110は、いかなるサイズまたは形状のものでもよく、図5に示す実施形態に限定されるものではない。図5に示すように、レンズ110は全て、支持構造体100内に充填される突出部とともに形成される。この突出部によって、レンズ110と支持構造体100間との接着が向上する。
図5に示すLED装置は、図2の斜視図と同様に、支持構造体100は、レンズ110で被覆されたLEDダイ102のアレイを支持するように形成される。この場合、用いられる成形型(図示せず)は、対応するくぼみ部のアレイを有することになる。支持構造体100がセラミックまたはシリコンサブマウントの場合、各LED装置(及びその下方のサブマウント部分)は、サブマウント100の切断または破断によって分断され、個別のLED装置を形成される。また、支持構造体100は、分断/ダイシング切断されて複数のLED装置を含むサブグループを支持してもよいし、または、支持構造体100を分割/ダイシング切断せずに用いてもよい。レンズ110は、LEDダイからの光抽出効果を向上させ、光を屈折させて所望の放射パターンを作るだけでなく、LEDダイを封止し、不純物からLEDダイを保護し、機械的強度を増大し内部の導電接合を保護する。
図6は、図5に示されたLED装置の別の製造方法の例示している。この製造方法では、ゲル充填(gel−dispensing)法により、変更を加えた成形型112を用いてレンズ110を成形する。変更を加えた成形型112は、各LEDダイ102上のレンズの所望の形状に対応した複数のくぼみ部107を有する。各くぼみ部107には穿通孔114、116が設けられている。成形型112は、図3に示された構造体上に配置される。この時、一対の穿通孔114、116は、各くぼみ部107の側面にそれぞれ設けられ、実質的にL型または逆L型の形状になっている。一対の穿通孔114、116の1つは、ゲル状レンズ材料118をくぼみ部107内に充填する流入チャネルとして機能し、もう1つの穿通孔は、真空環境(図示せず)に接続された吸引チャネルとして機能する。その結果、レンズ材料は、成形型112に形成されたくぼみ部107内に充填され、その後図4で説明された方法によって硬化させる。このようにして、実施形態の各LEDダイ102を被覆するレンズ110の成形がなされる。
図7は、例えばセラミックまたはシリコンなどの任意の適当な材料のサブマウント100’上に形成された単一フリップチップ型LEDダイ102を有するLED装置を例示する拡大断面図である。1つの実施形態では、サブマウント100’は、図3乃至図6に示す支持構造体100として機能し、図5に示されたように切断によって分断される。図7のLEDダイ102は、底部p接触層120、p金属接触部122、p型層124、発光活性層126、n型層128と、n型層128に接触するn金属接触部130とを有する。サブマウント100’上の複数の金属パッド(図示せず)は、それぞれp金属接触部122とn金属接触部130とに直接、金属接合される。図3乃至図6に示すLED装置の製造方法を用いて成形されたレンズ110は、LEDダイ102を封止し、サブマウント100’の凹部104を充填する複数の突出部を有する。
図7のLEDダイ102は、非フリップチップ型ダイでもよく、ワイヤを用いてサブマウント100’上の金属パッド(図示せず)と、n型層128およびp型層124とを接続する。レンズ110は、ワイヤも封止することもできる。図8は、ワイヤ151によって金属パッドに接続された上部n金属接触部132とワイヤ152によってもう1つの金属パッドに接続されたp金属接触部134とを備える非フリップチップ型LEDダイ102を有する、他の実施形態のLED装置を示す拡大断面図である。LEDダイ102は、サブマウント100’上に実装されている。図8に示すように、レンズ110は、LEDダイ102を封止し、支持構造体100に形成された凹部104を充填する複数の突出部を有する。
図7と図8に示されるように、レンズ110は、その下方の支持構造体100内に充填される突出部とともに形成されることから、レンズ110と下方の支持構造体100間の接着が向上する。また、レンズ110と下方の支持構造体100との間の界面150に形成される好ましくない水分の漏れ経路は、突出部によってブロックされるため、LED装置の信頼性が向上する。
1つの実施例では、通常、サブマウント100’または支持構造体100の上面から約100〜300μmの深さOまで形成される。また凹部104は、サブマウント100’または支持構造体100の外部端から約500〜1000μmの距離Tの位置に形成される。
図9乃至図11は、本発明に係るLED装置のいろんな実施形態を示す平面図である。図9に示すように複数の領域がサブマウント100’または支持構造体100上に定義される。図9に示された実施形態では、凹部104が支持構造体100に連続する一つの連繋溝として形成されている。図9に示された連繋溝は、LEDダイ102の全ての側辺を囲むため、レンズ110と下方の支持構造体100/サブマウント100’との接着が向上する。凹部104は、複数の不連繋溝104として、サブマウント100’または支持構造体100に形成してもよい。図10に示すように、複数の不連繋溝104は、それぞれがLEDダイ102の一つの側辺を囲むため、LEDダイ102を実質的に囲み、レンズ110と支持構造体100/サブマウント100’の接着を向上させる。図11では、溝104によって囲まれたLEDダイのアレイを有するLED装置を示す他の実施形態が示されている。この実施形態では、溝104は、複数のLEDダイ102を囲む一つの連繋溝として形成されている。しかし、溝104はこれに限定されるものではなく、図10に示されるように、複数の不連繋溝104として形成してもよい。図11に示されたLEDダイ102は、図7と図8に示された方法を用いれば、支持構造体100/サブマウント100’上に電気的に実装することができる。
以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る変更や修正を付加することが可能である。従って、本発明が請求する保護範囲は、特許請求の範囲を基準とする。
10 LEDダイ
12 支持構造体
22 成形レンズ
50 レンズと支持構造体間の界面
100 支持構造体
100’ サブマウント
102 LEDダイ
104 凹部(溝部)
106 成形型
107 成形型のくぼみ部
108 液体状レンズ材料
110 レンズ
112 成形型
114、116 穿通孔
118 ゲル状レンズ材料
120 p接触層
122 p金属接触部
124 p型層
126 発光活性層
128 n型層
130 n金属接触部
132 n金属接触部
134 p金属接触部
150 レンズと支持構造体間の界面
151、152 ワイヤ
F レンズに加えられる力
O サブマウントまたは支持構造体の上面からの凹部の深さ
T サブマウントまたは支持構造体の外部端から凹部端までの距離

Claims (10)

  1. 少なくとも1つのLEDダイと、
    上部に前記少なくとも1つのLEDダイが実装されており、この実装された前記少なくとも1つのLEDダイの外側部分に凹部が形成された支持構造体と、
    前記支持構造体上に形成され、前記凹部に入る凸部を有し、前記少なくとも一つのLEDダイと前記凹部とを封止するレンズと、を含む発光ダイオード(LED)装置。
  2. 前記凹部は、上面から見て一つの連繋溝を形成しており、前記連繋溝は、前記LEDダイを囲む請求項1に記載のLED装置。
  3. 前記凹部は、上面から見て複数の連繋溝を形成しており、前記複数の連繋溝は、前記LEDダイの側面をそれぞれ囲む請求項1に記載のLED装置。
  4. 上部に少なくとも1つのLEDダイを実装する支持構造体を提供するステップと、
    前記LEDダイの外側の前記支持構造体の一部に凹部を形成するステップと、
    前記凹部の形状に入る凸部を有し、前記少なくとも一つのLEDダイと前記凹部とを封止するレンズを前記支持構造体上に形成するステップと、を含むLED装置の製造方法。
  5. 前記支持構造体上のレンズの形成は、
    前記支持基板の上にその中に、前記レンズの形状に対応したくぼみ部を有する成形型を提供するステップと、
    前記成形型の前記くぼみ部にレンズ材料を充填するステップと、
    前記レンズ材料が前記くぼみ部に充填された前記成形型を前記支持構造体に対して押圧するステップと、
    前記レンズ材料を固化させて、前記成形型を取り外し、前記支持構造体上に前記レンズを形成し、前記LEDダイを封止し、前記凹部を充填して前記凹部に入る凸部を形成するステップと、を含む請求項4に記載のLED装置の製造方法。
  6. 前記凹部は、エッチング、レーザー切断、または機械的切断プロセスによって形成される請求項4に記載のLED装置の製造方法。
  7. 前記成形型は、金属、プラスチック、または高分子材料を含む請求項5に記載のLED装置の製造方法。
  8. 前記凹部は、上面から見て一つの連繋溝を形成し、前記連繋溝は、前記LEDダイを囲む請求項4に記載のLED装置の製造方法。
  9. 前記凹部は、上面から見て複数の不連溝を形成し、前記各不連続的な溝は、前記LEDダイの側面を実質的に囲む請求項4に記載のLED装置の製造方法。
  10. 前記成形型は、一対の穿通孔で形成され、前記レンズ材料は、ゲル散布によって前記成形型のくぼみ部内に充填される請求項5に記載のLED装置の製造方法。
JP2009253242A 2008-11-25 2009-11-04 発光ダイオード装置及びその製造方法 Pending JP2010130007A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/323,094 US20100127288A1 (en) 2008-11-25 2008-11-25 Light-emitting diode devices and methods for fabricating the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010130007A true JP2010130007A (ja) 2010-06-10

Family

ID=41718527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009253242A Pending JP2010130007A (ja) 2008-11-25 2009-11-04 発光ダイオード装置及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100127288A1 (ja)
EP (1) EP2190040A3 (ja)
JP (1) JP2010130007A (ja)
CN (1) CN101740599A (ja)
TW (1) TW201021248A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150035508A (ko) * 2012-06-28 2015-04-06 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광 다이오드 모듈 및 자동차 헤드라이트
JP2019046932A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM374650U (en) * 2009-04-20 2010-02-21 Hsin I Technology Co Ltd LED packaging structure
US8643169B2 (en) * 2011-11-09 2014-02-04 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device with over-molded lid
WO2014093057A1 (en) 2012-12-10 2014-06-19 Shannon Lee Mutschelknaus Encapsulation of light-emitting elements on a display module
US10103297B2 (en) 2012-12-10 2018-10-16 Daktronics, Inc. Encapsulation of light-emitting elements on a display module
KR20140130884A (ko) * 2013-05-02 2014-11-12 주식회사 포스코엘이디 광 반도체 조명장치
CN104253188A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管元件的制造方法
CN103887420A (zh) * 2014-04-18 2014-06-25 苏州东山精密制造股份有限公司 一种led封装结构及led制作方法
CN103996378A (zh) * 2014-06-05 2014-08-20 广东威创视讯科技股份有限公司 一种led封装结构
CN205447298U (zh) * 2015-10-09 2016-08-10 魏晓敏 Led发光单元及模组
US10854796B2 (en) * 2016-07-08 2020-12-01 Eaton Intelligent Power Limited LED light system having elastomeric encapsulation
US10422501B2 (en) * 2016-12-14 2019-09-24 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
KR102261288B1 (ko) * 2017-03-14 2021-06-04 현대자동차 주식회사 자동차 외장용 발광다이오드 패키지
EP3545561B1 (en) * 2017-08-25 2022-10-26 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Ltd. Multiple led light source integrated package
US11437551B2 (en) 2019-03-19 2022-09-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and application thereof
WO2020207604A1 (en) * 2019-04-12 2020-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting device and method for producing a plurality of radiation-emitting devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555636A (ja) * 1991-08-22 1993-03-05 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2000022217A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Toshiba Corp 光半導体モジュール
JP2003332627A (ja) * 2002-05-08 2003-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2005271551A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Nissan Motor Co Ltd レジントランスファモールディング成形方法および成形装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291792A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Nec Corp 半導体装置
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
KR100756617B1 (ko) * 2006-09-29 2007-09-07 서울반도체 주식회사 발광소자
JP5315607B2 (ja) * 2006-12-07 2013-10-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2008262990A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 ▲がい▼笛森光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード封入構造、及びその製造方法。
US20100096658A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Wu Ming-Chang Structure of Light Emitting Diode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555636A (ja) * 1991-08-22 1993-03-05 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2000022217A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Toshiba Corp 光半導体モジュール
JP2003332627A (ja) * 2002-05-08 2003-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2005271551A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Nissan Motor Co Ltd レジントランスファモールディング成形方法および成形装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150035508A (ko) * 2012-06-28 2015-04-06 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광 다이오드 모듈 및 자동차 헤드라이트
JP2015514326A (ja) * 2012-06-28 2015-05-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 発光ダイオードモジュールおよび自動車のヘッドライト
US9553078B2 (en) 2012-06-28 2017-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diode module and motor vehicle headlight
KR102031311B1 (ko) * 2012-06-28 2019-10-11 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광 다이오드 모듈 및 자동차 헤드라이트
JP2019046932A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6989763B2 (ja) 2017-08-31 2022-01-12 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101740599A (zh) 2010-06-16
EP2190040A3 (en) 2014-02-26
TW201021248A (en) 2010-06-01
EP2190040A2 (en) 2010-05-26
US20100127288A1 (en) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010130007A (ja) 発光ダイオード装置及びその製造方法
JP6203759B2 (ja) Ledチップの製造方法
JP5819414B2 (ja) 表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品および表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品の製造方法
US20060105484A1 (en) Molded lens over LED die
JP6060994B2 (ja) 光半導体装置
TWI648880B (zh) 形成發光裝置之方法
TW200541110A (en) Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element, and methods of assembling same
US8624280B2 (en) Light emitting device package and method for fabricating the same
JP2012064962A (ja) 高出力固体発光素子パッケージ
JP2011129945A (ja) 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ
US9660148B2 (en) Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device
KR102176383B1 (ko) 하부 반사기를 가지는 led 렌즈의 캡슐화
JP6623577B2 (ja) 発光装置の製造方法
TWI395346B (zh) 發光元件的封裝結構
JP2010171217A (ja) 発光素子パッケージ、発光装置、および表示装置
JP2008172140A (ja) ハウジングと上部の硬質保護材の間に緩衝材を持つ発光装置
TW201340407A (zh) 發光二極體之封裝結構與其製法
KR100765699B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20090116970A (ko) 웨이퍼 레벨 렌즈부 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
JP2018511176A (ja) オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
KR101720285B1 (ko) 발광 장치
KR20140048178A (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101816368B1 (ko) 칩스케일 led 패키지 및 그 제조방법
JP2016051800A (ja) 発光モジュール及び製造方法
JP2013105817A (ja) 光半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111122

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120417